NL8602356A - APPARATUS AND METHOD FOR AN AXIAL SYMMETRICAL REACTOR FOR THE CHEMICAL VAPORIZATION. - Google Patents
APPARATUS AND METHOD FOR AN AXIAL SYMMETRICAL REACTOR FOR THE CHEMICAL VAPORIZATION. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8602356A NL8602356A NL8602356A NL8602356A NL8602356A NL 8602356 A NL8602356 A NL 8602356A NL 8602356 A NL8602356 A NL 8602356A NL 8602356 A NL8602356 A NL 8602356A NL 8602356 A NL8602356 A NL 8602356A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- vapor deposition
- chemical vapor
- heating
- gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
.. sT.. sT
c j» N034014 1c j »N034014 1
Inrichting en werkwijze voor een axiaal symmetrische reactor voor het chemische uit damp neerslaan._Apparatus and method for an axially symmetrical reactor for chemical precipitation from vapor.
De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op het 5 chemisch neerslaan van materiaal gedragen door een gas op een vast substraat en meer in het bijzonder op een reactor voor het chemisch uit damp neerslaan die axiale symmetrie heeft.The present invention generally relates to the chemical deposition of material supported by a gas on a solid substrate, and more particularly to a chemical vapor deposition reactor having axial symmetry.
Het is bekend in de betreffende stand der techniek om in het chemische uit damp neerslaan van materiaal te voorzien, zoals epitaxiale 10 chemische neerslag uit damp, door het leiden van een gas bevattende de reagerende materialen over een vast substraat. Het gas omvat het materiaal dat neergeslagen moet worden op de substraten. Het vaste substraat moet in het algemeen op een verhoogde temperatuur gehouden worden teneinde de reactie met het oppervlak te handhaven. De neerslag kan 15 typisch verwezenlijkt worden binnen een houder, die de stroming van gas over een, of meer in het bijzonder een veelheid van substraten veroorzaakt, die op een basis of een steunorgaan geplaatst zijn.It is known in the prior art to provide chemical vapor deposition material, such as epitaxial chemical vapor deposition, by passing a gas containing the reacting materials over a solid substrate. The gas includes the material to be deposited on the substrates. The solid substrate generally needs to be kept at an elevated temperature to maintain the reaction with the surface. The deposition can typically be accomplished within a container, which causes the flow of gas over one, or more particularly, a variety of substrates placed on a base or a support member.
Verscheidene problemen kunnen ontstaan bij reactoren voor het chemisch uit damp neerslaan volgens de stand der techniek. In het bijzon-20 der verwijdert de neerslagreactie met het substraat dampneerslagmateri-alen uit het stromende gas en heeft een variatie in de concentratie re-actiemiddelen in het gas tot gevolg. Omdat het gas gedwongen wordt tot stroming over een plak substraat, kan de variatie in concentratie een ongelijkmatige neergeslagen laag tot gevolg hebben. Dit niet gelijkma-25 tig zijn van neerslaglagen kan voor een veelheid van substraten plaatsvinden en kan over een enkel substraat plaatsvinden. Bovendien hebben thans gebruikte stelsels een beperkt vermogen voor het voorzien in een gelijkmatige temperatuur voor een veelheid van substraten of zelfs voor een enkel substraat. De gelijkmatigheid van de temperatuur wordt ty-30 pisch verwezenlijkt door een grote thermische massa te verenigen met het substraat. De grote thermische massa en de bijbehorende thermische traagheid kunnen niet gelijkmatigheid in de temperatuursverdeling van de substraten beperken. De grote thermische massa beperkt echter de omvang waarmee het substraat in thermisch evenwicht gebracht kan worden 35 en kan bijgevolg een schadelijk effect hebben op de tijd vereist voor het behandelen van de substraten. De grote thermische massa kan daarom rechtstreeks invloed hebben op de produktiviteit.Several problems can arise with prior art chemical vapor deposition reactors. In particular, the precipitation reaction with the substrate removes vapor deposition materials from the flowing gas and results in a variation in the concentration of reactants in the gas. Because the gas is forced to flow over a slab of substrate, the variation in concentration may result in an unevenly deposited layer. This non-uniformity of deposition layers can occur for a variety of substrates and can occur over a single substrate. In addition, systems currently used have limited ability to provide a uniform temperature for a variety of substrates or even a single substrate. Temperature uniformity is typically achieved by combining a large thermal mass with the substrate. The large thermal mass and associated thermal inertia cannot limit uniformity in the temperature distribution of the substrates. However, the large thermal mass limits the extent to which the substrate can be thermally equilibrated and may therefore have a detrimental effect on the time required to treat the substrates. The high thermal mass can therefore directly affect productivity.
Bovendien kunnen reactoren voor het chemisch uit damp neerslaan die thans gebruikt worden voor epitaxiale neerslag autodoteren mogelijk 40 maken, doteren van het neerslagmateriaal ontstaande uit verdamping van 15 1-2 3 5 ?In addition, chemical vapor deposition reactors currently used for epitaxial deposition may allow autodoping, doping of the precipitating material resulting from evaporation of 1-2-3.
VV
2 doteermiddel vanaf de keerzijde van het typisch aanzienlijk gedoteerde substraat. Bij reactoren volgens de stand der techniek moest ervoor gezorgd worden dat de keerzijde van het substraat afgedicht werd om auto-doteren te voorkomen.2 dopant from the reverse side of the typically substantially doped substrate. In prior art reactors, care had to be taken to seal the reverse side of the substrate to prevent auto-doping.
5 Bij een poging de productiviteit van reactoren voor het chemisch uit damp neerslaan te verhogen, zijn de reactoren in afmeting vergroot om meer substraatmateriaal op te nemen. Deze toename in afmeting had een vergrote deeltjesverontreiniging van het substraat tot gevolg. Het deeltjesvormig materiaal ontstaat uit ongewenste materiaal neerslag aan 10 de reactorwanden, neerslag die van de wanden los kan raken en het neer-slaggebied binnen kan treden.In an effort to increase the productivity of chemical vapor deposition reactors, the reactors have been increased in size to accommodate more substrate material. This increase in size resulted in increased particle contamination of the substrate. The particulate material arises from unwanted material deposition on the reactor walls, precipitation which can become detached from the walls and enter the deposition region.
Bij typische stelsels voor het chemisch uit damp neerslaan kunnen samenstelling van het gasvormige materiaal, temperatuur en autodoteren gestuurd worden, maar gezocht is naar verdere sturing van het neerslag-15 proces.In typical vapor deposition systems, gaseous composition, temperature and autodoping can be controlled, but further control of the precipitation process has been sought.
Onlangs zijn onderzoekingen uitgevoerd naar de mogelijkheid van het gebruik van een axiaal symmetrische stroming gas over elk substraat om in een meer bevredigende werkwijze voor het chemisch uit damp neerslaan te voorzien. Met de axiaal symmetrische stroming en passende 20 grensomstandigheden, kan een meer gelijkmatige neerslag laag verkregen worden. Neerslag op een enkele plak maakt buigzaamheid bij de werkwijze van het verwarmen mogelijk en maakt het mogelijk dat verwarmings- en koel tijd beperkt worden. De axiaal symmetrische gasstroming heeft als verder voordeel dat autodoteren, het ongewenst doteren van de neerslag-25 laag door atomen uit het aanzienlijk gedoteerde substraat, beperkt kan worden. Bovendien maakt de axiaal symmetrische stroming van gas het mogelijk, dat grotere substraten gebruikt kunnen worden, waardoor enkele plakreactoren ontstaan. De enkele plakreactoren neigen deeltjesvor-mige verontreiniging van de neerslaggebieden van het substraat te be-30 perken.Recently, studies have been conducted on the possibility of using an axially symmetric flow of gas over each substrate to provide a more satisfactory vapor deposition method. With the axially symmetrical flow and appropriate boundary conditions, a more even precipitation layer can be obtained. Single slab precipitation allows flexibility in the heating process and allows heating and cooling time to be limited. The axial symmetric gas flow has the further advantage that autodoping, the unwanted doping of the deposition layer by atoms from the substantially doped substrate, can be limited. In addition, the axially symmetrical flow of gas allows larger substrates to be used, creating some slab reactors. The single wafer reactors tend to limit particulate contamination of the deposition regions of the substrate.
Daarom bestaat de behoefte aan een reactor voor het chemisch uit damp neerslaan die op voordeel zijnde wijze gebruikt kan maken van een axiaal symmetrische gasstroom en bovendien in een gelijkmatige verwarming kan voorzien zodat een kleine thermische massa verenigd kan worden 35 met het substraat.Therefore, there is a need for a chemical vapor deposition reactor which can advantageously utilize an axially symmetrical gas flow and additionally provide uniform heating so that a small thermal mass can be combined with the substrate.
Het is daarom een doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een verbeterde reactor voor het chemisch uit damp neerslaan te voorzien.It is therefore an object of the present invention to provide an improved chemical vapor deposition reactor.
Het is een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een 40 reactor voor het chemisch uit damp neerslaan te voorzien voor een axi- 8602350 3 aal symmetrisch substraat.It is another object of the present invention to provide a chemical vapor deposition reactor for an axially symmetrical substrate.
Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een werkwijze voor het chemisch uit damp neerslaan te voorzien met een axiaal symmetrisch geometrie.Moreover, it is another object of the present invention to provide a chemical vapor deposition process with an axially symmetrical geometry.
5 Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een inrichting en werkwijze te voorzien voor het gelijkmatig verwarmen van een substraat met een cirkel vormige geometrie.Moreover, it is a further object of the present invention to provide an apparatus and method for uniformly heating a substrate with a circular geometry.
het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een reactor te voorzien, voor het chemische uit damp neerslaan 10 met een inrichting die in verdere sturing van het neerslagproces kan voorzien.in addition, it is another object of the present invention to provide a reactor for chemical vapor deposition with an apparatus which can provide further control of the precipitation process.
Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een dampneerslagreactor te voorzien, waarvoor de stroom gas die het reactiemiddelmateriaal draagt over het substraat axiale symme-15 trie heeft.Moreover, it is a further object of the present invention to provide a vapor deposition reactor for which the flow of gas carrying the reactant material over the substrate has axial symmetry.
Bovengenoemde en andere doeleinden worden volgens de onderhavige uitvinding verwezenlijkt door een inrichting met een cirkel vormige re-actiekamer voor chemische neerslag uit damp van materialen met een in hoofdzaak cirkelvormig substraat. Het cirkelvormige substraat wordt ge-20 dragen op een basis of steunorgaan met een voetstuk. Gas dat materiaal draagt dat neergeslagen moet worden op het substraat wordt naar het substraatoppervlak gestuurd met in hoofdzaak gelijkmatige omvang van de snelheid loodrecht op het substraatoppervlak, door inrichtingen aangebracht op een stuurbare afstand van het substraat. Het gas wordt in het 25 algemeen beperkt om een axiaal symmetrische stroming te hebben over het oppervlak van het substraat. Een stralingsverwarmingsinrichting is aanwezig om het substraat en bijbehorende inrichting tot een gelijkmatige temperatuur te verwarmen. De gelijkmatigheid van de temperatuur verwezenlijkt door de verwarmingsinrichting maakt het mogelijk dat het sub-30 straat en de bijbehorende inrichting een verhoudingsgewijs kleine thermische massa hebben. De kleine thermische massa maakt het mogelijk dat het thermische evenwicht voor een bepaalde substraattemperatuur snel bereikt kan worden. Het voetstuk dat het substraat draagt kan voor verdere gelijkmatigheid van temperatuur en neerslag gedraaid worden. Een 35 verdere stroom gas kan ingebracht worden om autodoteren van de neergeslagen laag te beperken.The above and other objects are accomplished according to the present invention by a circular reaction chamber apparatus for chemical vapor deposition of materials having a substantially circular substrate. The circular substrate is carried on a base or support member with a base. Gas carrying material to be deposited on the substrate is sent to the substrate surface with substantially uniform velocity perpendicular to the substrate surface through devices arranged at a controllable distance from the substrate. The gas is generally limited to have an axially symmetrical flow over the surface of the substrate. A radiant heating device is provided to heat the substrate and associated device to an even temperature. The temperature uniformity achieved by the heating device allows the substrate and the associated device to have a relatively small thermal mass. The small thermal mass allows the thermal equilibrium for a given substrate temperature to be reached quickly. The pedestal supporting the substrate can be rotated for further temperature and precipitation uniformity. A further flow of gas can be introduced to limit autodoping of the deposited layer.
Deze en andere kenmerken van de onderhavige uitvinding zullen begrepen worden bij het lezen van de onderstaande beschrijving samen met de tekeningen, waarin: 40 figuur 1 een opengewerkt schematisch aanzicht is van de reactorka- 86ö235f 4 mer voor het uit damp neerslaan volgens de uitvinding, figuur 2 een schematisch dwarsdoorsnede-aanzicht is van de reac-torkamer volgens de uitvinding voor het uit damp neerslaan; figuur 3 een schematisch dwarsdoorsnede aanzicht is van de reac-5 torkamer volgens de uitvinding waarbij een verder detail van de voorkeursuitvoering getoond wordt; en figuur 4 een aanzicht in dwarsdoorsnede is van het voetstuk voor het voorzien in een verdere stroming van gas om autodoteren van het materiaal neergeslagen op het substraat te beperken.These and other features of the present invention will be understood upon reading the description below together with the drawings, in which: Figure 1 is an exploded schematic view of the vapor deposition reactor chamber according to the invention, Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the reactor chamber of the invention for vapor deposition; Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the reactor chamber of the invention showing a further detail of the preferred embodiment; and Figure 4 is a cross-sectional view of the base for providing a further flow of gas to limit autodoping of the material deposited on the substrate.
10 In figuur 1 is een opengewerkt schematisch aanzicht afgebeeld van de inrichting omvattende de kamer voor het chemisch uit damp neerslaan van de reactor. De inrichting van de reactorkamer omvat een boven- en beneden verwarmingskamer 60. Met de twee kamers is een veelheid van stralingsverwarmingselementen 50 verbonden. Deze verwarmingselementen 15 zijn typisch langwerpige lampen, terwijl de afzonderlijke kamers typisch een vierkante gedaante kunnen hebben bij de voorkeursuitvoering. Zoals duidelijk zal zijn kan een andere kamergeometrie gebruikt worden, De lampen worden ingebracht door openingen in de wanden van de kamer en zijn in hoofdzaak evenwijdig aangebracht aan de andere lampen aange-20 bracht en geplaatst in een vlak evenwijdig aan het substraat 10. De boven- en benedenkamer zijn in hoofdzaak zo aangebracht dat het samenstel van lampen van elke kamer zich met rechte hoek ten opzichte van het andere samenstel van lampen bevindt. Het substraat 10 en het bijbehorende steunorgaan 15 worden door een voetstuk 80 in de reactor gedra-25 gen. Het gas 11 dat de materialen draagt die op het substraat 10 neergeslagen moeten worden, wordt door inrichting 70 in de reactorkamers ingebracht. Inrichting 70 bestaat in hoofdzaak uit kwarts (voor het overbrengen van verwarmingsstraling) en omvat een kamer waarin gas 11 ingébracht wordt. De inrichting 70 heeft een oppervlak gericht naar het 30 substraatoppervlak en in hoofdzaak evenwijdig daaraan. Dit oppervlak heeft een veelheid van openingen die het vrijgeven van het gas mogelijk maken met een in hoofdzaak gelijkmatige stroming naar het substraat.Figure 1 shows an exploded schematic view of the device comprising the chamber for chemical vapor deposition of the reactor. The reactor chamber arrangement includes an up and down heating chamber 60. A plurality of radiant heating elements 50 are connected to the two chambers. These heating elements 15 are typically elongated lamps, while the individual chambers can typically have a square shape in the preferred embodiment. As will be appreciated, a different chamber geometry may be used. The lamps are inserted through openings in the walls of the chamber and are arranged substantially parallel to the other lamps and placed in a plane parallel to the substrate 10. The above and lower chamber are arranged essentially such that the lamp assembly of each chamber is at right angles to the other lamp assembly. The substrate 10 and the associated support member 15 are carried through the base 80 into the reactor. The gas 11 carrying the materials to be deposited on the substrate 10 is introduced into the reactor chambers through device 70. Device 70 mainly consists of quartz (for transferring heating radiation) and comprises a chamber into which gas 11 is introduced. The device 70 has a surface facing the substrate surface and substantially parallel to it. This surface has a plurality of openings that allow release of the gas with a substantially uniform flow to the substrate.
In figuur 2 is een dwarsdoorsnede aanzicht van een reactor voor het chemisch uit damp neerslaan in dwarsdoorsnede afgebeeld. De lampen 35 50 in de twee verwarmingskamer 60 voorzien in gelijkmatig verwarmen van het substraat 10 en bijbehorend vasthoud!ichaam 15. De lampen zijn niet met rechte hoeken in figuur 2 afgebeeld om twee verwarmingslampuit-voeringen te illustreren. Bij de onderste verwarmingslampuitvoering richten parabolische reflectoren de stralingsenergie naar het steunor-40 gaan 15 en bijbehorende substraat 10. In de bovenkamer 60 van figuur 2 8602356 5 zijn met de buitenste verwarmingslamp 50 parabolische relfectoren verenigd. De inwendige verwarmingslampen zijn voor een vlak gebied 52 aangebracht. Op het vlakke gebied en de parabolische reflectoren is door bekleden aanzienlijk reflecterend materiaal opgebracht om de straling 5 naar de combinatiesubstraat-steunorgaan te sturen. De combinatie sub-straat/steunorgaan wordt gedragen door een voetstuk 80, en hoewel niet afgebeeld in figuur 2, strekt de basis van het voetstuk zich uit door een verwarmingskamer 60. De inrichting 70 voor het toevoeren van het gas dat het neerslagmateriaal bevat naar het substraat heeft een inlaat 10 voor het ontvangen van gas 11 en een veelheid van openingen 74 voor het gelijkmatig richten van het gas naar het substraat 10. Inrichting 90, die niet in detail getoond is, is een inrichting voor het afvoeren van het gas uit de neerslagkamer op een wijze om de axiale symmetrie van de gasstroming te handhaven. Inrichting 90 kan een veelheid van openingen 15 omvatten, waarbij de belangrijkste funktie het sturen van de gasstro-ming is. Inrichting 90 voorziet eveneens in een bron warmteverlies omvattende de gelijkmatigheid van de temperatuur over de combinatiesub-straat-steunorgaan.Figure 2 shows a cross-sectional view of a reactor for chemical vapor deposition. The lamps 50 in the two heating chamber 60 provide for uniform heating of the substrate 10 and associated holding body 15. The lamps are not shown at right angles in Figure 2 to illustrate two heating lamp embodiments. In the lower heating lamp embodiment, parabolic reflectors direct the radiant energy to the support member 40 and associated substrate 10. In the upper chamber 60 of Fig. 2, 8602356 5, the outer heating lamp 50 combines parabolic riot vectors. The internal heating lamps are arranged for a flat area 52. On the flat area and the parabolic reflectors, coating has provided significant reflective material to direct the radiation 5 to the combination substrate support. The substrate / support member combination is carried by a pedestal 80, and although not shown in Figure 2, the base of the pedestal extends through a heating chamber 60. The device 70 for supplying the gas containing the precipitate material to the substrate has an inlet 10 for receiving gas 11 and a plurality of openings 74 for uniformly directing the gas to the substrate 10. Device 90, not shown in detail, is a device for discharging the gas from the precipitation chamber in a manner to maintain the axial symmetry of the gas flow. Device 90 may comprise a plurality of openings 15, the main function of which is to control the gas flow. Device 90 also provides a source of heat loss comprising temperature uniformity across the combination substrate support.
In figuur 3 is een meer gedetailleerde uitvoering van de reactor-20 kamer getoond. De kamers 60 omvatten lampen 50 die elektrisch en mechanisch gekoppeld zijn met het overige van de inrichting door koppelings-inrichting 51 en een reflectiegebied kunnen hebben dat daarmee verenigd is zoals afgebeeld in figuur 2. Inrichting 70 omvat een eerste vlak materiaal 72 en een tweede vlak materiaal 71. Het vlak materiaal 71 is in 25 hoofdzaak evenwijdig aan het substraat 10 en heeft een veelheid van openingen om gas 11 naar het substraat te sturen. Substraat 10 wordt gedragen door voetstuk 80. Het gas wordt belemmerd in stroming langs een veelheid van schotten 91, om een axiaal symmetrische stroming te handhaven. Het substraat en het bovendeel van het voetstuk worden in 30 het algemeen omsloten door plaat 71, plaat 75 en uitwendige oppervlakken 76 voor het beperken van de stroom gas. Het gas kan eveneens afgevoerd worden uit de omhulling via een veelheid van openingen. Huis 8 is met de verwarmingskamers 60 verbonden en heeft verdere, niet afgebeelde inrichtingen voor het verbinden van de boven- en benedendelen van de 35 reactoronderdelen en voor het dragen van de inwendige omhulsel inrichting.Figure 3 shows a more detailed embodiment of the reactor-20 chamber. The chambers 60 include lamps 50 which are electrically and mechanically coupled to the rest of the device by coupling device 51 and may have a reflection area associated therewith as shown in Figure 2. Device 70 includes a first flat material 72 and a second plane material 71. The planar material 71 is substantially parallel to the substrate 10 and has a plurality of openings for sending gas 11 to the substrate. Substrate 10 is supported by pedestal 80. The gas is obstructed from flowing along a plurality of baffles 91 to maintain an axially symmetrical flow. The substrate and the top of the pedestal are generally enclosed by plate 71, plate 75 and external surfaces 76 to restrict the flow of gas. The gas can also be vented from the enclosure through a plurality of openings. Casing 8 is connected to the heating chambers 60 and has further, not shown, devices for connecting the top and bottom parts of the reactor parts and for carrying the internal casing device.
In figuur 4 is een werkwijze voor het belemmeren van autodoteren van de neerslag!aag afgebeeld. De axiaal symmetrische stroming van gas stroomt naar buiten naar de randen van het substraat 10. Het substraat 40 10 wordt boven vasthoudorganen 15 gedragen door afstandhouders 16. Het 8602356 6 vasthoudorgaan wordt gedragen boven het voetstuk 80 door stijgorganen 81 en door de verticale wanden van het voetstuk 80. Een gas 13 stroomt door een doorgang in het voetstuk 80, door een opening 83 in het vast-houdorgaan 15 naar de ruimte tussen het vasthoudorgaan en het sub-5 straat. Deze radiaal naar buiten gerichte stroming draagt samen met de radiaal naar buiten gerichte stroming van het draaggas 11, ongewenste substraat doterende atomen weg van het neerslagdeel van het substraat.Figure 4 illustrates a method of inhibiting autodoping of the deposit layer. The axially symmetrical flow of gas flows outwardly to the edges of the substrate 10. The substrate 40 10 is supported above holding members 15 by spacers 16. The 8602356 6 holding member is supported above the base 80 by risers 81 and through the vertical walls of the pedestal 80. A gas 13 flows through a passage in the pedestal 80, through an opening 83 in the retainer 15 to the space between the retainer and the substrate. This radially outwardly directed flow, together with the radially outwardly directed flow of the carrier gas 11, carries unwanted substrate doping atoms away from the precipitate portion of the substrate.
De constructie van de reactor voor het chemisch uit damp neerslaan is ontworpen om op van voordeel zijnde wijze gebruik te maken van de 10 voordelige effecten van een axiaal symmetrische stroming van draaggas over een substraat. Deze gasstroomuitvoering, eveneens aangeduid als stagnatiepuntstroming, vóórziet in de voordelen van een radiaal gelijkmatig zijn van de concentratie van de neerslagmaterialen in de nabijheid van het substraat, het radiaal gelijkmatig zijn van de temperatuur 15 isothermen in het gas boven het substraatoppervlak, en het radiaal gelijkmatig zijn van de omvang van chemische reacties in het gas en op het substraatoppervlak.The construction of the chemical vapor deposition reactor is designed to take advantage of the beneficial effects of an axially symmetrical flow of carrier gas over a substrate. This gas flow embodiment, also referred to as stagnation point flow, provides the advantages of being radially uniform in the concentration of the deposition materials in the vicinity of the substrate, radially uniform in the temperature of 15 isotherms in the gas above the substrate surface, and radially uniform the extent of chemical reactions in the gas and on the substrate surface.
De inrichting 70, die in de voorkeursuitvoering platen materiaal met openingen in de plaat het meest nabij het substraat kan omvatten, 20 voorziet in een passende techniek voor het inbrengen van de axiaal symmetrische gasstroom in de kamer. Bij de voorkeursuitvoering zijn de openingen aangebracht bij de toppunten van gelijkzijdige hoeken. Inrichtingen, zoals de schotten 91, zijn aanwezig om te verzekeren dat de werkwijze van het afvoeren van het draaggas de axiaal symmetrische 25 stroming van gas niet aanzienlijk verstoort. De inrichting 70 is typisch geconstrueerd uit een materiaal dat een groot deel van de straling naar de combinatie steunorgaan-substraat kan overbrengen.The device 70, which in the preferred embodiment may comprise plates of material with openings in the plate nearest the substrate, provides an appropriate technique for introducing the axially symmetrical gas flow into the chamber. In the preferred embodiment, the openings are provided at the apexes of equilateral angles. Devices, such as the baffles 91, are provided to ensure that the carrier gas removal process does not significantly interfere with the axially symmetrical flow of gas. The device 70 is typically constructed of a material that can transfer a large portion of the radiation to the combination support-substrate substrate.
De verwarmingskamers zijn overeenkomstig uitgevoerd om de axiale symmetrie van de neerslag te bevorderen en om een gelijkmatige tempera-30 tuur over het substraat te handhaven. De veelheid van lampen 50 is aangebracht binnen de verwarmingskamers. Op de wanden van de kamers 53 evenals op het reflecterende gebied 52 en de parabolische reflectoren 51 is een zeer reflecterend materiaal aangebracht om het thermische rendement te vergroten en om het gebied van werkelijke warmtebronnen 35 gezien door het ontstaande substraat te vergroten. In figuur 2 is bijvoorbeeld de rand van het substraat niet blootgesteld aan dezelfde straling als overige van het substraat door het ontbreken van verwarmingsbronnen in de richting van gebied 90. Om deze koelere omgeving te compenseren kunnen de buitenste verwarmingslampen met extra vermogen 40 bedreven worden, waardoor de stralingsverwarming in het gebied toe- 8692356 7 neemt. Het variëren van de stand van de verwarmingselementen, door de buitenste verwarmingslampsamenstellen kantelbaar te maken of het verlengen van de verwarm!ngskamer aanzienlijk voorbij het substraat, kan eveneens gebruikt worden om de toegenomen warmteverliezen van het uit-5 wendige gebied van het substraat te compenseren. De zijde van de ver-warmlngskamer kunnen voorzien worden van aanzienlijk reflecterend materiaal, waardoor in het effect van extra verwarmingsbronnen voorzien wordt zoals gezien vanaf het substraat vanwege de gereflecteerde straling. De oriëntatie van de verwarmingslampen wordt gedraald ten op-10 zichte van de oriëntatie van de verwarmingslampen in de andere kamer om de structuur ontstaande uit het gebruik van discrete verwarmingsbronnen verder te beperken. Het voetstuk dat het substraat draagt kan gedraaid worden om in verdere beperking te voorzien in enige overblijvende thermische structuur.The heating chambers are configured accordingly to promote the axial symmetry of the deposition and to maintain a uniform temperature across the substrate. The plurality of lamps 50 are disposed within the heating chambers. A highly reflective material is applied to the walls of the chambers 53 as well as to the reflective area 52 and the parabolic reflectors 51 to increase the thermal efficiency and to increase the range of actual heat sources 35 seen through the resulting substrate. For example, in Figure 2, the edge of the substrate is not exposed to the same radiation as the rest of the substrate due to the lack of heating sources in the direction of region 90. To compensate for this cooler environment, the outer heating lamps can be operated with additional power 40, thus radiant heating in the area is increasing 8692356 7. Varying the position of the heating elements, by tilting the outer heating lamp assemblies or extending the heating chamber considerably beyond the substrate, can also be used to compensate for the increased heat losses from the exterior area of the substrate. The side of the heating chamber can be provided with significant reflective material, providing the effect of additional heating sources as seen from the substrate due to the reflected radiation. The orientation of the heating lamps is radiated from the orientation of the heating lamps in the other room to further limit the structure resulting from the use of discrete heating sources. The pedestal carrying the substrate can be rotated to provide further limitation to any residual thermal structure.
15 Figuur 4 toont een uitvoering van de onderhavige uitvinding waarin een stroom gas 13 gebruikt kan worden om autodoteren te beperken. De stroom gassen 11 en 13 doet doterende materialen, verdampt vanaf de onderzijde van het substraat weggedragen worden vanaf het oppervlak van het substraat dat de neergeslagen materialen ontvangt. Het voetstuk be-20 staat typisch uit een materiaal dat doorschijnend is voor een groot deel van het spectrum van de verwarmende straling.Figure 4 shows an embodiment of the present invention in which a stream of gas 13 can be used to limit autodoping. The flow of gases 11 and 13 carries dopant materials evaporated from the bottom of the substrate from the surface of the substrate receiving the deposited materials. The pedestal typically consists of a material that is translucent to much of the spectrum of the heating radiation.
Het dunner maken of wegnemen van het steunorgaan dat het substraat draagt kan de massa die verwarmd moet worden om thermisch evenwicht te bereiken verkleinen.Thinning or removing the support member carrying the substrate can reduce the mass that must be heated to achieve thermal equilibrium.
25 Door het beperken van de thermische massa kunnen meer substraten tegelijkertijd behandeld worden en kan een grotere produktiviteit verwezenlijkt worden.By limiting the thermal mass, more substrates can be treated simultaneously and a greater productivity can be achieved.
Het substraat kan op passende wijze naar boven of naar beneden bewogen worden ten opzichte van de plaat, waardoor het draaggas inge-30 bracht wordt. Deze flexibiliteit met betrekking tot het plaatsen voorziet in een verdere sturing van de neerslagomstandigheden.The substrate can be appropriately moved up or down relative to the plate, thereby introducing the carrier gas. This positioning flexibility provides for further control of the precipitation conditions.
Een verder bron van niet gelijkmatig zijn is het stralingsveld ondervonden door de combinatie steunorgaan-substraat vanwege de absorp-tie-eigenschappen en de temperatuur van de inrichting 70, het voetstuk 35 en andere constructieve organen die geplaatst moeten worden tussen de stralingsbronnen en de combinatie substraat-vasthoudorgaan. Rekening gehouden moet worden met verstoringen die ontstaan in het stralingsveld ontstaande uit de aanwezigheid van die elementen zoals thermische invloed van de constructieve organen ontstaande uit absorptie en emissie 40 van straling.A further source of non-uniformity is the radiation field experienced by the combination substrate-substrate combination due to the absorption properties and temperature of the device 70, pedestal 35, and other structural members to be placed between the radiation sources and the combination substrate retaining member. Account must be taken of disturbances arising in the radiation field arising from the presence of those elements, such as the thermal influence of the structural members arising from absorption and emission of radiation.
8002358 88002358 8
De bovenstaande beschrijving is gegeven om de werking van de voorkeursuitvoering weer te geven en is niet als beperkend voor de omvang van de uitvinding bedoeld. Uit de bovenstaande beschrijving zullen vele variaties duidelijk zijn voor degene bekwaam in de stand der techniek 5 welke toch zullen liggen binnen de gedachte en het bereik van de onderhavige uitvinding.The above description is given to illustrate the operation of the preferred embodiment and is not intended to limit the scope of the invention. From the above description, many variations will be apparent to those skilled in the art which will still lie within the scope and scope of the present invention.
80023568002356
Claims (19)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US78473785A | 1985-10-07 | 1985-10-07 | |
US78473785 | 1985-10-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8602356A true NL8602356A (en) | 1987-05-04 |
Family
ID=25133376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8602356A NL8602356A (en) | 1985-10-07 | 1986-09-17 | APPARATUS AND METHOD FOR AN AXIAL SYMMETRICAL REACTOR FOR THE CHEMICAL VAPORIZATION. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6289871A (en) |
DE (1) | DE3634129A1 (en) |
GB (1) | GB2181458A (en) |
NL (1) | NL8602356A (en) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8620273D0 (en) * | 1986-08-20 | 1986-10-01 | Gen Electric Co Plc | Deposition of thin films |
US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
US5198034A (en) * | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
US4993355A (en) * | 1987-03-31 | 1991-02-19 | Epsilon Technology, Inc. | Susceptor with temperature sensing device |
US4821674A (en) * | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
DE3741708A1 (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Asea Brown Boveri | Device for depositing material from the gas phase |
US5156820A (en) * | 1989-05-15 | 1992-10-20 | Rapro Technology, Inc. | Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow |
US4990374A (en) * | 1989-11-28 | 1991-02-05 | Cvd Incorporated | Selective area chemical vapor deposition |
CH687258A5 (en) * | 1993-04-22 | 1996-10-31 | Balzers Hochvakuum | Gas inlet arrangement. |
US5975912A (en) | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
AU2764095A (en) * | 1994-06-03 | 1996-01-04 | Commissariat A L'energie Atomique | Method and apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
US5628829A (en) | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
US6086680A (en) * | 1995-08-22 | 2000-07-11 | Asm America, Inc. | Low-mass susceptor |
US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US6053982A (en) * | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US7025831B1 (en) | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
US6183565B1 (en) | 1997-07-08 | 2001-02-06 | Asm International N.V | Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing |
US5884412A (en) * | 1996-07-24 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
US5960555A (en) * | 1996-07-24 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
US6161500A (en) * | 1997-09-30 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions |
US6465374B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-10-15 | Fsi International, Inc. | Method of surface preparation |
US6165273A (en) | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Fsi International Inc. | Equipment for UV wafer heating and photochemistry |
JP2001522142A (en) | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | Improved low mass wafer support system |
US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
WO2000030157A1 (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-25 | Fsi International, Inc. | Equipment for uv wafer heating and photochemical processing |
US6173673B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-01-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for insulating a high power RF electrode through which plasma discharge gases are injected into a processing chamber |
US6149365A (en) * | 1999-09-21 | 2000-11-21 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Support frame for substrates |
FR2815395B1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-06-18 | Joint Industrial Processors For Electronics | DEVICE FOR QUICK AND UNIFORM HEATING OF A SUBSTRATE BY INFRARED RADIATION |
US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
US6776849B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
US6861321B2 (en) | 2002-04-05 | 2005-03-01 | Asm America, Inc. | Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock |
JP4257576B2 (en) | 2003-03-25 | 2009-04-22 | ローム株式会社 | Deposition equipment |
CN100401474C (en) * | 2004-09-22 | 2008-07-09 | 旺宏电子股份有限公司 | High density electro thick fluid chemical gaseous phase sedimentation process and method of improving film thickness unifomity |
US8092606B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
US8801857B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
GB2478269A (en) * | 2009-12-18 | 2011-09-07 | Surrey Nanosystems Ltd | Nanomaterials growth system and method |
USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
CN111446185A (en) | 2019-01-17 | 2020-07-24 | Asm Ip 控股有限公司 | Ventilation base |
USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
TWI845682B (en) | 2019-05-22 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | Workpiece susceptor body |
US11764101B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
CN114959645B (en) * | 2021-08-03 | 2023-09-22 | 江苏汉印机电科技股份有限公司 | High-speed large-area CVD equipment based on SiC power device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB770955A (en) * | 1954-04-09 | 1957-03-27 | Ohio Commw Eng Co | Improvements in the surface coating and impregnation of metal surfaces |
GB1056430A (en) * | 1962-11-13 | 1967-01-25 | Texas Instruments Inc | Epitaxial process and apparatus for semiconductors |
DE1289833B (en) * | 1964-12-29 | 1969-02-27 | Siemens Ag | Method for epitaxially depositing a semiconductor layer |
GB1291357A (en) * | 1970-11-03 | 1972-10-04 | Applied Materials Tech | Improvements in or relating to radiation heated reactors |
US3894164A (en) * | 1973-03-15 | 1975-07-08 | Rca Corp | Chemical vapor deposition of luminescent films |
US3874900A (en) * | 1973-08-13 | 1975-04-01 | Materials Technology Corp | Article coated with titanium carbide and titanium nitride |
JPS59207631A (en) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Semiconductor Res Found | Dry process employing photochemistry |
-
1986
- 1986-09-17 NL NL8602356A patent/NL8602356A/en not_active Application Discontinuation
- 1986-10-06 JP JP23780986A patent/JPS6289871A/en active Pending
- 1986-10-06 GB GB08623976A patent/GB2181458A/en not_active Withdrawn
- 1986-10-07 DE DE19863634129 patent/DE3634129A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3634129A1 (en) | 1987-05-07 |
GB8623976D0 (en) | 1986-11-12 |
GB2181458A (en) | 1987-04-23 |
JPS6289871A (en) | 1987-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8602356A (en) | APPARATUS AND METHOD FOR AN AXIAL SYMMETRICAL REACTOR FOR THE CHEMICAL VAPORIZATION. | |
US5418885A (en) | Three-zone rapid thermal processing system utilizing wafer edge heating means | |
US3862397A (en) | Cool wall radiantly heated reactor | |
US4789771A (en) | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus | |
US3623712A (en) | Epitaxial radiation heated reactor and process | |
US5345534A (en) | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means | |
JP6368773B2 (en) | Flow control liner with spatially dispersed gas flow paths | |
US5108792A (en) | Double-dome reactor for semiconductor processing | |
KR100217486B1 (en) | Apparatus and method for heating substrate of semiconductor process | |
US4654509A (en) | Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus | |
US6476362B1 (en) | Lamp array for thermal processing chamber | |
US3796182A (en) | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor | |
JP3132827B2 (en) | High capacity epitaxial reactor | |
US6222990B1 (en) | Heating element for heating the edges of wafers in thermal processing chambers | |
US5735960A (en) | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor | |
US4823735A (en) | Reflector apparatus for chemical vapor deposition reactors | |
US6300600B1 (en) | Hot wall rapid thermal processor | |
EP0431951A2 (en) | An atmospheric plasma reaction method and a device therefor | |
CN111263977A (en) | Multi-zone spot heating in EPI | |
JP2001522138A5 (en) | ||
KR102659565B1 (en) | Wafer spot heating using beam width modulation | |
KR102711233B1 (en) | Multi-zone lamp control and individual lamp control at the lamphead | |
US5094013A (en) | Ultra-fast quenching device | |
KR950003895B1 (en) | Apparatus and method for epitaxial deposition | |
US5253324A (en) | Conical rapid thermal processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BV | The patent application has lapsed |