NL8104600A - Halfgeleiderfotodiode. - Google Patents
Halfgeleiderfotodiode. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8104600A NL8104600A NL8104600A NL8104600A NL8104600A NL 8104600 A NL8104600 A NL 8104600A NL 8104600 A NL8104600 A NL 8104600A NL 8104600 A NL8104600 A NL 8104600A NL 8104600 A NL8104600 A NL 8104600A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- ingaasp
- type
- layers
- semiconductor material
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000008274 jelly Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
s vo 2367
Half gelei derfotodiode.
. De onderhavige uitvinding heeft betrekking op halfgeleider- fotodetectoren.
De onderkenning van het feit dat verliezen en materiaalver-strooiing in op siliciumdioxyde gebaseerde optische vezels ver-5 Efeind kunnen worden door gebruik te maken van golflengten in het gebied tussen 1,0 en 1,6 micrometer, heeft de belangstelling voor lichtbronnen en fotodetectoren welke in dat golflengtegebied kunnen werken, vergroot. Er is in het bijzonder belangstelling ontstaan voor het golflengtegebied van ongeveer 1,0 tot 1,6 micrometer 10 omdat dat momenteel het optimale golflengtegebied lijkt voor een minimum aan lichtverlies.
Een fotodetector is een essentiële component voor een optisch communicatiesysteem en er is veel moeite gedaan om structuren en materialen voor dergelijke structuren te ontwikkelen. Γη 15 verband met de gunstige grootte van de bandafstand heeft de belang stelling zich vooral, voor zowel lichtbronnen als fotodetectoren, gericht op inrichtingen waarin gebruik wordt gemaakt van materialen uit de groep III - V. Inrichtingen welke gebruik maken van binaire halfgeleiders, zoals GaSb; ternaire halfgeleiders, zoals InGaAs, 20 en GaAlSbj en quaternaire halfgeleiders, zoals InGaAsP, zijn ge construeerd. B.v. is het gebruik overwogen van lavinefotodiodes en p-i-n fotodiodes met verschillende structuren en combinaties ‘ van de eerder genoemde III - V materialen. De uiteindelijk gekozen fotodetector zou aan verscheidene eisen moeten voldoen. Zo zal deze 25 fotodetector een goede kwantumefficiëntie, lage donkerstroomeigen- schappen en een relatief lage capaciteit moeten bezitten.
Een benadering voor fotodetectoren welke in het golflengtegebied tussen 1,0 micrometer en 1,6 micrometer moeten werken maakt gebruik van InGaAs aangegroeid op InP-substraten. Verschillende 30 uitvoeringsvormen van deze benadering zijn beschreven in Applied 8104600 - 2 -
Physics Letters, 33", hlz.6^0 - 6U2, 1 oktober 1978, en Electronics
Letters, 16, blz. 155 - 156, 1980. Het eerste artikel beschrijft een homojunctielawinefotodiode met een terugwaartse stroom van 2nA bij de halve doorslagspanning. Deze stroom komt overeen met “6 2 5 een donkerstroomdichtheid van k x 10 A/cm . Het laatste artikel beschrijft een p-i-n fotodiöde welke aan de achterzijde verlicht werd en een donkerstroom van 2 - 5 nA bij een de voorspanning in tegengestelde richting van 10 V bezit.
Een andere benadering voor fotodetectoren welke in hetzelfde 10 golflengtegebied werken is beschreven in Applied Physics Letters, 35 j blz. 251 - 253, 1 augustus 1979. Dit artikel beschrijft een InGaAsP heterostructuurlavinefotodiode met lagen van n-type InGaAsP en n-type InP welke men achtereenvolgens liet groeien op een n+ -type InP-substraat. Een p+ -type InP-gebied is door cadmiumdiffusie 15 in de InP-laag gevormd. De resulterende fotodiode wezfcfc met een lawine junctie in het materiaal met de bredere bandaf stand, InP, malbij het materiaal met de smalle bandafstand, InGaAsP, waarbij het laatste materiaal het licht absorbeert. Er is vermeld dat de inrichting een goede kwantumefficiëntie en lawineversterking bezit 20 wanneer men deze met een relatief hoge tegengestelde voorspanning doet werken. Een kwantnmdo eImatigheid groter dan 60% en een lawineversterking van 3000 werden gemeld. Een valentiebandbarriere van ongeveer 0,h V blokkeert echter de diffusie van gaten welke door lichtabsorptie in de quaternaire laag gevormd zijn. De gaten kunnen 25 de barrière alleen passeren wanneer er een sterk elektrisch veld nabij de heterojunctie is dat de gaten kan versnellen. Verder treedt er bij het werkzaam zijn in het lawinegebied een tunnel-effect op en de donkerstroom neemt toe. Tengevolge van de aanwezigheid van grote stromen tengevolge van het tunneleffeet, welke een 30 aanzienlijke hoeveelheid detectorruis veroorzaken, zal het moeilijk zijn om lawinefotodetectoren met lage ruis te maken uit III-V materialen.
De onderhavige uitvinding voorziet in een fotodiode met een lage donkerstroom en een lage capaciteit, welke geschikt is voor 35 gebruik in het golflengtegebied van 1,0 - 1,6 micrometer. In een 8104600 % - 3 - voorkeursuitvoeringsvorm heeft de fotodetector een InP-substraat en een aan het rooster aangepaste InGaAs-laag welke op het substraat geplaatst is. Een aan het rooster aangepaste InGaAsP p-n-junctie is geplaatst op en in rooster aangepast aan de InGaAs-laag.
5 De p-n-junctie is gevormd in materiaal met een handafstand groter dan de handafstand van het InGaAs. In een voorkeursuitvoeringsvorm is de p-n-junctie gevormd door eerste en tweede InGaAsP-lagen welke achtereenvolgens gegroeid zijn op en in rooster zijn aangepast aan de InGaAs-laag en het substraat. De InGaAs en eerste InGaAsP-10 lagen zijn van een eerste geleidbaarheidstype en de tweede InGaAsP- laag is van een tweede geleidbaarheidstype. In een voorkeursuitvoe-. ringsvorm zijn de eerste en tweede geleidbaarheidstypen resp. n-type en p-type. De fotodiode kan belicht worden via hetzij de InGaAsP-lagen of via het InP-substraat. In de n-type lagen is de 15 concentratie van het doopmiddel typisch tussen de 10 /cm en 16 o 10 /cm , en in de p-type laag is de concentratie van het doopmid-
17 3 iS
del gelegen in het gebied tussen ongeveer 3 x 10 1 /car en 5 x 10 / cm^. Voor licht met een golflengte van ongeveer 1,3 micrometer is de absorptielaag de InGaAs-laag en is de p-n-junctie gevormd 20 in de InGaAsP-lagen. Gebruik van een p-n-type junctie gelegen in het materiaal met de grootste handafstand resulteert in een donker-stroom die kleiner is dan wanneer de p-n-junctie gelegen is in een materiaal met een lagere handafstand. De inrichting werkt bij lage spanningen zonder een lawine-effect.
25 Er kunnen andere substraatmaterialen gebruikt worden mits de lagen in rooster aan elkaar zijn aangepast. Andere materialen kunnen gebruikt worden voor de licht absorberende laag mits zij in rooster zijn aangepast aan het substraat en een handafstand bezitten die kleiner is dan die van het in rooster aangepaste materi-30 aal waarin de p-n-junctie gevormd is aangrenzend aan de licht ab sorberende laag.
In het hiernavolgende zal bij wijze van voorbeeld een uitvoeringsvorm van de uitvinding beschreven worden onder verwijzing naar de tekening, welke schematisch een fotodiode volgens de uit-35 vinding toont.
8104500 -k -
In de figuur omvat een fotodiode 1 een indiumfosfide (inP)-substraat 10, een n-type indiumgalliumarsenide (inGaAs)-laag 12, een n-type eerste indiumgalliumarsenidefosfide (inGaAsP)-laag lH en een p*-type tweede indiumgalliumarsenidefosfide (inGaAsP)-laag 5 16. De inrichting omvat verder Ohmse contacten 18 en 20 welke aan- • gebracht zijn op resp. de lagen 10 en l6. De lagen 12, lk en l6 zijn in rooster aangepast aan het InP-suhstraat en laag 12, welke de licht absorberende laag is, heeft de nominale samenstelling In ^ en ^ hebben een zodanige samenstelling 10 dat zij in rooster aangepast zijn aan de laag 12. Alhoewel de fotodetector getoond is bij belichting vanaf de voorzijde kan deze ook vanaf de achterzijde belicht worden, d.w.z. dat licht de fotodetector via het substraat kan binnentreden. Wanneer de fotodetector van voren belicht wordt, passeert het licht eerst de lagen lk 15 en 16 en wordt dan in laag 12 geabsorbeerd.
Het substraat kan uit ieder materiaal bestaan dat in rooster is aangepast aan de InGaAs-laag. Een in rooster aangepaste InGaAsP p-n-junctie is op de InGaAs-laag geplaatst. De term "InGaAsP" heeft betrekking op de samenstellingen met de atoomsa-20 menstelling In. Ga As P, , waarbij x en y groter zijn dan of gelijk aan 0,0 en kleiner dan of gelijk aan 1,0. Door het kiezen van een geschikte in rooster aangepaste samenstelling kan de qua-ternaire bandafstand iedere waarde bezitten tussen die van InP en InGaAs.
25 Het InP-substraat 10 is gedoopt met zwavel of tin tot een "3 18 3 concentratie van tenminste 10 /cnr en bij voorkeur 10 °/cnr of hoger. De n-type lagen 12 en lk zijn nominaal niet gedoopt en heb- 15 3 ben donorconcentraties welke typisch liggen tussen 10 "7cm en l6 3 10 /cm . Hogere concentraties zijn ongewenst wanneer een lage 30 capaciteit en een lage dohkerstroom tegelijkertijd verkregen moeten worden, omdat de niet gedoopte ternaire en quaternaire lagen in wezen verarmd moeten zijn bij een relatief lage voorspanning, d.w.z. bij een spanning lager dan 20 V. De laag 16 is typisch ge- 17 3 doopt met Zn bij een concentratie van ongeveer 3 x 10 /cm alhoe- 17 3 ίο 3 35 wel concentraties tussen 10 /cm en 10 7/cm gebruikt kunnen wor- 8104600 - 5 - den. Een hoge doopconeentratie vergemakkelijkt de vorming van een Ohms contact. De dikte van de lagen 12, 1¾ en l6 zijn alle typisch gelegen tussen 1 en 2 micrometer. In een voorkeursuitvoerings-vora zijn de dikten van de lagen 12, lU en 16 resp. 1,5, 1 en 2 5 micrometer.
De parameters van de inrichting, met inbegrip van laagdik-ten en doopconcentraties kunnen gevarieerd worden afhankelijk van de gewenste karakteristieken en eigenschappen van de inrichting.
De capaciteit van de verarmingslaag is omgekeerd evenredig met 10 de dikte van de verarmingslaag welke weer omgekeerd èvenredig is met de wortel van de doopconeentratie en evenredig met de wortel van de spanning in het geval van een abrupte junctie. Wanneer dus een lagere capaciteit gewenst is moet de doopconeentratie worden verkleind. De gewenste parameters hangen ook van de gewenste wer-15 kingseigenschappen af. Het is b.v. hij hoge frequenties het meest gewenst om de totale capaciteit te verkleinen terwijl hij lagere frequenties een lage donkerstroom het meest gewenst is. Een lage doopconeentratie in lagen 12 en 1¼ leidt tot een bredere verarmingslaag en verlaagt de donkerstroom aangezien de voorspanning 20 lager is. De praktische ondergrens van de doopconeentratie met de 15 3 huidige technieken is ongeveer 10 /cm , alhoewel het waarschijnlijk is dat verbeterde technieken het mogelijk zullen maken dat lagere niveaus bereikt worden.
Het oppervlak van de fotodetector is gelegen tussen 2,7 x —Ij. 2 -5 2 . .
25 10 cm en 5 x 10 cm om een lage capaciteit d.w.z. kleiner dan 0,5 pF, te verkrijgen wanneer een doopconeentratie van ongeveer 15 3 2 x 10 /cm gebruikt wordt in de n-type lagen en de n-type lagen een dikte hebben van ongeveer 2,7 micrometer. Bij ongeveer 10 V zijn de n-type lagen volledig verarmd zodat de capaciteit de mini-30 mumwaarde ervan bereikt heeft en de fotodiode werkt als een p-i-n detector.
Men kan de inrichting laten aangroeien door het aanbrengen van wijzigingen in welbekende standaard vloeibare fase epitaxiale technieken zoals beschreven in Applied Physics letters, 33, blz.
35 31^ - 316, 15 augustus 1973. Voordat men het aangroeien doet be- 8104600 - 6 - giimen laat men de In-smelt tij een hoge temperatuur uitgloeien.
Een temperatuur van ongeveer 800°C bij een tijd van 16 - 96 uren is geschikt gebleken. De groeiroutine start bij ÖT5°C met een "back step" van de smelt, een Sn-gedoopte buff er laag van 15 micro-5 meter groeit aan en wordt gevolgd door InGaAs en in rooster aange paste InGaAsP-lagen welke men beide ongedoopt als n-type aan laat groeien met een koelsnelheid van 1°/minuut. Een Zn-gedoopte p+-type quaternaire laag met dezelfde samenstelling als de voorafgaande laag laat men vervolgens aangroeien. Het is ook gewenst ge-10 bleken om gebruik te maken van een Si-vrije InP-bron met een hoge zuiverheid. De voorgaande stappen verkleinen de ongewenste veront-'reinigingsconcentraties. De mesa wordt geëtst door gebruik te maken van natte etstechnieken welke beschreven zijn in Japanese Journal of Applied Physics, l8, blz.2035- 2036, 1979· De Ohmse contacten 15 l8 en 20 met substraat 10 en laag l6 kunnen resp. met conventionele
Au-Sn en Au-Zn legeringen gemaakt worden,
De inrichting wordt in tegengestelde richting voorgespannen met een spanning welke typisch gelegen is in het gebied tussen 10 . . —U 2 en 15 V. Voor een inrichting met een oppervlak van 1,3 x 10 cm 20 zijn bij ongeveer 10 V donkerstromen ter grootte van 0,2 nano- ampère verkregen. De lage donkerstroom is het resultaat van het feit, dat de p-n-junctie gelegen is in de InGaAsP quaternaire laag en is in wezen kleiner dan de typische donkerstroom van InGaAs-detectoren. De donkerstroom is verkleind omdat de p-n-junctie ge-25 vormd is in een materiaal met een bandafstand die groter is dan die van de absorberende laag. De capaciteit bij ongeveer 10 V is ongeveer 0,2 pF voor een oppervlak van de inrichting van ongeveer 5 x 10 J cm . Een externe kwantumefficiëntie van ongeveer 60% wordt verkregen bij 1,3 micrometer en bij verlichting van voren.
30 Alhoewel de beschreven opbouw een p-n-n geleidbaarheidscon figuratie heeft, is het duidelijk, dat de inrichting ook gemaakt kan worden in een n-p-p geleidbaarheidsconfiguratie. Dus kunnen het InP-substraat 10 en de InGaAs-laag 12 en de eerste InGaAsP-laag lU beschreven worden als zijnde van een eerste geleidbaarheidstype 35 en de tweede InGaAsP-laag l6 als zijnde van een tweede geleidbaar- 8104600 - 7 - heidstype. Voor de onder verwijzing naar de tekening beschreven uitvoeringsvorm is het eerste geleidbaarheidstype een n-type en het tweede een p-type.
Ook andere wijzigingen zullen voor de hand liggen. Andere 5 halfgeleiders dan InGaAsP kunnen voor de lagen lU en 16 worden ge bruikt mits zij in rooster zijn aangepast aan en een bandafstand hebben groter dan die van het materiaal van laag 12 welke kan bestaan uit GaSb. In dit geval zouden de lagen lU en 16 gevormd kun-nenzzijn uit AlGaAsSb. Alhoewel een mesa-structuur is beschreven 10 kan een planaire inrichting gemaakt worden door diffusie in b.v.
een InGaAsP-laag om zo een p-n-junctie te vormen.
8104600
Claims (3)
1. Halfgeleiderfotodiode omvattende een substraat van een eerste geleidbaarheidstype, een laag eerste halfgeleidermateriaal die geplaatst is op en in rooster is aangepast aan bet. substraat en van een eerste geleidbaarheidstype is; en een tweede halfgeleidermate-5 riaal, met daarin een p-n-junctie, die geplaatst is op en in roos ter is aangepast aan de laag van het eerste materiaal, met het kenmerk, dat de bandafstand van het tweede halfgeleidermateriaal (lU, 16) groter is dan de bandafstand van het eerste halfgeleidermateriaal (12).
2. Fotodiode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het tweede halfgeleidermateriaal de vorm heeft van een eerste laag (l^) van een eerste geleidbaarheidstype en een tweede laag (l6) welke daarop geplaatst is en van een tegengesteld geleidbaarheidstype is. 15 3· Fotodiode volgens een der voorgaande'conclusies, met het kenmerk, dat de laag van het eerste halfgeleidermateriaal (12) en dat gedeelte van het tweede halfgeleidermateriaal dat van het eerste geleidbaarheidstype is (lU) doopniveaus hebben welke niet groter zijn dan 10 /cm.
20 U. Fotodiode volgens een der voorgaande conclusies, waarin het substraat bestaat uit InP, met het kenmerk, dat het eerste halfgeleidermateriaal InGaAs en het tweede halfgeleidermateriaal InGaAsP is. 8104600
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/195,333 US4390889A (en) | 1980-10-09 | 1980-10-09 | Photodiode having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction |
| US19533380 | 1980-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8104600A true NL8104600A (nl) | 1982-05-03 |
| NL188125C NL188125C (nl) | 1992-04-01 |
Family
ID=22721014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE8104600,A NL188125C (nl) | 1980-10-09 | 1981-10-08 | Halfgeleiderfotodiode. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4390889A (nl) |
| JP (1) | JPS5792878A (nl) |
| DE (1) | DE3139351A1 (nl) |
| FR (1) | FR2492168B1 (nl) |
| GB (1) | GB2085655B (nl) |
| NL (1) | NL188125C (nl) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861679A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 量子井戸層付アバランシ・ホトダイオ−ド |
| US4476477A (en) * | 1982-02-23 | 1984-10-09 | At&T Bell Laboratories | Graded bandgap multilayer avalanche photodetector with energy step backs |
| JPS5984589A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Fujitsu Ltd | アバランシフオトダイオード |
| FR2592217B1 (fr) * | 1985-12-20 | 1988-02-05 | Thomson Csf | Photocathode a amplification interne |
| US4839706A (en) * | 1986-08-07 | 1989-06-13 | Polaroid Corporation | Avalanche photodetector |
| US4761680A (en) * | 1986-09-29 | 1988-08-02 | General Electric Company | Photodetector |
| US4751555A (en) * | 1987-05-11 | 1988-06-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Semiconductor heterointerface optical waveguide |
| US4857982A (en) * | 1988-01-06 | 1989-08-15 | University Of Southern California | Avalanche photodiode with floating guard ring |
| US4887138A (en) * | 1988-03-23 | 1989-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secetary Of The Air Force | P-I-N photodetector having a burried junction |
| US5121181A (en) * | 1989-01-31 | 1992-06-09 | International Business Machines Corporation | Resonant tunneling photodetector for long wavelength applications |
| US5115294A (en) * | 1989-06-29 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Optoelectronic integrated circuit |
| GB0030204D0 (en) | 2000-12-12 | 2001-01-24 | Secr Defence | Reduced noise semiconductor photodetector |
| FR2879818B1 (fr) * | 2004-12-17 | 2007-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur a semi-conducteur, dispositif de detection multi-spectrale d'un rayonnement electromagnetique mettant en oeuvre un tel photodetecteur, et procede de mise en oeuvre d'un tel dispositif |
| US7368762B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-05-06 | Teledyne Licensing, Llc | Heterojunction photodiode |
| US7612340B2 (en) * | 2005-08-03 | 2009-11-03 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Method of operating an avalanche photodiode for reducing gain normalized dark current |
| US8436443B2 (en) * | 2006-09-29 | 2013-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside depletion for backside illuminated image sensors |
| US8334550B1 (en) | 2011-06-09 | 2012-12-18 | Northrop Grumman Systems Corporation | Unipolar diode with low turn-on voltage |
| DE102021118816A1 (de) | 2021-07-21 | 2023-01-26 | Universität Siegen, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Optisches Bauelement |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3995303A (en) * | 1975-06-05 | 1976-11-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Growth and operation of a step-graded ternary III-V heterojunction p-n diode photodetector |
| JPS5416196A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-06 | Nec Corp | Hetero junction avalanche photo diode |
| FR2408915A1 (fr) * | 1977-11-10 | 1979-06-08 | Thomson Csf | Photodiode a heterojonction, fonctionnant en avalanche sous une faible tension de polarisation |
| US4323911A (en) * | 1978-12-14 | 1982-04-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Demultiplexing photodetectors |
| JPS55124278A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Avalanche photodiode |
-
1980
- 1980-10-09 US US06/195,333 patent/US4390889A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-10-02 DE DE19813139351 patent/DE3139351A1/de active Granted
- 1981-10-05 GB GB8129977A patent/GB2085655B/en not_active Expired
- 1981-10-05 FR FR8118699A patent/FR2492168B1/fr not_active Expired
- 1981-10-08 NL NLAANVRAGE8104600,A patent/NL188125C/nl not_active IP Right Cessation
- 1981-10-09 JP JP56160352A patent/JPS5792878A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL188125C (nl) | 1992-04-01 |
| GB2085655A (en) | 1982-04-28 |
| FR2492168B1 (fr) | 1986-01-24 |
| JPS5792878A (en) | 1982-06-09 |
| US4390889A (en) | 1983-06-28 |
| DE3139351A1 (de) | 1982-09-02 |
| FR2492168A1 (fr) | 1982-04-16 |
| GB2085655B (en) | 1984-09-12 |
| DE3139351C2 (nl) | 1991-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8104600A (nl) | Halfgeleiderfotodiode. | |
| Shimizu et al. | InP-InGaAs uni-traveling-carrier photodiode with improved 3-dB bandwidth of over 150 GHz | |
| US6074892A (en) | Semiconductor hetero-interface photodetector | |
| EP0675549B1 (en) | Superlattice avalanche photodiode | |
| Lenox et al. | Thin multiplication region InAlAs homojunction avalanche photodiodes | |
| US6147391A (en) | Semiconductor hetero-interface photodetector | |
| JPH0338887A (ja) | 半導体受光素子 | |
| WO2011098797A2 (en) | Opto-electronic device | |
| JPS62259481A (ja) | 半導体受光装置 | |
| Ando et al. | InGaAs/InP separated absorption and multiplication regions avalanche photodiode using liquid-and vapor-phase epitaxies | |
| JP2000323746A (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
| Bandyopadhyay et al. | Photodetectors for optical fiber communications | |
| JPH038117B2 (nl) | ||
| JP2002231992A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR950014288B1 (ko) | 수광소자 | |
| JPH08274366A (ja) | 半導体受光素子 | |
| Susa et al. | Planar type vapor-phase epitaxial In 0.53 Ga 0.47 As photodiode | |
| Budianu et al. | Heterostructures on InP substrate for high-speed detection devices over a large spectral range (0.8–1.6 μm) | |
| JP7433540B1 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPH0437591B2 (nl) | ||
| DE102007006211B3 (de) | Heteroübergang-pin-Photodiode und deren Verwendung | |
| Yeats | Long Wavelength Detectors For Optical Fiber Communications | |
| JPH0265279A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2995751B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS63142683A (ja) | アバランシエホトダイオ−ド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20010501 |