NO134004B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
NO134004B
NO134004B NO4171/73A NO417173A NO134004B NO 134004 B NO134004 B NO 134004B NO 4171/73 A NO4171/73 A NO 4171/73A NO 417173 A NO417173 A NO 417173A NO 134004 B NO134004 B NO 134004B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
glaze
composition
antimony trioxide
tin oxide
oxide
Prior art date
Application number
NO4171/73A
Other languages
English (en)
Other versions
NO134004C (no
Inventor
Olaf Nigol
Original Assignee
Olaf Nigol
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olaf Nigol filed Critical Olaf Nigol
Publication of NO134004B publication Critical patent/NO134004B/no
Publication of NO134004C publication Critical patent/NO134004C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/86Glazes; Cold glazes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5022Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • H01C17/06546Oxides of zinc or cadmium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Insulators (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Halvledende glasursammensetninger.

Description

Foreliggende oppfinnelse angår halvledende glasursammensetninger for bruk som elektrisk ledende glasurbelegg på keramiske isolatorer. Slike belegg påføres noen ganger på keramiske høyspenningsisolatorer i den hensikt å styre spennings-fordelingen over overflaten for å redusere tendensen til elektrisk utladning.
Halvledende glasursammensetninger til dette for-mål består vanligvis av en basisglasur hvori det er innarbeidet ytterligere forskjellige metalloksyder. Uttrykket "basisglasur" benyttes heri på samme måte som det vanligvis forstås i den elektriske keramikkindustri, nemlig en sammensetning omfattende i det vesentlige 65-75 vekt-? Si02, 10-17 vekt-? A120j, °S 10-17 vekt-? CaO + I^O hvilken sammensetning kan brennes på overflaten av et keramisk legeme ved en temperatur innen området ll<i>!9-1371<0>C for å danne et vitrøst belegg som er ildfast og korrosjonsbe-standing. En slik glasursammensetning påføres vanligvis på overflaten av isolatoren eller på det ikke brente keramiske legeme av isolatoren, som en vandig oppslemming og brennes deretter på overflaten. De ytterligere metalloksyder som innar-beides i basisglasuren omfatter vanligvis blått tinnoksyd hvilket er en på forhånd kalsinert blanding av tinn-IV-oksyd og antimonpentoksyd og sinkoksyd. I praksis er det funnet nød-vendig å innarbeide det blå tinnoksyd i en mengde på ikke mindre enn 12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen og opptil 45 vekt-? for å oppnå et glasurbelegg med en brukbar ledningsevne.
Foreliggende oppfinnelse er basert på den oppdagelse at man ved å innarbeide en blanding bestående av tinn-IV-oksyd og antimontrioksyd i stedet for tinn-IV-oksyd og antimonpentoksyd kan benytte en betydelig lavere mengde av blandingen. Dette er mulig fordi antimontrioksyd har en naturlig mindre partikkelstørrelse enn antimonpentoksyd. Fordelen ved oppfinnelsen som er basert på den oppdagelse er: (a) en to til tre-gangers reduksjon av den negative temperaturkoeffisient for glasurmotstanden sammenliknet med eksisterende halvledende glasurer; (b) sterkt forbedret korrosjonsmotstandsevne for glasuren på grunn av det lavere metalloksydinnholdet; og (c) lavere omkostninger på grunn av mindre mengder metalloksyd som er nødvendig for å oppnå den nødvendige ledningsevne.
Foreliggende oppfinnelse angår således en halvledende glasursammensetning i partikkelform omfattende en basisglasur i blanding med tinnoksyd (SnO^), antimontrioksyd (Sb20^) og sinkoksyd (ZnO) der basisglasuren i det vesentlige består av silisiumoksyd, aluminiumoksyd og flussmiddel og har en brenntemperatur i områder ll49-1371°C, og glasuren karak-teriseres ved at tinnoksydet og antimontrioksydet tilsammen er tilstede i en mengde på fra 3-12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen og sinkoksyd er tilstede i en mengde på fra 0,5-3 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen, og at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd ligger innen området 4:1 til 50:1, beregnet på vektbasis.
Hensikten med sinkoksydet er å stabilisere glasurmotstandsevnen med henblikk på brenntemperaturen.
Helst er den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren mindre enn 10 mikron og den midlere partikkel-størrelse for tinn og antimonoksydene mindre enn 0,5 mikron.
Eksempler på halvledende glasurer ifølge oppfinnelsen og deres anvendelse på keramiske isolatorer skal beskrives under henvisning til de ledsagende tegninger der: fig. 1 er et diagram som viser variasjonen i motstand pr. flateenhet med temperaturen for forskjellige glasurer,
fig. 2 er et diagram som viser virkningen av neddyppingstiden (under påvirkning av glasuren) på overflate-motstanden; og
fig. 3 er et diagram som viser virkningen av
brenntemperaturen på motstanden.
Prinsipielt er det utviklet to forskjellige typer halvledende glasurer. I den ene type som heretter kalles-,en "et-trinns"-glasur blir tinnoksydet og antimontrioksydet blandet i egnede andeler med basisglasurstoffene og vann for å oppnå en glaseringsoppslemming. I den andre type som heretter kalles en "to-trinns"-glasur blir tinnoksydet og antimontrioksydet først forkalsinert ved optimal temperatur og deretter malt og blandet i egnede andeler med basisglasurmaterialene og vann for oppnå en glaseringsoppslemming. I hvert tilfelle påføres oppslemm-ingen på ikke brente, men tørre porselensisolatorer eller på forbrente porselensisolatorer ved hjelp av dypping, spraying eller overhelling. Isolatorene blir deretter brent i en omhygg-elig styrt brennsyklus for å oppnå de ønskede halvledende egenskaper for glasuren samtidig med at det oppnås høy styrke for isolatorlegemet og glasuren.
Når det gjelder en "et-trinns"-glasur, må isolatoren på hvilken glasuren påføres, brennes innen et temperaturområde som gir de nødvendige halvledende egenskaper for glasuren -og de nødvendige mekaniske egenskaper for porselensisolatoren. Fordi disse egenskaper er meget temperaturavhengige, er bruken av "et-trinns"-glasuren mulig kun med et begrenset antall metalloksyder. "To-trinns"-glasuren gir en viss frihet til behandling av de halvledende stoffer separat ved deres optimale kalsineringstemperatur. For eksempel kan kalsinering gjennom-føres ved betydelig lavere eller meget høyere temperatur enn det som er nødvendig for å oppnå porselen av god kvalitet og gode dekkegenskaper. Forskjellige metalloksyder kan benyttes i slike halvledende glasurer.
Selvom basisglasur-, eller dekkglasur-, sammensetningen generelt vil ha en viss innvirkning på egenskapene for den ferdige halvledende glasur, er forskjellige sammenset-ninger benyttet med gode resultater. To foretrukkede basis-glasursammensetninger er angitt i eksemplene 1 og 2. Eksempel 1
Eksempel 2
I hvert tilfelle er den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren mindre enn 10 mikron.
Blandingen av tinnoksyd og antimontrioksyd bør enten den er forkalsinert eller ikke være tilstede i den halvledende glasursammensetning i en mengde på fra 3 til 12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen der forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd er innen området 4:1 til 50:1. Den midlere partikkelstørrelse for disse oksyder er helst mindre enn 0,5 mikron. Den lille partikkelstørrelse for tinnoksyd og.antimontrioksyd og de reduserte mengder som benyttes i glasursammensetningen forbedrer den negative temperaturkoeffisient for motstanden og forbedrer korrosjonsmotstands-evnen og den generelle homogenitet for den resulterende glasur. I fig. 1 er den negative temperaturkoeffisient eller virkningen av temperaturen på flatemotstanden for den resulterende glasur vist grafisk for halvledende glasurer fremstilt ved bruk av "et-trinns"-glasur (kurve A), "to-trinns"-glasur (kurve B) og en kjent sammensetning ved bruk av blått tinnoksyd (kurve C).
Ved behandling av halvledende glasurer er det funnet ut at glasurmotstandsevnen er meget følsom overfor den maksimale brenhtemperatur og i en mindre grad av varigheten for den maksimale temperatur (eller brenntiden), og også av hast-igheten for oppvarming og avkjøling under brennsyklusen. Fordi ovnstemperaturene.aldri i praksis er enhetlige, kan det inntre store variasjoner i glasurmotstandsevnen. Fordi den totale motstandsevne for en isolator må være rimelig godt regulert, kan dette føre til relativt høye kasseringsgrader. Det er funnet at .dette problem kan overvinnes ved å tilsette en liten mengde sinkoksyd til sammensetningen. På denne måte kan det oppnås et 27,5-55°C stort temperaturområde mellom 1204 og 13l6°C (maksimal brenntemperatur), i hvilket område glasurmotstandsevnen forblir i det vesentlige konstant. Virkningen av sinkoksyd er vist i fig. 2 der kurvene A0, Al og A2 viser forbind-elsen mellom motstandsevne og maksimal brenntemperatur for en første glasursammensetning hvortil det er satt sinkoksyd i mengder på 0,1 og 2 vekt-? og der kurvene BO, BO,5, Bl og B2 viser det samme forhold for en forskjellig glasursammensetning hvortil sink er satt i mengder på 0, 0,5, 1 henholdsvis 3 vekt-?. Det er fastslått at en overskytende mengde sinkoksyd øker den negative temperaturkoeffisient for glasurmotstandsevnen og radikalt påvirker de mekaniske egenskapene i glasuren. Av denne grunn må mengden sinkoksyd begrenses til 0,5 til 3 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen.
En "et-trinns"-glasursammensetning slik som angitt i eksempel 3 ble påført på tørr, ikke brent porselen ved dypping og deretter brent ved 1260°C i 6 timer, noe som resulterte i en flatemotstand innen området 16 til 100 megohm pr. flateenhet for dyppetider i området 20 til 10 sekunder slik som angitt ved-kurve A i fig. 3.
Eksempel 3
En "to-trinns"-glasursammensetning som angitt i eksempel 4 ble påført på tørr, ikke brent porselen ved en dypping og brent ved 1260°C i 6 timery noe som resulterte i en flatemotstand i området 40 til 400 megohm pr. flateenhet for dyppetider i området 20 til 10 sekunder slik som angitt ved kurve B i fig. 3-
Eksempel 4
Den negative temperaturkoeffisient for begge
disse glasurer slik som angitt i fig. 1 er mindre enn 0, 35%
pr. °C. Det er omkring tre ganger mindre enn den for glasurer som tidligere er utviklet ved bruk av blått tinnoksyd.
Motstandsevnen for glasuren kan økes ved å redus-
ere mengden SnO^ og Sb20^ som er tilstede i glasuroppslemm-
ingen eller redusert ved å øke mengden av disse. Forandringer i glasurmotstandsevnene kan også bevirkes ved å variere de relative andeler av Sn©2 og Sb20^ eller forholdet mellom vann og faststoffer, mengden sinkoksyd, partikkelstørrelsen for de forskjellige glasurbestanddeler eller brenntemperaturen og brennsyklusen. Videre kan motstandsevnen for en påført halvledende glasur økes eller reduseres ved å brenne om igjen isolatoren på hvilken glasuren er påført ved en forskjellig temperatur fra den hvorved den først ble brent.

Claims (6)

1. Halvledende glasursammensetning i partikkelform omfattende en basisglasur blandet med tinnoksyd (SnC^)* antimontrioksyd ( Sb^ O^) og sinkoksyd (ZnO), der basisglasuren i det vesentlige består av silisiumo' aluminiumoksyd og flussmidler og har en brenntemperac . ir.nen området 1149 til 1371°C, karakterisert ved at tinnoksyd og antimontrioksyd tilsammen er tilstede i en mengde fra 3-12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen, og sinkoksyd er tilstede i en mengde fra 0,5-3 vekt-? av de totale fast-
stoffer i sammensetningen, og at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd ligger innen området 4:1 til 50:1, beregnet på vektbasis.
2. Halvledende glasur ifølge krav 1, karakterisert ved at tinnoksydet (SnC^) og antimontrioksydet ( Sbrfij) er innarbeidet som på forhånd kalsinert blanding.
3. Halvledende glasur ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd er omkring 10:1, beregnet på vekt.
4. Halvledende glasur ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, karakterisert ved at den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren er mindre enn 10 mikron.
5. Halvledende glasur ifølge krav 4, karakterisert ved at den midlere partikkelstørrelse for tinnoksydet og antimontrioksydet er mindre enn 0,5 mikron.
6. Halvledende glasur ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, karakterisert ved at sinkoksydet er tilstede i en mengde på fra 0,5 til 1, 0% av de totale faststoffer i sammensetningen.
NO4171/73A 1972-10-27 1973-10-29 NO134004C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US301340A US3888796A (en) 1972-10-27 1972-10-27 Semiconductive glaze compositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO134004B true NO134004B (no) 1976-04-26
NO134004C NO134004C (no) 1976-08-04

Family

ID=23162935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO4171/73A NO134004C (no) 1972-10-27 1973-10-29

Country Status (16)

Country Link
US (1) US3888796A (no)
JP (1) JPS5314319B2 (no)
AR (1) AR196698A1 (no)
BE (1) BE806457A (no)
BR (1) BR7308286D0 (no)
CA (1) CA1006345A (no)
DE (1) DE2353376C3 (no)
ES (1) ES419958A1 (no)
FR (1) FR2204583B1 (no)
GB (1) GB1408210A (no)
IE (1) IE38408B1 (no)
IT (1) IT1004627B (no)
LU (1) LU68685A1 (no)
NL (1) NL7314784A (no)
NO (1) NO134004C (no)
ZA (1) ZA737827B (no)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS588564B2 (ja) * 1974-06-20 1983-02-16 松下電器産業株式会社 グレ−ズテイコウタイノ セイゾウホウホウ
US4098725A (en) * 1974-11-28 1978-07-04 Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Low thermal expansive, electroconductive composite ceramics
US3960779A (en) * 1975-04-21 1976-06-01 Canadian Porcelain Company Limited Semiconducting glaze composition
US4110260A (en) * 1975-09-25 1978-08-29 Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha (Tdk Electronics Co., Ltd.) Electroconductive composite ceramics
GB1501946A (en) * 1975-11-11 1978-02-22 Ngk Insulators Ltd Electrical insulators
GB1579245A (en) * 1977-05-02 1980-11-19 Ngk Insulators Ltd Electrical insulator with semiconductive glaze
US4187201A (en) * 1978-03-15 1980-02-05 Electro Materials Corporation Of America Thick film conductors
US4215020A (en) * 1978-04-03 1980-07-29 Trw Inc. Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
US4293838A (en) * 1979-01-29 1981-10-06 Trw, Inc. Resistance material, resistor and method of making the same
US4280931A (en) * 1979-08-14 1981-07-28 Zenith Radio Corporation Method and composition for electrically resistive material for television cathode ray tubes
SE507744C2 (sv) * 1996-11-06 1998-07-06 Ifoe Ceramics Ab Elektrisk isolator och sätt vid framställning av sådan isolator
PL206705B1 (pl) * 2002-09-13 2010-09-30 Ngk Insulators Ltd Półprzewodnikowy wyrób w postaci szkliwa, sposób wytwarzania wyrobu w postaci szkliwa oraz zastosowanie wyrobu w postaci półprzewodnikowego szkliwa
US8704097B2 (en) 2012-01-23 2014-04-22 General Electric Company High voltage bushing assembly
US8716601B2 (en) 2012-02-08 2014-05-06 General Electric Company Corona resistant high voltage bushing assembly
CN108218233B (zh) * 2018-02-07 2021-08-06 盐城工业职业技术学院 用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2857294A (en) * 1955-08-03 1958-10-21 Corning Glass Works Electroconductive article
US3383225A (en) * 1955-11-07 1968-05-14 Minnesota Mining & Mfg Acid-resistant enamels
US2909438A (en) * 1956-02-06 1959-10-20 Vitro Corp Of America Vitreous enamel compositions for aluminum and its alloys
US3095321A (en) * 1961-06-05 1963-06-25 American Lava Corp High hardness porcelain enamel composition, method of coating therewith and article produced thereby
GB1054163A (no) * 1964-05-18
US3493404A (en) * 1964-06-22 1970-02-03 Physical Sciences Corp Ceramic material
US3532524A (en) * 1966-10-06 1970-10-06 Owens Illinois Inc Glazing compositions and process
US3484284A (en) * 1967-08-15 1969-12-16 Corning Glass Works Electroconductive composition and method
US3607789A (en) * 1968-05-02 1971-09-21 Precision Electronic Component Electroconductive glaze and method for preparation
JPS4810925B1 (no) * 1969-09-27 1973-04-09
US3700606A (en) * 1970-09-30 1972-10-24 Air Reduction Electroconductive glaze and method for preparation

Also Published As

Publication number Publication date
BE806457A (fr) 1974-02-15
BR7308286D0 (pt) 1974-09-24
AU6138573A (en) 1975-04-17
NL7314784A (no) 1974-05-01
FR2204583A1 (no) 1974-05-24
IT1004627B (it) 1976-07-20
NO134004C (no) 1976-08-04
CA1006345A (en) 1977-03-08
FR2204583B1 (no) 1978-07-07
GB1408210A (en) 1975-10-01
DE2353376B2 (de) 1978-10-26
LU68685A1 (no) 1974-01-08
ES419958A1 (es) 1976-04-16
ZA737827B (en) 1974-09-25
IE38408L (en) 1974-04-27
US3888796A (en) 1975-06-10
AR196698A1 (es) 1974-02-12
IE38408B1 (en) 1978-03-01
JPS5314319B2 (no) 1978-05-16
DE2353376C3 (de) 1979-06-28
DE2353376A1 (de) 1974-05-09
JPS4976096A (no) 1974-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO134004B (no)
US4172922A (en) Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
JPS6314841B2 (no)
CN105869810A (zh) 一种高电压梯度氧化锌压敏阀片的侧面绝缘层制备方法
US4397915A (en) Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
US2915730A (en) Electrical resistor and method
EP0146013B1 (en) Coating composition for preventing high temperature oxidation for electrodes
CA1077254A (en) Electric insulators
NO117185B (no)
US3368026A (en) Electrical insulator having improved surface electrical stress distribution
US4044173A (en) Electrical resistance compositions
JPS6311298B2 (no)
US4420737A (en) Potentially non-linear resistor and process for producing the same
US4232185A (en) Electrical insulator with semiconductive glaze
US3960779A (en) Semiconducting glaze composition
JPS55162446A (en) High strength ceramic color baked windowpane plate for car
US4146677A (en) Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
JPS5931841B2 (ja) 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器
US3107178A (en) High dielectric constant glass
US2396087A (en) Embedded resistance unit
GB1112765A (en) Improvements in or relating to semi-conducting ceramic glaze compositions
JPS5864245A (ja) 抵抗体被覆用ガラス
US4276204A (en) Composition of a conductive ceramic glaze and improved method of forming same
US3645784A (en) Vitreous enamel resistor
SU943856A1 (ru) Состав дл получени провод щего покрыти на керамике