NO134004B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO134004B NO134004B NO4171/73A NO417173A NO134004B NO 134004 B NO134004 B NO 134004B NO 4171/73 A NO4171/73 A NO 4171/73A NO 417173 A NO417173 A NO 417173A NO 134004 B NO134004 B NO 134004B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- glaze
- composition
- antimony trioxide
- tin oxide
- oxide
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 33
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 13
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- DDSPUNTXKUFWTM-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tin(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Sn+4] DDSPUNTXKUFWTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical class [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/86—Glazes; Cold glazes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/06546—Oxides of zinc or cadmium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Insulators (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Halvledende glasursammensetninger.
Description
Foreliggende oppfinnelse angår halvledende glasursammensetninger for bruk som elektrisk ledende glasurbelegg på keramiske isolatorer. Slike belegg påføres noen ganger på keramiske høyspenningsisolatorer i den hensikt å styre spennings-fordelingen over overflaten for å redusere tendensen til elektrisk utladning.
Halvledende glasursammensetninger til dette for-mål består vanligvis av en basisglasur hvori det er innarbeidet ytterligere forskjellige metalloksyder. Uttrykket "basisglasur" benyttes heri på samme måte som det vanligvis forstås i den elektriske keramikkindustri, nemlig en sammensetning omfattende i det vesentlige 65-75 vekt-? Si02, 10-17 vekt-? A120j, °S 10-17 vekt-? CaO + I^O hvilken sammensetning kan brennes på overflaten av et keramisk legeme ved en temperatur innen området ll<i>!9-1371<0>C for å danne et vitrøst belegg som er ildfast og korrosjonsbe-standing. En slik glasursammensetning påføres vanligvis på overflaten av isolatoren eller på det ikke brente keramiske legeme av isolatoren, som en vandig oppslemming og brennes deretter på overflaten. De ytterligere metalloksyder som innar-beides i basisglasuren omfatter vanligvis blått tinnoksyd hvilket er en på forhånd kalsinert blanding av tinn-IV-oksyd og antimonpentoksyd og sinkoksyd. I praksis er det funnet nød-vendig å innarbeide det blå tinnoksyd i en mengde på ikke mindre enn 12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen og opptil 45 vekt-? for å oppnå et glasurbelegg med en brukbar ledningsevne.
Foreliggende oppfinnelse er basert på den oppdagelse at man ved å innarbeide en blanding bestående av tinn-IV-oksyd og antimontrioksyd i stedet for tinn-IV-oksyd og antimonpentoksyd kan benytte en betydelig lavere mengde av blandingen. Dette er mulig fordi antimontrioksyd har en naturlig mindre partikkelstørrelse enn antimonpentoksyd. Fordelen ved oppfinnelsen som er basert på den oppdagelse er: (a) en to til tre-gangers reduksjon av den negative temperaturkoeffisient for glasurmotstanden sammenliknet med eksisterende halvledende glasurer; (b) sterkt forbedret korrosjonsmotstandsevne for glasuren på grunn av det lavere metalloksydinnholdet; og (c) lavere omkostninger på grunn av mindre mengder metalloksyd som er nødvendig for å oppnå den nødvendige ledningsevne.
Foreliggende oppfinnelse angår således en halvledende glasursammensetning i partikkelform omfattende en basisglasur i blanding med tinnoksyd (SnO^), antimontrioksyd (Sb20^) og sinkoksyd (ZnO) der basisglasuren i det vesentlige består av silisiumoksyd, aluminiumoksyd og flussmiddel og har en brenntemperatur i områder ll49-1371°C, og glasuren karak-teriseres ved at tinnoksydet og antimontrioksydet tilsammen er tilstede i en mengde på fra 3-12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen og sinkoksyd er tilstede i en mengde på fra 0,5-3 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen, og at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd ligger innen området 4:1 til 50:1, beregnet på vektbasis.
Hensikten med sinkoksydet er å stabilisere glasurmotstandsevnen med henblikk på brenntemperaturen.
Helst er den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren mindre enn 10 mikron og den midlere partikkel-størrelse for tinn og antimonoksydene mindre enn 0,5 mikron.
Eksempler på halvledende glasurer ifølge oppfinnelsen og deres anvendelse på keramiske isolatorer skal beskrives under henvisning til de ledsagende tegninger der: fig. 1 er et diagram som viser variasjonen i motstand pr. flateenhet med temperaturen for forskjellige glasurer,
fig. 2 er et diagram som viser virkningen av neddyppingstiden (under påvirkning av glasuren) på overflate-motstanden; og
fig. 3 er et diagram som viser virkningen av
brenntemperaturen på motstanden.
Prinsipielt er det utviklet to forskjellige typer halvledende glasurer. I den ene type som heretter kalles-,en "et-trinns"-glasur blir tinnoksydet og antimontrioksydet blandet i egnede andeler med basisglasurstoffene og vann for å oppnå en glaseringsoppslemming. I den andre type som heretter kalles en "to-trinns"-glasur blir tinnoksydet og antimontrioksydet først forkalsinert ved optimal temperatur og deretter malt og blandet i egnede andeler med basisglasurmaterialene og vann for oppnå en glaseringsoppslemming. I hvert tilfelle påføres oppslemm-ingen på ikke brente, men tørre porselensisolatorer eller på forbrente porselensisolatorer ved hjelp av dypping, spraying eller overhelling. Isolatorene blir deretter brent i en omhygg-elig styrt brennsyklus for å oppnå de ønskede halvledende egenskaper for glasuren samtidig med at det oppnås høy styrke for isolatorlegemet og glasuren.
Når det gjelder en "et-trinns"-glasur, må isolatoren på hvilken glasuren påføres, brennes innen et temperaturområde som gir de nødvendige halvledende egenskaper for glasuren -og de nødvendige mekaniske egenskaper for porselensisolatoren. Fordi disse egenskaper er meget temperaturavhengige, er bruken av "et-trinns"-glasuren mulig kun med et begrenset antall metalloksyder. "To-trinns"-glasuren gir en viss frihet til behandling av de halvledende stoffer separat ved deres optimale kalsineringstemperatur. For eksempel kan kalsinering gjennom-føres ved betydelig lavere eller meget høyere temperatur enn det som er nødvendig for å oppnå porselen av god kvalitet og gode dekkegenskaper. Forskjellige metalloksyder kan benyttes i slike halvledende glasurer.
Selvom basisglasur-, eller dekkglasur-, sammensetningen generelt vil ha en viss innvirkning på egenskapene for den ferdige halvledende glasur, er forskjellige sammenset-ninger benyttet med gode resultater. To foretrukkede basis-glasursammensetninger er angitt i eksemplene 1 og 2. Eksempel 1
Eksempel 2
I hvert tilfelle er den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren mindre enn 10 mikron.
Blandingen av tinnoksyd og antimontrioksyd bør enten den er forkalsinert eller ikke være tilstede i den halvledende glasursammensetning i en mengde på fra 3 til 12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen der forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd er innen området 4:1 til 50:1. Den midlere partikkelstørrelse for disse oksyder er helst mindre enn 0,5 mikron. Den lille partikkelstørrelse for tinnoksyd og.antimontrioksyd og de reduserte mengder som benyttes i glasursammensetningen forbedrer den negative temperaturkoeffisient for motstanden og forbedrer korrosjonsmotstands-evnen og den generelle homogenitet for den resulterende glasur. I fig. 1 er den negative temperaturkoeffisient eller virkningen av temperaturen på flatemotstanden for den resulterende glasur vist grafisk for halvledende glasurer fremstilt ved bruk av "et-trinns"-glasur (kurve A), "to-trinns"-glasur (kurve B) og en kjent sammensetning ved bruk av blått tinnoksyd (kurve C).
Ved behandling av halvledende glasurer er det funnet ut at glasurmotstandsevnen er meget følsom overfor den maksimale brenhtemperatur og i en mindre grad av varigheten for den maksimale temperatur (eller brenntiden), og også av hast-igheten for oppvarming og avkjøling under brennsyklusen. Fordi ovnstemperaturene.aldri i praksis er enhetlige, kan det inntre store variasjoner i glasurmotstandsevnen. Fordi den totale motstandsevne for en isolator må være rimelig godt regulert, kan dette føre til relativt høye kasseringsgrader. Det er funnet at .dette problem kan overvinnes ved å tilsette en liten mengde sinkoksyd til sammensetningen. På denne måte kan det oppnås et 27,5-55°C stort temperaturområde mellom 1204 og 13l6°C (maksimal brenntemperatur), i hvilket område glasurmotstandsevnen forblir i det vesentlige konstant. Virkningen av sinkoksyd er vist i fig. 2 der kurvene A0, Al og A2 viser forbind-elsen mellom motstandsevne og maksimal brenntemperatur for en første glasursammensetning hvortil det er satt sinkoksyd i mengder på 0,1 og 2 vekt-? og der kurvene BO, BO,5, Bl og B2 viser det samme forhold for en forskjellig glasursammensetning hvortil sink er satt i mengder på 0, 0,5, 1 henholdsvis 3 vekt-?. Det er fastslått at en overskytende mengde sinkoksyd øker den negative temperaturkoeffisient for glasurmotstandsevnen og radikalt påvirker de mekaniske egenskapene i glasuren. Av denne grunn må mengden sinkoksyd begrenses til 0,5 til 3 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen.
En "et-trinns"-glasursammensetning slik som angitt i eksempel 3 ble påført på tørr, ikke brent porselen ved dypping og deretter brent ved 1260°C i 6 timer, noe som resulterte i en flatemotstand innen området 16 til 100 megohm pr. flateenhet for dyppetider i området 20 til 10 sekunder slik som angitt ved-kurve A i fig. 3.
Eksempel 3
En "to-trinns"-glasursammensetning som angitt i eksempel 4 ble påført på tørr, ikke brent porselen ved en dypping og brent ved 1260°C i 6 timery noe som resulterte i en flatemotstand i området 40 til 400 megohm pr. flateenhet for dyppetider i området 20 til 10 sekunder slik som angitt ved kurve B i fig. 3-
Eksempel 4
Den negative temperaturkoeffisient for begge
disse glasurer slik som angitt i fig. 1 er mindre enn 0, 35%
pr. °C. Det er omkring tre ganger mindre enn den for glasurer som tidligere er utviklet ved bruk av blått tinnoksyd.
Motstandsevnen for glasuren kan økes ved å redus-
ere mengden SnO^ og Sb20^ som er tilstede i glasuroppslemm-
ingen eller redusert ved å øke mengden av disse. Forandringer i glasurmotstandsevnene kan også bevirkes ved å variere de relative andeler av Sn©2 og Sb20^ eller forholdet mellom vann og faststoffer, mengden sinkoksyd, partikkelstørrelsen for de forskjellige glasurbestanddeler eller brenntemperaturen og brennsyklusen. Videre kan motstandsevnen for en påført halvledende glasur økes eller reduseres ved å brenne om igjen isolatoren på hvilken glasuren er påført ved en forskjellig temperatur fra den hvorved den først ble brent.
Claims (6)
1. Halvledende glasursammensetning i partikkelform omfattende en basisglasur blandet med tinnoksyd (SnC^)* antimontrioksyd ( Sb^ O^) og sinkoksyd (ZnO), der basisglasuren i det vesentlige består av silisiumo' aluminiumoksyd og flussmidler og har en brenntemperac . ir.nen området 1149 til 1371°C, karakterisert ved at tinnoksyd og antimontrioksyd tilsammen er tilstede i en mengde fra 3-12,5 vekt-? av de totale faststoffer i sammensetningen, og sinkoksyd er tilstede i en mengde fra 0,5-3 vekt-? av de totale fast-
stoffer i sammensetningen, og at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd ligger innen området 4:1 til 50:1, beregnet på vektbasis.
2. Halvledende glasur ifølge krav 1, karakterisert ved at tinnoksydet (SnC^) og antimontrioksydet ( Sbrfij) er innarbeidet som på forhånd kalsinert blanding.
3. Halvledende glasur ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at forholdet mellom tinnoksyd og antimontrioksyd er omkring 10:1, beregnet på vekt.
4. Halvledende glasur ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, karakterisert ved at den midlere partikkelstørrelse for basisglasuren er mindre enn 10 mikron.
5. Halvledende glasur ifølge krav 4, karakterisert ved at den midlere partikkelstørrelse for tinnoksydet og antimontrioksydet er mindre enn 0,5 mikron.
6. Halvledende glasur ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, karakterisert ved at sinkoksydet er tilstede i en mengde på fra 0,5 til 1, 0% av de totale faststoffer i sammensetningen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US301340A US3888796A (en) | 1972-10-27 | 1972-10-27 | Semiconductive glaze compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO134004B true NO134004B (no) | 1976-04-26 |
NO134004C NO134004C (no) | 1976-08-04 |
Family
ID=23162935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO4171/73A NO134004C (no) | 1972-10-27 | 1973-10-29 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3888796A (no) |
JP (1) | JPS5314319B2 (no) |
AR (1) | AR196698A1 (no) |
BE (1) | BE806457A (no) |
BR (1) | BR7308286D0 (no) |
CA (1) | CA1006345A (no) |
DE (1) | DE2353376C3 (no) |
ES (1) | ES419958A1 (no) |
FR (1) | FR2204583B1 (no) |
GB (1) | GB1408210A (no) |
IE (1) | IE38408B1 (no) |
IT (1) | IT1004627B (no) |
LU (1) | LU68685A1 (no) |
NL (1) | NL7314784A (no) |
NO (1) | NO134004C (no) |
ZA (1) | ZA737827B (no) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS588564B2 (ja) * | 1974-06-20 | 1983-02-16 | 松下電器産業株式会社 | グレ−ズテイコウタイノ セイゾウホウホウ |
US4098725A (en) * | 1974-11-28 | 1978-07-04 | Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Low thermal expansive, electroconductive composite ceramics |
US3960779A (en) * | 1975-04-21 | 1976-06-01 | Canadian Porcelain Company Limited | Semiconducting glaze composition |
US4110260A (en) * | 1975-09-25 | 1978-08-29 | Tokyo Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha (Tdk Electronics Co., Ltd.) | Electroconductive composite ceramics |
GB1501946A (en) * | 1975-11-11 | 1978-02-22 | Ngk Insulators Ltd | Electrical insulators |
GB1579245A (en) * | 1977-05-02 | 1980-11-19 | Ngk Insulators Ltd | Electrical insulator with semiconductive glaze |
US4187201A (en) * | 1978-03-15 | 1980-02-05 | Electro Materials Corporation Of America | Thick film conductors |
US4215020A (en) * | 1978-04-03 | 1980-07-29 | Trw Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
US4293838A (en) * | 1979-01-29 | 1981-10-06 | Trw, Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
US4280931A (en) * | 1979-08-14 | 1981-07-28 | Zenith Radio Corporation | Method and composition for electrically resistive material for television cathode ray tubes |
SE507744C2 (sv) * | 1996-11-06 | 1998-07-06 | Ifoe Ceramics Ab | Elektrisk isolator och sätt vid framställning av sådan isolator |
PL206705B1 (pl) * | 2002-09-13 | 2010-09-30 | Ngk Insulators Ltd | Półprzewodnikowy wyrób w postaci szkliwa, sposób wytwarzania wyrobu w postaci szkliwa oraz zastosowanie wyrobu w postaci półprzewodnikowego szkliwa |
US8704097B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-04-22 | General Electric Company | High voltage bushing assembly |
US8716601B2 (en) | 2012-02-08 | 2014-05-06 | General Electric Company | Corona resistant high voltage bushing assembly |
CN108218233B (zh) * | 2018-02-07 | 2021-08-06 | 盐城工业职业技术学院 | 用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2857294A (en) * | 1955-08-03 | 1958-10-21 | Corning Glass Works | Electroconductive article |
US3383225A (en) * | 1955-11-07 | 1968-05-14 | Minnesota Mining & Mfg | Acid-resistant enamels |
US2909438A (en) * | 1956-02-06 | 1959-10-20 | Vitro Corp Of America | Vitreous enamel compositions for aluminum and its alloys |
US3095321A (en) * | 1961-06-05 | 1963-06-25 | American Lava Corp | High hardness porcelain enamel composition, method of coating therewith and article produced thereby |
GB1054163A (no) * | 1964-05-18 | |||
US3493404A (en) * | 1964-06-22 | 1970-02-03 | Physical Sciences Corp | Ceramic material |
US3532524A (en) * | 1966-10-06 | 1970-10-06 | Owens Illinois Inc | Glazing compositions and process |
US3484284A (en) * | 1967-08-15 | 1969-12-16 | Corning Glass Works | Electroconductive composition and method |
US3607789A (en) * | 1968-05-02 | 1971-09-21 | Precision Electronic Component | Electroconductive glaze and method for preparation |
JPS4810925B1 (no) * | 1969-09-27 | 1973-04-09 | ||
US3700606A (en) * | 1970-09-30 | 1972-10-24 | Air Reduction | Electroconductive glaze and method for preparation |
-
1972
- 1972-10-27 US US301340A patent/US3888796A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-10-08 ZA ZA737827A patent/ZA737827B/xx unknown
- 1973-10-09 CA CA182,864A patent/CA1006345A/en not_active Expired
- 1973-10-23 IE IE1902/73A patent/IE38408B1/xx unknown
- 1973-10-24 BE BE137016A patent/BE806457A/xx unknown
- 1973-10-24 BR BR8286/73A patent/BR7308286D0/pt unknown
- 1973-10-25 DE DE2353376A patent/DE2353376C3/de not_active Expired
- 1973-10-25 FR FR7338093A patent/FR2204583B1/fr not_active Expired
- 1973-10-25 ES ES419958A patent/ES419958A1/es not_active Expired
- 1973-10-25 LU LU68685A patent/LU68685A1/xx unknown
- 1973-10-26 IT IT70168/73A patent/IT1004627B/it active
- 1973-10-26 GB GB5003073A patent/GB1408210A/en not_active Expired
- 1973-10-26 NL NL7314784A patent/NL7314784A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-10-26 AR AR250727A patent/AR196698A1/es active
- 1973-10-26 JP JP12005973A patent/JPS5314319B2/ja not_active Expired
- 1973-10-29 NO NO4171/73A patent/NO134004C/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE806457A (fr) | 1974-02-15 |
BR7308286D0 (pt) | 1974-09-24 |
AU6138573A (en) | 1975-04-17 |
NL7314784A (no) | 1974-05-01 |
FR2204583A1 (no) | 1974-05-24 |
IT1004627B (it) | 1976-07-20 |
NO134004C (no) | 1976-08-04 |
CA1006345A (en) | 1977-03-08 |
FR2204583B1 (no) | 1978-07-07 |
GB1408210A (en) | 1975-10-01 |
DE2353376B2 (de) | 1978-10-26 |
LU68685A1 (no) | 1974-01-08 |
ES419958A1 (es) | 1976-04-16 |
ZA737827B (en) | 1974-09-25 |
IE38408L (en) | 1974-04-27 |
US3888796A (en) | 1975-06-10 |
AR196698A1 (es) | 1974-02-12 |
IE38408B1 (en) | 1978-03-01 |
JPS5314319B2 (no) | 1978-05-16 |
DE2353376C3 (de) | 1979-06-28 |
DE2353376A1 (de) | 1974-05-09 |
JPS4976096A (no) | 1974-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO134004B (no) | ||
US4172922A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
JPS6314841B2 (no) | ||
CN105869810A (zh) | 一种高电压梯度氧化锌压敏阀片的侧面绝缘层制备方法 | |
US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
US2915730A (en) | Electrical resistor and method | |
EP0146013B1 (en) | Coating composition for preventing high temperature oxidation for electrodes | |
CA1077254A (en) | Electric insulators | |
NO117185B (no) | ||
US3368026A (en) | Electrical insulator having improved surface electrical stress distribution | |
US4044173A (en) | Electrical resistance compositions | |
JPS6311298B2 (no) | ||
US4420737A (en) | Potentially non-linear resistor and process for producing the same | |
US4232185A (en) | Electrical insulator with semiconductive glaze | |
US3960779A (en) | Semiconducting glaze composition | |
JPS55162446A (en) | High strength ceramic color baked windowpane plate for car | |
US4146677A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
JPS5931841B2 (ja) | 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器 | |
US3107178A (en) | High dielectric constant glass | |
US2396087A (en) | Embedded resistance unit | |
GB1112765A (en) | Improvements in or relating to semi-conducting ceramic glaze compositions | |
JPS5864245A (ja) | 抵抗体被覆用ガラス | |
US4276204A (en) | Composition of a conductive ceramic glaze and improved method of forming same | |
US3645784A (en) | Vitreous enamel resistor | |
SU943856A1 (ru) | Состав дл получени провод щего покрыти на керамике |