NL7905543A - Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen. - Google Patents

Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen. Download PDF

Info

Publication number
NL7905543A
NL7905543A NL7905543A NL7905543A NL7905543A NL 7905543 A NL7905543 A NL 7905543A NL 7905543 A NL7905543 A NL 7905543A NL 7905543 A NL7905543 A NL 7905543A NL 7905543 A NL7905543 A NL 7905543A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor
meandering
path
parallel
current
Prior art date
Application number
NL7905543A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7905543A priority Critical patent/NL7905543A/nl
Priority to US06/166,509 priority patent/US4349893A/en
Priority to GB8022959A priority patent/GB2057211B/en
Priority to DE19803026716 priority patent/DE3026716A1/de
Priority to FR8015642A priority patent/FR2461998A1/fr
Priority to JP9814180A priority patent/JPS5616990A/ja
Publication of NL7905543A publication Critical patent/NL7905543A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0841Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Electrotherapy Devices (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

‘ s* PHN 9531 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen".
ACHTERGROND VAN DE UITVINDING
De uitvinding betreft een inrichting voor het opslaan van digitale informatie in de vorm van magnetische 5 domeinen in een magnetiseerbare laag onder besturing van een dwars op de laag staand hoofdmagneetveld, verder bevattende aandrijfmiddelen in de vorm van tenminste één, door een periodieke elektrische stroom aandrijfbare, tenminste gedeeltelijk meandervormige, op genoemde laag aangebrachte 10 stroomgeleider waardoor een langs het meandervormige deel daarvan gelegen baan voor de magnetische domeinen is bepaald. Zulk een inrichting is bekend uit de Nederlandse Octrooiaanvrage 7608861 (PHN 8488) en de daarmee in hoofdzaak overeenkomstige Amerikaanse Octrooiaanvrage Ser.
4157591 15 754962, thans Octrooi ]_ , bijvoorbeeld Fig. 8. De bekende inrichting bevat een gemengd aandrijfmechanisme, namelijk gedeeltelijk middels een periodieke elektrische stroom in een meandervormige geleider, en voorts middels een in het vlak van de plaat van magnetiseerbaar materiaal roterend 20 magneetveld, en wel langs een baan die bepaald wordt door reeksen van I-, T—, en Y-vormige elementen van pemalloy.
Zoals in genoemde litteratuurplaats is beschreven hebben beide aandrijfmechanismes hun voordelen. Voor lage bit-frekwenties is aandrijfving met een draaiveld zeer aan-25 trekkelijk. Voor hoge bit frekwenties is aandrijving met een draaimagneetveld niet meer mogelijk, en is men op stroomgestuurde aandrijving aangewezen. Het is daarbij echter een nadeel dat de dissipatie dan ook hoog is. Dit geldt zeer sterk voor geheel ieel georganiseerde ge- 30 heugens met een grote opslagkapaciteit die geheel met stroomaandrijving werken,
SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
790 55 43 V . i PHN 9531 2
Het is een doelstelling van de uitvinding om voor een geheugen dat door meandergeleiders wordt bekrachtigd een verlaging van de benodigde dissipatie te realiseren en dat zonder dat twee verschillende aandrijfmechanis-5 mes nodig zijn, en daarbij tevens door parallel-technieken een hoge opslagdichtheid (informatie per oppervlak) te realiseren. De uitvinding realiseert de doelstellingen door dat hij het kenmerk heeft dat genoemde, elektrisch enkelvoudig samenhangende stroomgeleider tenminste bevat eerste 10 en tweede parallel verlopende meandertrajekten en voorts een dwars daarop staand derde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de magnetische domeinen vormt, en dat voor een omzetting tussen seriële en parallelaandrijving 15 van de domeinen genoemde eerste en tweede meandertrajekten op het derde geleidertrajekt zijn aangesloten doordat een eerste en tweede lus van het derde geleidertrajekt mede, als eindlus, deel uitmaken van een genoemde eerste, respek-tievelijk tweede meandertrajekt. Als een domein zich in zo’n 20 eindlus bevindt kan het door op zichzelf bekende bekrachtiging van een van beide geleidertrajekten, waarvan de desbetreffende lus deel uitmaakt, worden afgevoerd. Het aanvoeren naar deze lus kan op overeenkomstige manier gebeuren. Het derde geleidertrajekt kan in de praktijk een 25 meandertrajekt zijn dat voor een stroombron seriëel geschakeld is.
Het is aan de andere kant mogelijk dat dit geleidertrajekt alleen Voor de domeinen als meandertrajekt werkt en voor de stroombron als een groot aantal parallel geschakelde 30 geleider lussen zoals nader zal worden besproken.
Het is gunstig als genoemde stroomgeleider voorfa bevat een met het derde geleidertrajekt parallel verlopend vierde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de 35 magnetische domeinen vormt, en dat voor een voorbijgaande, parallel georganiseerde opslag in genoemd eerste en tweede meandertrajekt laatstgenoemden op het vierde .geleidertra-—--j.ek.t zijn aangesloten doordat een derde en vierde lus—vaa_ 790 55 43 *· * ΡΗΝ 9531 3 het vierde geleidertrajekt, als verdere eindlus, deel uit-maken van genoemd eerste, respektievelijk tweede meander-trajekt. Zo zijn eerste en tweede, parallelverlopende, meandertrajekten, door het derde, respektievelijk vierde 5 geleidertrajekt aan beide zijden afgesloten. Het blijkt dat de opslag, respektievelijk de aandrijving van de domeinen op het eerste en tweede meandertrajekt slechts zeer weinig energie kost doordat ze, hoewel ze een relatief groot deel van de totale opslagkapaciteit vertegenwoordi-10 gen, slechts in een klein deel van het aantal perioden van de stroom in de geleider ook werkelijk bekrachtigd worden (de duty cycle is laag).
VERDERE ASPEKTEN VAN DE UITVINDING-.
15
Elk van de respektievelijke meandertrajekten kan bekrachtigd worden middels zijn eigen, separaat naar buiten uit te voeren uiteinden. Het is evenwel gunstig als tenminste genoemd derde geleidertrajekt een derde me-20 andertrajekt vormt, en dat genoemde eindlussen telkens via een weerstand zijn aangesloten op een voor eerste en tweede meandertrajekt gemeenschappelijke stroomaansluiting op genoemde magnetiseerbare laag. Zo vormt genoemde gemeenschappelijke stroomaansluiting ten opzichte van het derde 25 geleidertrajekt geen kortsluiting, terwijl toch een geheel in één bedradingslaag liggende opzet aangehouden kan worden.
Het is gunstig als genoemd derde geleidertrajekt bevat een aantal, elk tenminste één genoemde eindlus bevattende, subtrajekten met telkens een eerste deelaan-30 sluiting en een tweede deelaansluiting, en dat alle genoemde eerste deelaansluitingen onderling en tweede deelaan-sluitingen onderling op de plaat van magnetiseerbaar materiaal zijn doorverbonden, tot een afzonderlijke eerste, respektievelijke tweede hoofdaansluiting. Zo worden boven-35 genoemde weerstanden vermeden, en is de dissipatie lager.
De aansturing wordt dan iets gekompliceerder.
Het is gunstig als genoemd eerste en tweede me----andertrajekt tenminste over een eerste deel van hun length 7QARR /. 7 t' * PHN 9531 k eikaars spiegelbeeld vormen. In het gespiegelde gedeelte blijken de toleranties in de afmetingen der meanders ruimer te zijn, zodat bij de fabrikage minder fouten optreden. In de eerste plaats kunnen een naastliggende eerste en 5 tweede meandergeleider over hun gehele lengte gespiegeld zijn. Dan is echter de overdracht (transfer) met der&e, respektievelijk vierde geleidertrajekt niet steeds h itzelf— de, doordat ook de eindlussen gespiegeld zijn. Het is daarom gunstig als genoemde eerste en tweede meandertrajekt 10 over een tweede gedeelte van hun lengte, namelijk tussen genoemd eerste deel en telkens een eindlus van een paar aanpalend gelegen eindlussen, een verschillende periode-lengte bezitten, en dat genoemd paar eindlussen overeenkomstig gevormd is. Het niet-gespiegelde deel van eerste en 15 tweede meandergeleiders is relatief klein, waardoor de kans op defekten niet veel groter is. En door de gelijk-standigheid van de eindlussen is een volledig parallele overdracht van de domeinen mogelijk.
20 KORTE BESCHRIJVING VAN DE FIGUREN.
Fig. 1 geeft een eerste uitvoering van een inrichting volgens de uitvinding.
Fig. 2 geeft een tweede uitvoering van een in-25 richting volgens de uitvinding.
Fig. 3 geeft een derde uitvoering van een inrichting volgens de uitvinding.
Fig. k geeft uitvoeringsdetails bij Fig. 2.
Fig. 5 geeft een bekrachtigingsdiagram bij Fig.
30 4.
BESCHRIJVING VAN DE VOORKEURSUITVOERINGEN.
Fig. 1 geeft een eerste uitvoering van een in-35 richting volgens de uitvinding. De inrichting bevat in deze uitvoering zes meandertrajekten, respektievelijk lopend van positie 32 naar element en van element 38 naar ----element 40 (deze twee zijn de seriegeleiders) en voorts de 790 55 43 • » PHN 9531 5 meandertrajekten 24, 25, 28, 30 (dit zijn de parallelgelei-ders). De geleiders zijn bijvoorbeeld door sputteren op de plaat van magnetiseerbaar materiaal (ferrimagnetisch) aangebracht. Op de bouw van deze plaat wordt hier kortheids-5 halve niet verder ingegaan. Op zichzelf* is verder de techniek van genoemd aanbrengen bekend. De plaat van magnetisch materiaal kan domeinen bevatten welke in stand worden gehouden door een hoofd- of achtergrond-magneetveld, bijvoorbeeld van een permanente magneet. Soms is een statische 10 veld komponent in het vlak van de plaat aanwezig. Dit betekent dan dat het achtergrond (bias) magneetveld niet precies loodrecht staat. De meandertrajekten 24, 26, 28, 30 zijn middels de weerstanden 42 tot en met 56 aangesloten op de bondflappen 20, 22. Deze weerstanden kunnen op beken-15 de manier, bijvoorbeeld met zogenaamde "dunne film" techniek zijn aangebracht. De bondflappen zelf kunnen nog een specifieke plaats bevatten voor het solderen (bonden) van een stroomgeleider, bijvoorbeeld doordat zo'n plaats is verbreed, verdikt, of van een goudbedekking is voorzien.
20 Op overeenkomstige manier zijn de .seriegeleiders al dan niet te samen aan.niet-getekende bondflappen aangesloten.
Op plaatsen waar een seriegeleider en een parallelgeleider elkaar kruisen zijn ze op elkaar aangesloten. Zo maakt het geleiderstuk tussen de punten 72 en 74 zowel deel uit 25 van de bovenste seriegeleider, als van de parallelgeleider 26. Element 38 is een op zich bekende domeingenerator die door niet-getekende stroom-aansluitingen bekrachtigd kan worden. De geproduceerde domeinen worden door een periodieke stroom in de onderste seriegeleider aangedreven 30 in de richting van element 40. Als een domein in de lus 60 aanwezig is en door een stroom in de seriegeleider wordt het hoofdmagneetveld in lus 62 verlaagd, dan zal het be- ^ treffende domein naar lus 62 gaan, onder meer omdat door deze zelfde stroom het hoofdmagneetveld in lus 60 wordt 35 verhoogd. Het domein gaat niet naar lus 58 omdat er door niet aangegeven elementen van permalloy een voorkeur is voor de ene aandrijfrichting. Dergelijke elementen bepa--len. voorts langs de gehele meandergeleiders in elke halvp 79055 43 ψ % ΡΗΝ 9531 6 periode weer een voor-keursrichting voor de aandrijving. Zulke elementen kunnen op allerlei manieren zijn gevormd, bijvoorbeeld ook met ionenimplantatie, hoogteverschillen in de plaat van magnetisch materiaal en andere realisaties.
5 Dit wordt nader besproken bij Fig. k. Element kO is een r domeinannihilator, en als er geen verdere besturing plaatsvindt worden de domeinen uitei ^ideli jk daarheen aangedreven. Door in een bepaalde periode van de periodieke stroom in de onderste seriegeleider de domeingenerator 38 al dan niet 10 te bekrachtigen wordt in een stroom informatie een domein gegenereerd (l) dan wel geen domein gegenereerd (o). Als een domein aanwezig is in lus 62 en de parallelgeleider 26 wordt zo bekrachtigd dat in de lus 66 het hoofdmagneetveld wordt verlaagd, dan beweegt het betreffende domein ^ 15 zich naar deze lus 66. Op dezelfde manier als de seriegeleider zijn ook de parallelgeleiders van kleine stukken permalloy voorzien om aan de aandrijving van de domeinen een voorkeursrichting te geven. Het is dus duidelijk dat alle 'a o - domeinen in de parallele meandertrajekten worden overge— 20 men als na elke vier perioden van bekrachtiging van de seriegeleiders er steeds één periode volgt van bekrachtiging van de parallelgeleiders. Daardoor is de totale dis-sipatie in de aandrijfstruktuur volgens Fig, 1 relatief laag. Het is in het algemeen gebleken dat bij relatief lage 25 aandrijffrekwentie de dissipatie per periode van de aandrijving ongeveer konstant is: er moeten bepaalde minimumwaarden overschreden worden in de duur en de hoogte van de stroompulsen in de meandergeleiders (een voorbeeld van het stroomverloop is bij Fig. 5 getoond). Boven een bepaal-30 de kritische frekwentie (bij domeinen van h mikron doorsnede ligt deze frekwentie dikwijls in de buurt van 1MHz) neemt de dissipatie per periode snel toe, zodat men dat gebied veelal vermijdt. Stel dat er m parallele meandertra-jekten zijn die' elk p perioden van de geleiders bevatten, 35 terwijl ze telkens over één periode versprongen op de seriegeleider zijn aangesloten. De opslagkapaciteit is dan mxp bits. Afwisselend wordt er dan gedissipeerd: eerst -m—perioden van m eenheidsdissipaties voor de serie geleider^ 790 5 5 43 PHN 9531 7 dan 1 periode van mxp eenheidsdissipaties in de parallel-geleider. De totale dissipatie is voor de opslag van m bits dan dus: m (m+p) eenheidsdissipaties, dus voor 1 bit: (m+p) eenheidsdissipaties. Dit neemt dus minder snel toe 5 dan lineair met de opslagkapaciteit van de inrichting als m en p onderling niet te veel verschillen. Veelal zullen ze ongeveer gelijk gekozen worden. Hierbij is verwaarloosd de dissipatie in de tweede seriegeleider, in de gedeelten van de seriegeleiders die niet aan de parallelgeleiders 10 zijn aangesloten, en in de weerstanden 42 tot en met §6,
De bovengenoemde gemiddelde dissipatie nodig voor de opslag van één informatiebit kan worden vergeleken met de energie welke nodig is bij een geheel seriëel georganiseerd, volledig uit een meandergeleider opgebouwd domeingeheugen. Bij 15 een kapaciteit van (mxp) bits zijn er voor de opslag van elke bit opnieuw (mp) eenheidsdissipaties nodig. Het beschreven geheugen is iets minder snel werkend dan het geheel serieel georganiseerde geheugen. Dit scheelt een faktor m:(m+l), hetgeen in de praktijk zeer dicht bij één 20 zal liggen. Als de domeinen na een aantal aandrijfperioden in de parallelgeleiders 24-30 de bovenste seriegeleider bereiken kunnen ze door een periodieke stroom daarin worden afgevoerd naar element 3^·· Element 34 is een opzichzelf bekende domeindetektor annex domeinannihilator. De aanslui— 25 tingen voor voedingsstromen en uitgangssignalen aan element 34 zijn kortheidshalve niet aangegeven. Aan het andere uiteinde van de bovenste seriegeleider is bij de indikatie 32 een niet aangegeven bondflap aanwezig. Eventueel kunnen de stroomaansluitingen van de bovenste en onderste serie-30 geleiders onderling doorverbonden zijn als daardoor geen kortsluiting ontstaat voor de stromen in de parallelgeleiders. Een tegenmaatregel is dan te vinden in met de weerstanden 42-56 (zie hierna) overeenkomstige elementen.
De seriegeleiders en parallelgeleiders zijn alle onderling 35 galvanisch doorverbonden, zo bijvoorbeeld door de aansluitingen 70 t/m 78. Dit heeft het voordeel dat alle meander-geleiders in een enkele bedradingslaag kunnen liggen. Daar-___„door is bij de vervaardiging een klein aantal fabricage- 78055 43 PHN 9531 8 stappen reeds voldoende. Aan de andere kant mogen de laag-ohmige bondflappen 20, 22 geen kortsluiting vormen tijdens het bekrachtigen van de seriegeleiders. Dit wordt bewerkstelligd door de weerstanden 42 tot en met 56. De waarde 5 van deze weerstanden moet zo groot zijn dat het stroomver-lies dóór de bondflap .verwaarloosbaar is ten opzichte van de stro*m in de seriegeleider. Aan de andere kant mogen deze weerstanden niet zo groot zijn dat de dissipatie daarin te groot wordt. Een aanvaardbaar kompromis is vaak be-10 reikt als de weerstand van één parallelgeleider ongeveer gelijk is aan de som van de daarmee in serie geschakelde twee weerstanden. Er zijn daarbij dan bijvoorbeeld 32 pa-rallelgeleiders elk *}2 perioden van de me anders truktuur.
De dissipatie per toegevoerde bit is dan verdubbeld tot 15 ongeveer (2m+2p) omdat ook de tweede seriegeleider een bijdrage levert (m) en de weerstanden evenveel als de parallelgeleiders (p). Daarbij zijn de aanvoer- en afvoer-stukken van de seriegeleiders verwaarloosd. Dit is minder dan de waarde (mxp) voor een serieel geheugen van dezelfde 20 grootte. Een andere oplossing is nog de volgende. Xn plaats van elk van de weerstanden 42 t/m 48 is eenzelfde parallel geleider aanwezig als de parallelgeleiders 24 t/m 30. VerT der is de seriegeleider tussen 32 en 3^· dubbel uitgevoerd, en wel éénmaal geschikt voor het afvoeren en detekteren van 25 de domeinen, zoals getekend, en een maal op de wijze van de onderste seriegeleider in Pig. 1 voor het genereren en koderen van informatie. Dan is de bitfrekwentie voor het toevoeren en afvoeren verhoogd. En verder is de bijdrage in de dissipatie welke afkomstig is van de weerstanden 30 42 t/m 56, nu gehalveerd. Voor de door—verbonden seriege leiders moeten ook isolerende serieweerstanden aanwezig zijn waarvoor overeenkomstige overwegingen gelden als voor de parallelgeleiders.
Pig. 2 geeft een tweede uitvoering van een in-35 richting volgens de uitvinding. De eerder genoemde weerstanden zijn nu vermeden, maar nu is de extra maatregel getroffen dat er vier bondflappen voor de parallelgeleiders --aanwezig zijn. Er zijn weer vier parallelgeleiders 1Q.Q-,_ 790 55 43 PHN 9531 9 102, 1θ4, 1θ6. Rechts is er een onderste bondflap 108 die geheel is aangegeven. Daarop is aangebracht een niet-aan-gegeven isolerende laag. Deze bevat voor elke periode van de seriegeleider een opening (bijvoorbeeld 112), waardoor-5 heen een geleidende verbinding aanwezig is naar de bovenste geleider-laag annex bovenste bondflap (110). Deze laatste is afgebroken getekend. Waar de bovenste geleiderlaag de onderste bondflap afdekt is laatstgenoemde getekend met een onderbroken lijn. In deze uitvoering zijn de domein-10 generator, de domeindetektor, en de domeinannihilator(s) niet aangegeven. Het bekrachtigen van de parallelgeleiders gebeurt door een stroomgenerator aan te sluiten op de bond-flappen 110, 116. De bondflappen 108, 114 blijven dan zwevend. Als de rechtse seriegeleider moet worden bekrachtigd 15 wordt tussen de beide bondflappen 108 en 110 een wissel-stroomgenerator aangesloten. In een eerste halve periode van deze wisselstroom wordt bijvoorbeeld in het gearceerd getekende gebied 118 het hoofdmagneetveld verzwakt doordat de stroom een "U"-vormige weg volgt in de bovenste bedra-20 dingslaag. De stromen in de twee geleidersporen langsheen het andersom gearceerde gebied 120 zijn dan juist zo gericht dat daar het hoofdmagneetveld wordt versterkt. In de volgende halve periode is de stroomrichting omgekeerd en wordt het hoofdmagneetveld dus juist in het gearceerd getekende 25 gebied 120 verzwakt. De aandrijving vindt weer· plaats middels niet-aangegeven kleine elementen van permalloy. De linkerhelft van de inrichting is analoog gekonstrueerd.
Op overeenkomstige manier is het mogelijk dat de bondflappen 108 en 114 juist de bovenste bedradingslaag vormen.
30 In het algemeen is het voordelig wanneer de meandergelei-ders dicht op de laag van magnetiseerbaar materiaal gelegen zijn, omdat dan de dissipatie lager kan zijn. In dat geval is de konstruktie van het doorverbindingsgaït ook iets anders, maar op zichzelf is die konstruktie bekend. Het 35 voordeel de opzet van Fig. 2 is dat geen isolerende weerstanden nodig zijn voor de parallelgeleiders. Het is op zichzelf geen technologisch probleem om zulke weerstanden --te—maken; een soortelijke weerstand die twintig maal_zo__— 790 55 43 PHN 9531 10 hoog is als die van het materiaal van de geleiders is goed haalbaar (de weerstand van 1 periode van deze geleiders ligt in de orde van 1 ohm). Maar de dissipatie per oppervlak is daar dan veel groter, zodat aanzienlijke gradiënten 5 in de temperatuur kunnen optreden.
Het kan in de opzet van Fig. 2 in bepaalde gevallen voorkomen dat de weerstand van de parallelgeschakelde lussen van de seriegeleiders te laag is voor een goede aanpassing aan de stroomgenerator daarvoor. In dat geval kan 10 bijvoorbeeld een scheiding gemaakt worden in de bondflap-pen 108, 110, terwijl telkens een helft van elk der beide flappen is doorverbonden met de daarmee niet overeenkomstige van de de andere (dus bijvoorbeeld de onderste helft van 108 met de bovenste helft van 110). De niet verbonden 15 helften vormen dan de aansluitingen. In sommige gevallen zijn dan weer, evenwel minder, isolerende weerstanden nodig omdat nog steeds alle parallel-geleiders een gemeenschappelijke aansluiting bezitten. Dit kan een gunstige tussenvorm tussen Fig. 1 en Fig . 2 leveren.
20 Fig. 3 geeft een derde uitvoering van een in richting volgens de uitvinding. Er zijn getoond vier pa-rallelgeleiders 130 t/m 136 en één seriegeleider 138 (de andere is eenvoudshalve weggelaten). De seriegeleider is verdeeld in deeltrajekten van alle overeenkomstige vorm, 25 waarvan de spoed overeenkomt met twee perioden van de me— andergeleider. Bij positie 14θ is getekend een doorverbinding tussen bovenste en onderste bedradingslaag. Bij een domeindiameter van 1 mikron is de langsperiode van alle meandergeleiders gelijk aan vier mikron. Voor de doorver-30 binding bevat de bedradingslaag van de parallelgeleiders (zij bijvoorbeeld bij 142) aansluitstukken van 3^3 mikron. Bij een minimum detail in de bedrading van 1 mikron is hiervoor Igen uitsparing in deze zelfde laag ( de onderste in dit geval) van 4x5 mikron. Bij 140 is in gebroken lijnen 35 aangegeven het genoemde aansluitstuk en de bijbehorende uitsparing. In stippellijnen is ter plaatse als een vierkant van 2x2 mikron aangegeven het gat in de isolerende _tussenlaag tussen de bovenste en de onderste bedradjngs- 790 5 5 43 PHN 9531 Tt laag. De bovenste bedradingslaag wordt bijvoorbeeld begrensd door de lijn 146 en strekt zich in de figuur naar onderen uit. De verdere grenzen van deze bedradingslaag zijn niet aangegeven. Door een spanning tussen bovenste en onderste 5 bedradingslaag worden dan telkens vrijwel twee perioden van de seriegeleider bekrachtigd, met als gevolg een hogere impedantie in vergelijking tot Fig. 2. Door de vergrote periodiciteit van de aansluiting van de seriegeleider is voor zo’n aansluiting nu ook meer ruimte beschikbaar. Het is een 10 klein nadeel dat bij het bekrachtigen van de parallelgelei-ders een kleine asymmetrie in de bekrachtiging optreedt.
In dat geval wordt de bondflap 144 bekrachtigd. Mede door het stuk bij 148 hebben de parallelgeleiders 134 en 136 nu niet precies dezelfde impedantie. Bovendien is bij bekrach-15 tiging de kringstroom om de lus bij 149 groter dan die bij 148. In bepaalde gevallen kan dit een versmald tolerantiegebied voor het hoofdmagneetveld opleveren. Genoemde asym-metrieén worden groter als de deeltrajekten meer perioden bevatten dan in Fig. 3 is getoond.
20 Een verder verschil tussen Fig. 3 en de voorgaan de is dat de parallelgeleiders 130 en 134 over een deel van hun lengte een periode bezitten die 10% groter is dan die van de andere twee, zodat ze boven positie 144 onderling in tegenfase zijn. Bij 146 is in onderbroken lijnen de "norma-25 ie” toestand weergegeven. Als de parallelgeleiders worden bekrachtigd, zijn de stromen aan weerszijden van de onderbroken lijnen gelijkgericht. Bovendien staat tussen de betreffende gebieden geen spanningsverschil. Weliswaar bevat het onderste gebied van bijvoorbeeld parallelgeleider 136 30 een halve periode meer, maar door de grotere lengte hebben de perioden van bijvoorbeeld parallelgeleider 13^· op zich een grotere weerstand. Van deze eigenschap is gebruik gemaakt door de tussenruimte tussen aanpalende parallelgeleiders ook met geleidermateriaal op te vullen, 35 zodat een eenvoudiger detaillering resulteert. Daardoor zullen bij de fabricage minder frouten optreden. Deze eaa· voudiger detaillering geldt voor een relatief groot deel ---van, de struktuur. Bij een lengte van de parallelgeleiders___ 790 5 5 43 PHN 9531 12 van 32 perioden is de ngatenplaat" over 20 perioden aanwezig. Het is duidelijk dat aan de bovenzijde van de struk-tuur dan weer een overgangsgebied met verspringende perioden aanwezig is om een juiste aansluiting op de seriegelei-5 der te krijgen. Aan de andere kant kunnen de parallelge-leiders ook over hun gehele lengte gespiegeld zijn, maar dan zijn niet alle overneem-mechanismes tussen de serie-en parallelaandrijving gelijk.
Fig. 4 geeft nadere details bij het uitvoerings-voorbeeld van Fig.- 2. De figuur geeft een bovenaanzicht van de voortplantingsstruktuur. Als gearceerde gedeelten zijn aangegeven kleine elementen vanrpermalloy om bij afwezigheid van stroombekrachtiging permanente voorkeursposities voor de domeinen te creëren. De dikte van het per-10 malloy is evenals die van de geleiderlaag voor domeinen met een diameter van 1 mikron, ongeveer 0,2 - 0,4 mikron. Op zichzelf zijn andere technieken bekend voor het kreëren van zulke voorkeursposities, bijvoorbeeld met ionenimplantatie. Ongearceerd zijn aangegeven de meandergeleiders. Op bepaal-20 de plaatsen, bijvoorbeeld bij positie 150 steken permalloy elementen uit buiten de geleiderbaan ter plaatse. De stroom-aansluitingen hebben de vorm van Fig. 2 (enkelvoudige lus-sen in de seriegeleiders). De richting van het hoofdmagneetveld is naar bovengericht zoals bij indikatie 152 is.
25 aangegeven. Voorts is er een kleine veldkomponent in het vlak van de plaat ter grootte van ongeveer 15°/o van de sterkte van het hoofdmagneetveld. De richting daarvan is bij' indikatie 154 aangegeven. In bepaalde gevallen is dit in-vlaks- (in-plane) veld niet nodig. Fenvoudigshalve zijn 30 domeingenerators , annihilators, detektors, bondflappen en dergelijke weggelaten. In dit verband geeft Fig. 5 een bekrachtigingsdiagram bij Fig. 4, en wel op de bovenste regel de stromen door de seriegeleiders en op de onderste regel de stromen door de parallelgeleiders. Verder is een aantal domeinposities (met de domeinen telkens op schaal) aangegeven. De cijfers bij de domeinposities refereren aan punten op de tijdsas in Fig. 5. Door een positieve -s-froompuls i1 (volgens de pijlen) in de seriegeleidex--- 790 5 5 43 PHN 9531 13 wordt het hoofdmagneetveld ter plaatse van indikatie 156 verzwakt. Na het einde van zo'n stroompuls ontstaat door de invloed van de veldkomponent volgens pijl 154 op het permalloy een voorkeurspositie bij 112”. Door een daarop-5 volgende negatieve stroompuls in de seriegeleider wordt het hoofdveld bij 158 verzwakt en is daarna een.voorkeurspositie bij "1". Na weer een positieve stroompuls is positie 160 ("2") bereikt. Dan wordt een positieve puls van met de eerder genoemde pulsen in de seriegeleider vergelijkbare 10 duur en amplitude (162) gegeven op de parallelgeleiders, waardoor het hoofdmagneetveld bij indikatie 164 wordt versterkt, en bij indikatie wordt verzwakt, met name direkt aan de rand van het in de figuur horizontaal verlopend gedeelte van de geleider. Na het einde van deze stroompuls 15 is het domein dan aldaar op de positie "3" aanwezig. Door een direkt daarop volgende negatieve (tegen de getekende pijlrichting in) stroompuls in de parallelgeleiders wordt het veld bij indikatie 164 verzwakt en is daarna het domein bij indikatie ”4" aanwezig. Na weer een positieve 20 stroompuls is het domein een halve periode verder op positie "5” aanwezig. Als een domein na een laatste positieve puls in de parallelgeleiders aan het boveneinde daarvan op een positie 5 is aangekomen is opnieuw overname in de seriegeleider mogelijk. Door een negatieve puls in de serie-25 geleider wordt het hoofdveld bij indikatie 168 verzwakt en is een voorkeurspositie bij "1”. Na een positieve stroompuls in de seriegeleider is er daarna een voorkeurspositie bij "2" (dit is weer overeenkomstig met een "5"-positie).
De twee seriegeleiders kunnen weer tesamen worden bekrach-30 tigd.
35 --79 0 45Ύ3

Claims (6)

1. Inrichting voor het opslaan van digitale informatie in de vorm van magnetische domeinen in een magneti- 5 seerbare laag onder besturing van een dwars op de laag staand hoofdmagneetveld, verder bevattende aandrijfmiddelen in de vorm van tenminste één, door een periodieke elektrische stroom aandrijfbare, tenminste gedeeltelijk meandervormige, op genoemde laag aangebrachte stroomgeleider 10 waardoor een langs het meandervormige deel daarvan gelegen baan voor de magnetische domeinen is bepaald, met het kenmerk, dat genoemde, elektrische enkelvoudig samenhangende stroomgeleider tenminste bevat eerste en tweede parallel verlopende meandertrajekten en voorts een dwars daarop 15 staand derde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de magnetische domeinen vormt, en dat voor een omzetting tussen seriële en parallel'aandrijving van de domeinen genoemde eerste en tweede meandertrajekten op het derde ge-20 leidertrajekt zijn aangesloten doordat een eerste en tweede lus van het derde geleidertrajekt mede, als eindlus, deel uitmaken van genoemde eerste. , respektievelijk tweede meandertra jekt .
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, 25 dat genoemde stroomgeleider voorts bevat een met hét derde geleidertrajekt parallel verlopend vierde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de magnetische domeinen vormt, en dat voor een voorbijgaande, parallel georgani-30 seerde opslag in genoemd eerste en tweede meandertrajekt laatstgenoemden op het vierde geleidertrajekt zijn aangesloten doordat een derde en vierde lus van het vierde geleidertra jekt, als verdere eindlus, deel uitmaken van genoemd eerste, respektievelijk tweede meandertrajekt.
3. Inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat tenminste genoemd derde geleidertrajekt een derde meandertrajekt vormt, en dat genoemde eindlussen tel--ke-ns via een weerstand zijn aangesloten op een voor -e-ers-te - 790 5 5 43 PHN 9531 15 en tweede meandertrajekt gemeenschappelijke stroomaanslui-ting op genoemde magnetiseerbare laag.
4. Inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat genoemd derde geleidertrajekt bevat een aantal, 5 elk tenminste een genoemde eindlus bevattende, subtrajekten met telkens een eerste deelaansluiting en een tweede deel-aansluiting, en dat alle genoemde eerste deelaansluitingen onderling en tweede deelaansluitingen onderling op de plaat van magnetiseerbaar materiaal zijn doorverbonden tot een 10 afzonderlijke eerste, respektievelijke tweede hoofdaansluiting.
5. Inrichting volgens één der conclusies 1 t/m 4, met het kenmerk, dat genoemd eerste en tweede meandertra-jekt tenminste over een eerste deel van hun lengte eikaars 15 spiegelbeeld vormen.
6. Inrichting volgens conclusie 5» met het kenmerk dat genoemde eerste en tweede meandertrajekt over een tweede gedeelte van hun lengte, namelijk tussen genoemd eerste deel en telkens een eindlus van een paar aanpalend gelegen 20 eindlussen, een verschillende periodelengte bezitten, en dat genoemd paar eindlussen overeenkomstig gevormd is. 25 30 79T55T3 35
NL7905543A 1979-07-17 1979-07-17 Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen. NL7905543A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7905543A NL7905543A (nl) 1979-07-17 1979-07-17 Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen.
US06/166,509 US4349893A (en) 1979-07-17 1980-07-07 Memory with current-controlled serial-to-parallel conversion of magnetic field domains
GB8022959A GB2057211B (en) 1979-07-17 1980-07-14 Memory with current-controlled serial-to-parallel conversion of magnetic field domains
DE19803026716 DE3026716A1 (de) 1979-07-17 1980-07-15 Speicher mit stromgesteuerter serien/ parallelumsetzung magnetischer blasendomaenen
FR8015642A FR2461998A1 (fr) 1979-07-17 1980-07-15 Memoire pour domaines magnetiques a conversion serie/parallele commandee par le courant
JP9814180A JPS5616990A (en) 1979-07-17 1980-07-17 Digital information recorder

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7905543A NL7905543A (nl) 1979-07-17 1979-07-17 Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen.
NL7905543 1979-07-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7905543A true NL7905543A (nl) 1981-01-20

Family

ID=19833551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7905543A NL7905543A (nl) 1979-07-17 1979-07-17 Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4349893A (nl)
JP (1) JPS5616990A (nl)
DE (1) DE3026716A1 (nl)
FR (1) FR2461998A1 (nl)
GB (1) GB2057211B (nl)
NL (1) NL7905543A (nl)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8102284A (nl) * 1981-05-11 1982-12-01 Philips Nv Stroombestuurd magnetisch domein geheugen.
NL8202365A (nl) * 1982-06-11 1984-01-02 Philips Nv Serie-parallel-serie schuifregistergeheugen, hetwelk redundante parallelgeschakelde opslagregisters bevat, en afbeeldtoestel, voorzien van een zodanig georganiseerd beeldgeheugen.
US7973134B2 (en) * 2004-07-07 2011-07-05 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in anaplastic large cell lymphoma signaling pathways
US7935790B2 (en) * 2004-10-04 2011-05-03 Cell Singaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in T-cell receptor signaling pathways
US7807789B2 (en) * 2004-12-21 2010-10-05 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in EGFR-signaling pathways
US20090099340A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in carcinoma signaling pathways
WO2007027906A2 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in leukemia signaling pathways
US20100151495A9 (en) * 2005-08-31 2010-06-17 Cell Signaling Technolgy, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in carcinoma signaling pathways
US20090298093A1 (en) * 2006-04-27 2009-12-03 Roberto Polakiewicz Reagents for the Detection of Protein Phosphorylation in ATM & ATR Kinase Signaling Pathways
US7939636B2 (en) * 2006-08-11 2011-05-10 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in c-Src signaling pathways
US20090258442A1 (en) * 2006-08-31 2009-10-15 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in carcinoma signaling pathways
US20090081659A1 (en) 2007-03-07 2009-03-26 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in carcinoma signaling pathways
EP1975184A3 (en) 2007-03-26 2008-11-26 Cell Signaling Technology, Inc. Serine or threonine phosphorylation sites
US20080238709A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Faramarz Vaziri One-way communication apparatus with dynamic key generation
US7977462B2 (en) 2007-04-19 2011-07-12 Cell Signaling Technology, Inc. Tyrosine phosphorylation sites
EP1983003A3 (en) 2007-04-19 2009-03-11 Peter Hornbeck Tyrosine phosphorylation sites and antibodies specific for them
EP2145902A3 (en) 2007-04-19 2010-09-29 Peter Hornbeck Tyrosine phosphorylation sites and antibodies specific for them
US20090053831A1 (en) 2007-05-01 2009-02-26 Cell Signaling Technology, Inc. Tyrosine phosphorylation sites
EP2062920A3 (en) 2007-11-21 2009-06-17 Peter Hornbeck Protein phosphorylation by basophilic serine/threonine kinases in insulin signalling pathways
US20090220991A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Cell Signaling Technology, Inc. Reagents for the detection of protein phosphorylation in leukemia signaling pathways
US10000568B2 (en) 2008-04-10 2018-06-19 Cell Signaling Technology, Inc. Compositions and methods for detecting EGFR in cancer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506975A (en) * 1967-06-07 1970-04-14 Bell Telephone Labor Inc Conductor arrangement for propagation of single wall domains in magnetic sheets
SE339349B (nl) * 1968-05-03 1971-10-04 Western Electric Co
NL7509733A (nl) * 1975-08-15 1977-02-17 Philips Nv Inrichting voor magnetische domeinen volgens een dichte pakking.
NL7709312A (nl) * 1977-08-24 1979-02-27 Philips Nv Inrichting met magnetische bel-domeinen.

Also Published As

Publication number Publication date
US4349893A (en) 1982-09-14
FR2461998B1 (nl) 1985-03-08
DE3026716A1 (de) 1981-02-12
GB2057211A (en) 1981-03-25
JPS5616990A (en) 1981-02-18
JPS6110910B2 (nl) 1986-03-31
FR2461998A1 (fr) 1981-02-06
GB2057211B (en) 1983-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7905543A (nl) Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen.
US5397939A (en) Programming of antifuses
KR100245658B1 (ko) 자기 저항 효과형 자기 헤드 및 그의 제조 방법
US5243226A (en) Programming of antifuses
US3718776A (en) Multi-track overlapped-gap magnetic head, assembly
US3990058A (en) Multiple loop shift register having redundancy
US3336489A (en) Device for producing a current
US4001673A (en) Method of testing and repairing magnetic bubble domain chip
JPS5858731B2 (ja) 磁気トランスジユ−サ用駆動増幅器
US4323941A (en) Integrated magnetic transducer
US3148360A (en) Biaxial magnetic film data processing device
US6008719A (en) Electrical control device with crosstalk correction, and application thereof to magnetic write/read heads
JPH09312902A (ja) 非接触式給電装置
JP2996940B2 (ja) 磁性メモリ
US3656009A (en) Non-linear transmission line current driver
US3382373A (en) Excitation system for parametric devices
JPH0143394B2 (nl)
NL8100216A (nl) Inrichting voor het genereren van magnetische domeinen met hoge bitsnelheid.
JP4331663B2 (ja) 薄膜コイル、コイル駆動回路、および磁気ヘッド
JP2000285422A (ja) ヘッドジンバルアッセンブリーおよびその製造方法
EP0121271A1 (en) Electronic device
JP2000322715A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
Feld A Josephson bit-serial decoder for application in a crossbar switch
EP0691643B1 (fr) Dispositif de commande électrique à correction de diaphonie et application à des têtes magnétiques d'enregistrement/lecture
USRE27099E (en) Katsuro nakamura magnetic memory device

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed