NL8304352A - Versterker. - Google Patents

Versterker. Download PDF

Info

Publication number
NL8304352A
NL8304352A NL8304352A NL8304352A NL8304352A NL 8304352 A NL8304352 A NL 8304352A NL 8304352 A NL8304352 A NL 8304352A NL 8304352 A NL8304352 A NL 8304352A NL 8304352 A NL8304352 A NL 8304352A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
electrode
modes
supply
transistors
Prior art date
Application number
NL8304352A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL8304352A publication Critical patent/NL8304352A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

* r' Ί V.0.5284
Versterker. I
De uitvinding heeft in het algemeen betrekking op een electro- I
nische versterker waarbij gebruik wordt gemaakt van veld-effecttransis- I
toren, en heeft meer in het bijzonder betrekking op een versterker, I
waarin gebruik wordt gemaakt van MOSFET’s (metaaloxyde-silicium-veld- I
5 effecttransistoren). I
Individuele MOSFET-inrichtingen kunnen op verschillende bekende I
wijzen als versterkers worden verbonden bijvoorbeeld met gemeenschappe- I
lijke toevoerelectroden, met gemeenschappelijke poortelectroden, met I
gemeenschappelijke afvoerelectroden, als toevoerelectrodenvolger, enz., I
10 voor het verschaffen van verschillende bedrijfskarakteristieken, zoals I
deze gewenst zijn om aan een bepaald doel te voldoen. Twee van derge- I
lijke inrichtingen kunnen ook met elkaar worden verbonden voor het ver- I
schaffen van een aantal verschillende mogelijke ingangs- en uitgangs- I
karakteristieken, welke met slechts één inrichting niet kunnen worden ver- I
15 kregen. Een voorbeeld hiervan is de dikwijls toegepaste "cascode"-confi- I
guratie, waarin een inrichting van een eerste trap volgens een gemeenschap- I
pelijke-toevoerelectrode-configuratie is verbonden, en waarvan de uit- I
gang naar de ingang van een tweede inrichting voert, die volgens een ge- I
meenschappelijke-poortelectrode-configuratie is verbonden. Het resul-20 terende stelsel is een versterker met een grote ingangsimpedantie, I
geringe ruis en een grote versterking.
Wanneer een paar MOSPET-inrichtingen met elkaar wordt verbonden voor het verschaffen van een versterking moet aan de poortelectroden van een van de inrichtingen in het algemeen een ”on-chip"-voorspanning wor-25 den aangelegd opdat de afvoer-toevoerelectrode-spanning van de andere I
inrichting voldoende hoog is om deze andere inrichting in een actieve I
bedrijfstoestand te brengen, waarin de inrichting een significante ver- I
sterking vertoont. De noodzaak tot een spanningsgeneratometwerk op het- j zelfde plaatje leidt tot een grotere complexheid van de keten en degradeert 30 de werking van de versterker in verschillende opzichten.
Volgens de uitvinding wordt een veldeffecttransistor van de I
verrijkingsmodes verbonden met een veldeffecttransistor van de verarmings-modes voor het verschaffen van een nieuwe combinatie. De poortelectroden van de twee inrichtingen zijn met elkaar gekoppeld voor het vormen van 35 een ingangsknooppunt. De afvoer-toevoergeleidingsbanen van de inrichtin- 8304352 -2- * % gen worden in serie met elkaar en met een voorspanningstoevoerorgaan verbonden.
Bij de verrijkingsmodes zijn er geen meerderheidsdragers, dat wil zeggen electronen in het n-kanaal tussen de toevoerelectroden en de 5 afvoerelectroden bij een poortelectrodespanning met een waarde 0. Bij de verarmingsmodes daarentegen zijn in het kanaal bij een poortelectrodespanning met een waarde 0 electronen vrij aanwezig. Derhalve voert een positieve poortelectrodespanning electronen naar een inrichting in de verrijkingsmodes met n-kanaal voor het verschaffen van een schakeleffect.
10 Positieve en negatieve spanningen bij een inrichting volgens de verarmingsmodes besturen de electronenstroom zonder de stroom af te snijden.
Het resulterende met de poortelectroden gekoppelde transistor-paar kan met succes worden gebruikt als een toevoerelectrodevolgverster-ker, waarbij het uitgangssignaal wordt geleverd door. de toevoerelectrode 15 van de inrichting in de verrijkingsmodes; als een gemeenschappenjke-toevoerelectrodeversterker, waarbij het uitgangssignaal uit de afvoer-electrode van de inrichting volgens de verarmingsmodes afkomstig is; en tezamen met elkaar als een paar voor een differentiaalingangsversterker-trap; en in combinatie met een verdere transistor volgens de verrijkings-20 modes als een stroomspiegel.
De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening. Daarbij toont: fig. 1 een schema van een toevoerelectrodevolgversterkerketen, welke is voorzien van een transistor in de verrijkingsmodes en een 25 transistor in de verarmingsmodes, welke transistoren overeenkomstig een voorbeeld van de uitvinding met elkaar zijn verbonden; fig. 2 een schema van een gemeenschappelijke-toevoerversterkerke-ten overeenkomstig een tweede voorbeeld van de uitvinding; fig. 3 een schema van een differentiaalingangstrapketen overeen-30 komstig een derde voorbeeld van de uitvinding; en fig. 4 een schema van een stroomspiegelketen overeenkomstig een vierde voorbeeld van de uitvinding.
In de figuren is aangenomen, dat alle transistoren MOS-veldeffect transistoren met n-kanaal zijn. De ingangs- of uitgangsspanning van een 35 keten vanuit een geschikt knooppunt is ten opzichte van een referentie-spanning, zoals aardpotentiaal, beschouwd. Inrichtingen in de verarmings- 8304352 . *> -3- modes zijn aangegeven door een verdikt kanaal tussen de toevoer- en af-voerelectroden.
Voorbeeld van fig. 1.
Fig. 1 toont een toevoerelectrodevolgversterker 100 (analoog aan 5 een kathodevolger bij ketens, waarbij gebruik wordt gemaakt van elec-tronenbuizen) overeenkomstig een uitvoeringsvorm volgens de uitvinding, welke is voorzien van een paar dimensioneel gelijke MOS-transistoren 102, 104, waarvan de poortelectroden als een signaalingangsknooppunt 106 met elkaar zijn verbonden. De eerste, bovenste transistor 102 van het 10 paar 102, 104 is een inrichting in de verarmingsmodes, waarvan de afvoer-electrode 108 met een positieve voedingsspanningsbron V is verbonden.
De toevoerelectrode 110 van de transistor 102 in de verarmingsmodes is verbonden met de afvoerelectrode 112 van de tweede, onderste transistor 104, welke een ^-inrichting 104 in de verrijkingsmodes is, en wel bij een 15 gemeenschappelijk knooppunt 114. De toevoerelectrode 116 van de transistor 104 in de verrijkingsmodes is een uitgangssignaalknooppunt 118 van de versterker 100 en is in serie verbonden met voorspanningstoevoerorga-nen 120. De massagebieden van de beide transistoren 102, 104 zijn met de bijbehorende respectieve toevoerelectroden 110, 116 gekoppeld. Het massa-20 gebied van de transistor 102 in de verarmingsmodes kan evenwel in plaats daarvan met de toevoerelectrode 116 van de transistor 104 in de verrijkingsmodes zijn verbonden.
De versterker 100 heeft de algemene eigenschappen van een toevoer-electrodevolgconfiguratie. Ofschoon de versterking nominaal gelijk is 25 aan de eenheid, is bij meting gebleken, dat deze meer in het bijzonder 0,9999 bedraagt, hetgeen gunstig afsteekt ten opzichte van de typerende versterking van 0,9900, welke kan worden verwacht voor een eenvoudig toevoerelectrodevolgstelsel. Bovendien worden de ruisonderdrukkingseigen-schappen van de voedingsbron sterk verbeterd ten opzichte van die van 30 een enkele transistorsie volgens een toevoerelectrodevolgconf iguratie is verbonden, aangezien de betrekkelijk grote weerstand, welke voor de spanningsbron V bij de afvoerelectrode 108 van de transistor 102 in de verarmingsmodes optreedt, een eventuele koppeling daarvan met het gemeenschappelijke knooppunt 114 sterk verzwakt, vanwaaruit de koppeling een 35 verdere verzwakking naar het uitgangsknooppunt 118 ondergaat.
8304352 _ -_!__^ I ^ » * -4-
Voorbeeld van fig. 2.
Fig. 2 toont overeenkomstig een andere uitvoeringsvorm volgens de uitvinding een gemeenschappelijke toevoerelectrodeversterker 200, welke is voorzien van een bovenste transistor 202 in de verarmingsmodes 5 en een onderste transistor 204 in de verrijkingsmodes, van welke trans-sistor'en de poortelectroden met elkaar zijn gekoppeld voor het vormen van een ingangsknooppunt 206. De afvoerelectrode 208 van de transistor 202 in de verarmingsmodes vormt een uitgangsknooppunt 218 en is in serie verbonden met een stroombron 220. De toevoerelectrode 210 van de transis-10 tor is met de afvoerelectrode 212 van de transistor 204 in de verrijkingsmodes gekoppeld in een gemeenschappelijk knooppunt 214. De toevoerelec-trode 216 van de transistor 204 in de verrijkingsmodes is verbonden met een negatieve voedingsspanningsbron V . De massagebieden van de beide bb transistoren 202, 204 zijn met de bijbehorende respectieve toevoerelec-15 troden 210, 216 gekoppeld. Het massagebied van de transistor in de verarmingsmodes kan weer in plaats daarvan met de toevoerelectrode 216 van de transistor 204 in de verrijkingsmodes worden verbonden.
De versterker 200 heeft de algemene eigenschappen vanéén gemeen-schappelijke-toevoerelectrodeconfiguratie. De versterker heeft een 20 grote versterking tengevolge van de sterk gereduceerde uitgangsconduc-tantie bij het uitgangsknooppunt 218, en een zeer effectieve ruisonderdrukking van de voedingsbron aangezien de afvoer-toevoerelectrodespan-ning van de transistor 204 in de verrijkingsmodes zeer goed wordt bestuurd tengevolge van het feit, dat de poortelectrode daarvan met de 25 transistor 202 in de verarmingsmodes is gekoppeld.
Voorbeeld van fig. 3.
Fig. 3 toont overeenkomstig een derde uitvoeringsvorm volgens de uitvinding een differentiaal ingangsspanningsversterkertrap 300, welke is voorzien van twee met de poortelectroden met elkaar gekoppelde tran-30 sistorparen 302, 304, zoals bij het bovenstaande voorbeeld van fig. 1 is beschreven, welke parallel aan elkaar zijn verbonden en in serie met een stroombron 306 zijn verbonden, welke de toevoerelectroden van de transistoren in de verrijkingsmodes daarvan met een negatieve voedingsspanning V„_ verbindt. De differentiaal ingangsknooppunten 308, 310 zijn gekoppel-35 de poortelectrodeparen. De uitgangsknooppunten 312, 314 bevinden zich bij de afvoerelectroden van de transistoren in de verarmingsmodes; het 8304352
* * * I
uitgangssignaal is een differentiaalstroom. I
De differentiaal ingangstrap 300 verschaft voordelen, overeenko- I
mende met die, welke worden verkregen met de gemeenschappenjke-toevoer- I
electrodeversterker 200 voor elk van de differentiaalingangen. De via 5 de poortelectroden gekoppelde paren versterkers 302, 304 hebben ten op- I
zichte van de algemeen toegepaste stelsels het voordeel, dat de differen- I
tiaalmodesuitgangsimpedantie wordt vergroot. I
Voorbeeld van fig. 4.
Fig. 4 toont overeenkomstig een vierde uitvoeringsvorm volgens de I
10 uitvinding een stroomspiegel 400, welke is voorzien van een poortelec- I
trode-gekoppeld paar transistoren 402, respectievelijk 404 in de ver- I
armingsmodes en verrijkingsmodes, tezamen met een extra transistor 404 I
in de verrijkingsmodes. De poortelectroden van de transistoren 402, 404 I
zijn met elkaar en met de poortelectroden en de afvoerelectroden van de I
15 extra transistor 406 in de verrijkingsmodes gekoppeld. Van de extra I
transistor 406 in de verrijkingsmodes is het massagebied met de toevoer- I
electrode daarvan gekoppeld en de toevoerelectrode van deze transistor I
is met de toevoerelectorde van de eerste transistor 404 in de verrijkings- I
modes verbonden in een gemeenschappelijk knooppunt, dat met een negatie- I
20 ve spanningsbron V is gekoppeld. De afvoerelectrode van de extra tran- I
Do I
sistor 406 in de verrijkingsmodes is in serie met een stroombron 408 in I
een ingangsstroomknooppunt 410 verbonden. De afvoerelectrode van de transistor 402 in de verarmingsmodes is met een uitgangsstroomknooppunt 412 verbonden. I
25 In responsie op een ingangsstroom in het knooppunt 410 verschaft de stroomspiegel 400 een versterkte uitgangsstroom in het : knooppunt 412, welke de ingangsstroom in een vaste verhouding, welke naar wens wordt gekozen, nauw volgt en waarbij een bijzonder doeltreffen-30 de ruiseliminatie van de voedingsbron optreedt. Het poortelectrode-ge-koppelde paar 402, 404 vergroot de uitgangsweerstand van de stroomspiegel 400 op een significante wijze.
De uitgangssignalen van de bovenbeschreven uitvoeringsvormen worden meer in het bijzonder ten opzichte van aardpotentiaal afgenomen.
35 De uitdrukking "aarde" zoals deze hier wordt gebruikt, heeft betrekking op elke geschikte referentiepotentiaal.
3304352 -6-
In het algemeen kan voor elk van de poortelectrode-gekoppelde transistorparen volgens de uitvinding het massagébied van de transistor in de verarmingsmodes of met de toevoerelectrode van die transistor of met de toevoerelectrode van de transistor in de verrijkingsmodes worden 5 verbonden. De keuze voor een bepaalde keten wordt in hoofdzaak bepaald door het beschikbare oppervlak van het ketenplaatje.
...............« 8304352

Claims (4)

1. Cascadecombinatie van eerste en tweede veldeffecttransistoren I met gelijke geleiding, elk voorzien van een toevoer- af voer- en poort- I electrode, met het kenmerk, dat de eerste transistor volgens de ver- I armingsmodes werkt, de tweede transistor volgens de verrijkingsmodes I 5 werkt, de afvoerelectrode van de eerste transistor met een gelijkstroom- I voedingsbron is verbonden, de toevoerelectrode van de eerste transistor I met de afvoerelectrode van de tweede transistor is verbonden, de afvoer- I electrode van de tweede transistor met een geaarde constante-stroombron I is verbonden, de poortelectrodeivan de eerste en tweede transistoren met I 10 elkaar en met een ingangssignaalbron met grote impedantie zijn verbonden, I en een uitgangssignaal, dat evenredig is met het ingangssignaal, aan de I toevoerelectrode van de tweede transistor wordt verschaft. I
2. Cascadecombinatie volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de I afvoerelectrode van de eerste transistor met een constante-stroombron I 15 is verbonden, en een uitgangssignaal, dat evenredig is met het ingangs- I signaal, dat aan een gemeenschappelijk knooppunt met grote impedantie I van de poortelectroden van de eerste en tweede transistoren wordt toege- I voerd, aan de afvoereleetroden van de eerste transistor optreedt. I
3. Cascadecombinatie volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een I 20 soortgelijke combinatie van in cascade verbonden veldeffecttransistoren J via de toevoerelectrode van de transistor in de verrijkingsmodes met de I geaarde constante-stroombron is verbonden, ingangssignalen, welke met I elkaar moeten worden vergeleken, aan de respectieve paarsgewijs verbon- I den poortelectroden van de cascadecombinaties worden toegevoerd, en een I 25 uitgangssignaal, gelijk aan het verschil tussen de ingangssignalen,tus- I sen de afvoereleetroden van de transistoren in de verarmingsmodes in I elke cascadecombinatie optreedt. I
4. Cascadecombinatie volgens conclusie 1 met het kenmerk, dat een I verdere transistor in de verrijkingsmodes via de poort- en afvoerelectro- I den met een voorspanningsbron met constante-stroom en met de poortele- I troden van de cascadecombinatie van eerste en tweede veldeffecttransistoren is gekoppeld en via de toevoerelectrode met een referentiespannings- I punt en met de toevoerelectrode van de tweede veldeffecttransistor is I gekoppeld, waarbij de nieuwe combinatie dient als een stroomspiegel voor I 8304352 -8- ingangssignalen, welke aan deze verdere transistor in de toevoer-af-voerelectrodebanen van de eerste en tweede transistoren worden toegevoerd. 8304352
NL8304352A 1982-12-20 1983-12-19 Versterker. NL8304352A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45102582 1982-12-20
US06/451,025 US4518926A (en) 1982-12-20 1982-12-20 Gate-coupled field-effect transistor pair amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8304352A true NL8304352A (nl) 1984-07-16

Family

ID=23790501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8304352A NL8304352A (nl) 1982-12-20 1983-12-19 Versterker.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4518926A (nl)
JP (1) JPS59119907A (nl)
CA (1) CA1205879A (nl)
DE (1) DE3344975C2 (nl)
FR (1) FR2538191B1 (nl)
GB (1) GB2132435B (nl)
IT (1) IT1172447B (nl)
NL (1) NL8304352A (nl)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62290204A (ja) * 1986-06-10 1987-12-17 Fujitsu Ltd カスケ−ド回路を含む電子回路
US4820999A (en) * 1987-09-11 1989-04-11 The Aerospace Corporation Method and apparatus for amplifying signals
US4937477A (en) * 1988-01-19 1990-06-26 Supertex, Inc. Integrated mos high-voltage level-translation circuit, structure and method
IT1217373B (it) * 1988-03-28 1990-03-22 Sgs Thomson Microelectronics Stadio ad alta resistenza d'uscita in tecnologia mos,particolarmente per circuiti integrati
US5051618A (en) * 1988-06-20 1991-09-24 Idesco Oy High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors
US4990799A (en) * 1989-12-26 1991-02-05 Weiss Frederick G Low-hysteresis regenerative comparator
US5248932A (en) * 1990-01-13 1993-09-28 Harris Corporation Current mirror circuit with cascoded bipolar transistors
JPH04297118A (ja) * 1991-01-21 1992-10-21 Fujitsu Ltd パルス発生回路及びパルス発生回路を備える半導体装置
JP3413664B2 (ja) * 1993-08-12 2003-06-03 ソニー株式会社 電荷転送装置
US5920203A (en) * 1996-12-24 1999-07-06 Lucent Technologies Inc. Logic driven level shifter
JP3613940B2 (ja) * 1997-08-29 2005-01-26 ソニー株式会社 ソースフォロワ回路、液晶表示装置および液晶表示装置の出力回路
US6958651B2 (en) 2002-12-03 2005-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Analog circuit and display device using the same
TWI332324B (en) * 2006-12-06 2010-10-21 Realtek Semiconductor Corp Track and hold circuit
US8273617B2 (en) 2009-09-30 2012-09-25 Suvolta, Inc. Electronic devices and systems, and methods for making and using the same
US8421162B2 (en) 2009-09-30 2013-04-16 Suvolta, Inc. Advanced transistors with punch through suppression
US8530286B2 (en) 2010-04-12 2013-09-10 Suvolta, Inc. Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof
US8569128B2 (en) 2010-06-21 2013-10-29 Suvolta, Inc. Semiconductor structure and method of fabrication thereof with mixed metal types
US8759872B2 (en) 2010-06-22 2014-06-24 Suvolta, Inc. Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof
US8404551B2 (en) 2010-12-03 2013-03-26 Suvolta, Inc. Source/drain extension control for advanced transistors
CN102075152B (zh) * 2010-12-24 2013-04-03 清华大学 线性源跟随器
US8461875B1 (en) 2011-02-18 2013-06-11 Suvolta, Inc. Digital circuits having improved transistors, and methods therefor
US8525271B2 (en) 2011-03-03 2013-09-03 Suvolta, Inc. Semiconductor structure with improved channel stack and method for fabrication thereof
US8400219B2 (en) * 2011-03-24 2013-03-19 Suvolta, Inc. Analog circuits having improved transistors, and methods therefor
US8748270B1 (en) 2011-03-30 2014-06-10 Suvolta, Inc. Process for manufacturing an improved analog transistor
US8796048B1 (en) 2011-05-11 2014-08-05 Suvolta, Inc. Monitoring and measurement of thin film layers
US8999861B1 (en) 2011-05-11 2015-04-07 Suvolta, Inc. Semiconductor structure with substitutional boron and method for fabrication thereof
US8811068B1 (en) 2011-05-13 2014-08-19 Suvolta, Inc. Integrated circuit devices and methods
US8569156B1 (en) 2011-05-16 2013-10-29 Suvolta, Inc. Reducing or eliminating pre-amorphization in transistor manufacture
US8735987B1 (en) 2011-06-06 2014-05-27 Suvolta, Inc. CMOS gate stack structures and processes
US8995204B2 (en) 2011-06-23 2015-03-31 Suvolta, Inc. Circuit devices and methods having adjustable transistor body bias
US8629016B1 (en) 2011-07-26 2014-01-14 Suvolta, Inc. Multiple transistor types formed in a common epitaxial layer by differential out-diffusion from a doped underlayer
US8748986B1 (en) 2011-08-05 2014-06-10 Suvolta, Inc. Electronic device with controlled threshold voltage
KR101891373B1 (ko) 2011-08-05 2018-08-24 엠아이이 후지쯔 세미컨덕터 리미티드 핀 구조물을 갖는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US8614128B1 (en) 2011-08-23 2013-12-24 Suvolta, Inc. CMOS structures and processes based on selective thinning
US8645878B1 (en) 2011-08-23 2014-02-04 Suvolta, Inc. Porting a circuit design from a first semiconductor process to a second semiconductor process
US8713511B1 (en) 2011-09-16 2014-04-29 Suvolta, Inc. Tools and methods for yield-aware semiconductor manufacturing process target generation
US9236466B1 (en) 2011-10-07 2016-01-12 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Analog circuits having improved insulated gate transistors, and methods therefor
US8895327B1 (en) 2011-12-09 2014-11-25 Suvolta, Inc. Tipless transistors, short-tip transistors, and methods and circuits therefor
US8819603B1 (en) 2011-12-15 2014-08-26 Suvolta, Inc. Memory circuits and methods of making and designing the same
US8883600B1 (en) 2011-12-22 2014-11-11 Suvolta, Inc. Transistor having reduced junction leakage and methods of forming thereof
US8599623B1 (en) 2011-12-23 2013-12-03 Suvolta, Inc. Circuits and methods for measuring circuit elements in an integrated circuit device
US8877619B1 (en) 2012-01-23 2014-11-04 Suvolta, Inc. Process for manufacture of integrated circuits with different channel doping transistor architectures and devices therefrom
US8970289B1 (en) 2012-01-23 2015-03-03 Suvolta, Inc. Circuits and devices for generating bi-directional body bias voltages, and methods therefor
US9093550B1 (en) 2012-01-31 2015-07-28 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Integrated circuits having a plurality of high-K metal gate FETs with various combinations of channel foundation structure and gate stack structure and methods of making same
US9406567B1 (en) 2012-02-28 2016-08-02 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Method for fabricating multiple transistor devices on a substrate with varying threshold voltages
US8863064B1 (en) 2012-03-23 2014-10-14 Suvolta, Inc. SRAM cell layout structure and devices therefrom
US9299698B2 (en) 2012-06-27 2016-03-29 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor structure with multiple transistors having various threshold voltages
US8637955B1 (en) 2012-08-31 2014-01-28 Suvolta, Inc. Semiconductor structure with reduced junction leakage and method of fabrication thereof
US9112057B1 (en) 2012-09-18 2015-08-18 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor devices with dopant migration suppression and method of fabrication thereof
US9041126B2 (en) 2012-09-21 2015-05-26 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Deeply depleted MOS transistors having a screening layer and methods thereof
CN104854698A (zh) 2012-10-31 2015-08-19 三重富士通半导体有限责任公司 具有低变化晶体管外围电路的dram型器件以及相关方法
US8816754B1 (en) 2012-11-02 2014-08-26 Suvolta, Inc. Body bias circuits and methods
US9093997B1 (en) 2012-11-15 2015-07-28 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Slew based process and bias monitors and related methods
US9070477B1 (en) 2012-12-12 2015-06-30 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Bit interleaved low voltage static random access memory (SRAM) and related methods
US9112484B1 (en) 2012-12-20 2015-08-18 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Integrated circuit process and bias monitors and related methods
US9268885B1 (en) 2013-02-28 2016-02-23 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Integrated circuit device methods and models with predicted device metric variations
US9299801B1 (en) 2013-03-14 2016-03-29 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Method for fabricating a transistor device with a tuned dopant profile
US9478571B1 (en) 2013-05-24 2016-10-25 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Buried channel deeply depleted channel transistor
US9710006B2 (en) 2014-07-25 2017-07-18 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Power up body bias circuits and methods
US9319013B2 (en) 2014-08-19 2016-04-19 Mie Fujitsu Semiconductor Limited Operational amplifier input offset correction with transistor threshold voltage adjustment
CN106027030B (zh) * 2016-05-19 2018-10-19 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种高速高线性全差分跟随器
US11088688B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 Logisic Devices, Inc. Configurations of composite devices comprising of a normally-on FET and a normally-off FET
US11211484B2 (en) 2019-02-13 2021-12-28 Monolithic Power Systems, Inc. Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same
CN113821069A (zh) * 2021-09-26 2021-12-21 歌尔微电子股份有限公司 源极跟随器、接口电路及电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3509375A (en) * 1966-10-18 1970-04-28 Honeywell Inc Switching circuitry for isolating an input and output circuit utilizing a plurality of insulated gate magnetic oxide field effect transistors
JPS5198938A (nl) * 1975-02-26 1976-08-31
US4071783A (en) * 1976-11-29 1978-01-31 International Business Machines Corporation Enhancement/depletion mode field effect transistor driver
US4069431A (en) * 1976-12-22 1978-01-17 Rca Corporation Amplifier circuit
GB1592800A (en) * 1977-12-30 1981-07-08 Philips Electronic Associated Linear amplifier
JPS54152845A (en) * 1978-05-24 1979-12-01 Hitachi Ltd High dielectric strength mosfet circuit
NL8001120A (nl) * 1980-02-25 1981-09-16 Philips Nv Differentiele belastingsschakeling uitgevoerd met veldeffecttransistoren.
JPS5788594A (en) * 1980-11-19 1982-06-02 Fujitsu Ltd Semiconductor circuit
JPS57186833A (en) * 1981-05-13 1982-11-17 Hitachi Ltd Switching element
US4443715A (en) * 1982-03-25 1984-04-17 Gte Laboratories Incorporated Driver circuit

Also Published As

Publication number Publication date
GB2132435B (en) 1986-07-30
FR2538191B1 (fr) 1987-10-16
GB8333134D0 (en) 1984-01-18
JPS59119907A (ja) 1984-07-11
IT8324198A0 (it) 1983-12-15
DE3344975A1 (de) 1984-06-20
DE3344975C2 (de) 1986-01-23
FR2538191A1 (fr) 1984-06-22
GB2132435A (en) 1984-07-04
IT1172447B (it) 1987-06-18
US4518926A (en) 1985-05-21
CA1205879A (en) 1986-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8304352A (nl) Versterker.
KR100353295B1 (ko) 동적 보상 증폭기 및 그 방법
EP0139078B1 (en) Amplifier transistor circuit
US4048575A (en) Operational amplifier
JP4262790B2 (ja) 低電圧演算増幅器の入力段および方法
US5699015A (en) Low voltage operational amplifier and method
EP0037406B1 (en) Cmos operational amplifier with reduced power dissipation
US5210506A (en) Large swing output buffer amplifier
US5565813A (en) Apparatus for a low voltage differential amplifier incorporating switched capacitors
US7486132B2 (en) Variable capacitor circuit and integrated circuit containing the same
US6870422B2 (en) Low voltage rail-to-rail CMOS input stage
US5798673A (en) Low voltage operational amplifier bias circuit and method
US4736117A (en) VDS clamp for limiting impact ionization in high density CMOS devices
US7821296B2 (en) Stacked buffers
US3956708A (en) MOSFET comparator
US7030685B1 (en) Frequency boosting circuit for high swing cascode biasing circuits
KR100414251B1 (ko) 증폭기
EP0643478B1 (en) Cascode circuit operable at a low working voltage and having a high output impedance
EP0767988A2 (en) RAIL-TO-RAIL INPUT STAGES WITH g m?-CONTROL BY MULTIPLE INPUT PAIRS
US7825734B2 (en) Amplifier having an output protection, in particular operational amplifier for audio application
EP1895656A2 (en) High gain, high speed comparator operable at low current
EP0228215A2 (en) Field-effect transistor amplifier circuits
US5889426A (en) Integrated circuit device having a bias circuit for an enhancement transistor circuit
US6476680B2 (en) Cascode amplifying circuit and folded cascode amplifying circuit
USRE41792E1 (en) Controllable integrator

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed