CN113821069A - 源极跟随器、接口电路及电子设备 - Google Patents

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    • G05F1/10—Regulating voltage or current
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Abstract

本发明公开一种源极跟随器、接口电路及电子设备，该源极跟随器包括：输入电压接入端、输出电压接出端及电源电压端；第一MOS管及第二MOS管，第一MOS管的栅极及第二MOS管的栅极分别与输入电压接入端连接，第一MOS管的源极分别与输出电压接出端及偏置电流源连接，第一MOS管的漏极与第二MOS管的源极连接，第二MOS管的漏极接地。

Description

源极跟随器、接口电路及电子设备
技术领域
本发明涉及微电子电路技术领域，特别涉及一种源极跟随器、接口电路及电子设备。
背景技术
在模拟集成电路中特别是在各类传感器接口电路的微弱信号检测应用中，信号的准确放大或跟随是必不可少的。并且电压跟随器对线性度要求较高，如若出现信号失真，极为容易影响电压采样精度的问题。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种源极跟随器、接口电路及电子设备，旨在提高源极跟随器的线性度。
为实现上述目的，本发明提出一种源极跟随器，所述源极跟随器包括：
输入电压接入端、输出电压接出端及电源电压端；
第一MOS管及第二MOS管，所述第一MOS管的栅极及所述第二MOS管的栅极分别与所述输入电压接入端连接，所述第一MOS管的源极分别与所述输出电压接出端偏置电流源端连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极接地。
可选地，所述第一MOS管及第二MOS管均工作于亚阈值区；或者，
所述第一MOS管工作于饱和区，所述第二MOS管均工作于亚阈值区。
可选地，所述第一MOS管及第二MOS管均为P型MOS管。
可选地，所述第一MOS管衬底与源极短接；
所述第二MOS管的衬底与源极短接。
本发明还提出一种接口电路，包括如上所述的源极跟随器。
本发明还提出一种电子设备，包括如上所述的源极跟随器，或者包括如权利要求8所述的接口电路。
可选地，所述电子设备还包括传感器。
本发明通过设置第一MOS管及第二MOS管，并将第一MOS管及第二MOS管进行串联设置来实现第一MOS管源极电压对栅极电压的跟随，从而实现输出电压对输入电压的跟随。本发明通过第二MOS管来抑制第一MOS管的漏源电压VDS对源极电压跟随栅极电压时的影响，减小第一MOS管的漏源电压VDS给源极跟随器输出电压对输入电压跟随引入非线性。本发明有利于提高源极跟随器的线性度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明源极跟随器一实施例的电路结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
IN 输入电压接入端 M1 第一MOS管
OUT 输出电压接出端 M2 第二MOS管
VDD 电源电压端
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明提出一种源极跟随器，应用于用于接口电路中。
在模拟集成电路中特别是在各类传感器接口电路的微弱信号检测应用中，信号的准确放大或跟随是必不可少的。而电压跟随器可以实现电压跟随、直流电平转移、阻抗转换等功能。作为传感器接口电路，输入端电路结构的设计关键首先需要与传感器的阻抗匹配，保证可以有效实现对传感器信号测量，例如MEMS传感器等效阻抗较大，可以达到上G欧姆的量级。从接口电路的角度看，传感器等效阻抗即为接口电路的前级接入的输出阻抗，想要实现信号到接口电路输入端的有效传输，接口电路的等效输入阻抗应当与传感器等效阻抗匹配，与之达到相同的量级或更高，因此对接口电路的要求之一便是高输入阻抗，达到G欧姆量级甚至更高。而由于传统运放在接口电路的应用中需要实现精确放大而采用闭环结构，因此即使开环输入阻抗足够大的运放，在接口电路的实际应用中由于反馈阻抗的闭环接入而无法提供所需的输入阻抗，因此无法直接作为接口电路的输入级结构，采用电压跟随器则可以有效解决这一问题。电压跟随器一般包含两种实现方式，包括单位增益反馈结构的运放和单MOS管结构的源极跟随器。采用运放单位增益负反馈作为电压跟随器，其输入输出摆幅受运放自身结构限制，在较大摆幅的应用中，对运放特别是输入级结构要求较大。对输入摆幅较大的应用中，单MOS管的源极跟随器相对更简单。
在接口电路的应用中，通常所检测的输入信号都是较微弱的信号，因此要保证信号检测、处理的准确度，应当保证各级电路引入的噪声、非线性失调等足够小满足应用需求。电压跟随器作为输入的第一级，从传递函数关系看在噪声、线性度的影响上最为关键。而源极跟随器结构简单，其非线性来源主要有两点，一是电流源恒流特性，二是沟道长度调制效应影响。特别是在较大输入摆幅的应用下，沟道长度调制效应引入的非线性愈加明显。
为了解决上述问题，参照图1，在本发明一实施例中，提出一种高线性度电压跟随器模块电路，主要针对输入电压范围较大的电压跟随应用，提高大输入电压范围电压跟随的线性度，进而提高信号跟随的准确度。该源极跟随器包括：
输入电压接入端IN、输出电压接出端OUT及电源电压端VDD；
第一MOS管M1及第二MOS管M2，所述第一MOS管M1及第二MOS管M2的栅极分别与所述输入电压接入端IN连接，所述第一MOS管M1的源极分别与所述输出电压接出端OUT及偏置电流源连接，所述第一MOS管M1的漏极与所述第二MOS管M2的源极连接，所述第二MOS管M2的漏极接地。
本实施例中，偏置电流源的输入端与电源电压端VDD连接，用于接入电源电压，并给第一MOS管M1及第二MOS管M2提供偏置电流。
第一MOS管M1及第二MOS管M2均为PMOS管，并且PMOS管采用衬底与源极短接。针对后级电路大输入阻抗的应用情况，即输出电流相对可以忽略或无输出电流情况。利用了饱和区或亚阈值饱和区MOS管的低阶等效模型中，MOS管通过的源漏电流大小只与过驱动电压(即栅源电压VGS与阈值电压VTH的差)相关。源极跟随器基于此，设置恒流结构保证流过输入MOS管M1的电流恒定，输入PMOS管采用衬底与源极短接的形式，有效解决了衬底偏置效应带来的阈值电压VTH变化，保证了在加大输入电压范围内，阈值电压相对保持恒定不变。如此，当阈值电压VTH保持恒定不变的情况下，则按照低阶等效模型近似，MOS管通过电流只与栅源电压VGS相关，当其流过MOS管漏源电流恒定时，则其栅源电压VGS保持恒定不变，对于PMOS管，栅源电压VGS为其栅极电压与源极电压差值，则栅源电压VGS保持不变，实现源极电压对栅极电压的跟随，实现了输出电压OUT对输入电压IN的交流电压跟随(输出电压接出端OUT输出的输出电压与输入节点电压的变化量保持一致)。
而在实际情况中，低阶等效模型忽略了由于源漏电压变化而引起的沟道长度调制效应所带来的影响。具体而言，MOS管通过的漏源电流大小除过驱动电压外，还受到漏极与源极之间的漏源电压VDS影响，该效应即为沟道长度调制效应。以饱和区MOS管为例，其漏源电流的低阶等效模型可以采用如下公式来表示：
IDS≈kLW(VGS-VTH)2
其中，k为工艺参数，W/L为第一MOS管M1尺寸的宽长比，均为常数。流过工作于饱和区的第一MOS管M1漏极和源极的实际电流还会受到漏源电压VDS变化的影响，而使漏源电流引入的电流也发生改变，实际电流在上述公式的基础上需要再乘以(1+aVDS)的系数。其中，a为沟道长度调制系数，随着目前工艺水平的不断发展，MOS管尺寸和沟道长度不断减小，沟道长度调制系数不断增大，由此带来的漏源电流随漏源电压VDS变化影响也不断增加，并且工作在亚阈值饱和区的第一MOS管M1也有此相同的效应与影响。因此，对于采用第一MOS管M1构建的源极跟随器，其第一MOS管M1的漏源电压VDS变化直接与输入(输出)电压变化一致，引入了非线性，特别是在输入信号幅度较大而漏源电压VDS变化较大的情况下，非线性影响带来了较大的信号失真，而影响了信号的准确跟随。
为此，针对漏源电压VDS随输入电压同步变化的情况，本实施例在第一MOS管M1的漏极与接地端之间还设置有第二MOS管M2，第二MOS管M2用于降低漏源电压VDS随输入(输出)电压的变化，抑制第一MOS管M1漏源电压VDS变换引入的非线性导致信号失真。也即第二MOS管M2可以抑制第一MOS管M1沟道长度效应带来的漏源电压VDS随输入(输出)电压的变化，有效提高跟随器的线性度。并且本实施例分别是设计第一MOS管M1管工作在饱和区，第二MOS管M2管工作在亚阈值区；或设计第一MOS管M1与第二MOS管M2管均工作于亚阈值饱和区。这两种方法都可以有效降低第一MOS管M1漏源电压VDS随输入(输出)电压的变化。
本发明通过设置第一MOS管M1及第二MOS管M2，并将第一MOS管M1及第二MOS管M2进行串联设置来实现第一MOS管M1源极电压对栅极电压的跟随，从而实现输出电压对输入电压的跟随。本发明通过第二MOS管M2来抑制第一MOS管M1的漏源电压VDS对源极电压跟随栅极电压时的影响，减小第一MOS管M1的漏源电压VDS给源极跟随器输出电压对输入电压跟随引入非线性。本发明有利于提高源极跟随器的线性度。
参照图1，或者，所述第一MOS管M1及第二MOS管M2均工作于亚阈值区；或者，
所述第一MOS管M1工作于饱和区，所述第二MOS管M2均工作于亚阈值区。
本实施例中，
第一MOS管M1与第二MOS管M2均工作在亚阈值区，或者仅第二MOS管M2工作于亚阈值区，通过工作于亚阈值区第二MOS管M2使得第二MOS管M2的漏源电压VDS等于第一MOS管M1的漏极电压VD，通过第二MOS管M2的源漏电压钳位第一MOS管M1的漏极电位。也即第二MOS管M2的漏源电压VDS跟随输入电压，通过钳位，使得第二MOS管M2的漏源电压VDS跟随第一MOS管M1的漏极电压VD，进而使第一MOS管M1漏极电压也随输入同步变化。此时第二MOS管M2也可以看作一个源跟随器。因此对于第二MOS管M2，输入电压接入端IN接入的输入电压变化时，第二MOS管M2漏极接地不变，其源极电压会跟随输入电压的变化而变化(相当于源跟随器)，也即第二MOS管M2的漏源电压VDS是变化的。对于第一MOS管M1，输入电压接入端IN接入的输入电压变化时，第一MOS管M1的源极电压跟随栅极电压，也即根据输入电压变化。又由于其漏极与第二MOS管M2的源极连接，由上述可知，第二MOS管M2作为一个源极跟随器，第二MOS管M2源极的电压是跟随输入电压变化而变化的，故在第二MOS管M2的作用下，第一MOS管M1的漏极电压也跟随输入电压的变化。使得M1的源极和漏极都同步跟随栅极电压，也即输入电压的变化而变化，在源极和漏极的电压均会变化的情况下，可以保证第一MOS管M1的源漏电压差VDS保持不变的。如此，通过下方亚阈值饱和区的第二MOS管M2的钳位，使得作为输入管的第一MOS管M1漏端电压也随输入同步变化(下方第二MOS管M2也可以看作一个源跟随器)，作为输入管的第一MOS管M1漏、源电压均随输入电压同步变化，VDS近似不变，提高了线性度。
可以理解的是，第一MOS管M1是放大管，所以主要M1的VDS不变就可以很大地优化线性度，第二MOS管M2的源漏电压VDS变化对输出影响不大。本发明通过第二MOS管M2来实现第一MOS管M1漏极和源极电压均随输入电压同步变化，使得漏源电压VDS近似不变，提高了线性度。本发明解决了在输入信号幅度较大而漏源电压VDS变化较大的情况下，非线性影响信号失真的问题。
本发明还提出一种接口电路，包括如上所述的源极跟随器。
该源极跟随器的详细结构可参照上述实施例，此处不再赘述；可以理解的是，由于在本发明电子设备中使用了上述源极跟随器，因此，本发明电子设备的实施例包括上述源极跟随器全部实施例的全部技术方案，且所达到的技术效果也完全相同，在此不再赘述。
本实施例中，接口电路可以集成于模拟集成电路中，具体可以应用于信号链类集成电路中，接口电路还可以设置有信号处理电路，例如信号放大、滤波及模数转换等等，本实施例的源极跟随器可以串联设置于传感器的输出端(前级)以及上述信号处理电路之间，源极跟随器能够起到电路隔离的作用，作为整个接口电路的高阻抗输入级，可以减轻后端电路对接口信号和电路的影响。源极跟随器的线性度较高，可以针对输入电压范围较大的电压跟随应用，提高大输入电压范围电压跟随的线性度，进而提高信号跟随的准确度。
本发明还提出一种电子设备，包括如上所述的源极跟随器，或者包括如上所述的接口电路。该源极跟随器及接口电路的详细结构可参照上述实施例，此处不再赘述；可以理解的是，由于在本发明电子设备中使用了上述源极跟随器及接口电路，因此，本发明电子设备的实施例包括上述源极跟随器及接口电路全部实施例的全部技术方案，且所达到的技术效果也完全相同，在此不再赘述。
在一实施例中，所述电子设备还包括传感器。
本实施例中，该传感器可以是MEMS传感器，具体可以是压力传感器、温度传感器、湿度传感器、加速度传感器等，该电子设备可以是麦克风、温度计、湿度计等等，或者其他可以应用上述传感器的电子设备，例如手机、音箱、耳机等等。其中，传感器与上述源极跟随器连接，通过源极跟随器，可以实现传感器采集的信号到接口电路输入端的有效传输，使得接口电路的等效输入阻抗与传感器等效阻抗匹配，提高大输入电压范围电压跟随的线性度，进而提高信号跟随的准确度，实现信号的可靠传输。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种源极跟随器，其特征在于，所述源极跟随器包括：
输入电压接入端、输出电压接出端及电源电压端；
第一MOS管及第二MOS管，所述第一MOS管的栅极及所述第二MOS管的栅极分别与所述输入电压接入端连接，所述第一MOS管的源极分别与所述输出电压接出端及偏置电流源连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极接地。
2.如权利要求1所述的源极跟随器，其特征在于，所述第一MOS管及第二MOS管均工作于亚阈值区；或者，
所述第一MOS管工作于饱和区，所述第二MOS管均工作于亚阈值区。
3.如权利要求1或2任意一项所述的源极跟随器，其特征在于，所述第一MOS管及第二MOS管均为P型MOS管。
4.如权利要求1或2任意一项所述的源极跟随器，其特征在于，
所述第一MOS管衬底与源极短接；
所述第二MOS管的衬底与源极短接。
5.一种接口电路，其特征在于，包括如权利要求1至4任意一项所述的源极跟随器。
6.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4任意一项所述的源极跟随器，或者包括如权利要求5所述的接口电路。
7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括传感器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114415773A (zh) * 2022-01-20 2022-04-29 广州昂瑞微电子技术有限公司 高精度电流源电路

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4518926A (en) * 1982-12-20 1985-05-21 At&T Bell Laboratories Gate-coupled field-effect transistor pair amplifier
CN101764584A (zh) * 2009-12-16 2010-06-30 清华大学 能消除体效应和沟道长度调制效应的线性源跟随器
CN102075152A (zh) * 2010-12-24 2011-05-25 清华大学 线性源跟随器
JP2013090136A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ソースフォロア回路
CN103490766A (zh) * 2013-08-29 2014-01-01 苏州苏尔达信息科技有限公司 一种高速高精度源极跟随电路
CN110350876A (zh) * 2019-07-29 2019-10-18 深圳市锐能微科技有限公司 前置放大器、前置差分放大器以及集成电路
CN110380699A (zh) * 2019-07-29 2019-10-25 深圳市锐能微科技有限公司 输入缓冲器、差分输入缓冲器以及集成电路
CN110687950A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 圣邦微电子（北京）股份有限公司 源跟随器电路和缓冲电路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4518926A (en) * 1982-12-20 1985-05-21 At&T Bell Laboratories Gate-coupled field-effect transistor pair amplifier
CN101764584A (zh) * 2009-12-16 2010-06-30 清华大学 能消除体效应和沟道长度调制效应的线性源跟随器
CN102075152A (zh) * 2010-12-24 2011-05-25 清华大学 线性源跟随器
JP2013090136A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ソースフォロア回路
CN103490766A (zh) * 2013-08-29 2014-01-01 苏州苏尔达信息科技有限公司 一种高速高精度源极跟随电路
CN110687950A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 圣邦微电子（北京）股份有限公司 源跟随器电路和缓冲电路
CN110350876A (zh) * 2019-07-29 2019-10-18 深圳市锐能微科技有限公司 前置放大器、前置差分放大器以及集成电路
CN110380699A (zh) * 2019-07-29 2019-10-25 深圳市锐能微科技有限公司 输入缓冲器、差分输入缓冲器以及集成电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114415773A (zh) * 2022-01-20 2022-04-29 广州昂瑞微电子技术有限公司 高精度电流源电路
CN114415773B (zh) * 2022-01-20 2024-03-19 广州昂瑞微电子技术有限公司 高精度电流源电路

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