NL8500464A - Capacitieve detector voor absolute druk. - Google Patents

Capacitieve detector voor absolute druk. Download PDF

Info

Publication number
NL8500464A
NL8500464A NL8500464A NL8500464A NL8500464A NL 8500464 A NL8500464 A NL 8500464A NL 8500464 A NL8500464 A NL 8500464A NL 8500464 A NL8500464 A NL 8500464A NL 8500464 A NL8500464 A NL 8500464A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
plate
detector according
detector
pressure
silicon
Prior art date
Application number
NL8500464A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Publication of NL8500464A publication Critical patent/NL8500464A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm

Description

t -------~ — w / ^
Capacitieve detector voor absolute druk.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een capacitieve detector voor absolute druk volgens de kop van conclusie 1.
Bij een capacitieve drukdetector veroorzaakt het druk-5 verschil een doorbuiging van een elastisch membraan en verandert de afstand van een condensatorplaat, die aan het membraan is bevestigd, tot een stationaire condensatorplaat, die aan het frame van de inrichting is bevestigd of tot een beweegbare plaat, die aan een tweede membraan is bevestigd. De 10 beweging kan op de platen worden overgebracht, zodanig dat een toename van de druk de platen verder van elkaar verwijdert of zodanig dat een toename de platen dichter bij elkaar brengt.
Indien de afstand, waarover de plaat beweegt, even-15 redig is met de druk, is de gevoeligheid voor de druk van de capaciteit van de detector groter bij een druk, waarbij de platen dichter bij elkaar liggen dan bij een druk, waarbij de platen verder van elkaar af liggen. Van deze omstandigheid is bij drukdetectors, die over een groot drukbereik 20 werken, gebruik gemaakt door de detector zodanig uit te voeren, dat de platen het dichtst bij elkaar liggen bij een lage druk en verder van elkaar af komen te liggen bij toenemende druk.
De fig. 1 en 2 tonen bekende uitvoeringen van een 25 dergelijke drukdetector-constructie. Volgens fig. 1 zijn de condensatorplaten aan de buitenzijde van de aneroïde-cap-sule en in fig. 2 binnen de capsule geplaatst.
Met betrekking tot de stand van de techniek wordt gewezen op de volgende publicaties:
30 (1) K.-E. Bean, "Anisotropic Etching of Silicon", IEEE
Transactions on Electron Devices, Vol. ED-25 (1978)
No. 10, biz. 1185-93.
(2) Amerikaans octrooischrift 4.386.453 (3) Amerikaans octrooischrift 4.257.274 35 (4) Amerikaans octrooischrift 4.332.0(Γθ (5) Amerikaans octrooischrift 4.390.925 (6) Amerikaans octrooischrift 3.397.278.
BAD ORIGINALZoals bekend, kunnen geminiaturiseerde capacitieve 8500464 - 2 - drukdetectors ook worden vervaardigd uit silicium en glas door gebruik te maken van micro-fotolithografie en etsmethoden (zie publicatie (1) ). In publicatie (2) wordt een detector voor absolute druk beschreven., waarbij de condensatorplaten 5 binnen de aneroïde-capsulen zijn geplaatst en elkaar naderen, wanneer de druk toeneemt.
De uitvinding beoogt een detector voor absolute druk te verschaffen, die, vervaardigd door middel van de fabricagetechnieken beschreven in de publicaties (1) tót (6), werkt 0 op de wijze van de constructies volgens de fig. 1 en 2.
Volgens de uitvinding kan een dergelijke voordelige constructie worden verkregen door middel van een detector, welke als volgt is vervaardigd: - de detector is voorzien van twee glasplaten en van 15 een hiertussen geplaatste siliciumplaat, - de silicium en glasplaten zijn zodanig bewerkt, dat op de ene zijde van de siliciumplaat een aneroïde-capsule is gevormd en op de andere zijde een van lucht geïsoleerde condensator, 20 : - één van de glasplaten een stationaire condensator- plaat draagt, - de andere glasplaat de aneroïde-capsule afsluit, en - de siliciumplaat is voorzien van een dunner gebied, 25 dat doorbuigt onder invloed van de druk en waarmede de beweegbare condensatorplaat is verbonden.
Meer in het bijzonder wordt opgemerkt, dat een detector volgens de uitvinding voldoet aan het kenmerk van conclusie 1 .· 30 De capacitieve detector volgens de uitvinding heeft belangrijke voordelen. Ten opzichte van de constructie volgens publicatie (2) heeft de detector volgens de uitvinding een grotere gevoeligheid bij lage drukken, is het volume van de aneroïde-capsule groter (de afstand tussen de conden-35 satorplaten bedraagt normaal ongeveer 1/100 van de diepte van de kom), en er behoeven geen geleiders uit de vacuum-capsule te worden gevoerd.
Ten opzichte van de conventionele constructies volgens BAD^SRfcttWAU en 2 heeft de detector volgens de uitvinding een ge-40 ringe afmeting, stabielere materialen, een snelle responsie, - . - 3 - kleine inwendige temperatuurverschillen en is geschikt voor massaproduktie.
De uitvinding zal hierna nader worden toegelicht aan de hand van de tekening, waarin enkele uitvoeringsvoorbeel-5 den in de fig. 3-5 zijn weergegeven.
Fig. 3a is een doorsnede van een detector volgens de uitvinding.
Fig. 3b is een doorsnede van de detector uit fig. 3a volgens het vlak A-A.
10 Fig» 4 . is een doorsnede van een tweede detector vol gens de uitvinding.
Fig. 5 is een doorsnede van een derde detector volgens de uitvinding.
Wanneer een detector voor absolute druk met een groot 15 drukbereik moet worden vervaardigd, moet de beweging van de platen tegengesteld zijn aan die, welke beschreven is in de publicatie (2). De fig. 3a en 3b tonen een dergelijke constructie voor een drukdetector. De detector is voorzien van een glasplaat 1, een siliciumplaat 2 en een glasplaat 3.
20 De onderdelen zijn met elkaar verbonden, bijvoorbeeld door middel van de werkwijze beschreven in publicatie (6). Aan de ene zijde is een kom 4 door etsen aangebracht in de siliciumplaat 2, welke kom in vacuum is afgedekt door een glas-· plaat 1 en hermetisch is afgesloten. De door middel van de 25 glasplaat 1 afgesloten kom 4 vormt de aneroïde-capsule van de drukdetector.
De andere zijde van de siliciumplaat 2 is eveneens bewerkt, zodat een membraandeel 5 met een dikker middengedeelte 6 is gevormd. Het membraandeel 5 is gevoelig voor druk, 30 terwijl het middengedeelte 6 als de beweegbare condensator-plaat fungeert.
Op de glasplaat 3 is een stationaire condensatorplaat .
7 aangebracht, die is gevormd door een dunne metaalfilm op de glasplaat neer te slaan en deze film een patroon te ver-35 lenen. Het gebied 7 is galvanisch verbonden met de aansluit-klem 10 door een geleider 12. De andere aansluitklem 11 staat in verbinding met de siliciumplaat 2. De geleider 12 loopt door een kanaal 9, dat in de siliciumplaat 2 is gevormd, via wei-k kanaal de te meten druk - kan inwerken op het membraan BAD ORKSINAUrebieden 10, 11 en 12 zijn op dezelfde wijze vervaar- a k η n /. c κ - 4 - digd als het gebied 7.
De capaciteit, die gevoelig is voor druk, wordt gevormd tussen het middengedeelte 6 en de plaat 7 over de lucht-spleet 8. De capaciteit kan elektrisch worden gemeten tussen 5 de klemmen 10 en 11 of tussen de hiermede verbonden geleiders.
Geschikte afmetingen van de detector zijn 4 mm x 6 mm x 2,5 mm. De dikte van het membraan 5 bedraagt 10 - 100 /im.
De breedte van de luchtspleet bedraagt 1 - 10 /um. Het opper-10 vlak van de condensatorplaten 6 en 7 bedraagt 1 - 10 mm2.
Bij de alternatieve uitvoeringen volgens de fig. 4 en 5 komen de verwijzingscijfers overeen met de in de fig. 3a en 3b gebruikte verwijzingscijfers.
Bij de constructie volgens fig. 4 is het stijve midden-15 gedeelte 6 weggelaten, waardoor het uniforme membraandeel 5 als condensatorplaat werkt.
Pig. 5 toont een wijziging, van de constructie volgens de fig. 3a en 3b, waarbij de kom 4 van de aneroïde-capsule en de luchtspleet 8 zijn gevormd in de glasplaten 1 en 3 in 20 plaats van in de siliciumplaat 2.
De uitvinding is niet beperkt tot de in het voorgaande beschreven uitvoeringsvoorbeelden, die binnen het kader der *' uitvinding op verschillende manieren kunnen wordén gevarieerd. Het is bijvoorbeeld mogelijk de kom 4 in de glasplaat 1 25 te vormen en de luchtspleet 8 in de siliciumplaat 2 of de kom 4 in de siliciumplaat 2 en de luchtspleet in de glasplaat 3.
BAD ORIGINAL

Claims (5)

  1. 2. Detector volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste (3) en de tweede plaatstructuur (1) bestaan uit glasplaten. .20 3. Detector volgens conclusie 1 q'f 2, met het kenmerk, dat in het membraanvormige middengedeelte (5, 6) een stijf centraal gebied (6) ligt (fig. 3a en 5). . 4. Détéctor volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het membraanvormige middengedeelte 25 (5, 6) een althans nagenoeg uniforme dikte bezit (fig. 4).
  2. 5. Detector volgens één der voorgaande conclusies; met het kenmerk, dat de komruimte (4) van de aneroïde-capsule althans gedeeltelijk is gevormd in het oppervlak van de siliciumplaat (2), welke naar de tweede 30 plaatstructuur (1) is gekeerd (fig. 3a en 4).
  3. 6. Detector volgens één der conclusies 1-4, met het 'kenmerk, dat de komruimte (4) van de aneroïde-capsule althans gedeeltelijk is gevormd in het oppervlak van de tweede plaatstructuur (1), dat naar de 35 siliciumplaat (2) is gekeerd (fig. 5).
  4. 7. Detector volgens één der voorgaande conclu-BAD ©RIGINAk et het kenmerk, dat de luchtspleet (8) ή*; η n l fi k - 6 - tussen de elektroden (12 en 6) althans gedeeltelijk is gevormd in het oppervlak van de siliciumplaat (2), dat naai de eerste plaatstructuur (3) is gekeerd (fig. 3a en 4).
  5. 8. Detector volgens één der conclusies 1-6, 5 met het kenmerk, dat de luchtspleet (8) tussen de elektroden (12 en 6) althans gedeeltelijk is gevormd in het oppervlak van de eerste plaatstructuur (3), dat naar de siliciumplaat (2) is gekeerd (fig. 5}. / ' BAD ORIGINAL
NL8500464A 1984-02-21 1985-02-19 Capacitieve detector voor absolute druk. NL8500464A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI840699 1984-02-21
FI840699A FI74350C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Kapacitiv absoluttryckgivare.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8500464A true NL8500464A (nl) 1985-09-16

Family

ID=8518583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8500464A NL8500464A (nl) 1984-02-21 1985-02-19 Capacitieve detector voor absolute druk.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4628403A (nl)
JP (1) JPS60195829A (nl)
BR (1) BR8500732A (nl)
DE (1) DE3505926C2 (nl)
FI (1) FI74350C (nl)
FR (1) FR2559898B1 (nl)
GB (1) GB2155640B (nl)
IT (1) IT1186829B (nl)
NL (1) NL8500464A (nl)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4530029A (en) * 1984-03-12 1985-07-16 United Technologies Corporation Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
JPS63149531A (ja) * 1986-12-12 1988-06-22 Fuji Electric Co Ltd 静電容量式圧力センサ
FI872049A (fi) * 1987-05-08 1988-11-09 Vaisala Oy Kondensatorkonstruktion foer anvaendning vid tryckgivare.
FI84401C (fi) * 1987-05-08 1991-11-25 Vaisala Oy Kapacitiv tryckgivarkonstruktion.
GB8718637D0 (en) * 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4954925A (en) * 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
US4996627A (en) * 1989-01-30 1991-02-26 Dresser Industries, Inc. High sensitivity miniature pressure transducer
US5165281A (en) * 1989-09-22 1992-11-24 Bell Robert L High pressure capacitive transducer
DE4004179A1 (de) * 1990-02-12 1991-08-14 Fraunhofer Ges Forschung Integrierbarer, kapazitiver drucksensor und verfahren zum herstellen desselben
DE4028402A1 (de) * 1990-09-07 1992-03-12 Bosch Gmbh Robert Drucksensor
JPH04268725A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Canon Inc 力学量検出センサおよびその製造方法
US5155061A (en) * 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US5178015A (en) * 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
DE4133061A1 (de) * 1991-10-04 1993-04-15 Bosch Gmbh Robert Drucksensor
DE4207951C2 (de) * 1992-03-10 1995-08-31 Mannesmann Ag Kapazitiver Druck- oder Differenzdrucksensor in Glas-Silizium-Technik
FI93059C (fi) * 1993-07-07 1995-02-10 Vaisala Oy Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi
DE4327104C2 (de) * 1993-08-12 1995-11-16 Fraunhofer Ges Forschung Drucksensor-Chipstruktur mit einer Klemmeinrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben sowie mit einem Fluidverbinderteil
DE4436299C1 (de) * 1993-08-12 1996-01-04 Fraunhofer Ges Forschung Drucksensor-Chipstruktur mit einer Klemmeinrichtung zum Kontaktieren und Halten derselben sowie mit einem Fluidverbinderteil
FI93579C (fi) * 1993-08-20 1995-04-25 Vaisala Oy Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi
NO179651C (no) * 1994-03-07 1996-11-20 Sinvent As Trykkmåler
SE506558C2 (sv) * 1994-04-14 1998-01-12 Cecap Ab Givarelement för tryckgivare
US5479827A (en) * 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US6484585B1 (en) 1995-02-28 2002-11-26 Rosemount Inc. Pressure sensor for a pressure transmitter
US20040099061A1 (en) 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US6505516B1 (en) 2000-01-06 2003-01-14 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensing with moving dielectric
US6561038B2 (en) 2000-01-06 2003-05-13 Rosemount Inc. Sensor with fluid isolation barrier
US6520020B1 (en) 2000-01-06 2003-02-18 Rosemount Inc. Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor
US6508129B1 (en) 2000-01-06 2003-01-21 Rosemount Inc. Pressure sensor capsule with improved isolation
US6662663B2 (en) 2002-04-10 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pressure sensor with two membranes forming a capacitor
US6848316B2 (en) 2002-05-08 2005-02-01 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
US6993973B2 (en) 2003-05-16 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Contaminant deposition control baffle for a capacitive pressure transducer
US7028551B2 (en) * 2004-06-18 2006-04-18 Kavlico Corporation Linearity semi-conductive pressure sensor
US7201057B2 (en) 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7137301B2 (en) 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7141447B2 (en) 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7204150B2 (en) 2005-01-14 2007-04-17 Mks Instruments, Inc. Turbo sump for use with capacitive pressure sensor
RU2702808C1 (ru) * 2018-08-30 2019-10-11 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Датчик аэрометрических давлений

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2021479A1 (de) * 1970-05-02 1971-11-11 Kleinwaechter Hans Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten
US3880009A (en) * 1973-05-24 1975-04-29 Bunker Ramo Pressure transducer
US4084438A (en) * 1976-03-29 1978-04-18 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensing device
US4203128A (en) * 1976-11-08 1980-05-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrostatically deformable thin silicon membranes
US4158217A (en) * 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
JPS5516228A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
JPS56142432A (en) * 1980-04-09 1981-11-06 Hitachi Ltd Electrostatic capacitance type pressure sensor
US4390925A (en) * 1981-08-26 1983-06-28 Leeds & Northrup Company Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer
US4415948A (en) * 1981-10-13 1983-11-15 United Technologies Corporation Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer
US4424713A (en) * 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer

Also Published As

Publication number Publication date
FI74350B (fi) 1987-09-30
FR2559898B1 (fr) 1987-02-13
DE3505926C2 (de) 1996-03-07
US4628403A (en) 1986-12-09
IT1186829B (it) 1987-12-16
FI840699A0 (fi) 1984-02-21
GB2155640A (en) 1985-09-25
GB8504077D0 (en) 1985-03-20
GB2155640B (en) 1988-02-17
FI840699A (fi) 1985-08-22
BR8500732A (pt) 1985-10-08
FR2559898A1 (fr) 1985-08-23
FI74350C (fi) 1988-01-11
JPS60195829A (ja) 1985-10-04
IT8512434A0 (it) 1985-02-20
DE3505926A1 (de) 1985-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8500464A (nl) Capacitieve detector voor absolute druk.
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
JP2517467B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
KR0137939B1 (ko) 용량성 압력감지기 및 그의 기생용량 최소화 방법
US7150195B2 (en) Sealed capacitive sensor for physical measurements
JP2610464B2 (ja) コンデンサ形圧力センサおよび圧力センサ群
US5178015A (en) Silicon-on-silicon differential input sensors
EP1316786B1 (en) Capacity type pressure sensor and method of manufacturing the pressure sensor
EP0710357B1 (en) Dielectrically isolated resonant microsensor
KR100404904B1 (ko) 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법
US6294400B1 (en) Method for making micro-mechanical semiconductor accelerometer
JP4187923B2 (ja) 圧力センサー
KR100486322B1 (ko) 반도체압력센서
EP0291885A2 (en) Absolute capacitance manometers
JP2639159B2 (ja) 静電容量式差圧検出器
FR2700012A1 (fr) Accéléromètre intégré à axe sensible parallèle au substrat.
US4589054A (en) Capacitive pressure detector independent of temperature
US5448444A (en) Capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer
KR20010032103A (ko) 마이크로-기계적 차압 감응 장치
JPH0727646A (ja) 容量式差圧センサ
NL8501639A (nl) Capacitieve drukdetector en werkwijze voor het vervaardigen hiervan.
WO2007126269A1 (en) Touch mode capacitive pressure sensor
JPH05187947A (ja) 静電容量式圧力センサ
JPH06323939A (ja) 静電容量式センサ
CN110662949A (zh) 物理量传感器

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed