NO166240B - Vandig alkalisk opploesning og fremgangsmaate for behandling av harpiksholdige substrater og kretskort. - Google Patents

Vandig alkalisk opploesning og fremgangsmaate for behandling av harpiksholdige substrater og kretskort. Download PDF

Info

Publication number
NO166240B
NO166240B NO861299A NO861299A NO166240B NO 166240 B NO166240 B NO 166240B NO 861299 A NO861299 A NO 861299A NO 861299 A NO861299 A NO 861299A NO 166240 B NO166240 B NO 166240B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
solution
naoh
solutions
namn04
contact
Prior art date
Application number
NO861299A
Other languages
English (en)
Other versions
NO861299L (no
NO166240C (no
Inventor
Gerald Krulik
Original Assignee
Thiokol Morton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thiokol Morton Inc filed Critical Thiokol Morton Inc
Publication of NO861299L publication Critical patent/NO861299L/no
Publication of NO166240B publication Critical patent/NO166240B/no
Publication of NO166240C publication Critical patent/NO166240C/no

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Cleaning Implements For Floors, Carpets, Furniture, Walls, And The Like (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Cosmetics (AREA)

Description

Foreliggende oppfinnelse vedrører vandige, alkaliske oppløsninger inneholdende vann, NaMnC>4 og NaOH. Foreliggende oppfinnelse vedrører videre en fremgangsmåte for fjernelse av harpiksutsmøringer på innervegger av hull dannet i isolerende stoff og/eller etsing av innerveggene i slike hull ved anvendelse av de vandige, alkaliske natriumpermanganatoppløs-ningene ifølge oppfinnelsen.
Hulldannelsesoperasjoner i harpiksholdige materialer fører ofte til utsmøring av harpiks over innerveggen eller omkretsen av et hull. Harpiksutsmøringen kan hovedsakelig tilskrives genereringen eller anvendelsen av temperaturer som overskrider smeltepunktet for en harpiksholdig komponent av materialet under hulldannelsesprosessen.
I tilfeller hvor hull bores i epoksyimpregnerte fiberglass-laminatmaterialer (som f.eks. anvendes ved fremstilling av trykte kretskort), vil friksjonen av drillboret mot materialet heve temperaturen for boret. Ofte vil det genereres drillbortemperaturer som overskrider smeltetemperaturen for mange harpikssystemer. Drillboret opptar følgelig smeltet harpiks på sin bevegelse gjennom materialet som bores, og denne smeltede tilveksten smøres på omkretsen av hullet. Ved laserboring for å tilveiebringe kontakt med indre ledere i organiske isolerende substrater kan en tilsvarende harpiks-tilvekst eller utsmøring utvikles på den eksponerte leder-overflaten.
Selv om problemet med harpiksutsmøring på hullveggene kan ignoreres i noen tilfeller, kan det i andre tilfeller være meget nødvendig at disse fjernes. Når f.eks. et flerlags kretskort fremstilles, dannes det huller i et harpiksholdig materiale som inneholder et stort antall parallelle plane metalliske ledere, med hullet loddrett på, og i forbindelse med, to eller flere metalliske ledere. Det er ofte ønskelig å metallisere hullveggene slik at det dannes en ledende vei mellom to eller flere av de metalliske lederne, derfor må harpiksutsmøringen fjernes fra kantene av hullet gjennom de metalliske lederne dersom ledende kontakt mellom den metall iserte hullveggen og de metalliske lederne skal oppnås. Når følgelig kretskorthull bores gjennom en kopperkledd basis av plastlaminat eller gjennom et plastlaminat inneholdende indre ledende plan som i et flerlags kretskort, må harpiks-utsmøring på metalloverflåtene som er eksponert mot veggene av hullet fjernes for å oppnå riktig funksjon av de belagte gj ennomhul1ingene.
Belagte gjennomhullinger som beskrevet ovenfor er nyttige som elektriske forbindelser mellom trykkede kretser som har metalliske ledere på begge sider av plastlaminatet eller mellom to eller flere av de forskjellige planene og over-flatelederlagene i flerlagskort. Den elektriske og mekaniske integriteten som er påkrevet for denne funksjonen kan bare oppnås ved å sikre fullstendig fjernelse av harpiksholdige materialer fra hele den indre omkretsen av den delen av den metalliske lederen som er eksponert mot hullet.
Tallrike fremgangsmåter er kjente for fjernelse av harpiks-utsmøringer. En fremgangsmåte er mekanisk og innbefatter at det føres en tørr eller våt strøm av slipepartikler gjennom slike hull. En tilsvarende fremgangsmåte er anvendelsen av hydraulisk trykk for å presse en tykk oppslemming av slipematerialet gjennom hullene. Imidlertid er disse mekaniske fremgangsmåtene generelt langsomme og vanskelige å kontrollere. Videre er fullstendig fjernelse av utsmøring i alle hull i et gitt kretskort vanskelig å oppnå.
Kjemiske fremgangsmåter har også vært benyttet for å fjerne utsmøringer fra hull. Generelt angriper kjemikaliene som benyttes det utsmurte harpiksholdige belegget. Kjemikaliene innbefatter f.eks. konsentrert svovelsyre (ned til ca. 9056 konsentrasjon). Utsmurt epoksyharpiks, som vanligvis er mindre enn ca. 0,0025 cm tykk, kan fjernes ved ca. et minutts behandling med konsentrert svovelsyre. Uheldigvis er den høye svovelsyrekonsentrasjonen som er påkrevet meget risikabel og krever ekstraordinære forholdsregler av operatøren. Videre dannes uønskede, ru hull. I tillegg absorberer den konsentrerte svovelsyren raskt vann, dette begrenser dens nyttige levetid og kan forårsake variasjoner i neddykkingstidene som krever for å fjerne utsmøringen i hullene.
Et annet kjemisk middel for fjernelse av utsmøring som har vært anvendt er kromsyre. Selv om det er lettere å kontrollere etsehastigheter med kromsyre fordi dette er et lang-sommere etsemiddel enn konsentrert svovelsyre, krever det fremdeles forsiktighet av operatøren og spesialutstyr. Kromsyre er videre toksisk og gir problemer ved avhending av avfall.
Permanganat har også vært benyttet for fjernelse av utsmøring og for etsing av forskjellige materialer. F.eks. beskriver US patent nr. 1.969.678 etseoppløsninger for metaller, f.eks. kopper, som inneholder jern(III)klorid og et oksydasjonsmiddel som overfører Jern(II )ioner til jern(III)ioner. Dette oksydasjonsmidlet kan være KMnC>4. Naturligvis vil disse etseoppløsningene i beste fall ha begrenset anvendelighet ved fremstilling av kretskort siden kortene ofte Inneholder et kopperlag som ville fjernes av jern(III)kloridet.
US patent nr. 3.293.148 beskriver en renseoppløsning for metaller som inneholder et oksydasjonsmiddel, alkalimetallhydroksyd, glukonsyre og polyetylenglykol. Blant de mange omtalte oksydas]onsmidlene er permanganater, selv om de ikke er foretrukket, og det er ikke er angitt noe eksempel på anvendelse av disse.
US patent nr. 3.425.947 vedrører faste konsentrater som er nyttige ved fremstilling av behandlingsbad for fjernelse av organiske stoffer fra metalloverflater. Konsentratene inneholder 50-90$ alkalimetallhydroksyd, 10-50$ permanganat og 1 gramekvivalent/grarorool permanganat av et reduksjonsmiddel. Typiske oppløsninger fremstilt med de faste konsentratene inneholder ca. 105 g/l KMn04 (som er fullstendig oppløselig bare ved forhøyet temperatur) og ca. 250 g/l NaOH.
US patent nr. 3.457.107 beskriver preparater for kjemisk polering av rustfritt stål. Disse preparatene er vandige oppløsninger inneholdende alkalimetallhydroksyder, f.eks. NaOH, og alkalimetallpermanganat, f.eks. KMn04. Typiske oppløsninger inneholder ca. 39 g/l NaOH, 16 g/l KMn04 og 4,8 g/l Na2C03; eller 78 g/l NaOH, 32 g/l KMn04 og 9,6 g/l Na2C03.
US patent nr. 3.489.625 beskriver syrebeising av karbonstål etterfulgt av behandling med en alkalisk permanganatoppløs-ning. Den alkaliske permanganatoppløsningen inneholder 5-50 g/l KMn04 og 10-200 g/l alkalimetallhydroksyd.
US patent nr. 3.506.397 vedrører behandlingen av ABS-harpiks med en sammensetning inneholdende fosforsyre og kaliumpermanganat.
US patent nr. 3.598.630 <p>g 3.647.699 vedrører også fosforsyre/kaliumpermanganatoppløsninger for behandling av ABS-polymerer.
US patent nr. 3.625.758 vedrører fremstillingen av trykte kretskort. Som et trinn i fremstillingsprosessen behandles kortet med et oksyderende og nedbrytende middel som kan være en permanganatoppløsning. Imidlertid er det ikke gitt noen detaljer eller spesifikke eksempler vedrørende sammen-setningen av permanganatoppløsningen.
US patent nr. 3.652.351 vedrører preparater for etsing av syntetiske polymerer. Disse etsemiddelpreparatene inneholder 2,5-8,5$ kalium- og/eller natriummanganat, 30-70$ natrium-og/eller kaliumhydroksyd og 21,5-67,5$ vann. Disse preparatene fremstilles fra det tilsvarende permanganatet som omsettes med en stor mengde natrium- og/eller kaliumhydroksyd ved forhøyet temperatur for å redusere permanganatet til manganat. I eksempel 1 blandes f.eks. 50 g KOH, 5 g KMn04 og 20 g vann og den resulterende blandingen oppvarmes til 80-90°C inntil deoksydasjonen er fullført. På tilsvarende måte inneholder reaksjonsblandingen i eksempel 2 45 g NaOH, 6 g NaMn04 og 20 g vann, og i eksempel 3 anvendes 25 g NaOH, 25 g KMn04, 2,5 g NaMn04 og 20 g vann.
Det ble gjort forsøk på å reprodusere eksemplene i det ovenfor nevnte patentet, og det ble funnet at de permanganat-holdige reaksjonsblandingene ikke var flytende oppløsninger, men derimot pastaliknende materialer som krystalliserte selv ved koketemperaturene. Dette er imidlertid ikke overraskende idet reaksjonsblandingene inneholder store mengder alkalimetallhydroksyd. Nærmere bestemt inneholder reaksjonsblandingen i eksempel 1 (på en gram/liter-basis) 1000 g/l KOH og 105 g/l KMn04; i eksempel 2 anvendes 990 g/l NaOH og 132 g/l NaMn04? og i eksempel 3 anvendes 575 g/l NaOH, 575 g/l KOH, 108 g/l NaMn04 og 108 g/l KMn04. Det ble funnet at manganatpreparatene fremstilt ved å reprodusere eksemplene i det nevnte patentet ikke var tilfredsstillende etsemidler.
US patent nr. 3.833.414 beskriver en fremgangsmåte for fjernelse av aluminidbelegg fra metall ved å behandle metallet méd en blandet syreoppløsning, etterfulgt av behandling med en vandig alkalisk permanganatoppløsning; og endelig en andre behandling med den blandede syren. Den vandige alkaliske permanganatoppløsningen inneholder 8-11$ NaOH, 8-11$ Na2C03 og 4-6$ KMn04.
US patentene nr. 4.042.729; 4.054.693 og 4.073.740 vedrører behandling av harpiksholdige overflater med en oppløsning av manganat (Mn04<2>-) og permanganat (Mn04~) hvor molforholdet manganat/permanganat er opptil 1,2 og pH i oppløsningen er 11-13. I dette eksemplet angis at høyere pH øker Mn04^~/Mn04
-forholdet, hvilket er uønsket.
US patent nr. 4.294.651 beskriver etsing av et halvleder-substrat med et preparat inneholdende en fluorforbindelse (7-38$), et oksydasjonsmiddel såsom KMn04 (2,5-7$) og alkali såsom KOH eller NaOH (1-10$).
US patent nr. 4.425.380 beskriver en fremgangsmåte for fjernelse av harpiksutsmøring (rensing) fra en Innervegg av et hull 1 et harpikssubstrat. Prosessen innbefatter at substratet bringes I kontakt med en alkalisk permanganat-oppløsning som har en pH mellom 11 og 13 ved forhøyet temperatur. Med hensyn til permanganatet angis det at et hvilket som helst metallsalt av permangansyre som er stabilt og oppløselig I den grad at minst 10 g/l i vann kan anvendes, natriumpermanganat og kaliumpermanganat er foretrukket. Selv om det beskrives at mengder fra 10 g/l opptil oppløse-1ighetsgrensen for permanganatet kan anvendes, understrekes det at spesielt gode resultater oppnås med NaMn04 eller KMn04 I området 10-60 g/l. Videre beskrives det at hastigheten for dannelse av bindingsseter øker opptil 60 g/l, men ingen ytterligere økning i hastigheten registreres utover dette nivået. Følgelig er det i nevnte patentet satt en praktisk øvre grense på 60 g/l permanganat i renseoppløsningene.
Oppløsningene for fjernelse av harpiksutsmøringene ifølge det ovenfor nevnte patentet har også et trangt pH-område på 11-13. Det nevnes gjentatte ganger at en høyere pH fører til en rekke alvorlige problemer. F.eks. er det i kolonne 3, linje 2-5 angitt at anvendelsen av permanganatoppløsning med høy pH fører til lokaliserte inaktive områder når de benyttes til å fjerne utsmøring av epoksyharpiks og bortetse polyimid på kretskort. Disse inaktive områdene fører til dannelsen av små hull eller beleggingshulrom når kortet senere belegges elektroløst med metall. Dette problemet med små hull eller beleggingshulrom etter rensing med permanganatoppløsninger med høy pH refereres igjen til i kolonne 3, linje 37-40.
I det nevnte patentet, dvs. US patent nr. 4.425.380, refereres det videre til andre problemer som forårsakes av permanganatoppløsninger med høy pH, dvs. over pH 13. I kolonne 4, linje 27-29 angis det at store mengder restmangan finnes når det benyttes alkaliske permanganatbehandlingsopp-løsninger som har en pH over 13. Det er videre angitt i kolonne 4, linje 31-38, at når disse permanganatoppløsningene med høy pH avsatt på et substrat ikke ble nøytralisert, var den etterfølgende elektroløse metallavsetningen rask, men det elektroløse metallbadet dekomponerte spontant. Når på den andre siden permanganatbehandlingsoppløsningen med høy pH ble nøytralisert, forble rester på substratet hvilket resulterte i hulrom i hullet når et metall senere ble elektroløst avsatt på dette. Følgelig fremgår det klart fra beskrivelsene i det nevnte patentet at permanganatoppløs-ninger med høy pH ventes å virke dårlig, om i det hele, i en fremgangsmåte for fjernelse av utsmøringer, hovedsakelig på grunn av deres manglende evne til å tilveiebringe et substrat som på tilfredsstillende måte kan belegges elektroløst.
Problemet med manganrester avsatt på substratene når permanganatoppløsninger med høy pH anvendes, er spesifikt behandlet i eksemplene 1 det nevnte patentet. Der er det vist at når en KMn04-oppløsning med høy pH benyttes, etterlates relativt store mengder manganrester på substratet. Ifølge det nevnte patentet kan disse manganrestene ikke enkelt fjernes ved hjelp av et syrenøytraliseringstrinn. Et ekstra trinn innbefattende neddykking i en alkalisk oppløsning er påkrevet for å fjerne i det vesentlige alle manganrestene.
US patent nr. 4.430.154 vedrører en fremgangsmåte for fjernelse av et klebemedium fra trykkede kretskort uten at basismaterialet eller kopperlederen på kortet korroderes ved behandling med en alkalisk permanganat- eller kromsyreoppløs-nlng. Den alkaliske permanganatoppløsningen som er beskrevet Inneholder 50 g/l KMn04 og 50 g/l NaOH.
Britisk patent nr. 1.479.558, publisert 13. juli 1977, vedrører også rensing og bortetsing av trykkede kretskort og trådformige ledere ved behandling med en alkalisk per-manganatoppløsning inneholdende kaliumpermanganat, en sterk base (f.eks. NaOH) og et fluorert hydrokarbonfuktemiddel. Oppløsningen inneholder 10-75 g/l KMn04 og nok NaOH til å gi en pH på 13-14. Typisk anvendes 40 g/l NaOH. Prosessen med fjernelse av utsmurt harpiks gjennomføres ved temperaturer på 35-5CC, det beskrives at temperaturer over 70'C resulterer i forøket permanganatbehov for å opprettholde badsammenset-ningen uten at det oppstår noen tilsynelatende fordel, dvs. den samlede prosessen blir mindre effektiv når det gjelder permanganatf orbruk.
Følgelig fremgår det fra det foregående at vandige per-manganatoppløsninger er velkjente for en lang rekke anven-delser. Imidlertid har man innen teknikken fokusert oppmerksomheten så å si utelukkende på oppløsninger inneholder kaliumpermanganat. Uheldigvis har imidlertid KMn04 svært begrenset oppløselighet i vann, idet den maksimale oppløse-ligheten 1 vann ved 20'C bare er ca. 63,8 g/l. Videre er KMn04, selv ved metningspunktet, et relativt langsomt etsemiddel.
I et forsøk på å forbedre etseeffektiviteten av KMn04 har man innen teknikken i de senere år vendt oppmerksomheten mot sterkt alkaliske KMn04-oppløsninger. Spesielt US patent nr. 4.425.380 og britisk patent nr. 1.479.553 omtalt ovenfor, vedrører KMn04-oppløsninger som har en pH på henholdsvis 11-13 og 13-14. Selv om denne høye alkaliniteten gir noen fordeler for KMn04-oppløsningene, fører den til andre problemer såsom avsetning av manganrester som er vanskelige å fjerne. Av denne grunn blir det antatt at KMn04-oppløsnlnger som har en pH over 13 Ikke gir tilfredsstillende etseresul-tater (se diskusjonen ovenfor av US patent nr. 4.425.380).
Forøket etseeffektivitet har også blitt ønskelig fordi det I mange situasjoner er nødvendig at etsemidlet ikke bare er i stand til å fjerne utsmurt harpiks fra små områder, men også er i stand til å "etse bort" harpiksen. Betegnelsen "bortetsing" benyttes innen teknikken og refererer til fjernelse av harpiks fra f.eks. omkretsen av et hull på et trykket kretskort slik at en del av lagene av kopper eller liknende eksponeres. Kopperlaget vil i realiteten rage noe ut i hullet i kortet. Mens for praktiske formål bortesting er enhver fjerning av harpiks som er større enn enkel fjernelse av utsmøring, er i noen tilfeller spesifikk bortetsing påkrevet.
(F.eks. defineres innenfor det militære bortetsing som fjernelse av 0,0076 - 0,076 mm harpiks.) Selv om det ikke finnes noen bestemt grenselinje mellom fjernelse av utsmøring og bortetsing betraktes, for formålene med foreliggende oppfinnelse, en oppløsning som forårsaker et slikt tap over 25 mg (eller ca. 0,0013 mm) etter 15 minutters etsing av et 7,62 cm x 7,62 cm stort epoksy/glass kretskort å forårsake bortetsing. Etsemiddelpreparater som er i stand til å fjerne så mye materiale på akseptabel tid uten å være ukontroller-bart aggressive har vært vanskelige å finne.
Det er nå oppdaget at mange av problemene som oppstår med tidligere kjente KMnC^-oppløsninger kan overvinnes fullstendig med vandige alkaliske oppløsninger av NaMnC>4 og NaOH. NaMn04 er langt mer oppløselig i vann enn KMn04, dette gir lett vandige oppløsninger inneholdende 400-500 g/l NaMn04 ved 20<*>C. Mens man Innen teknikkens stand unngår oppløsninger med høy pH, er det videre funnet at meget alkaliske oppløsninger av NaMn04 og NaOH løser mange av problemene som er beskrevet Innenfor tidligere kjent teknikk med KMn04-oppløsninger med høy pH. Fjernelse av utsmøringer og etsehastigheter som finnes med alkaliske NaMn04/NaOH-oppløsninger er langt raskere enn med KMn04-oppløsnlnger, og selv om manganavset-ninger fremdeles finner sted med NaMnf^/NaOH-oppløsninger kan avsetningene lett fjernes med enkel syrenøytralisering, i motsetning til den langt mer kompliserte behandlingen som er påkrevet med KMn04-oppløsninger. Videre gir visse NaMn04/NaOH-oppløsningene utmerket, lett kontrollerbar bortetsing.
Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMnC>4 og NaOH 1 en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelse av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved enkel syrenøytrali-sering. Oppløsningen er nyttig for preparering av et harpiksholdig substrat for senere metallisering.
Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer videre en fremgangsmåte for preparering av et harpiksholdig substrat for senere metallisering som innbefatter at substratet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes 1 kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering alene.
Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer videre en forbedret fremgangsmåte for fjernelse av harpiksutsmøringer fra innerveggene av hull dannet 1 harpiksholdige substrater hvor fremgangsmåten innbefatter at substratet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH 1 en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av 1 det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering alene.
Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer videre en forbedret fremgangsmåte for rensing av hull i flerlags kretskort hvori forbedringen innbefatter at flerlags kretskortet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av det i vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering alene.
Videre tilveiebringes ved foreliggende oppfinnelse en fremgangsmåte for bortetsing av overflaten av et kretskort, spesielt veggene av hullene i dette, som innbefatter at kretskortet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning som i det vesentlige består av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestené fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering alene.
Den eneste figuren er en grafisk fremstilling av vekt-endrlngsresultatene fra noen eksemplene som følger.
Når betegnelsen "gram/liter" benyttes med hensyn til oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse, refererer den til mengden av den spesielle komponenten som er i oppløsning ved romtemperatur, dvs. ca. 25°C.
Det bør bemerkes at selv om teknikkens stand behandler NaMn04 og KMn04 som ekvivalente og tilveiebringende tilsvarende eller like rense- eller etsevirkninger, er de to i virkeligheten ikke ekvivalente. KMn04 har en svært begrenset oppløselighet i vann, dvs. en maksimalverdi på ca. 63,8 g/l ved 20°C. NaMn04 har imidlertid en langt større oppløselig-het i vann, vandige oppløsninger med 400-500 g/l NaMn04 kan lett fremstilles. Det er nå oppdaget at disse mer konsentrerte NaMn04-oppløsningene gir etsehastigheter som er betydelig høyere enn hastighetene som kan oppnås med KMn04.
Videre er det funnet at etsehastigheten er avhengig av alkalikonsentrasjonen i oppløsningen. Lave alkalikonsentrasjoner, f.eks. opptil 4 g/l NaOH, gir lave etsehastigheter selv ved høye permanganatkonsentrasjoner. Videre vil, ved lave alkalikonsentrasjoner, Mn02 bygges opp på overflaten av materialet som etses, denne Mn02 er svært vanskelig (om ikke umulig) å fjerne fullstendig. Ettersom konsentrasjonen av alkali forøkes, øker etsehastigheten, men avsetningen av MnO£ på den etsede overflaten er fremdeles vanskelig å fjerne. Dette problemet er omhyggelig diskutert i US patent nr. 4.425.380 som vedrører fremgangsmåter for fjernelse av harpiksutsmøringer ved anvendelse av KMn04 og alkalikonsentrasjoner opptil 40 g/l. Ved de alkalikonsentrasjonene som benyttes i det nevnte patentet, kreves en totrinnsprosess for på tilfredsstillende måte å fjerne manganresten på overflaten av f.eks. et kretskort. Resten må først nøytraliseres med en sur oppløsning for å redusere manganrestene til en lav oksydasjonstilstand. Imidlertid er dette nøytrallserings-trinnet alene Ikke tilstrekkelig til å fjerne alt avsatt mangan fra KMn04-oppløsningen i det nevnte patentet. Dette nøytraliseringstrinnet må etterfølges av behandling med en alkalisk hydroksydoppløsning ved 40-95"C for å fjerne i det vesentlige alle manganrestene.
Det er nå uventet oppdaget at en vandig alkalisk oppløsning inneholdende 75 til 400 g/l NaMn04 og 40 til 400 g/l NaOH gir en manganrest som lett kan fjernes ved en enkel syrenøytrali seringsprosess, f.eks. ved at overflaten hvorpå manganresten er avsatt bringes i kontakt med fortynnet svovelsyre. Ingen etterfølgende behandling, som påkrevet ved det ovenfor omtalte patentet, er påkrevet. Dette er spesielt overraskende på bakgrunn av det faktum at inntil foreliggende oppfinnelse ble gjort, ble det antatt av fagmenn at høyere alkalikonsentrasjoner ikke ville løse problemet med fjernelse av manganrest.
Mengdene av NaMn04 og NaOH I oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse kan variere i betydelig grad. Mengder av NaMn04 under 75 g/l tilveiebringer ikke oppløsninger som har de ønskede høye etsehastighetene av oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse. Oppløsninger som inneholder over 400 g/l NaMn04 er svært aggressive etsemidler og kan gi ru overflater på noen etsede materialer. Fortrinnsvis vil mengden NaMn04 være 100-200 g/l. Oppløsninger inneholdende denne foretrukne mengden NaMn04 gir utmerkede etsehastigheter og er økonomisk praktiske. Når materialet som skal etses er en epoksyharpiks, hvilket normalt er tilfelle ved trykkede kretskort, er en mengde NaMn04 på 160 g/l spesielt foretrukket.
Mengden av NaOH i oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse kan også variere innenfor området 40-400 g/l. Foretrukne mengder NaOH varierer innenfor 40-160 g/l. Når materialet som skal etses er en epoksyharpiks, er ca. 60 g/l NaOH spesielt foretrukket.
Fra det foregående fremgår det at de foretrukne oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse inneholder 100-200 g/l NaMn04 og 40-160 g/l NaOH og, når epoksyharplksen etses, 160 g/l NaMn04 og 60 g/l NaOH.
Oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse kan enkelt fremstilles. Grunnleggende oppløses ganske enkelt NaMn04 og NaOH i vann i mengder som er tilstrekkelige til at den ønskede konsentrasjonen av hver komponent oppnås. NaMn04 og NaOH kan enten være faste eller i form av sterkt konsentrerte vandige oppløsninger, sistnevnte er noe foretrukket for å unngå overopphetning av oppløsningen når den fremstilles. Oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse er spesielt nyttige ved fremgangsmåter for preparering av harpiksholdige substrater for metallisering, for fjernelse av harpiks som er utsmurt på innerveggene av hull dannet i harpiksholdige substrater, for renseprosesser for hull i flerlags kretskort og for bortetsingsprosesser for kretskort. Foreliggende oppfinnelse innbefatter slike prosesser hvor det anvendes vandige, alkaliske oppløsninger ifølge foreliggende oppfinnelse .
Fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse kan utøves på velkjent måte (som f.eks. beskrevet i US patent nr. 4.425.380 og britisk patent nr. 1.479.558) ved å anvende etseoppløs-ningene ifølge foreliggende oppfinnelse til å fjerne utsmørlnger, etse eller begge deler. Følgelig kan fremgangsmåtene ifølge foreliggende oppfinnelse utføres på følgende typisk måte som er beskrevet med referanse til bearbeidelse av et trykket kretskort (PCB - printed circuit board): 1. PCB'en er på forhånd renset før etsing med NaMnO^NaOH-oppløsningen. Dette gjøres for å fjerne overskudd av olje eller smuss, for uniformt å fukte harpiksen og/eller metalloverflåtene, og eventuelt for å mykne harpiksen noe med et organisk oppløsningsmiddel for å lette permanganat-angrepet. 2. Den rengjorte PCB'en renses for å fjerne rengjørings-oppløsningen fra trinn 1. 3. PCB'en plasseres deretter i en NaMnO^NaOH-oppløsnlng ifølge foreliggende oppfinnelse i et tidsrom og ved en temperatur som er tilstrekkelig til effektivt å bevirke den ønskede harpiksfjernelsen. Betingelsene som anvendes vil variere med typen etsing som er ønsket (f.eks. vil fjernelse av utsmørlnger kreve bare 1-5 minutter;
bortetsing kan kreve 5-60 minutter eller mer ved en typisk badtemperatur på ca. 770 C) og type harpiks.
4. PCB'en renses grundig.
5. PCB'en bringes deretter i kontakt med en sur nøytrali-seringsoppløsning (f.eks. fortynnet svovelsyre og et mildt reduksjonsmiddel) for å fjerne i det vesentlige alle permanganat- og mangan- (hovedsakelig mangandioksyd) rester fra PCB'en.
6. PCB'en renses igjen grundig.
I de følgende eksemplene undersøkes forskjellige permanganat-holdige oppløsninger for å bestemme deres anvendelig som rense- eller etsebad. I hvert forsøk ble følgende fremgangsmåte fulgt: 1. Et kretskort med kopperbelegg på begge sider av et epoksyharpiks/fIberglass-substrat skjæres til en størrelse på 7,62 cm x 7,62 cm. 2. Kopperet etses fullstendig bort fra begge sidene av kortet ved å anvende et standard etsebad for kopper, f.eks. en H2O2/H2SO4-oppløsning. 3. Det resulterende kortet varmebehandles ved 100°C inntil det er fullstendig tørt og veies deretter. 4. Kortet plasseres deretter i oppløsningen angitt i de følgende eksemplene, ved den temperaturen og i det tidsrommet som også er angitt i eksemplene. 5. Kortet fjernes fra oppløsningen og plasseres i en sur nøytraliseringsoppløsning, f.eks. en vandig syreoppløsning inneholdende 5$ H2SO4 og 50 g/l reduksjonsmiddel. 6. Kortet fjernes fra nøytraliseringsbadet, varmebehandles ved 100'C inntil det er fullstendig tørt og veies igjen. 7. Totalt vekttap (eller økning) bestemmes ved å sammenlikne vekten av kortet etter trinn 3 og trinn 6. Endringen i vekt angis i de følgende eksemplene som "Awt" og angir mengden materiale som er etset fra kortet (eller vekten addert til kortet) av permanganatoppløsningen.
Sammenlikningseksempler
Flere forsøk ble utført for å bestemme evnen av KMnC^-oppløsninger til å fjerne harpiksutsmøringer fra og/eller etse kretskort. Resultatene er angitt i tabell A (sammenlikning).
<*> Kommersielt produkt markedsført av M&T Chemicals, Inc.
<**> Den første Awt er etter 5 minutter; den andre Awt er etter 15 minutter.
Flere forsøk ble gjennomført for å bestemme effektiviteten av oppløsninger inneholdende relativt lave konsentrasjoner av NaMn04. Resultatene er gjengitt i tabell B (sammenlikning).
Resultatene i tabellene A og B viser at KMnC^-oppløsninger bare har begrenset effektivitet som oppløsninger for fjernelse av harpiksutsmøringer og at de generelt ikke er nyttige som etseoppløsninger på grunn av den svært lave mengden (om noen) harpiks som fjernes. Selv ved svært høye konsentrasjoner av KMn04 og NaOH ble det oppnådd et vekttap på bare 0,0573 g (eksempel M). Ved lavere konsentrasjoner var vekttapet i beste fall neglisjerbart. Videre viste kortet I virkeligheten i mange tilfeller en vektøkning. Dette skyldtes manganrester som ble avsatt på overflaten av kortet og som ikke kunne fjernes ved syrenøytraliseringen alene.
Vanlige, alkalisk oppløsninger ifølge foreliggende oppfinnelse ble undersøkt ved den samme fremgangsmåten som ble benyttet i sammenlikningseksemplene. Resultatene er sammenfattet i tabell 1.
Resultatene i tabell 1 viser klart den uventede overlegen-heten av de vandige alkaliske NaMn04-oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse. For det første fremgår det at oppløsninger av NaMnC>4 kan fremstilles inneholdende minst 400 g/l NaMn04 og 350 g/l NaOH. Det er også klart at oppløs-ningene ifølge foreliggende oppfinnelse er langt mer aktive etsemidler enn oppløsningene i de sammenliknende eksemplene. Selv den minst konsentrerte oppløsningen ifølge foreliggende oppfinnelse (eksempel nr. 10) fjernet tilnærmet like mye materiale fra kortet på bare 11 minutter som den mest konsentrerte sammenliknlngsoppløsningen (eksempel M) gjorde på 15 minutter. Videre var alle oppløsningene undersøkt i tabell 1 godt over terskelverdien for fjernelse av utsmørings/bortetsing. Det er også meget viktig at på alle kortene etset med oppløsningene ifølge foreliggende oppfin-neise kunne i det vesentlige alle manganrestene fjernes ved hjelp av syrenøytralisering alene.
Noen av resultatene fra sammenlikningstabellene A og B og tabell 1 er sammenfattet grafisk i figur 1. Her er Awt vist for de eksemplene hvor kretskortet var underkastet en 15 minutters etsing. Det fremgår klart at oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse er langt overlegne sammenllknings-oppløsningene. Alle oppløsningene ifølge foreliggende oppfinnelse ga vekttap langt over samtlige sammenliknings-oppløsninger. I tillegg overskred alle oppløsningene Ifølge foreliggende oppfinnelse bortetsingsterskelen på 25 mg
(representert ved den horisontale stiplede linjen 1 figuren)
med betydelig margin, mens bare få av sammenlikningsoppløs-ningene var i stand til å overskride dette nivået. Endelig forårsaket mere enn halvparten av sammenllknlngsoppløsningene en vektøkning for kretskortet, hvilket indikerer at manganrestene avsatt på disse kortene ikke kunne fjernes ved enkel syrenøytralisering. Det fremgår klart at ingen av oppløs-ningene ifølge foreliggende oppfinnelse forårsaket en vektøkning.

Claims (11)

1. Vandig, alkalisk oppløsning, karakterisert ved at den 1 det vesentlige består av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH 1 en mengde på fra 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering.
2. Oppløsning ifølge krav 1, karakterisert ved at den inneholder fra 100 g/l til 200 g/l NaMn04.
3. Oppløsning ifølge krav 2, karakterisert ved at den inneholder ca. 160 g/l NaMn04.
4. Oppløsning ifølge krav 1, karakterisert ved at den inneholder fra 40 g/l til 150 g/l NaOH.
5. Oppløsning ifølge krav 4, karakterisert ved at den inneholder ca. 60 g/l NaOH.
6. Oppløsning ifølge krav 1,karakterisert ved at den inneholder fra 100 g/l til 200 g/l NaMn04 og fra 40 g/l til 160 g/l NaOH.
7. Oppløsning ifølge krav 1, karakterisert ved at den inneholder 160 g/l NaMn04 og 60 g/l NaOH.
8. Fremgangsmåte for preparering av et harpiksholdig substrat for etterfølgende metallisering, karakterisert ved at den innbefatter at substratet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning i det vesentlige bestående av vann, 75 til 400 g/l NaMnC-4 og NaOH 1 en mengde på fra 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering.
9. Fremgangsmåte ved fjernelse av harpiksutsmøringer fra innerveggene av hull dannet i harpiksholdige substrater, karakterisert ved at den innbefatter at substratet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning som i det vesentlige består av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering.
10. Fremgangsmåte ved rensing av hull i flerlags kretskort, karakterisert ved at den innbefatter at flerlags kretskortet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes i kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering.
11. Fremgangsmåte for bortetsing av overflaten av et kretskort, karakterisert ved at den innbefatter at kretskortet bringes i kontakt med en vandig, alkalisk oppløsning bestående hovedsakelig av vann, 75 til 400 g/l NaMn04 og NaOH i en mengde på 40 til 400 g/l, som er tilstrekkelig til at fjernelsen av i det vesentlige alle manganrestene fra overflaten av et materiale som bringes 1 kontakt med oppløsningen kan oppnås ved syrenøytralisering.
NO861299A 1985-05-31 1986-04-02 Vandig alkalisk opploesning og fremgangsmaate for behandling av harpiksholdige substrater og kretskort. NO166240C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/739,599 US4601783A (en) 1985-05-31 1985-05-31 High concentration sodium permanganate etch batch and its use in desmearing and/or etching printed circuit boards

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO861299L NO861299L (no) 1986-12-01
NO166240B true NO166240B (no) 1991-03-11
NO166240C NO166240C (no) 1991-06-19

Family

ID=24973020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO861299A NO166240C (no) 1985-05-31 1986-04-02 Vandig alkalisk opploesning og fremgangsmaate for behandling av harpiksholdige substrater og kretskort.

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4601783A (no)
EP (1) EP0207587B1 (no)
JP (1) JP2562810B2 (no)
KR (1) KR900003470B1 (no)
AT (1) ATE51422T1 (no)
AU (1) AU580662B2 (no)
BR (1) BR8602230A (no)
CA (1) CA1254493A (no)
DE (2) DE3669896D1 (no)
DK (1) DK255286A (no)
ES (1) ES8801354A1 (no)
IL (1) IL78267A (no)
NO (1) NO166240C (no)
NZ (1) NZ215544A (no)
ZA (1) ZA862433B (no)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992335A (en) * 1985-09-12 1991-02-12 Sanders Associates, Inc. Composite material and method of making same
US4935308A (en) * 1985-09-12 1990-06-19 Sanders Associates Composite material and method of making same
US5019453A (en) * 1985-09-12 1991-05-28 Guerra Richard J Composite material and method of making same
US4781853A (en) * 1986-12-01 1988-11-01 Harris Corp. Method of enhancing silicon etching capability of alkali hydroxide through the addition of positive valence impurity ions
US4940510A (en) * 1987-06-01 1990-07-10 Digital Equipment Corporation Method of etching in the presence of positive photoresist
DE3887989T2 (de) * 1988-04-25 1994-07-14 Macdermid Inc Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen mit durchgehenden löchern für metallisierung.
US5032427A (en) * 1988-04-25 1991-07-16 Macdermid, Incorporated Process for preparation printed circuit through-holes for metallization
US4978569A (en) * 1989-08-14 1990-12-18 Eastman Kodak Company Process for preparing selectively metallized articles
US4917761A (en) * 1989-08-14 1990-04-17 Eastman Kodak Company Method of rendering polymeric materials hydrophilic for etching
US4985293A (en) * 1989-08-14 1991-01-15 Eastman Kodak Company Polymer blend for molded circuit boards and other selectively conductive molded devices
US4978422A (en) * 1990-03-20 1990-12-18 Macdermid, Incorporated Method for improving insulation resistance of printed circuits
GB2259812B (en) * 1991-09-06 1996-04-24 Toa Gosei Chem Ind Method for making multilayer printed circuit board having blind holes and resin-coated copper foil used for the method
US5221418A (en) * 1992-02-11 1993-06-22 Macdermid, Incorporated Method for improving the surface insulation resistance of printed circuits
US5286530A (en) * 1993-01-13 1994-02-15 General Electric Company Method for providing adherent metal coatings on cyanate ester polymer surfaces
US5366015A (en) * 1993-11-12 1994-11-22 Halliburton Company Method of cutting high strength materials with water soluble abrasives
US5700518A (en) * 1996-04-26 1997-12-23 Korea Institute Of Science And Technology Fabrication method for diamond-coated cemented carbide cutting tool
US5833759A (en) * 1996-11-08 1998-11-10 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for preparing vias for subsequent metallization
US5985040A (en) * 1998-09-21 1999-11-16 Electrochemicals Inc. Permanganate desmear process for printed wiring boards
US6706326B1 (en) * 1999-07-16 2004-03-16 Enthone Inc. Process for plating plastics using a catalytic filler
ES2230796T3 (es) * 1999-07-16 2005-05-01 Enthone-Omi (Benelux) B.V. Procedimiento para metalizar plastico usando una carga catalitica.
US6454868B1 (en) 2000-04-17 2002-09-24 Electrochemicals Inc. Permanganate desmear process for printed wiring boards
WO2006114130A1 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Agilent Technologies, Inc. Enzymes with modified amino acids
US7354870B2 (en) 2005-11-14 2008-04-08 National Research Council Of Canada Process for chemical etching of parts fabricated by stereolithography
JP4986081B2 (ja) * 2007-07-09 2012-07-25 住友金属鉱山株式会社 プリント配線基板の製造方法
JP2011082374A (ja) * 2009-10-08 2011-04-21 C Uyemura & Co Ltd 中和還元剤及びデスミア方法
JP5330474B2 (ja) * 2011-09-22 2013-10-30 上村工業株式会社 デスミア液及びデスミア処理方法
US8765001B2 (en) 2012-08-28 2014-07-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Texturing of monocrystalline semiconductor substrates to reduce incident light reflectance
CN109321921A (zh) * 2018-09-28 2019-02-12 东莞优诺电子焊接材料有限公司 一种汽车模具pvd用的退镀液及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1969678A (en) * 1931-09-25 1934-08-07 Dow Chemical Co Ferric chloride etching solutions
US2908557A (en) * 1957-01-07 1959-10-13 Rca Corp Method of etching copper
US3080323A (en) * 1959-04-07 1963-03-05 Purex Corp Ltd Composition for radioactive decontamination and descaling of cobalt alloys
US3293148A (en) * 1964-02-27 1966-12-20 Hooker Chemical Corp Method of cleaning steel surfaces
NL6606730A (no) * 1965-05-17 1966-11-18
US3457107A (en) * 1965-07-20 1969-07-22 Diversey Corp Method and composition for chemically polishing metals
AT310285B (de) * 1966-02-22 1973-09-25 Photocircuits Corp Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers für gedruckte Schaltungen
US3425947A (en) * 1966-05-02 1969-02-04 Hooker Chemical Corp Method of treating metal surfaces
US3528924A (en) * 1967-01-24 1970-09-15 Purex Corp Ltd Plastic case desoiling process
US3647699A (en) * 1967-12-22 1972-03-07 Gen Motors Corp Surface conditioner composition for abs resin
US3506397A (en) * 1967-12-22 1970-04-14 Gen Motors Corp Phosphoric acid recovery from spent plastic conditioner solution
US3598630A (en) * 1967-12-22 1971-08-10 Gen Motors Corp Method of conditioning the surface of acrylonitrile-butadiene-styrene
US3652351A (en) * 1970-05-13 1972-03-28 Carus Corp Processes for etching synthetic polymer resins with alkaline alkali metal manganate solutions
US3689303A (en) * 1970-12-21 1972-09-05 Crown City Plating Co Process for electroless plating of abs resins
US3833414A (en) * 1972-09-05 1974-09-03 Gen Electric Aluminide coating removal method
US4042729A (en) * 1972-12-13 1977-08-16 Kollmorgen Technologies Corporation Process for the activation of resinous bodies for adherent metallization
US4054693A (en) * 1974-11-07 1977-10-18 Kollmorgen Technologies Corporation Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition
DK154600C (da) * 1974-11-07 1989-04-17 Kollmorgen Tech Corp Fremgangsmaade til forbehandling af kredsloebspladerpaa formstofbasis.
US4073740A (en) * 1975-06-18 1978-02-14 Kollmorgen Technologies Corporation Composition for the activation of resinous bodies for adherent metallization
JPS55153338A (en) * 1979-05-18 1980-11-29 Fujitsu Ltd Surface treatment of semiconductor substrate
DE3110415C2 (de) * 1981-03-18 1983-08-18 Ruwel-Werke Spezialfabrik für Leiterplatten GmbH, 4170 Geldern Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten
US4425380A (en) * 1982-11-19 1984-01-10 Kollmorgen Technologies Corporation Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions
US4515829A (en) * 1983-10-14 1985-05-07 Shipley Company Inc. Through-hole plating

Also Published As

Publication number Publication date
ZA862433B (en) 1986-12-30
KR860009097A (ko) 1986-12-20
EP0207587B1 (en) 1990-03-28
IL78267A0 (en) 1986-07-31
NZ215544A (en) 1989-03-29
EP0207587A1 (en) 1987-01-07
AU580662B2 (en) 1989-01-27
US4601783A (en) 1986-07-22
JP2562810B2 (ja) 1996-12-11
JPS61278597A (ja) 1986-12-09
NO861299L (no) 1986-12-01
ES555510A0 (es) 1988-01-01
DK255286D0 (da) 1986-05-30
DK255286A (da) 1986-12-01
DE3669896D1 (de) 1990-05-03
KR900003470B1 (ko) 1990-05-19
DE207587T1 (de) 1987-10-15
AU5527086A (en) 1987-01-15
BR8602230A (pt) 1987-01-13
ATE51422T1 (de) 1990-04-15
CA1254493A (en) 1989-05-23
NO166240C (no) 1991-06-19
ES8801354A1 (es) 1988-01-01
IL78267A (en) 1989-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO166240B (no) Vandig alkalisk opploesning og fremgangsmaate for behandling av harpiksholdige substrater og kretskort.
US4601784A (en) Sodium permanganate etch baths containing a co-ion for permanganate and their use in desmearing and/or etching printed circuit boards
US4895739A (en) Pretreatment for electroplating process
US4425380A (en) Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions
US4597988A (en) Process for preparing printed circuit board thru-holes
US5007990A (en) Electroplating process
CN1177954C (zh) 铜或铜合金的微浸蚀剂、使用该剂的微浸蚀法和印刷线路板的制法
EP1303575B1 (en) Liquid crystal polymers for flexible circuits
US6830627B1 (en) Copper cleaning compositions, processes and products derived therefrom
US4948630A (en) Three step process for treating plastics with alkaline permanganate solutions
US5017267A (en) Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces
US4756930A (en) Process for preparing printed circuit board thru-holes
US4957653A (en) Composition containing alkane sulfonic acid and ferric nitrate for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces, and method for stripping tin or tin-lead alloy
WO2007024312A1 (en) Improved microetching solution
US5238550A (en) Electroplating process
CN112088049B (zh) 碳基直接镀覆工艺
US5213840A (en) Method for improving adhesion to polymide surfaces
US7063800B2 (en) Methods of cleaning copper surfaces in the manufacture of printed circuit boards
US5017742A (en) Printed circuit board
US6454954B1 (en) Desmear etchant and use thereof
EP0454929A2 (en) Method for improving metal adhesion to polyimide surfaces
KR102161257B1 (ko) 구리 및 그 합금의 표면조도용 에칭공정 및 에칭조성물
PL166222B1 (pl) Sposób chemicznej obróbki wstępnej otworów w wielowarstwowych i dwustronnonnptytPach drukowanyan
JPS607194A (ja) プリント回路基板のスル−ホ−ルの調製方法