NL8500434A - Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie. - Google Patents

Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie. Download PDF

Info

Publication number
NL8500434A
NL8500434A NL8500434A NL8500434A NL8500434A NL 8500434 A NL8500434 A NL 8500434A NL 8500434 A NL8500434 A NL 8500434A NL 8500434 A NL8500434 A NL 8500434A NL 8500434 A NL8500434 A NL 8500434A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
row
block
selection signal
memory
Prior art date
Application number
NL8500434A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8500434A priority Critical patent/NL8500434A/nl
Priority to US06/825,842 priority patent/US4723229A/en
Priority to JP61028768A priority patent/JPS61188795A/ja
Priority to EP86200206A priority patent/EP0196119A1/en
Publication of NL8500434A publication Critical patent/NL8500434A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/418Address circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

’ · » PHN 11.290 '1 .
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Geïntegreerde geheugenschakeling net blokselektie.
• De uitvinding heeft betrekking op een geïntegreerde geheugenschakeling, die is opgedeeld in een aantal geheugenblokken net elk in rijen en kolommen gerangschikte geheugencellen, waarbij de in een kolom gerangschikte geheugencellen op een kolomselektielijn zijn 5 aangesloten, de in een rij gerangschikte geheugencellen op een rijselek-tielijn zijn aangesloten en in een geheugenblok een rij geheugencellen activeerbaar is via een logische rijselektiepoort, waaraan een rij-selektiesignaal en een blokselektiesignaal RS en BS wordt tcegevoerd.
Een dergelijke geheugenschakeling is bekend uit ISSCC, Digest 10 of technical papers, Februari 1983 bladzijden 58-9. In deze schakeling wordt het blokselektiesignaal BS en het rijselektiesignaal RS aan een EN-poort toegevoerd voor het kiezen van een rij geheugencellen in een geheugenblok. In de praktijk bestaat een EN-poort uit een inverterende EN-poort, waarvan de uitgang op een inverterende versterker 15 is aangesloten zodat de schakeling groot (6 trans istoren) en traag is (tengevolge 2 poortvertragingen). Een verdere mogelijkheid is het selekteren van een rij in een geheugenblok met behulp van1 een inverterende OF-poort die dan de geïnverteerde blokselektie- en rijselektiesignalen BS en RS dient te ontvangen. Deze oplossing leidt in het geval dat 20 ODS-tr ans is toren worden toegepast-echter eveneens tot een grote trage blokselektieschakeling, cmdat de PMDS—transistoren zeer breed moeten worden gemaakt cm eenzelfde (als bij de EN-poort) strocmvoorzienings-capaciteit te realiseren, waardoor de ingangscapaciteiten groot zijn.
De OF-poort schakelt wel snel, maar.het vraagt meer tijd om deze ingangs-25 capaciteiten op te laden. In bijvoorbeeld een 256 k-geheugen dient het blokselektiesignaal BS 256 (of 512, 1024 naargelang de geheugenorganisa-tie) blokse lekt ie schakelingen parallel aan te sturen.
Een geïntegreerde geheugenschakeling volgens de uitvinding heeft tot kenmerk, dat de logische rij selektiepoort twee in serie 30 geschakelde transistoren bevat, waarvan van een eerste transistor een eerste hoofdelektrode het blokselektiesignaal BS ontvangt en een tweede hoofdelektrode zowel met een rijselektielijn als'net een BAD Van transistor is verbonden, waarvan de
P ς Π Ω L 7 A
PHN 11.290 2 tweede hcofdelektrode roet massa is verbonden en de stuurelektrode het geïnverteerde blokselektiesignaal BS ontvangt.
Een voorkeursuitvoeringsvorm"van een geïntegreerde statische geheugenschakeling met CMOS transistoren volgens de uitvinding heeft 5 tot kenmerk, dat in een derde transistor is voorzien, waarvan de hoofdelektroden met die van de tweede transistor zijn verbonden, waarbij de eerste transistor van het P-MOS type en de tweede en derde, transistor van het N-MDS type zijn, waarbij aan de stuurelektrode van de eerste en de tweede transistor het geïnverteerde blokselektiesignaal BS 10 wordt tqegevoerd en aan de stuurelektrode van de derde transistor het geïnverteerd rijselektiesignaal RS wordt toegevoerd. .Een dergelijke geheugenschakeling heeft het voordeel, dat indien in hetzelfde geheugen-blok een andere rij wordt gekozen, het niet meer nodig is om de voorgaand aekozen rijselektielijn via dé met het geïnverteerde blokselektiesignaal 15 BS gestuurde tweede transistor te ontladen, hetgeen betekent dat het geheugen sneller informatie kan opnemen' en kan afgeven. Het gebruik van CMOS transistoren (PMQS en NMOS transistoren) heeft het op zich tekende voordeel, dat de geheugenschakeling een zeer lage energiedissipatie heeft.
20 De uitvinding zal hierna werden toegelicht aan de hand van in een tekening weergegeven voorbeelden, in welke tekening : / figuur 1 een geheugenschakeling met blokselektie volgens de uitvinding weergeeft, figuur 2-een detail van een geheugenblok volgens figuur 2 toont, 25 en figuur 3 een poortschakeling voor het geheugenblok uit figuur 2 toont.
In figuur 1 is een geheugenschakeling 10 weergegeven, waarvan het geheugendeel in acht geheugenblokken ]_ tot en met _8 is opgedeeld.
30 Elk geheugenblok bevat in rijen en kolommen gerangschikte geheugencellen, die net een kolomadres CA en een rij adres RA worden· geselecteerd.
Het rij adres wordt aan een rijdecoderschakeling JJ_ toegevoerd en een eerste deel van hét kolomadres CA wordt aan kolamadresschakelingen 12a en 12b toegeveerd. Het verdere deel van het kolomadres CA wordt verder 35 aan een blokselektieschakeling 13 toegevoerd, waarbij een geheugencel in een geheugenblok met het adres CA en RA selekteerbaar is zoals verderop zal worden toegelicht. Zoals in figuur 1 zichtbaar wordt een geselekteerd met behulp van de rij- en kolomdeccderschakelingen - « A « m « PHN 11.290 3 ‘ 11, 12a en 12b maar tevens met de blokselektiéschakeling 13, die daarvoor aan de respectievelijke geheugenblokken 1 tot en net 8 respek-tievelijk de blokselektiesignalert -BS1, BS1 tot en met BS8, BS8 toevoert. De zin van een dergelijke adressering in een geheugenschakéling 5 zal aan de hand van figuur 2 worden toegelicht.
In figuur 2 is een detail van de geheugenschakeling in figuur 1 weergegeven. De geheugenblokken 2 tot en met _8 zijn weergegeven, daarbij zijn in elk geheugenblok de rijen en kolomen geheugen-cellen weergegeven. Inblok 1 is rij 1 van de geheugencellen aangeduid 10 met 1c1. De eerste cel van deze rij is genummerd 1cT1 de tweède cel is genummerd 1c12 enzovoorts. Eenzelfde codering is toegepast voor de cellen en rijen in de verdere geheugenblokken. Een geheugencel in een blok wordt als volgt geselekteerd : via- de kolomlijnen CAI of CA2 of ... CAn wordt in elk blok één kolom 15 aangestuurd. De lijnen CA1 in elk blok kunnen door dezelfde schakeling worden aangestuurd maar kunnen ook door een aparte buffer worden aangestuurd. De keuze van een rij geheugencellen in een blok geschiedt met behulp van de selektiepoort P, die daarvoor een rijselektiesignaal via.de lijn XS1 of XS2 of ... XSm krijgt toegevoerd. De selektiepoort 20 P in het geheugenblok j (1 j 8) en in rij i van het geheugenblok j wordt met Pji aangeduid. Verder wordt aan de poortschakeling het blokselektiesignaal BSj en bet geïnverteerde blokselektiesignaal BSj toegevoerd. Doordat het rijselektiesignaal XSi niet alle geheugencellen van alle rijen iC1, iC2, ... iCn (1^i^ n) behoeft aan te sturen maar 25 slechts een aantal (8) selektiepoorten P wordt een wezenlijk snellere aansturing van een rij in een blok gerealiseerd. Daar nu een groot aantal van deze logische selektiepoorten P in het geheugen voorkomen, namelijk één per rij per geheugenblok niet (al) te groot, in oppervlakte zijn. Volgens de stand van de techniek worden voor deze poorten 30 EN-poorten gebruikt, die bij CMOS—transistoren met zes transistoren worden uitgevoerd. Deze poortschakeling vereist een groot integratie-oppervlak. De NOR-poort in figuur 2 vraagt een veel geringer oppervlak en heeft een veel geringer aantal transistoren, zoals in figuur 3 wordt getoond.. De in figuur 3 weergegeven rij selektiepoort Pji bevat twee in serie 35 geschakelde transistoren 31 en 32, waarbij aan “transistor 32 een verdere transistor 33 parallel is geschakeld. De transistoren 32 en 33 zijn N-kanaal jyDS—transistoren en transistor 31 is een P-kanaal MOS transistor.
BAD ÖfflGlR/atuurelektroden van de transistoren 31 en 32 wordt het rijselektie-ft C Λ Λ / 7 / PHN 11.290 . 4 signaal XSi toegevoerd en aan de stuurelektrode van transistor 33 wordt het blokselektiesignaal BSj toegevoerd. Hst is duidelijk *dat de rijselektielijn Lji, die in een blok j“rij i activeert,een hoog signaal voert indien het signaal BSj hoog is en het signaal XSi laag is.
5 het signaal op de selektielijn Lji is laag indien of het signaal BSj hoog is of het rijselektiesignaal XSi hoog is. Bij de getoonde uitveeringsvorm van de pcortselektieschakeling Pji heeft transistor 31 een kanaalbreedte van 8 micrometer, transistor 32 een kanaalbreedte van 4 mier one ter en transistor 33 heeft een kanaalbreedte van 2 micro-10 meter. Duidelijk is nu dat een dergelijke kleine poortschakeling een lage capacitieve belasting voor de stuurlijnen BSj, BSj en XSi vormen, en derhalve zullen deze poortschakelingen slechts een kleine delay veroorzaken hetgeen van voordeel is.
Opgemerkt dient te wórden, dat transistor 32 op zich overbodig 15 is, indien na elke selektie van een geheugencel en vóór een volgende selektie van een geheugencel in een andere rij in hetzelfde blok het blokselektiesignaal BSj even "laag" wordt gemaakt, vaardoor de rijselektie-. lijn Lji wordt ontladen. Hoewel door deze maatregel de selektiepoort Pji nog enigszins wordt verkleind, wordt door het noodzakelijkerwijs "laag" 20 maken van het blokselektiesignaal BSj (BSj is "hoog") de werking van het geheugen vertraagd, hetgeen ongewenst is.
Verder dient er opgemerkt te worden, dat ofschoon in het voorgaande slechts een opdeling in de richting van de rijen is beschreven (elke rijselektielijn is in feite’vervangen-door een aantal rijselektielijnen 25 in de verscheidene blokken) een zelfde verdeling gemaakt zou kunnen worden in kolem-r ichting. Hierbij zouden dan dezelfde se lekt iepoor ten kunnen worden gebruikt.
Het opdelen van een geheugen in geheugenblokken met blokselektie {in rij- en/of in kolonrrichting) is vooral van voordeel voor geheugens 30 van 128 kbit of groter (256 kb etc.) 35
BAD ORIGINAL

Claims (7)

1. Geïntegreerde geheugenschakeling, die is opgedeeld in een aantal geheugenblokken met elk in rijen en kolommen gerangschikte ge-heugencellen, waarbij de in een^kolom gerangschikte geheugencellen op een kolcmselektielijn zijn aangesloten, de in een rij gerang- s schikte geheugencellen op een rijselektielijn zijn aangesloten en in een geheugenblok een rij geheugencellen activeerbaar is via een logische rijselektiepoort, waaraan een rijselektiesignaal en een blok-selektiesignaal RS en BS wordt toegevoerd, met het kenmerk, dat de logische rijselektiepoort twee in serie geschakelde transistoren bevat, 10 waarvan van een eerste transistor een eerste hoofdelektrode het blok-selekties ignaal BS ontvangt en. een tweede hoofdelektrode zowel met een rijselektielijn als met een eerste hoofdelektrode van de tweede transistor is verbonden, waarvan de tweede hoofdelektrode met massa is verbonden en de stuurelekturode het geïnverteerde blokselektiesignaal BS 15 ontvangt.
2. Geheugenschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de transistoren van het N-MOS type veldeffecttransistoren zijn, waarbij de eerste transistor het rijselektiesignaal RS op diens stuur-elektrode ontvangt.
3. Geheugenschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede transistor een N-MOS type.en dat de eerste transistor een P-MOS veldeffecttransistor is, die op diens stuurelëktrode het geïnverteerde rijselektiesignaal RS ontvangt.
4. Geheugenschakeling volgens conclusie 3, met het kenmerk, 25 dat de logische poortschakeling een verdere N-MOS type veldeffecttransistor bevat, waarvan de hoofdelektroden met die van de tweede transistor zijn verbonden en waarvan de stuurelektrcde het geïnverteerde rijselektiesignaal RS ontvangt.
5. Geheugenschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat 3Q in een derde transistor is voorzien, waarvan de hoofdelektroden met die van de tweede transistor zijn verbonden, waarbij, de eerste transistor van het P-MOS type en de tweede en derde transistor van het N-MOS type zijn, waarbij aan de stuurelektrcde van de eerste en de tweede transistor het geïnverteerde blokselektiesignaal BS wordt toegevoerd en 35 aan de stuurelektrode van de derde transistor-het geïnverteerde rijse-lektiesignaal RS wordt toegevoerd. PHN 11.290 ‘ 6
6. Geheugenschakeling volgens, een der voorgaande conclusies niet het kenmerk, dat zowel in rij- als in kolomrichting de geheugen-schakeling in blokken is verdeeld, waarbij een kolom in een blok activeer baar is via een logische kolomselektiepoort, waaraan een 5 kolanselektiesignaal CS, een blokselektiesignaal BS en een geïnverteerd blokselektiesignaal BS wordt toegevoerd.
7. Geheugenschakeling volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de logische kolcm- en rijselektiepoorten hetzelfde zijn. 10 15 20 i 25 30 35 BOTÖT3 4
NL8500434A 1985-02-15 1985-02-15 Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie. NL8500434A (nl)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8500434A NL8500434A (nl) 1985-02-15 1985-02-15 Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
US06/825,842 US4723229A (en) 1985-02-15 1986-02-04 Integrated memory circuit having an improved logic row selection gate
JP61028768A JPS61188795A (ja) 1985-02-15 1986-02-12 ブロツク選択を有する集積メモリ回路
EP86200206A EP0196119A1 (en) 1985-02-15 1986-02-13 Integrated memory circuit with block selection

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8500434A NL8500434A (nl) 1985-02-15 1985-02-15 Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
NL8500434 1985-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8500434A true NL8500434A (nl) 1986-09-01

Family

ID=19845534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8500434A NL8500434A (nl) 1985-02-15 1985-02-15 Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4723229A (nl)
EP (1) EP0196119A1 (nl)
JP (1) JPS61188795A (nl)
NL (1) NL8500434A (nl)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8602178A (nl) * 1986-08-27 1988-03-16 Philips Nv Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
JPH0715800B2 (ja) * 1987-02-27 1995-02-22 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 記憶回路
JP2569538B2 (ja) * 1987-03-17 1997-01-08 ソニー株式会社 メモリ装置
KR910002034B1 (ko) * 1988-07-21 1991-03-30 삼성전자 주식회사 다분할형 메모리 어레이의 충전등화회로
US5126808A (en) * 1989-10-23 1992-06-30 Advanced Micro Devices, Inc. Flash EEPROM array with paged erase architecture
JP3024687B2 (ja) * 1990-06-05 2000-03-21 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
KR940003400B1 (ko) * 1991-08-27 1994-04-21 삼성전자 주식회사 반도체 기억장치
JP2994120B2 (ja) * 1991-11-21 1999-12-27 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5933387A (en) * 1998-03-30 1999-08-03 Richard Mann Divided word line architecture for embedded memories using multiple metal layers
KR100339413B1 (ko) * 1999-08-16 2002-05-31 박종섭 불휘발성 강유전체 메모리 소자의 구동회로
US6711646B1 (en) * 2000-10-20 2004-03-23 Sun Microsystems, Inc. Dual mode (registered/unbuffered) memory interface
WO2005041203A1 (ja) * 2003-10-27 2005-05-06 Nec Corporation 半導体記憶装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898632A (en) * 1974-07-15 1975-08-05 Sperry Rand Corp Semiconductor block-oriented read/write memory
JPS5766587A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Fujitsu Ltd Static semiconductor storage device
JPS6042554B2 (ja) * 1980-12-24 1985-09-24 富士通株式会社 Cmosメモリデコ−ダ回路
JPS57212690A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Hitachi Ltd Dynamic mos memory device
JPS58211393A (ja) * 1982-06-02 1983-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
US4554646A (en) * 1983-10-17 1985-11-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61188795A (ja) 1986-08-22
EP0196119A1 (en) 1986-10-01
US4723229A (en) 1988-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4758987A (en) Dynamic semiconductor memory with static data storing cell unit
EP0072845B1 (en) Memory system having memory cells capable of storing more than two states
EP0317666B1 (en) Fast operating static ram memory with high storage capacity
US5719815A (en) Semiconductor memory having a refresh operation cycle and operating at a high speed and reduced power consumption in a normal operation cycle
US6735144B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
NL8500434A (nl) Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
NL8602178A (nl) Geintegreerde geheugenschakeling met blokselektie.
US4648075A (en) Redundancy circuit for a semiconductor memory device
US6252788B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
EP0037233B1 (en) A semiconductor memory device
KR930004623B1 (ko) 반도체 기억장치
US4393472A (en) Semiconductor memory circuit
JPH0447584A (ja) 半導体メモリ
US5396124A (en) Circuit redundancy having a variable impedance circuit
US5774408A (en) DRAM architecture with combined sense amplifier pitch
EP0023519A1 (en) Organization for dynamic random access memory
US5864508A (en) Dynamic random-access memory with high-speed word-line driver circuit
JPH02246099A (ja) 大規模半導体集積回路装置とその欠陥救済法
US5359566A (en) Dynamic random access memory
KR910002964B1 (ko) 분할된 비트 부하와 데이타 버스 라인을 갖는 반도체 메모리
US4480320A (en) Compact ROM with reduced access time
JP2712128B2 (ja) 半導体記憶装置
US5029142A (en) Static memory device provided with a signal generating circuit for high-speed precharge
EP0712134A2 (en) Semiconductor memory
EP0068859A2 (en) Static-type semiconductor memory device

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed