NO139559B - Fremgangsmaate for fremstilling av acylaminoalkanolderivater - Google Patents

Abstract

Fremgangsmåte for fremstilling av acylaminoalkanolderivater.

Description

Frekvensomf ormer.

Foreliggende oppfinnelse angår generelt behandlingen av signaler i radiomottagere, og særlig tas det sikte på halvlederkretser for fre-kvensomformere til overlagring av en mottatt signal-modulert bærebølge med en lokalt frem-bragt oscillatorbølge slik at man får en mel-lomfrekvensbølge.

I transistormottagere er det vanlig å på-trykke en mottatt signalmodulert bærebølge med radiofrekvens på en autodynomformer for å få en resultant bølge med mellomfrekvens. En autodynomformerkrets kombinerer funksjonene av generering av en lokal oscillatorbølge og blanding av den mottatte signalmodulerte bære-bølge med den lokale oscillatorbølge i en krets der det anvendes en eneste transistor. Selv om autodynomformerkretsen byr på fordeler som lave omkostninger og enkel oppbygging sam-menlignet med omformerkretser der det benyttes egne transistorer for blande- og oscillator-funksj onene har autodynkretser med hensyn til transistorer den ulempe at kretsen vanskelig kan tilpasseses for styring fra et signal for automatisk forsterkningsregulering. Hvis mar tar sikte på full automatisk forsterkningsregulering, vil den lokale oscillator slutte å svinge og derved sette mottageren ut av drift. Muligheten for å benytte automatisk forsterkningsregulering ved omformeren i en transistor-radiomotta-ger er et viktig trekk for å unngå forvrengning som kan finne sted i omformertrinn eller i påføl-gende trinn når signalene er sterke. I motta-gere som har en høyfrekvensforsterker kan den første påtrykning av et kraftig signal på inngangskretsen for transistoromformere bevirke at omformeren slutter å svinge. Dette skyldes at høyfrekvensforsterkeren til å begynne med arbeider med full forsterkning og det kraftige signal som påtrykkes omformeren rettes i basisemitterbanen slik at det fremkommer en spenning som forspenner transistoren til et punkt med mindre enn 1:1 forsterkning, slik at svingningene opphører. Mottageren vil således være blokkert så lenge det påtrykte signal er tilstede og ikke være i stand til å frembringe en spenning for automatisk forsterkningsregulering for å redusere forsterkningen i høyfre-kvens- forsterkertrinnet.

Det er en hensiktt med denne oppfinnelsen å tilveiebringe et forbedret frekvensomformer-trinn der det benyttes transistoranordninger.

En frekvensomformerkrets i henhold til oppfinnelsen innbefatter en transistoranord-nig med de vanlige basis- og kollektorelektroder og et par emitterelektroder. Kretsen innbefatter forbindelser for påtrykking av en mottatt signalmodulert bærebølge med radiofrekvens mellom den første emitterelektrode og basiselektroden og transistoranordningen. Den annen? emitterelektrode er i kombinasjon med basis- og kollektorelektroden koblet slik at man får en svingningsgenerator. Heterodynvirkningen mellom den lokalt genererte oscillatorbølge og den mottatte bærebølge finner sted i den felles innvendige basismotstand i transistoren for å frembringe det ønskede signal med svevefrekvens. Dette ønskede svevefrekvenssignal, som i det føl-gende blir betegnet som mellomfrekvenssignal (IF), forsterkes i den felles kollektorkrets for transistoren. En styrespenning for automatisk forsterkningsregulering hvis størrelse varierer som en funksjon av styrken på det mottatte signal påtrykkes mellom den første emitterelektrode og basis. Når signalstyrken øker vil spenningen for den automatiske forsterkningsregulering føre til at strømmen i den første emitter faller uten at dette i særlig grad på-virker driften av oscillatordelen. I virkelig-heten vil strømmen som flyter gjennom den annen (oscillator) emitter øke svakt når den første emitterstrøm reduseres til hull, noe som er fordelaktig for drift av transistoren som oscillator. De nye trekk som menes å være ka-rakteristisk for denne oppfinnelsen er angitt i patentets krav. Selve oppfinnelsen, både når det gjelder oppbygning og utøvelse såvel som når det gjelder ytterligere hensikter og fordeler vil imidlertid lettere kunne forståes av den føl-gende beskrivelse under henvisning til tegningen der: .

fig. 1 viser et koblingsskjema for en frekvensomformer med transistor der det gjøres bruk av oppfinnelsen,

fig. 2 viser i perspektiv og i sterkt forstørret målestokk en dobbelt emittertransistor som kan benyttes i de frekvensomformerkretser som innbefatter oppfinnelsen,

fig. 3 viser et koblingsskjema for en annen utførelsesform for en frekvensomformer med transistor der oppfinnelsen anvendes, og

fig. 4 viser et koblingsskjema for nok en utførelsesform for en frekvensomformer med transistor utført i henhold til oppfinnelsen.

Mottageren som er vist i koblingsskjemaet på fig. 1 innbefatter en sløyfeviklet ferritan-tenne 10 som er avstemt på frekvensen av et signal som skal mottas ved hjelp av en variabel kondensator 11. Mottatte radiofrekvensbølger som oppstår i antennekretsen er koblet til inngangskretsen for et frekvensomformer trinn 12 ved hjelp av en vikling 13, som er koblet med antennens sløyfevikling 10. Frekvensomformer - trinnet 12 innbefatter en transistoranordning med en basiselektrode 15, en første emitterelektrode 16, en ytterligere emitterelektrode 17 og en kollektorelektrode 18.

En ende av viklingen 13 er koblet til den første emitterelektrode 16, og den annen ende av viklingen er koblet til basis 15 via jord i en bane som innbefatter et par signalomkob-lingskondensatorer 19 og 20. Det skal påpekes at det foran omformertrinnet 12 kan ligge et høyfrekvensforsterkertrinn om det er ønskelig, og i dette tilfelle erstattes den avstembare an-tenneinngangskrets med en passende koblings-krets mellom omformertrinnet 12 og høyfre-kvensforsterkertrinnet.

En passende likestrømforspenning påtrykkes basiselektroden 15 i transistoranordningen ved hjelp av spenningsdeler, som innbefatter en første motstand 21, og en ytterligere motstand 22 i serie mellom den negative pol 23 på en spenningskilde for arbeidsspenning og jord. Som nevnt ovenfor er basiselektroden 15 avkoblet til jord gjennom signalomkoblingskondensatoren 20. Den annen emitterelektrode 17, som hører til oscillatordelen i omformertrinnet 12 er koblet til jord gjennom en seriekobling av en selv-forspennende krets 24 og en tilbakekoblingsvik-ling 25.

Kollektorelektroden 18 i omformertrinnet er ved hjelp av primærviklingen i mellomfrekvens-transformatoren 26 og en koblingsspole 27 koblet til den negative pol 23 på tilførselskilden for arbeidspotential. Spolen 27 er induktivt koblet til tilbakekoblingsviklingen 25 og til en tankkrets innbefattende en induktor 28 og en variabel kondensator 29, og denne tankkrets bestemmer frekvensen for selvsvingningene i omformerkretsen. De variable kondensatorer 11 og 29 som bestemmer avstemningen av signalseksjonen og oscillatorkretsene er mekanisk sammenkoblet for samtidig styring fra en enkel avstemningsinn-retning, som ikke er vist.

Primærviklingen 26 i mellomfrekvenstrans-formatoren avstemmes til mellomfrekvens ved hjelp av en kondensator 30 og mellomfrekvens-bølgene som frembringes over denne påtrykkes et mellomforsterkertrinn 31 før det mates til et ytterligere detektortrinn, som innbefatter en likeretteranordning 32. Signalet som fåes fra mellomfrekvensbølgen oppstår over belast-ningskretsen for den annen detektor, og denne krets innbefatter en variabel volumregulerings-motstand 33 og en kondensator 34, og spenningen påtrykkes deretter gjennom en koblingskon-densator for audio-frekvenser til emitterelektroden i et drivtrinn 35 for audio-frekvens og med transistorer. Audio-frekvenssignaler som forsterkes av drivtrinnet 35 påtrykkes et audio-forsterkertrinn 36 før signalene føres videre til en høyttaler 37.

Anoden i likeretteranordnihgen 32 er koblet direkte til basiselektroden i transistoren for drivtrinnet, slik at økning i signals.tyrken for det mottatte signal frembringer en økende like-strømskomponent i spenningen over motstanden 33, og denne spenning har en slik polaritet at audio-frekvens drivtrinnet 35 forspennes ytterligere «forover». Dette fører til en større emitter - strøm i radiofrekvensdrivtrinnet 35, slik at en mere negativ spenning fremkommer ved emitterelektroden i drivtrinnet i forhold til jord.

Den automatisk virkende spenning til forsterkningsregulering av mottageren fåes fra emitterelektroden i drivtrinnet 35, og filtreres av kondensatorer 38 og 39 og av motstandene 40 og 41 før den føres videre til den første emitterelektrode 16 i transistoranordningen. Som påpekt ovenfor er kretsen slik anordnet at den resulterende styrespenning for den automatiske forsterkningsregulering blir mere negativ etter hvert som styrken av det motsatte signal øker, slik at strømmen i emitterelektroden 16 reduseres med økende signalstyrke.

Det skal nå vises til driften av omformertrinnet der oscillatordelen innbefatter basiselektroden 15, den annen emitterelektrode 17 og kollektorelektroden 18 i kombinasjon med de kretser som er koblet til disse elektroder. Oscillatorens utgangskrets innbefatter koblingsspolen 27 og en oscillatortankkrets 28—29 er re-generativt koblet til oscillatorens inngangskrets, som innbefatter tilbakekoblingsviklingen 25. Ved oscillatorfrekvensene har mellomfre-kvenskretsens utgang, som er koblet i serie mellom koblingsspolen 27 og kollektorelektroden 18, en lav impedans.

Signaldelen i omformertrinnet innbefatter basiselektroden 15, emitterelektroden 16 og kollektorelektroden 18 i kombinasjon med de kretser som er tilsluttet disse elektroder. Kretsen går fra basiselektroden 15 til jord, og fra kollektorelektroden til jord gjennom strømkilden som er felles både for oscillatoren og signaldelene av omformertrinnet. Den innvendige basismotstand for transistoranordningen 12 er også felles for oscillator og signaldelene av omformertrinnet, og på grunn av at den innvendige basismotstand er ulineær blir oscillatorbølgen og den mottatte signalmodulerte bærebølge overlagret og gir svevefrekvenssignaler som også inkluderer det ønskede mellomfrekvenssignal.

Styring av omformeren eller omformerens forsterkning foregår uten uheldige virkninger på svingningsgenerereringen i kretsen, fordi strømmen, som flyter i den første emitter 16, i det vesentlige vil være uavhengig av strøm-men som flyter i den annen emitter 17. Kollek-torstrømmen er naturligvis summen av strøm-mene som flyter i den første emitter 16 og den annen emitter 17. Når det ikke mottas noe signal og omformerforsterkningen er på maksimum, vil strømmen gjennom emitteren 16 være maksimum. Når signalstyrken på det motsatte signal øker, vil strømmen i emitteren 16 avta inntil strømmen i kollektoren 18 utelukkende vil omfatte den strøm som flyter i den annen emitter 17.

Da signalkretsene, som er koblet til emitterelektroden 16, ikke er felles med oscillatordelen

i omformerkretsen får man overordentlig god regulering for omformerforsterkningen. Med andre ord, når forbindelsen mellom emitter 16-basis 15 blokkeres av en spenning for automatisk forsterkningsregulering, vil det fremkomme svært lite av signalspenningen over andre kret-ter i omformeren, slik at den resulterende mel-lomfrekvensbølge er svært liten. I praktiske utformninger for kretsene er en reduksjon i signalforsterknngen på 50 db dempning blitt oppnådd uten uheldig innvirkning på driften av oscillatordelen.

Når strømmen i den første emitter 16 er redusert til null i nærvær av et kraftig signal, arbeider omformertrinnet 12 som en passiv demperkrets for de mottatte radiosignaler. Virkningsgraden for omformertrinnet som dempekrets for meget kraftige signaler, kan settes ned hvis oscillatordelen av kretsen har tilbøye-lighet til å arbeide som vanlig autodyn omformer. Med andre ord kan kraftige signaler som mottas kobles gjennom spredebaner til oscillatorkretsene, som f. eks. tilbakekoblingsviklingen 25, den avstemte krets som innbefatter induktoren 28, og den variable kondensatoren 29, eller koblingsspolen 27.1 dette tilfelle kan oscillatordelen av omformeren virke som en vanlig omformer, som arbeider etter prinsippet med felles basis både for oscillatorsignaler og mottatte signaler. For å forbedre forsterkingsreguleringen og driften av omformertrinnet som en dempekrets for meget kraftige signaler, kan det være ønskelig å skjerme viklingene 25, 27 og 28 ved å inne-slutte dem i en ledende beholder eller skjerm, som vist, for å redusere forstyrrelser fra de mottatte radiosignaler.

Fig. 2 viser en dobbelt emitter drift-transistoranordning av den art som kan benyttes i den heterodyne frekvensomformerkrets på fig. 1. Anordningen, som normalt er innkapslet, innbefatter en basis 40 som er ledende forbundet med en ledende holder 41 understøttet av en utvendig tilgjengelig forbindelsesledning 42. En første emitterelektrode 43, og en annen emitterelektrode 44, svarende til emitterelektrodene 16 og 17 på fig. 1, er legert til en side av basiselektroden, og en kollektorelektrode, som ikke er vist, er legert til ■ den motstående side av basiselektroden. Den første og den annen emitterelektrode 43 og 44 og kollektorelektroden er tilgjengelig utenfra ved hjelp av led-ningene 45, 46 og 47.

Basiselektroden 40 innbefatter et diffundert n-type område med varierende konsentrasjon av urenheter. Fordelingen av urenhetene er på maksimum ved emitter, og avtar til en kon-stantverdi nær kollektor. Det er ønskelig å ha en slik fordeling av urenhetene, fordi man da kan få større frekvensfølsomhet, større forsterkning og lavere tilbakekoblingskapasitanser med en slik konstruksjon. Kollektorens omkrets om-slutter de to emittere, og sikrer derved samling av de landingsbærere som kommer fra den ene eller annen av emitterne. For å forhindre for-styrrelse mellom kretsene som er koblet til de to emittere på grunn av den lave motstand 1 det område som har størst innhold av urenheter, er en del av området mellom de to emittere etset bort til et parti med mindre konsentrasjon av urenheter og med større motstand.

Koblingsskjemaet som er vist i fig. 3 viser en annen utførelsesform for en frekvensomformerkrets utført i overensstemmelse med oppfinnelsen. I den krets som er vist på fig. 3, er bare frekvensomformertrinnet vist for å forenkle tegningen. Forøvrig svarer kretsen på fig. 3 til det som er vist på fig. 1 med unntak av at koblingsviklingen 13' for signalinngangen er koblet til en felles ihngangskrets for signalet og oscillatordelene av inngangskretsen. Mere bestemt er den høyspente side av viklingen 13' koblet til basiselektroden 15', og den lavspente side av denne vikling er koblet gjennom om-koblingskondensatorene 20' og 19' til den første emitterelektrode 16'. Omformertrinnet arbeider med andre ord med felles emitter for mottatte signaler og med felles basis for oscilla-sj onene. Som tilfelle er på fig. 1 blir en styrespenning for den automatiske forsterkningsregulering påtrykket den første emitterelektrode slik at omformerforsterkningen kan reguleres uten å påvirke driften av oscillator kretsen. En annen forskjell ved omformertrinnet på fig. 3 er at koblingsspolen 27 er utelatt og at kollektorens 18' strømbane sluttes gjennom en del av induktansen i oscillatorens tankkrets.

Da signalinngangskretsen, innbefattende inngangsviklingen 13', er felles for oscillatordelene og signaldelene av omformertrinnet, må man ta hensyn til at oscillatordelen i omformertrinnet kan ha tilbøyelighet til å arbeide på samme måte som kjente typer omformere når emitteren 16' fører en strøm som reduseres eller avbrytes av sterke signaler. En slik virkning ville forringe virkningsgraden for forsterkningsregu-leringen. For å redusere virkningsgraden for oscillatordelen av omformertrinnet som en selv-svingende omformer, kan i motstandskondensa-torkombinasjonen 24' gjøres degenerativ for mottatte signaler, men ikke for oscillatorsig-nalene.

Fig. 4 viser et koblingsskjema for en kring-kastingsmottaker med transistorer, der transi-storfrekvensomformeren drives av en høyfre-kvensforsterker. • Signalmodulerte bærebølger mottas av en antenne 60, og blir påtrykket basiselektroden i en transistor 62 i høyfrekvens-forsterkeren. Høyfrekvensforsterkeren innbefatter permeabilitetsavstemte inngangskretser og utgangskretser for valg av en ønsket radio-bærebølge. Signaler som forsterkes av høyfre-kvensforsterkeren 62 føres til den første emitterelektrode 64 i transistoromformertrinnet 12. Transistoranordningen for omformertrinnet 12, som er vist på fig. 4, er av den type som er be-skrevet og vist i forbindelse med fig. 2. Hoved-forskjellen mellom omformerkretsen på fig. 4 og den tilsvarende krets på fig. 1 er at oscillatordelen av kretsen på fig. 4 er permeabilitets-avstemt og at spenningen for den automatiske forsterkningsregulering påtrykkes basiselektroden istedetfor den første emitterelektrode.

Den første emitterelektrode 64 er koblet gjennom en emittermotstand 66 til en samle-

skinne 67 for arbeidspotensial. Den annen emi-terelektrode 68 er også koblet til skinnen 67 gjennom motstandene 69 og 70. Kollektoren 71 i transittanordningen er koblet til jord gjennom en mellomfrekvens utgangskrets 72 og oscilla-tortankkretsen som er dannet av den permeabilitetsavstemte spolen 74 og kondensatorene 75 og 76. For samtidig betjening er spolen 74 mekanisk sammenkoblet med de permeabilitetsavstemte høyfrekvensforsterkerkretser ved inn-gang og utgang, som antydet med de stiplede linjer. Som påpekt i forbindelse med fig. 1 er spolen 74 skjermet av en ledende beholder, eller lignende, for å redusere virkningen av sprede-signaler. Oscillatorspenningen har en tilbøye-lighet til å øke med fallende frekvens på grunn av økende oscillatorbelastningsompedans med fallende frekvens. En motstand 78 er shuntkob-let over spolen 74 for å bibeholde oscillatorspenningen forholdsvis konstant over frekvens-båndet.

Mellomfrekvenssignalet som fremkommer over den avstemte utgangskrets 72 påtrykkes en mellomfrekvensforsterker 80. De forsterkede signaler blir gjennom en mellomfrekvenstransfor-mator 82 koblet til et audiodetektortrinn eller ytterligere mellomfrekvensforsterkertrinn, som ikke er vist.

Primærviklingen for mellomfrekvenstrans-formatoren 82 er ved hjelp av en kondensator 84, koblet til en likeretter 86 for automatisk forsterkningsregulering. Anoden i likeretteren 86 er forspent til et fast arbeidspunkt ved hjelp av et par motstander 87 og 88, som er koblet'mellom jord og tilførselsskinnen 67 for arbeidspo-tensialet,og katoden i likeretterne 86 er normalt forspent til et potensial som ligger nær anodens, ved hjelp av en spenningsdelekrets innbefattende motstandene 70, 89, 90 og 91, som også er koblet mellom jord og arbeidspotensial-skinnen 67.

Mellomfrekvensbølgen blir likerettet av likeretteren 86, for å gi en spenning til automatisk forsterkningsregulering. Det skal påpekes at likeretteren 86 har to likestrømsbaner, en gjennom motstandene 88, 90 og 91, og den annen gjennom motstandene 70, 87 og 89. Like-spenningskomponenten som over disse forskjel-lige motstander skyldes likerettingen av mellom-frekvensbølgen bevirker at potensialet på den annen emitter 68 og basiselektroden 92 i transistoranordningen forflytter seg i samme retning. Med andre ord, når signalstyrken varierer, vil potensialforskj ellen mellom basis 92 og den annen emitter 68 ikke forandre seg tilstrekkelig til å få innvirkning på oscillatordelen i omformerkretsen. En bølgefellekrets 94, som er avstemt på mellomfrekvensen, er koblet mellom motstanden 89 og katoden i dioden 86 for å' forhindre dempning av mellomfrekvenssignalet.

Som påpekt ovenfor varierer basis 92 potensialet som en funksjon av signalstyrken på det mottatte signal. Mere bestemt vil basiselektroden bli mere positiv etter hvert som signalet blir sterkere. Siden likestrømpotensialet for den første emitter 64 ligger forholdsvis fast, betyr dette at potensialet for den automatiske forsterkningsrgulering øker den motsatte forspenning mellom basis 92 og emitter 64, for

derved å redusere omformerforsterkningen i

omformerfortrinnet. Denne økende motsatte forspenning reduserer strømmen i emittermot-standen 66, slik at emitterpotensialet blir mindre negativt (mere positivt). Denne forandring

i potensial foregår i en slik retning at man får

en spenning for automatisk forsterkningsregulering for basiselektroden i høyfrekvensforster-kertrinnet 62, og som en følge av dette er

emitterelektroden 64 koblet til basiselektroden i

høyfrekvensforsterkeren gjennom en motstand 94.

Claims (10)

1. Frekvensomformer, omfattende en transistor med første og annen emitterelektrode, en basiselektrode og en kollektorelektrode med en inngangskrets tilsluttet den første emitterelektrode og basiselektroden, mens en oscillator-krets er koplet til den annen emitterelektrode og basiselektroden og en mellomfrekvens-utgangskrets er tilsluttet kollektorelektroden, karakterisert ved at oscillatorkretsen omfatter en i og for seg kjent positiv tilbake-koplingsgren mellom kollektorelektroden og den annen emitterelektrode, og at en spenning for automatisk regulering av omformerforsterkningen og som er avledet fra et mottatt signal, påtrykkes mellom basiselektroden og den første emitterelektrode.

2. Frekvensomformer som angitt i krav 1, karakterisert ved at en koplingsspole (27) er koplet i serie mellom kollektorelektroden (18) i transistoren og en arbeidsspennings-klemme (23), og at en tilbakekoplingsvikling, (25) som er koplet med spolen, er koplet i serie mellom den annen emitterelektrode (17) og et punkt for referansespenning, med slik polaritet at oscillasjoner holdes vedlike i kretsen som innbefatter den annen emitter, basis (15) og kollektorelektroden.

3. Frekvensomformer som angitt i krav 1 eller 2, karakterisert ved at en vikling (13) som er koplet til en avstemt sløyfeantenne (10, 11) er forbundet med den første emitterelektrode (16) på den ene side og et punkt som er koplet til jord for høye frekvenser på den annen side, og at basis (15) er koplet til et punkt for referansespenning ved hjelp av en krets-kopling (20, 21) som har lav impedans overfor høyfrekvente signaler.

4. Frekvensomformer som angitt i krav 1, 2 eller 3, karakterisert ved at de to emitterelektroder (43, 44, fig. 4) er legert til én side av en basisdel (40) i transistoren, mens kollektorelektroden er legert til den motstående side av basisdelen, hvilken basisdel har den høyeste konsentrasjon av forurensninger i området ved emitterelektroden med avtagende konsentrasjoner av forurensninger i retning mot kollektorelektroden, og ved at det i basisdelen er fjernet et parti mellom emitterelektrodene, hvilket parti strekker seg til en slik dybde at motstanden mellom emitterelektrodene øker vesentlig sammenliknet med motstanden i det fjernede parti mellom emitterelektrodene nær overflaten.

5. Frekvensomformer som angitt i krav nr. 1, karakterisert ved at det mellom den første emitterelektrode (16) og en krets som avgir spenningen til regulering av omformningsforsterkningen er koplet en inngangskrets (13, 13') med den side som vender fra den første emitterelektrode kapasitivt koplet til jord for høyfrekvenssignaler, mens basiselektroden (15) holdes på en fast forspenning og er koplet til jord for høyfrekvenssignaler.

6. Frekvensomformer som angitt i krav 1, karakterisert ved at basiselektroden (15') er koplet til høyfrekvensenden for en spole (13') hvis annen ende holdes på et fast potensial, og er koplet til en krets (20') som avgir en fast forspenning (fig. 3).

7. Frekvensomformer som angitt i krav 1, karakterisert ved at den annen emitterelektrode (17') er koplet til en frekvensselek-tiv krets (24') som gir en vesentlig større mot- -kopling for bølger med inngangsfrekvensen enn for bølger med oscillatorfrekvensen.

8. Frekvensomformer som arigitt i krav 1, karakterisert ved en motstand (95) koplet mellom den første emitter (64) og et punkt med forholdsvis fast spenning og en krets (88, 90, 91, 70, 87, 89), hvorved en forandring i den for omformningsforsterkningen regulerende spenning som påtrykkes basiselektroden (92) bevirker en endring i spenningen mellom basis og den første emitterelektrode (64) og en vesentlig mindre endring i spenningen mellom basis og den annen emitterelektrode (68).

9. Frekvensomformer som angitt i et hvilket som helst av de foregående krav, karakterisert ved at i det minste en del av den krets som kopler basiselektroden, kollektorelektroden og den annen emitterelektrode sammen er av-skjermet for å redusere uønsket mottagning av høyfrekvenssignaler.

10. Frekvensomformer som angitt i krav 1, karakterisert ved at den er innrettet til å arbeide i fellesbasis-kopling såvel for mottatte høyfrekvensbølger som for de lokale oscilla-sjonssignaler.