NO169773B - Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive 1,5-benzoksatiepinderivater - Google Patents
Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive 1,5-benzoksatiepinderivater Download PDFInfo
- Publication number
- NO169773B NO169773B NO844993A NO844993A NO169773B NO 169773 B NO169773 B NO 169773B NO 844993 A NO844993 A NO 844993A NO 844993 A NO844993 A NO 844993A NO 169773 B NO169773 B NO 169773B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- transmitter
- light
- optionally substituted
- receiver
- gallium arsenide
- Prior art date
Links
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 title 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 title 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 title 1
- 230000001225 therapeutic effect Effects 0.000 title 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trithia-1,3-diarsabicyclo[1.1.1]pentane Chemical compound S1[As]2S[As]1S2 UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 arsenic selenide Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 3
- JJBXPFRTXHADRQ-UHFFFAOYSA-N 2h-1,5-benzoxathiepine Chemical class S1C=CCOC2=CC=CC=C21 JJBXPFRTXHADRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 102000056834 5-HT2 Serotonin Receptors Human genes 0.000 abstract 1
- 108091005479 5-HT2 receptors Proteins 0.000 abstract 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 206010020772 Hypertension Diseases 0.000 abstract 1
- 208000007536 Thrombosis Diseases 0.000 abstract 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 abstract 1
- 230000002785 anti-thrombosis Effects 0.000 abstract 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 abstract 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 abstract 1
- 230000002490 cerebral effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004087 circulation Effects 0.000 abstract 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 abstract 1
- 239000002934 diuretic Substances 0.000 abstract 1
- 230000001882 diuretic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract 1
- 208000001286 intracranial vasospasm Diseases 0.000 abstract 1
- 230000000302 ischemic effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 abstract 1
- 230000000069 prophylactic effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 125000005346 substituted cycloalkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 229940124597 therapeutic agent Drugs 0.000 abstract 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D327/00—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D327/02—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms one oxygen atom and one sulfur atom
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P11/00—Drugs for disorders of the respiratory system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D411/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D411/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D411/06—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing only aliphatic carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D411/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D411/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D411/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pulmonology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Description
Optoelektronisk halvlederanordning.
Oppfinnelsen angår en optoelektronisk halvlederanordning
med en luminescensdyktig sender, en på senderens stråling fotofSlsomt reagerende pn-overgang som mottager og en elektrisk isolerende lysleder sorn består av halvledermateriale med hoy spesifikk motstand og forbinder sender og mottager optisk og elektronisk med hverandre, samtidig som senderen og lyslederen består av en III-V-forbindelse, særlig av galliumarsenid og mottageren av en halvleder, f.eks. silisium, som med hensyn til refleksjonsfaktoren er tilpasset senderen.
Som optoelektronisk halvlederanordning betegner man en anordning med et halvlederbygge-element som emitterer optisk stråling, f.eks. luminescensdiode, som sender A, et halvlederbygge-element som er folsomt for denne stråling, f.eks. en fotodiode, som mottager B, og en lysleder L mellom de to. Denne lysleder skal bevirke en mest mulig sterk optisk kobling og en mest mulig god elektrisk isolasjon samtidig med en stabil mekanisk kobling mellom sender og mottager i et tem-peraturområde mellom ca. -55 til +125°C.
Den sterke elektriske kobling forutsetter foruten mest mulig intens lysemisjon fra senderen fremfor alt en god tilpasning av mot-tagerens spektralfolsomhet til denne stråling og mest mulig lave absorbsjons-, refleksjons- og totalrefleksjonstap på lysveien. Den optiske avkobling av sender og mottager lar seg oppnå med en mest mulig godt isolerende lysleder.
Den onskede hoye intensitet av senderlyset blir oppnådd med tilsvarende sterke strommer i luminescensdioden A.
Kravet om spektral tilpasning (i sambandsteknikken vil man tale om frekvensavstemning) blir for tiden optimalt oppfylt ved anvendelse av galliumarsenid, GaAs, som sender- og silicium, Si, som mot-tagermateriale. Det er dog ikke utelukket at også andre materialkom-binasjoner i fremtiden vil vise seg å være i det minste like gunstige.
Lystapene ved absorbsjon, refleksjon og totalrefleksjon
såvel som den elektriske isolasjon mellom A og B blir i det vesentlige bestemt ved materialet i lyslederen L. Særlig de tap som skyldes totalrefleksjon ved grenseflatene mellom lysleder og halvlederbygge-elementer, avhenger av lyslederens brytningsindeks n£ mot luft, resp. av lyslederens relative brytningsindeks mot halvledermaterialene. Senderen, f.eks. en GaAs-luminescensdiode, og mottageren, f.eks. en
Si-diode, har hoye brytningsindekser (n^ ■ nQaAs<!>^3»53 og nfi Kn^^ ssA2»% så spesielt totalrefleksjonstapene kan reduseres betraktelig ved anvendelse av sterktbrytende lysledere.
Slike optoelektriske halvlederanordninger er kjent i prin-sippet (jfr. f.eks. Biard m.fl.: Proe. IEEE, Bind 52, nr. 12, 1964,
1529 - 1536). Som lysleder L mellom en GaAs-luminescensdiode som sender A og en Si-fotodiode som mottager B nevnes bly- resp. selen-holdige glass (Pb- resp. Si-glass, brytningsindeks nLÆtfl,8 1,9, resp. njj«^2,4 - 2,6). Disse lysledermaterialere relative brytningsindekser mot halvledermaterialene i sender resp. mottager avviker imidlertid sterkt (over 50%) fra 1, så lystapene, særlig som feige av totalrefleksjon, stadig er meget betydelige.
Den foreliggende oppfinnelses oppgave er å rydde denne ulempe av veien.
Ifolge oppfinnelsen blir denne oppgave lost ved at den av semi-isolerende galliumarsenid bestående lysleder er slik dotert med krom at dens absorbsjonskoeffisient langs lysveien mellom.sender og mottager er lik eller mindre enn 20 cm ^
Da den elektriske isolasjonsvirkning av lysledere av Pb-resp. Si-holdige glass avtar merkbart med stigende temperatur også innen området for vanlige driftstemperaturer, består en ytterligere oppgave for oppfinnelsen i å gi anvisning på en lite absorberende sterktbrytende lysleder som samtidig har hoy spenningsfasthet.
Ifolge en videre oppfinnelsestanke blir det oppnådd ved at der som lysleder anvendes et semi-isolerende halvledermateriale - i tilfellet av GaAs som sender og Si som mottager særlig semi-isolerende GaAs.
Ved uttrykket "semi-isolerende" skal folgende forstås: Den laveste elektriske ledningsevne, m.a.o. den hoyeste elektriske motstand har det absolutt reneste halvledermateriale, som idag riktignok av teknologiske og okonomiske grunner neppe lar seg oppnå. Denne til-strebede reneste tilstand kommer man, når det gjelder den elektriske ledningsevne resp. den elektriske motstand, på ganske prisverdig måte meget nær ved i det minste delvis kompensasjon av forstyrrende ladninger* som alltid forefinnes. Kompensasjonen er mulig ved målrettet innbygning av fremmedatomer, f.eks. fremmedatomer der virker som feller for frie ladningsbærere. Et slikt kompensert - ikke aller reneste halvledermateriale, d.v.s. et halvledermateriale med hoyest mulig elektrisk motstand, betegner man som semi-isolerende.
På grunnlag av materialvalget kan det altså spesielt oppnås at brytningsindeksene for sender A og lysleder L (f.eks. begge av GaAs) er tilnærmelsesvis like, så tilpasningen bare behover å foretas mellom brytningsindeksene for lysleder og mottager.
Absorbsjonstapene opptrer hovedsakelig i lyslederen, og det særlig når lysleder og sender består, av samråe grunnmateriale. Det bor derfor påses at absorbsjonskoeffisienten for det anvendte lys for-blir lav nok, f.eks. mindre enn 20 cm<->"<1>", i det minste i lyslederen. Absorbsjonskoeffisienten lar seg innstille ved dotering av lyslederen L.
Et galliumarsenid, GaAs, som er semi-isolerende, altså har mest mulig hoy spesifik motstand og samtidig liten absorbsjon, er f.eks. et GaAs som er dotert med noen 10 kromatomer pr. cm-<5> (GaAs:Cr). Absorbsjonstapene blir lavere jo mer langbolget GaAs-luminescensdiodens emisjon er. Særlig godt egner seg en GaAs-luminescensdiode hvis lys-utviklende pn-overgang er fremstillet ved innlegering av en sink-tinn-— 2» -2 -1
pille - fortrinsvis med sammensetning Sn"""^L0 - 10 - og hvis spektrale emisjonsmaksimum ligger ved ca. X 0,98 ^um. Absorbsjons-koeff isienten for det semi-isolerende GaAs:Cr-lysledermateriale utgjor for dette lys bare omtrent Oc ^ 5 cm"<1> (jfr.£lj ). For lyset fra en ellers vanlig diffundert GaAs-luminescensdiode [ Ot omtrent 0,9 ^um)
vil absorbs jonskoeff isienten være omtrent OC 5*2 50 cm<-1> (jfr. [ 2. J )
og dermed omtrent en faktor 10 storre.
Det Cr-doterte GaAs har ikke bare liten absorbsjon ved ca.
1 <y>um, men har dessuten meget hoy spesifik motstand (ca. 10 pSc cm)
og egner seg derfor særlig som materiale for en spenningsfast lysleder.
Da den optoelektriske halvlederanordnings sender A og lysleder L i dette tilfelle består av samme grunnmateriale, nemlig GaAs, kan en mekanisk stabil forbindelse mellom de to fremstilles på enkel måte, f.eks. ved epitaktisk oppbygning. Mottageren B kan kittes for dannelse av en mekanisk stabil forbindelse med lyslederen L.
Den ovennevnte fordel av den meget lave absorbsjon i lyslederen L er av betydning også fordi det anvendte kitt mellom lysleder L og mottager B muligvis kan fore til lystap. Disse tap, som isåfall blir uunngåelige, blir imidlertid utlignet av de meget lave tap på veien til dette kittlag.
Som kitt mellom lysleder L og mottager B kan der uten for store absorbsjonstap anvendes opp til ca. 1^um tykke skikt av lavtsmeltende glass, som til og med kan tillates å ha en elektrisk ledningsevne. Et slikt kittglass K kan spesielt inneholde arsensulfid As^S^ eller arsenselenid ks^ Se^, hvorved brytningsindeksen blir hoynet og refleksjonstapene dermed minsket. Ved skikttykkelser på mindre enn —P* , altså mindre enn ca. 0,5 /um, kan også organiske lim anvendes uten ulempe.
Det skal dessuten nevnes at en minskning av absorbsjonstapene også lar seg oppnå ved innbygning av andre III-V-forbindelser i luminescensdioden og/eller lyslederens materiale, nemlig ved båndavstands-minskende komponenter i luminescensdioden (ved GaAs f.eks. minst én av forbindelsene InSb, InAs, GaSb, InP) og/eller ved båndavstandsokende komponenter i lyslederen (ved GaAs f.eks. minst én av forbindelsene A1P, AlAs, GaP, AlSb).
I det folgende skal der under henvisning til fig. 1-3 bli, gjort rede for hvilken fordel der oppnås spesielt med hensyn til totalrefleksjonstapene ved tilpasning av brytningsindeksen.
På fig. 1 er forlopet av strålingen i en optoelektrrj halvlederanordning skjematisk skissert. For oversiktens skyld er der antatt en punktformet pn-overgang i luminescensdioden A. p og n betyr p- og n-sone i luminescensdioden, TR totalrefleksjonen og 1 og 2 grenseflatene henholdsvis mellom A og L og mellom L og B.
Lysstrålene folger brytningsloven
sin B n*sin^ n = relativ brytningsindeks
sin tfGm ^ ; I^q = grensevinkel for totalrefleksjon (n>l)
Lyskoblingen fj - d.v.s. kvotienten av den intensitet Jg som registreres i B, og den intensitet som emitteres av pn-overgangen i A - er gitt (absorbsjonstap er ikke tatt med) ved
* lfås med god tilnærmelse som produkt av transmisjonen T-^ ved grenseflaten 1 med en faktor FTR som tar hensyn til det forhold at grenseflaten 1 på grunn av totalrefleksjon bare passeres av lysstråler fra lyskjeglen med åpningsvinkel 2 Ip^-
For transmisjonen gjelder (FRESNEL's formler)
Ved hjelp av brytningsindeksen kan 1^, og T også uttrykkes i avhengighet av innfallsvinkelen . tf. På fig. 2 er transmisjonen Tra oppfort for tilfellet n » 3»53 (det svarer til en grenseflate mellom GaAs og luft). Man ser at T forst f or vinkler storre ennyØ <= BREWSTER-vinkelen avtar merkbart, d.v.s. at transmisjonen med god tilnærmelse kan betraktes som uavhengig av vinkelen og settes lik T {( fs^ tstQ0). Feilen ved denne tilnærmelse er gitt ved forholdet mellom den skraverte flate (fig. 2) og hele rektangelet med hoyde T (y«c^a*0°) og blir med n t> 1 stadig mindre fordi man da får Æ-*90°. Dermed blir 1
Faktoren F TR er gitt ved kvotienten av 2yQ-rumvinkelen
(ved totalrefleksjon begrenset utnyttbar lysbundt) og den samlede kuleoverflate. Under anvendelse av formelen for totalrefleksjonen får man
Da der ved grenseflaten 2 på grunn av n^^ng ikke opptrer noen totalrefleksjon, og da n^ = n(jaAS^nsi " hB (d*v,s«
n9 - nI £$—-1—), får man for lyskoblingen uttrykket
n B n-j^
Fig. 3 viser forlopet av som funksjon av n-^. Man ser tydelig at lyskoblingen TJ for en optoelektronisk anordning i henhold til oppfinnelsen (n-^ K, 1,2) blir vesentlig hoyere enn ved anvendelse av lysledere av Pb-glass (n.^1,8, d.v.s. n1«l,4) eller av Se-glass (nL«2,5, d.v.s. n1«l,95) eller av luft (n1«3,5). Fig. 4 viser en utforelsesform av den optoelektroniske halvlederanordning ifolge oppfinnelsen. Her betyr: A: Luminescensdiode (f.eks. av GaAs, fortrinsvis (Zn, Sn)-legert
GaAs-luminescensdiode), kontaktert med
E-, og E£: elektroder i luminescensdioden
P. resp. n^: henholdsvis p- og n-sone i luminescensdioden A
L: hdytbrytende lysleder av semi-isolerende halvledermateriale med
liten absorbsjon (f.eks. av GaAs:Cr)
B: fotodiode (f.eks. av Si), kontaktert med
og E^: elektroder for fotodioden
Pg resp. n^: henholdsvis i-- og n-sone i fotodioden B
• K: eventuelt forekommende kittskikt (f.eks. av lavtsmeltende glass).
Litteratur:
[lj CE. JONES, A.R. HILTON:
J. Electrochem. Soc, bind 113 (mai 1966) 504-505
£2J W.W. CARR:
IEEE Trans, on El.Dev. ED nr. 10 (oktober 1965)
531 - 535.
Claims (2)
1. Optoelektronisk halvlederanordning med en luminescensdyktig sender, en på senderens stråling fotofolsomt reagerende pn-overgang som mottager og en elektrisk isolerende lysleder som består av halvledermateriale med hoy spesifikk motstand og forbinder sender og mottager optisk og elektronisk med hverandre, samtidig som senderen og lyslederen består av en III-V-forbindelse, særlig av galliumarsenid og mottageren av en halvleder, f.eks. silisium, som med hensyn til refleksjonsfaktoren er tilpasset senderen, karakterisert ved at den av semi-isolerende galliumarsenid bestående lysleder er slik dotert med krom at dens absorbsjonskoeffisient langs lysveien mellom sender og mottager er lik eller mindre enn 20 cm"<1>.
2. Anordning som angitt i krav 1,karakterisert ved at den av semi-isolerende galliumarsenid bestående lysleder som forbinder fenderen, som består av en galliumarsenid-luminescensdiode med en pn-overgang' tilveiebragt ved innlegering av sink og tinn, med mottageren, som dannes av en silisiumfotodiode, har en tilsetning av
l6 17 9
10 til 10 ' kromatomer pr. cm-'.
3- Anordning som angitt i krav 1 eller 2, karakterisert ved at lyslederen er epitaktisk sammenvokset med luminescensdioden som danner senderen, og mottageren er forbundet med lyslederen via et tynt skikt av et kitteglass inneholdende arsensulfid eller arsenselenid.
4« Anordning som angitt i et av kravene 1- 3, karakterisert ved at der i lyslederen og/eller i luminescensdioden som danner senderen, i tillegg er innbygget minst en Ajj-j-B^-forbindelse som oker den effektive båndavstand og minsker absorbsjonstapene.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP1983/000436 WO1985002617A1 (en) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 1,5-benzoxathiepin derivatives and process for their preparation |
| PCT/JP1984/000168 WO1985004658A1 (en) | 1984-04-04 | 1984-04-04 | 1,5-benzoxathiepine derivatives and their preparation |
| PCT/JP1984/000526 WO1986002644A1 (en) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 1,5-benzoxathiepin derivatives and process for their preparation |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO844993L NO844993L (no) | 1985-06-17 |
| NO169773B true NO169773B (no) | 1992-04-27 |
| NO169773C NO169773C (no) | 1992-08-05 |
Family
ID=27304096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO844993A NO169773C (no) | 1983-12-14 | 1984-12-12 | Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive 1,5-benzoksatiepinderivater |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4672064A (no) |
| EP (2) | EP0145494B1 (no) |
| JP (2) | JPH02191271A (no) |
| KR (1) | KR910009288B1 (no) |
| AT (1) | ATE47851T1 (no) |
| AU (1) | AU570753B2 (no) |
| CA (3) | CA1247613A (no) |
| DE (1) | DE3480397D1 (no) |
| DK (1) | DK166779B1 (no) |
| ES (2) | ES8702399A1 (no) |
| FI (1) | FI80029C (no) |
| GR (1) | GR81240B (no) |
| HU (1) | HU201922B (no) |
| IE (1) | IE58159B1 (no) |
| NO (1) | NO169773C (no) |
| PH (3) | PH21851A (no) |
| PT (1) | PT79666B (no) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0229467A1 (en) * | 1985-12-10 | 1987-07-22 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | 1,5-Benzoxathiepin derivatives, their production and use |
| US4992465A (en) * | 1988-09-27 | 1991-02-12 | Ciba-Geigy Corporation | 3-amino-dihydro-(1)-benzopyrans |
| US5538974A (en) * | 1994-01-27 | 1996-07-23 | Senju Pharamceutical Co., Ltd. | Ophthalmic composition for lowering intraocular pressure |
| FR2822467B1 (fr) * | 2001-03-22 | 2003-12-12 | Pf Medicament | Derives benzoxathiepines et leur utilisation comme medicaments |
| US6915094B2 (en) | 2002-01-16 | 2005-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Composition for accessing a memory in image formation apparatus and method for accessing a memory in image formation apparatus |
| ES2280824T3 (es) * | 2002-12-20 | 2007-09-16 | Merck Patent Gmbh | Benzodioxepinas substituidas. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1023796A (en) * | 1964-02-14 | 1966-03-23 | Pfizer Ltd | Guanidino compounds |
| US3517031A (en) * | 1966-08-15 | 1970-06-23 | Pfizer & Co C | 1,5-benzoxepin- and -benzodioxepin-3-ones as flavor and odorant agents |
| US3584002A (en) * | 1968-08-26 | 1971-06-08 | Frosst & Co Charles E | Process for the preparation of 3-oxo-benzodioxepin |
| US3647479A (en) * | 1969-10-28 | 1972-03-07 | Plizer Inc | Method of flavoring food by addition of benzoxepin-3-ones and benzodioxepin-3-ones |
| US4188390A (en) * | 1977-11-05 | 1980-02-12 | Pfizer Inc. | Antihypertensive 4-amino-2-[4-(1,4-benzodioxan-2-carbonyl) piperazin-1-yl or homopiperazin-1-yl]quinazolines |
-
1984
- 1984-12-07 DK DK584184A patent/DK166779B1/da active
- 1984-12-10 AU AU36468/84A patent/AU570753B2/en not_active Ceased
- 1984-12-12 GR GR81240A patent/GR81240B/el unknown
- 1984-12-12 NO NO844993A patent/NO169773C/no unknown
- 1984-12-12 ES ES538517A patent/ES8702399A1/es not_active Expired
- 1984-12-13 EP EP84308691A patent/EP0145494B1/en not_active Expired
- 1984-12-13 HU HU844657A patent/HU201922B/hu not_active IP Right Cessation
- 1984-12-13 EP EP87116048A patent/EP0300088A3/en not_active Ceased
- 1984-12-13 IE IE320684A patent/IE58159B1/en not_active IP Right Cessation
- 1984-12-13 PT PT79666A patent/PT79666B/pt not_active IP Right Cessation
- 1984-12-13 CA CA000469996A patent/CA1247613A/en not_active Expired
- 1984-12-13 FI FI844940A patent/FI80029C/fi not_active IP Right Cessation
- 1984-12-13 DE DE8484308691T patent/DE3480397D1/de not_active Expired
- 1984-12-13 AT AT84308691T patent/ATE47851T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-12-14 PH PH31583A patent/PH21851A/en unknown
- 1984-12-14 KR KR1019840007941A patent/KR910009288B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-10-08 PH PH32900A patent/PH23423A/en unknown
- 1985-12-10 US US06/806,809 patent/US4672064A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-01-27 ES ES551262A patent/ES8705417A1/es not_active Expired
-
1987
- 1987-01-13 PH PH34714A patent/PH23651A/en unknown
- 1987-04-15 US US07/038,787 patent/US4751316A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-08-25 CA CA000575740A patent/CA1258463A/en not_active Expired
- 1988-08-25 CA CA000575739A patent/CA1258462A/en not_active Expired
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1032375A patent/JPH02191271A/ja active Granted
- 1989-02-10 JP JP1032376A patent/JPH02191272A/ja active Granted
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4300811A (en) | III-V Direct-bandgap semiconductor optical filter | |
| CA1189605A (en) | Optoelectronic assembly including light transmissive window | |
| US6005262A (en) | Flip-chip bonded VCSEL CMOS circuit with silicon monitor detector | |
| CN102346284B (zh) | 一种利用自立式平行板分束器的激光二极管封装体结构 | |
| NO169773B (no) | Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive 1,5-benzoksatiepinderivater | |
| JPH1168164A (ja) | 双方向光通信用モジュール | |
| US20080193135A1 (en) | Collimated ball lenses for optical triplexers | |
| US6696740B2 (en) | Photodiode | |
| CN109061814B (zh) | 一种基于环形器的单纤双向收发器 | |
| KR101689413B1 (ko) | 반사 층시스템을 포함한 광전 반도체 몸체 | |
| US6525347B2 (en) | Photodetector and unit mounted with photodetector | |
| NO120590B (no) | ||
| US20220416098A1 (en) | Light Receiving Element | |
| KR101848804B1 (ko) | 광 송신모듈, 광 트랜시버, 및 이를 포함하는 광통신 시스템 | |
| US7807954B2 (en) | Light receiving element with upper and side light receiving faces and an optical semiconductor module with the light receiving element and a light emitting element mounted on the same mounting unit | |
| US11195962B2 (en) | High responsivity high bandwidth photodiode and method of manufacture | |
| JPH08234063A (ja) | 送受信光モジュール | |
| CN100461557C (zh) | 被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器 | |
| JPH0722648A (ja) | 炭化ケイ素発光ダイオード素子 | |
| KR102015408B1 (ko) | 수직 입사형 포토다이오드 | |
| GB2378069A (en) | Vertically integrated optical transmitter and receiver | |
| JP3538731B2 (ja) | 受信フォトダイオード用サブマウント | |
| US20200035869A1 (en) | Dielectric mirror for broadband ir leds | |
| KR102514851B1 (ko) | 반도체 소자 패키지 | |
| WO2020028341A1 (en) | Infrared light emitting device |