NL8102284A - Stroombestuurd magnetisch domein geheugen. - Google Patents

Stroombestuurd magnetisch domein geheugen. Download PDF

Info

Publication number
NL8102284A
NL8102284A NL8102284A NL8102284A NL8102284A NL 8102284 A NL8102284 A NL 8102284A NL 8102284 A NL8102284 A NL 8102284A NL 8102284 A NL8102284 A NL 8102284A NL 8102284 A NL8102284 A NL 8102284A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor
layer
magnetic
conductor patterns
memory according
Prior art date
Application number
NL8102284A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8102284A priority Critical patent/NL8102284A/nl
Priority to US06/375,151 priority patent/US4476544A/en
Priority to DE8282200543T priority patent/DE3277261D1/de
Priority to EP82200543A priority patent/EP0065797B1/en
Priority to CA000402517A priority patent/CA1194997A/en
Priority to JP57079067A priority patent/JPS6038792B2/ja
Publication of NL8102284A publication Critical patent/NL8102284A/nl
Priority to JP59162981A priority patent/JPS6069887A/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0841Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

f * , l PHN 10055 1 N.V, Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Stroonbestuurd magnetisch domein geheugen.
De uitvinding heeft betrekking op een register voor het voortbewegen van cilindrische magnetische domeinen in een magnetiseerbare laag, van het type waarbij cilindrische magnetische domeinen onder invloed van elektrische stromen worden voortbewogen langs een baan. welke gedefinieerd 5 wordt door een sinnsoïdaal geleiderpatrocn in combinatie met langs de lengte as van het geleiderpatrocn gerangschikte elementen, twee per periode van het geleiderpatroon, die plaatselijk in de magnetiseerbare laag potentiaal putten opwekken.
Een dergelijk register (éên-dimensionaal schuifregister) voor 10 het voortberegen van magnetische domeinen is bekend uit Journal of Applied Physics, Vol.. 50, No. 3, maart 1979, bladzijden 2277-79. Het in figuur 2 van genoemd artikel getoonde schuifregister bevat een door een bi-polaire stroom bestuurde inaanderende strocmgeleider met T-vormige elementen van een nikkel-ijzer legering die onder invloed van een magnetisch 15 veld in het vlak van de magnetiseerbare laag cp de gewenste plaatsen potentiaal putten oprekken. Deze laatsen dienen hoofdzakelijk cm de cilindrische magnetische domeinen in de laag te stabiliseren cp tijdstippen dat er geen stroom door de geleider loopt. De configuratie van dit bekende schuifregister, dat bestemd was voor de vocrthereging van magnetische domeinen met 20 een diameter van 4 ^um, is zodanig, dat het kleinste detail van de bij de vervaardiging ervan benodigde maskers ongeveer gelijk is aan een halve domein diameter. Bij de vervaardiging van schuif registers waarin domeinen met een diameter van 2 ^um of nog kleiner voortbewogen moeten worden komt men dan in ernstige problemen. Bovendien is de configuratie zodanig, dat pro-25 pagatie van de domeinen alleen mogelijk is in één of twee richtingen, zodat altijd electrisch in het geheugen, waar het schuifregister deel van uitmaakt, teruggeschreven moet warden en een major-minor loep organisatie niet gerealiseerd kan worden.
Aan de uitvinding ligt de opgave ten grondslag een schuifregister 30 van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen met een zodanige configuratie dat het kleinste detail gelijk is aan de diameter van de voort te bewegen domeinen, die bovendien de mogelijkheid in zich heeft cm de voortbeweging van iedere gewenste richting te doen plaatsvinden, 8102284 * i, 1 * EHN 10055 2
De uitvinding realiseert deze opgave, doordat hij het kenmerk heeft, dat het geleiderpatroon geleiders heeft met een breedte van ongeveer één dcmein diameter en een periode van ongeveer vier domein diameters, en gecombineerd is met besturingseiementen die potentiaal putten 5 opwekken met een uitgestrektheid in het vlak van de magnetiseerbare laag ter grootte van een domein doorsnede en die gerangschikt zijn cm bij een stroom nul door het geleiderpatroon de centra van de domeinen te stabiliseren op de randen van het geleiderpatroon.
De speciale configuratie van het domeinbewegingsregister volgens 10 de uitvinding maakt het bijvoorbeeld mogelijk cm ten behoeve van het voortbewegen van domeinen met een doorsnede van 2 ^um een meanderende geleider met een periode van 8 ^um te gebruiken bij. een afmeting van het kleinste detail van 2 ^um. In het geval dat voor de potentiaal putten opwekkende besturingseiementen schijfjes van een zacht-magnetische legering 15 in combinatie met een schuin cp de lengte-as van het geleiderpatroon staand in-vlaks magneetveld, en in het geval dat voor de besturingsele— menten schijfjes van permanent magnetisch materiaal die in een richting schuin op de lengte-as van het geleiderpatroon gemagnetiseerd zijn, gebruikt worden blijkt dan dat,, zolang de randen van de neergeslagen ele-20 nenten zich niet meer dan 1 ^um van de plaatsen bevinden waar ze zouden moeten liggen, het schuifregister goed te functioneren. Het effect van een niet geheel juiste uitrichting van de schijfjes kan gecompenseerd worden door de stroom door de geleider te wijzigen, óf door (alleen, int het eerste geval) de sterkte van het in-vlaks magneetveld te wijzigen. De twee-masker 25 configuratie van het register volgens de uitvinding (één masker voor het geleiderpatroon, één masker voor de zacht-magnetische of permanent-magnetische besturingseiementen), brengt dus geen ernstige uitrichtpro-blemen met zich mee.
Naast dit extra voordeel, is nog een verder voordeel van de 30 speciale configuratie van het register volgens de uitvinding dat de besturingseiementen voor een pseudo aandrijving van de domeinen zorgen.
Na uitschakelen van de stroom door de geleider legt een domein het resterende deel (ongeveer 1/3) van de af te leggen afstand af onder invloed van de aantrekkingskracht van het eerstvolgende besturingselement. Dit is 35 van belang voor het beperken van de dissipatie.
De potentiaal putten opwekkende besturingseiementen kunnen op. op zich bekende wijze ook gevormd zijn door ionen geïmplanteerde gebieden aan het oppervlak van de magnetiseerbare laag of door hoogteverschillen in de 8102284 t PHN10055 3 ? * magnetiseer bare laag, beide in combinatie met een in-vlaks veld schuin op de lengte-as van het geleiderpatrcon. De besturingselenenten hebben bij voorkeur de vorm van een vierkantje of een rondje met ongeveer dezelfde afmetingen als de dwarsdoorsnede van een date in.
5 De propagatierichting van de doteinen is afhankelijk van de positie van de met een steek gelijk aan een halve periode van het geleider-patroon aangebrachte besturingselenenten en de richting van het in-vlaks magneetveld respectievelijk van de magnetisatierichting van de elementen als deze permanent magnetisch zijn. Zoals nog nader zal worden uiteenge-10 zet zijn er bijvoorbeeld bij een hoek van 45° (of 135°) tussen de richting van het in-vlaks veld en de lengte-as van het geleiderpatroon vier verschillende daieirpropagatierichtingen mogelijk, waarmee de basis voor een itajcr-minar loop organisatie is gelegd.
Ben stroom bestuurd magnetisch danein geheugen met major-minor 15 loop organisatie is op zich bekend uit Bell System. Technical Journal 58, blad2ijden 1453-1540, zie in het bijzonder bladzijden 1499 en 1500. Het daar beschreven systeem is echter van het type dat voor de voortbeweging van de domeinen gébruik maakt van twee door een tussenlaag gescheiden, elk van een gatenpatroon voorziene, geleiderlagen.Bezwaren van dit bekende 20 systeem zijn dat er een grote kans is dat er electrisch. contact tussen de twse geleiderlagen optreedt en dat het gevoelig is voor magnetische domeinen waarvan de done inwand toestand afwijkt van de s = 0 toestand. Hierdoor kunnen domeinen tijdens hun beweging van de gewenste baan afwijken. Qn dit te bestrijden is een zeer sterk in-vlaks magneetveld nodig.
25 De bezwaren van het bekende stroom bestuurde darein geheugen met major-minor loep organisatie (dat wil zeggen met een hoofdbesturings-baand voor de invoer en uitvoer van informatie die gekoppeld is met een aantal informatie opslag lussen) kunnen volgens de uitvinding worden vermeden door in plaats van de twee geleiderlagen met perforaties gebruik 30 te maken van twee geleiderlagen met elkaar kruisende sinusoïdale geleider-patronen, waarbij steeds twee opeenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag met twee opeenvolgende geleiderpatronen van de tweede laag een informatie opslaglus definiëren. In een dergelijk systeem zijn slechts in een zeer klein gedeelte van het geheugen twee geleiderlagen boven elkaar aanwe-35 zig, waardoor de kans qp electrisch contact tussen de beide geleiderlagen zeer klein is. Daarnaast blijkt het systeem ongevoelig.te zijn voor domeinen met s Φ 0 wanden.
De meest praktische uitvoeringsvorm van dit geheugensysteem wordt 81 02 2 84 * ί ΡΗΝ 10055 4 — gekenmerkt doordat de sinusoïdale geleiderpatronen van de eerste en tweede geleiderlaag dezelfde spoed hebben.
Een dcmeingeheugen volgens de uitvinding met elkaar kruisende systemen van meanderende geleiderpatronen die alle tezamen de benodigde 5 informatie opslag lussen vormen kan op verschillende manieren uitgevoerd worden.
Een eerste uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt/ doordat twee opeenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag een hoofdbesturingsbaan en ‘een sluitbaan definiëren..
10 Een tweede uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat drie op eenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag een hoofdbesturingsbaan gelegen tussen twee sluitbanen definiëren, waarbij de hoofdbesturingsbaan met de ene sluitbaan en twee opeenvolgende geleiderbanen van de tweede geleiderlaag een informatie opslag lus vormt met een eerste, rotatierichting, 15 en waarbij de hoofdbesturingsbaan met de andere sluitbaan en twee opeenvolgende geleiderpatronen van de tweede geleiderlaag een. informatie opslag lus vormt met tweede rotatierichting, tegengesteld aan de eerste.
Het is daarbij bijzondér voordelig, als voor de voortbeweging van, de domeinen registers met sinusoïdale geleiderpatronen van het hier- 20 voor beschreven type worden toegepast.
Een verdere uitvoeringsvorm wordt derhalve gekenmerkt, doordat de geleiderpatronen geleiders hebben meteen breedte van ongeveer één dcmeindiameter en een periode, van ongeveer vier daneindiameters en elk gecombineerd. zijn met twee besturingselementen per periode die potentiaal.
25 putten in de magnetiseerbare: laag opwekken met een uitgestrektheid in het vlak van de. magnetiseerbare laag ter grootte van een dcmeindoorsnede en die gerangschikt zijn on bij een strocm nul door het geleiderpatroon de centra van de domeinen te stabiliseren op de randen van de geleiderpatronen.
30 Als de besturingselementen schijfjes van zacht-magnetisch of permanent magnetisch materiaal, omvatten, kunnen ze hetzij in één vlak in de tussenlaag tussen de eerste en tweede geleiderlaag gerangschikt zijn, of in één vlak gelegen, zijn dat grenst aan het vrije oppervlak van de verst van de magnetiseerbare laag liggende geleiderlaag.
35 Behalve op een stroambestuurd daneingeheugen met major-minor loop organisatie heeft de uitvinding ook nog betrekking op een strocmbe-stuurd daneingeheugen met een serie-parallel-serie organisatie. In dat geval vormen opeenvolgende geleiderpatronen in de eerste laag respectieve- 8102284
HiN 10055 5 * · lijk een serieel aangedreven invoerregister en een serieel aangedreven uitvoerregister voor magnetische domeinen, en vonten de geleiderpatronen in de tweede laag parallel aangedreven dcmeinverplaatsingsregisters.
De uitvinding zal bij wijze van voorbeeld nader worden toege-5 licht aan de hand van de tekening.
Figuren 1a, 1b, 1c en 1d tonen in bovenaanzicht delen van dcmein-voortbewagings registers volgens de uitvinding voor het voortbewegen van magnetische domeinen in respectievelijk een eerste, een tweede, een derde en een vierde richting. Figuur 1e toont een bekrachtigingsschema.
10 Figuur 2 toont een dwarsdoorsnede door een dcmeinvoortbew^ings- register volgens de uitvinding.
Figuren 3a en 3b tonen dwarsdoorsneden door delen van twee verschillende uitvoeringsvormen van een magnetisch dcmeingeheugen volgens de uitvinding.
15 Figuur 4 toont in bovenaanzicht een magnetisch dcmeingeheugen net major-minor loep organisatie volgens de uitvinding.
Figuren 5a, 5b, 5c en 5d tonen elk een uitvergroot deel van figuur 4.
Een meanderende stroemgeleider 1 net een geleiderbreedte D 20 (waarbij D is ongeveer de diameter van een magnéisch domein) en een periode 4 D met zaeht-magnetiscfae besturingselementen 2, 3, 4 (zie figuur 1a) welke zich in een in-vlaks magneetveld bevindt, wordt aangedreven door bipolaire pulsen (figuur- 1e). De besturingselementen 2, 3, 4 zijn in dit geval vierkantjes met afmetingen D x D, maar kunnen ook rondjes 23 zijn met een diameter D, De propagatie richting van een met het register in figuur 1a voortbewogen magnetisch done in, dat in stand wordt gehouden onder invloed van een dwars pp het vlak van de geleider staan hoofdmagneetveld H^, is afhankelijk van de positionering van de besturingsele-menten 2, 3, 4 en de richting van de geleider ten opzichte van de 30 richting van het in-vlaks veld H^. Bij de getekende richting van het in-vlaks veld ILp geven de figuren 1a, 1b, 1c en 1d vier verschillende prppaga-tieriGhtingen , V2, en van de magnetische domeinen.
De elementen 2, 3, 4 wekken, evenals de elementen 5, 6, 7; 8, 9, 10; en 11, 12, 13 onder invloed van het veld IL potentiaal putten pp 35 die magnetische domeinen ter plaatse van de randen van de geleiders 1, 14, 15, 16 wanneer daar geen stroom doorloopt stabiliseren.
Met de in figuur 1a tot en net 1d getoonde configuraties is dus propagatie in iedere gewenste richting mogelijk. Daarnaast is het klein— ...... ~ ---·_* 8102284 % * PHN 10055 6 • .....ste detail zo groot mogelijk . Dit is gelijk aan D.
Figuur 2 toont in dwarsdoorsnede een magnetiseerbare laag 17 waarin magnetische domeinen kunnen worden voortbewogen. De laag 17 is bedekt met een laag 18 van een niet-magnetisch, niet electrisch geleidend 5 materiaal, bijvoorbeeld SiO (1 ^ x^2). In de laag 18 zijn electrische Λ geleiders van het in figuren 1a tot en met 1d getoonde type ingebed.
Eén representant hiervan, is met het verwijzingscijfer 19 aangegeven.
De geleider 19 kan bijvoorbeeld uit Ai bestaan.
Door het inbedden van de geleider 19 in de laag 18 kan er voor _ 10 gezorgd worden dat er een vlak oppervlak. 20 ontstaat, waarop zacht- magnetische besturingselementen kunnen worden aangebracht. Eén zo'n he-sturingselement is aangeduid met het verwijzingscijfer 21.. Over het element 21 is een passiveringslaag 22, die bijvoorbeeld uit SiO (1^ x^2) kan bestaan, aangebracht.
15 De dikte van het besturingselement 21, dat bijvoorbeeld uit een nikkel-ijzer legering (permalloy) bestaat, is veel kleiner dan. gebruikelijk is voor besturingselementen : ' 1000 S in plaats van 4000 & en de afmetingen zijn ongeveer D x D in plaats van langwerpig met een lengte · groter dan D zoals in het hiervoor aangehaalde Journal of Applied 20 Physics 50 (1979) is beschreven. Hierdoor is de potentiaal put veroorzaakt door element 21 zo klein, dat in de situatie van figuur 1b en 1d uitstrippen van een domein langs de besturingselementen in de propagatie-richting voorkanen wordt. Uitstrippen zou tot gevolg hebben dat de operationele marge van de configuraties volgens, figuren. 1b en 1d veel kleiner 25 is dan die van de configuraties 1a en 1c.
De diepte van de potentiaal put van element 21 kan nauwkeurig ingesteld worden door 1. de dikte van het element te variëren; 2. de afstand van element 21 tot de magnetiseerbare laag 17 te 30 veranderen (hetzij door de dikte van de laag. 18 te veranderen, hetzij door tussen element 21 en laag 18 een extra tussenlaag van 500 tot 1500 & aan te brengen); 3. de sterkte van het in-vlaks magneetveld te veranderen.
Een en ander maakt het mogelijk cm de drijvende, kracht waarmee 35 een magnetisch domein naar het element 21 getrokken wordt, en de pinnende kracht die optreedt als een domein onder invloed, van stroom door de geleider 19 van het element 21 afgetrokken is, te optimaliseren, zodat een minimale propagatiestroon nodig is.
81 02 28 4 ΡΗΝ 10055 7 3τ m
De afstand tussen de lagen 17 en 19, zal, evenals de dikte van 19 in het algemeen enkele duizenden 2 , bijvoorbeeld 4000 2 bedragen. Indien het noodzakelijk is voor de verking van het systeem, kan de afstand kleiner gemaakt warden. Om het nadeel van het optreden van mechanische spanningen 5 in de laag 18 te voorkanen kan in dat geval een kunststof, bijvoorbeeld een polyamide, als materiaal voor de laag 18 gebruikt warden. Een kunststof laag kan eventueel optredende mechanische spanningen beter opvangen door een (dunne) SiO laag.
Ms technologie voor het vervaardigen van de in figuur 2 in 10 dwarsdoorsnede getoonde lagenstructuur is de planaire technologie zoals die door T.W. Bril, R. de Werdt en P. Willemse beschreven is in Paper 77 van de E.C.S. Spring Meeting in St. Louis (11-16 Mei 1980) zeer geschikt.
Twee uitvoeringsvormen van de lagenstructuren met twee geleidér-15 lagen warden in dwarsdoorsnede getoond in figuren 3a en 3b.
Figuur 3a toont een detail van een dwarsdoorsnede door een boven een magnetiseerbare laag 23, waarin cilindrische, magnetische domeinen kunnen worden voortbewogen,, liggende besturingsstructuur met een geleider 25 die in een spacer laag 24 is ingebed en een geleider 27 die in een 20 spacer laag 26 is ingebed. De geleiders 25 en 27 kunnen deel uitmaken van elkaar kruisende meanderende geleiderpatronen. Een ^sturingselement 28 van permalloy bevindt zich gedeeltelijk cp de laag 26 en gedeeltelijk cp de geleider 27.
Figuur 3a toont een detail van een. alternatieve cpbouw van een 25 besturingsstructuur die daar boven een magnetiseerbare laag 29 ligt en een in een spacer laag 30 ingebedde geleider 31 en een in een spacer laag 34 ingebedde geleider 35 bevat. Van de laag 30 gescheiden door een spacer laag 32 bevindt zich een besturingselement 33 van permalloy.
Figuur 4 toont een 3-laags domeingeheugen met major-minor loep 30 organisatie omvattende 2 geleider lagen en een permalloy laag voor de besturingselementen.
In de eerste laag zijn 3 stroorgestuurde propagatie paden voor cylindrische magnetische domeinen, zogenaamde "bubbles", aangetracht, namelijk en S^. In de tweede laag zijn de meanderende paden , 35 p2, P3, p^, p^ .... aangebracht en in de derde laag permalloy besturingselementen aangegeven met gearceerde vierkantjes. De meander S2 dient voor het in- en uitlezen van de informatie. MIe meanders in de eerste en de tweede geleiderlaag aangebracht vormen tezamen de minor loops waar de in- 8102284 PHN 10055 8 * c formatie-opslag plaats vindt.
Een minor loop (zie figuur 4) wordt gevormd door twee opeenvolgende meanders in de tweede laag samen met een gedeelte van de geleiders S2 en voor een bovenste minor loop, respectievelijk een gedeelte 5 van S2 en voor een onderste minor loop.
Door het aansturen van S2 wordt de informatie van een generator 36 naar het geheugen getransporteerd (één hobble in elke periode van de meander) , Als de bubbles pp de posities aangegeven met a en b zijn aangekomen wordt de sturing van S2 gestopt en vervolgens worden de draden p^, p2, 10 P3) P^/ P5 enz. aangestuurd gedurende een periode. De bubbles worden nu over 1 bitplaats in de minor-loops verplaatst : de bubbles op de posities "a" gaan naar boven, die cp de posities ”b" naar beneden. Tegelijk is nu informatie uit de minor-loops in het -in/uit pad S2 gezet.
Informatie uit de bovenste minor-loops kont pp de "b"-plaatsen, 15 en die uit de onderste loops pp de "a"-plaatsen. Deze informatie wordt naar een detector 17 gevoerd tegelijk met het inlezen van de volgende informatie*. Het in- en uitlezen, gebeurt met. een. frequentie f.
Om de bubbles; in de minor-loops rond te laten lopen bekrachtigen we afwisselend de S-draden gedurende..een. periode (" positieve puls +· 20 negatieve puls) en, de p-draden gedurende een periode (= positieve puls +-negatieve, puls)— In figuren. 5a tot en met 5d wordt de verplaatsing van bubbles door een minor-loop gevolgd. De uitgangssituatie is getekend in figuur- 5a aan de hand. van twee (= boven + onder) minor-loops. De bubbles · in de boven loop zijn aangegeven, met een zwarte stip, de bubbles in de 25 onder loop zijn aangegeven met een open cirkel voorzien van een schuine streep. Na sturing van de p-draden gedurende een periode is. de situatie als weergegeven, in de figuur 5b. Dan volgt bekrachtiging, van de draden S.j, S2 en S2 gedurende.een periode resulterende in.figuur-5c. Wederom sturing gedurende een periode van de p-draden levert de situatie getekend .
30 in figuur 5c op. De rondloop-frequentie in de minor-loops bedraagt f/2.
Een minor loop van m perioden kan maximaal, (m - 2) bits informatie bevatten.
Opgemerkt wordt nog : - De eerste en tweede geleiderlaag mogen in principe omgewisseld 35 worden.
- Opzoeken in de minor-loop van. een blok. informatie dat uitgelezen moet worden gebeurt met de halve frequentie. Wanneer dit blok informatie voor de in/uit transfer staat gebeurt het uit- 8102284 ft EHN 10055 9 lezen van het gehele blok evenals het inlezen van de eventuele nieuwe informatie met frequentie f.
- Bij een serie-parallel-serie organisatie is het enige verschil dat opeenvolgende meanders , p2, enz, dezelfde configuraties 5 hebben, zodat de bubbles parallel langs de meanders van de tweede laag aangedreven werden.
10 15 20 25 30 8102284 35

Claims (16)

1. Register voor het voortbewegen van cilindrische magnetische domeinen in een magnetiseerbare laag, van het type waarbij de cylin-drische magnetische domeinen onder invloed, van electrische stromen worden voortbewogen langs een baan welke gedefinieerd wordt door een sinusoï-5 daal geleiderpatroon in combinatie met. langs de lengte-as van het geleider-patroon gerangschikte besturingselementen, twee per periode van het. geleiderpatroon, die plaatselijk in de magnetiseerbare laag potentiaal putten opwekken, met het kenmerk, dat. het geleiderpatroon geleiders heeft met een breedte van ongeveer êên domein diameter en een periode van enge— 10 veer vier domein, diameters, en gecombineerd is met besturingselementen die potentiaal putten opwekken met een uitgestrektheid- in het vlak van de magnetiseerbare laag ter grootte van een domein doorsnede en die gerangschikt zijn cm bij een stroom, nul door het geleiderpatroon de centra van de domeinen te stabiliseren qp de randen van het geleiderpatroon,
2. Register volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het geleider— patroon verbonden is met een schakeling voor het verschaffen van een bipolaire aandrijfstroem,
3, Register volgens* conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de be— sturingselementen in één vlak liggende schijfjes van een zacht-magnetisch 20 materiaal zijn die een magnétische oriëntatie hebben onder invloed van een schuin op de lengte-as van het geleiderpatroon staand, in-vlaks magneetveld,
4, Register volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de besturingselementen in één vlak liggende permanent magnetische schijfjes 25 zijn met een magnetisatie richting schuin qp de lengte-as van het geleiderpatroon,
5, Register volgens, conclusies 1,. 2, 3 of 4, met het kenmerk,, dat de besturingselementen de vorm hebben van een vierkantje of een rondje net ongeveer dezelfde afmetingen als de dwarsdoorsnede D van een voort te 30 bewegen magnetisch, domein,
6, Register volgens conclusie 5, met, het kenmerk, dat de besturingselementen afmetingen hebben van 0,5 D tot 2 D.
7, Stroombestuurd magnetisch, dameingeheugen met een hoofdbesturings— baan waarmee een. aantal informatie opslag lussen zijn gekoppeld, met een 35 magnëiseerbare laag waarin, magnetische domeinen kunnen worden voortbewogen en eerste en tweede door een niet-magnetische,niet electrisch geleidende, tussenlaag van elkaar gescheiden, evenwijdig aan de magnetiseerbare laag1 gelegen geleiderlagen die voortbewegingsbanen voor magnetische domeinen· 8102284 EHN 10055 11 definiëren, met het kenmerk, dat de eerste geleiderlaag een aantal parallele, strocmbestuurde sinusoïdale geleiderpatronen bevat, en dat de tweede geleiderlaag een aantal parallele, strocmbestuurde sinusoïdale geleiderpatronen bevat die de geleiderpatronen van de eerste geleiderlaag 5 kruisen, waarbij steeds twee opeenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag met twee opeenvolgende geleiderpatronen van de tweede laag een informatie opslag lus definiëren.
8. Domeingeheugen volgens conclusie 7,met het kenmerk, dat de sinusoïdale geleiderpatronen van de eerste en tweede geleiderlaag dezelfde 10 spoed hebben.
9. Dcmeingeheugen volgens conclusie 7 of 8, net het kenmerk, dat twee opeenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag een hoofdbesturings-baan en een sluitbaan definiëren.
10. Dcmeingeheugen volgens conclusie 7 of 8, met het kenmerk, dat 15 drie opeenvolgende geleiderpatronen van de eerste laag een hoofdbesturings-baan gelegen tussen twee sluitbaan definiëren, waarbij de hoofdbesturings-baan met de ene sluitbaan en twee opeenvolgende geleiderbanen van de tweede geleiderlaag een informatie opslag lus vormt met een eerste rotatie-richting, en waarbij de hcofdbesturingsbaan met de andere sluitbaan en 20 twee opeenvolgende geleiderpatronen van de tweede geleiderlaag een informatie opslag lus vormt met tweede rotatierichting, tegengesteld aan de eerste.
11. Dcmeingeheugen volgens conclusie 9 of 10, met het kenmerk, dat de hoofdbesturingsbaan een eerste uiteinde heeft dat verbanden is met 25 een dcmeingenerator en een tweede uiteinde dat verbonden is net een dcmein-detector.
12. Dcmeingeheugen volgens conclusie 8, 9, 10 of 11, met het kenmerk, dat de geleiderpatronen geleiders hebben met een breedte van ongeveer één dcmein diameter en een periode van ongeveer vier done in diameters 30 en elk gecombineerd zijn met twee besturingselementen per periode die potentiaal putten in de magnëiseerbare laag opwekken met een uitgestrektheid in het vlak van de magnetiseerbare laag ter grootte van een daneindoorsnede en die gerangschikt zijn cm bij een stroom nul door het geleiderpatroon de centra van de domeinen te stabiliseren cp de randen van de geleiderpa-35 tronen.
13. Dcmeingeheugen volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de besturingselementen in één vlak liggende schijfjes van een zacht-magnetisch materiaal zijn die een magnetische: oriëntatie hebben onder in- 81 0 2 2 8 4 v V EHN 10055 12 vloed van een schuin qp de lengté-as van de geleiderpatronen staand in-vlaks magneetveld.
14. Dameingeheugen volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de ^sturingselementen in één vlak liggende permanent magnetische schijfjes 5 zijn met een magnetisatie richting schuin op de lengte-as van de geleider-patronen.
15. Dcmeingeheugen volgens conclusie 13 of 14, met het kenmerk, dat de besturingselementen gerangschikt zijn in de tussenlaag tussen de eerste en de tweede geleiderlaag.
16. Dcmeingeheugen volgens conclusie 13 of 14, met het kenmerk, dat de besturingselementen gerangschikt zijn in een laag die grenst aan het vrije oppervlak vandeverst van de magnetiseerbare laag liggende geleiderlaag. 15 20 25 30 8102284 35
NL8102284A 1981-05-11 1981-05-11 Stroombestuurd magnetisch domein geheugen. NL8102284A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8102284A NL8102284A (nl) 1981-05-11 1981-05-11 Stroombestuurd magnetisch domein geheugen.
US06/375,151 US4476544A (en) 1981-05-11 1982-05-05 Current-controlled magnetic domain memory
DE8282200543T DE3277261D1 (en) 1981-05-11 1982-05-06 Current-controlled register for propagating magnetic domains and magnetic domain memory using a plurality of such registers
EP82200543A EP0065797B1 (en) 1981-05-11 1982-05-06 Current-controlled register for propagating magnetic domains and magnetic domain memory using a plurality of such registers
CA000402517A CA1194997A (en) 1981-05-11 1982-05-07 Current-controlled magnetic domain memory
JP57079067A JPS6038792B2 (ja) 1981-05-11 1982-05-11 レジスタ
JP59162981A JPS6069887A (ja) 1981-05-11 1984-08-03 電流制御磁気ドメイン・メモリ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8102284 1981-05-11
NL8102284A NL8102284A (nl) 1981-05-11 1981-05-11 Stroombestuurd magnetisch domein geheugen.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8102284A true NL8102284A (nl) 1982-12-01

Family

ID=19837474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8102284A NL8102284A (nl) 1981-05-11 1981-05-11 Stroombestuurd magnetisch domein geheugen.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4476544A (nl)
EP (1) EP0065797B1 (nl)
JP (2) JPS6038792B2 (nl)
CA (1) CA1194997A (nl)
DE (1) DE3277261D1 (nl)
NL (1) NL8102284A (nl)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7509733A (nl) * 1975-08-15 1977-02-17 Philips Nv Inrichting voor magnetische domeinen volgens een dichte pakking.
NL7905543A (nl) * 1979-07-17 1981-01-20 Philips Nv Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6038792B2 (ja) 1985-09-03
CA1194997A (en) 1985-10-08
EP0065797A1 (en) 1982-12-01
DE3277261D1 (en) 1987-10-15
JPS6069887A (ja) 1985-04-20
JPS57195379A (en) 1982-12-01
US4476544A (en) 1984-10-09
EP0065797B1 (en) 1987-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3967002A (en) Method for making high density magnetic bubble domain system
JP2005123617A (ja) パターン化しない連続磁性層にデータを記憶するシステムおよび方法
Bobeck et al. Current-access magnetic bubble circuits
KR910001647A (ko) 다중 트랙 헤드 및 그 제조 방법
US4164029A (en) Apparatus for high density bubble storage
US4253161A (en) Generator/shift register/detector for cross-tie wall memory system
US3611328A (en) Binary-coded magnetic information stores
US4086661A (en) Cylindrical magnetic domain element
NL8102284A (nl) Stroombestuurd magnetisch domein geheugen.
US4162537A (en) Magnetic bubble memory
US3689901A (en) Magnetic domain detector arrangement
EP0022914B1 (en) Contiguous disk bubble domain propagation structure and method for forming such a structure
JPH0313673B2 (nl)
US3988722A (en) Single sided, high density bubble domain propagation device
US4164026A (en) Contiguous element field access bubble lattice file
US5103422A (en) Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof
CA1165874A (en) Magnetic bubble memory
US3962690A (en) Thin film magnetic storage device
US4415990A (en) Complementary bi-level magnetic bubble propagation circuit
US4228523A (en) Conductor access bubble memory arrangement
Kamin et al. Multilayer self‐structured bubble memories
US4027297A (en) Gapless magnetic bubble propagation path structure
Torok et al. Investigation of multilayer magnetic domain lattice file
KR100335705B1 (ko) 자기기록/판독헤드
US4357682A (en) Conductorless transfer for magnetic bubble memories

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed