NL7905543A

NL7905543A - MEMORY WITH CURRENT CONTROLLED SERIES / PARALLEL CONVERSION OF MAGNETIC BELL DOMAINS.

Info

Publication number: NL7905543A
Application number: NL7905543A
Authority: NL
Original assignee: Philips Nv
Priority date: 1979-07-17
Filing date: 1979-07-17
Publication date: 1981-01-20
Also published as: FR2461998B1; US4349893A; FR2461998A1; GB2057211A; JPS5616990A; JPS6110910B2; DE3026716A1; GB2057211B

Description

‘ s* PHN 9531 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven."S * PHN 9531 1 N.V. Philips" Light bulb factories in Eindhoven.

"Geheugen met stroombestuurde serie/parallelomzetting van magnetische beldomeinen"."Memory with current-controlled series / parallel conversion of magnetic bubble domains".

ACHTERGROND VAN DE UITVINDINGBACKGROUND OF THE INVENTION

De uitvinding betreft een inrichting voor het opslaan van digitale informatie in de vorm van magnetische 5 domeinen in een magnetiseerbare laag onder besturing van een dwars op de laag staand hoofdmagneetveld, verder bevattende aandrijfmiddelen in de vorm van tenminste één, door een periodieke elektrische stroom aandrijfbare, tenminste gedeeltelijk meandervormige, op genoemde laag aangebrachte 10 stroomgeleider waardoor een langs het meandervormige deel daarvan gelegen baan voor de magnetische domeinen is bepaald. Zulk een inrichting is bekend uit de Nederlandse Octrooiaanvrage 7608861 (PHN 8488) en de daarmee in hoofdzaak overeenkomstige Amerikaanse Octrooiaanvrage Ser.The invention relates to a device for storing digital information in the form of magnetic domains in a magnetizable layer under the control of a main magnetic field transverse to the layer, further comprising driving means in the form of at least one, which can be driven by a periodic electric current, at least partially meandering, current conductor arranged on said layer, whereby a path for the magnetic domains located along the meandering part thereof is determined. Such an apparatus is known from Netherlands Patent Application 7608861 (PHN 8488) and the substantially corresponding United States Patent Application Ser.

4157591 15 754962, thans Octrooi ]_ , bijvoorbeeld Fig. 8. De bekende inrichting bevat een gemengd aandrijfmechanisme, namelijk gedeeltelijk middels een periodieke elektrische stroom in een meandervormige geleider, en voorts middels een in het vlak van de plaat van magnetiseerbaar materiaal roterend 20 magneetveld, en wel langs een baan die bepaald wordt door reeksen van I-, T—, en Y-vormige elementen van pemalloy.4157591 15 754962, now Patent], e.g. 8. The known device comprises a mixed driving mechanism, namely partly by means of a periodic electric current in a meander-shaped conductor, and further by means of a magnetic field rotating in the plane of the plate of magnetizable material, namely along a path determined by series of I, T, and Y shaped elements of pemalloy.

Zoals in genoemde litteratuurplaats is beschreven hebben beide aandrijfmechanismes hun voordelen. Voor lage bit-frekwenties is aandrijfving met een draaiveld zeer aan-25 trekkelijk. Voor hoge bit frekwenties is aandrijving met een draaimagneetveld niet meer mogelijk, en is men op stroomgestuurde aandrijving aangewezen. Het is daarbij echter een nadeel dat de dissipatie dan ook hoog is. Dit geldt zeer sterk voor geheel ieel georganiseerde ge- 30 heugens met een grote opslagkapaciteit die geheel met stroomaandrijving werken,As described in said literature reference, both drive mechanisms have their advantages. For low bit frequencies, drive with a rotating field is very attractive. For high bit frequencies, a drive with a rotary magnetic field is no longer possible, and a current-controlled drive is required. However, it is a drawback that the dissipation is therefore high. This is particularly true for fully organized memories with a large storage capacity which operate entirely with current drive,

SAMENVATTING VAN DE UITVINDINGSUMMARY OF THE INVENTION

790 55 43 V . i PHN 9531 2790 55 43 V. i PHN 9531 2

Het is een doelstelling van de uitvinding om voor een geheugen dat door meandergeleiders wordt bekrachtigd een verlaging van de benodigde dissipatie te realiseren en dat zonder dat twee verschillende aandrijfmechanis-5 mes nodig zijn, en daarbij tevens door parallel-technieken een hoge opslagdichtheid (informatie per oppervlak) te realiseren. De uitvinding realiseert de doelstellingen door dat hij het kenmerk heeft dat genoemde, elektrisch enkelvoudig samenhangende stroomgeleider tenminste bevat eerste 10 en tweede parallel verlopende meandertrajekten en voorts een dwars daarop staand derde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de magnetische domeinen vormt, en dat voor een omzetting tussen seriële en parallelaandrijving 15 van de domeinen genoemde eerste en tweede meandertrajekten op het derde geleidertrajekt zijn aangesloten doordat een eerste en tweede lus van het derde geleidertrajekt mede, als eindlus, deel uitmaken van een genoemde eerste, respek-tievelijk tweede meandertrajekt. Als een domein zich in zo’n 20 eindlus bevindt kan het door op zichzelf bekende bekrachtiging van een van beide geleidertrajekten, waarvan de desbetreffende lus deel uitmaakt, worden afgevoerd. Het aanvoeren naar deze lus kan op overeenkomstige manier gebeuren. Het derde geleidertrajekt kan in de praktijk een 25 meandertrajekt zijn dat voor een stroombron seriëel geschakeld is.It is an object of the invention to realize a reduction in the required dissipation for a memory that is energized by meandering conductors and that without the need for two different drive mechanisms, and in addition also by means of parallel techniques a high storage density (information per surface). The invention achieves the objects by being characterized in that the said electrically singly coherent current conductor contains at least first 10 and second parallel meandering paths and furthermore a third conductor path extending transversely thereto which, through a sequence of alternating currents, a longitudinal path for the magnetic domains, and that for a conversion between serial and parallel drive 15 of the domains, said first and second meandering paths are connected to the third conductor path in that a first and second loop of the third conductor path also form part, as end loop, of a said first respec - also second meandering route. If a domain is located in such an end loop, it can be removed by per se known energization of one of the two conductor paths, of which the relevant loop forms part. Feeding to this loop can be done in a similar way. The third conductor track may in practice be a meandering track which is connected in series for a current source.

Het is aan de andere kant mogelijk dat dit geleidertrajekt alleen Voor de domeinen als meandertrajekt werkt en voor de stroombron als een groot aantal parallel geschakelde 30 geleider lussen zoals nader zal worden besproken.On the other hand, it is possible that this conductor path will work only for the domains as a meandering path and for the power source as a large number of conductor loops connected in parallel as will be discussed in more detail.

Het is gunstig als genoemde stroomgeleider voorfa bevat een met het derde geleidertrajekt parallel verlopend vierde geleidertrajekt dat door een sekwentie van alternerende stromen daarin een daarlangs gelegen baan voor de 35 magnetische domeinen vormt, en dat voor een voorbijgaande, parallel georganiseerde opslag in genoemd eerste en tweede meandertrajekt laatstgenoemden op het vierde .geleidertra-—--j.ek.t zijn aangesloten doordat een derde en vierde lus—vaa_ 790 55 43 *· * ΡΗΝ 9531 3 het vierde geleidertrajekt, als verdere eindlus, deel uit-maken van genoemd eerste, respektievelijk tweede meander-trajekt. Zo zijn eerste en tweede, parallelverlopende, meandertrajekten, door het derde, respektievelijk vierde 5 geleidertrajekt aan beide zijden afgesloten. Het blijkt dat de opslag, respektievelijk de aandrijving van de domeinen op het eerste en tweede meandertrajekt slechts zeer weinig energie kost doordat ze, hoewel ze een relatief groot deel van de totale opslagkapaciteit vertegenwoordi-10 gen, slechts in een klein deel van het aantal perioden van de stroom in de geleider ook werkelijk bekrachtigd worden (de duty cycle is laag).It is advantageous if said current conductor pref contains a fourth conductor path parallel to the third conductor path which, by a sequence of alternating currents therein, forms a longitudinal path for the magnetic domains therein, and that for a transient, parallel organized storage in said first and second the latter meander section are connected to the fourth conductor section - because a third and fourth loop - from 790 55 43 * · * ΡΗΝ 9531 3 - are part of said first section as a further end loop. , and second meander section, respectively. Thus, first and second, parallel, meandering paths are closed on both sides by the third and fourth conductor paths, respectively. It has been found that the storage and the drive of the domains on the first and second meandering routes, however, only cost very little energy because, although they represent a relatively large part of the total storage capacity, they are only in a small part of the number of periods of the current in the conductor are actually energized (the duty cycle is low).

VERDERE ASPEKTEN VAN DE UITVINDING-.FURTHER ASPECTS OF THE INVENTION.

1515

Elk van de respektievelijke meandertrajekten kan bekrachtigd worden middels zijn eigen, separaat naar buiten uit te voeren uiteinden. Het is evenwel gunstig als tenminste genoemd derde geleidertrajekt een derde me-20 andertrajekt vormt, en dat genoemde eindlussen telkens via een weerstand zijn aangesloten op een voor eerste en tweede meandertrajekt gemeenschappelijke stroomaansluiting op genoemde magnetiseerbare laag. Zo vormt genoemde gemeenschappelijke stroomaansluiting ten opzichte van het derde 25 geleidertrajekt geen kortsluiting, terwijl toch een geheel in één bedradingslaag liggende opzet aangehouden kan worden.Each of the respective meandering paths can be energized by means of its own ends, which can be carried out separately. It is advantageous, however, if at least said third conductor section forms a third meander section, and that said end loops are in each case connected via a resistor to a current connection common to first and second meander section on said magnetisable layer. Thus, said common power connection does not form a short circuit with respect to the third conductor path, while an arrangement lying entirely in one wiring layer can still be maintained.

Het is gunstig als genoemd derde geleidertrajekt bevat een aantal, elk tenminste één genoemde eindlus bevattende, subtrajekten met telkens een eerste deelaan-30 sluiting en een tweede deelaansluiting, en dat alle genoemde eerste deelaansluitingen onderling en tweede deelaan-sluitingen onderling op de plaat van magnetiseerbaar materiaal zijn doorverbonden, tot een afzonderlijke eerste, respektievelijke tweede hoofdaansluiting. Zo worden boven-35 genoemde weerstanden vermeden, en is de dissipatie lager.It is advantageous if said third conductor path comprises a number of sub-paths each containing at least one said end loop, each having a first partial connection and a second partial connection, and that all said first partial connections mutually and second partial connections mutually magnetizable on the plate. material are connected, to a separate first and second main connection respectively. Thus, the above-mentioned resistances are avoided, and the dissipation is lower.

De aansturing wordt dan iets gekompliceerder.The control then becomes slightly more complicated.

Het is gunstig als genoemd eerste en tweede me----andertrajekt tenminste over een eerste deel van hun length 7QARR /. 7 t' * PHN 9531 k eikaars spiegelbeeld vormen. In het gespiegelde gedeelte blijken de toleranties in de afmetingen der meanders ruimer te zijn, zodat bij de fabrikage minder fouten optreden. In de eerste plaats kunnen een naastliggende eerste en 5 tweede meandergeleider over hun gehele lengte gespiegeld zijn. Dan is echter de overdracht (transfer) met der&e, respektievelijk vierde geleidertrajekt niet steeds h itzelf— de, doordat ook de eindlussen gespiegeld zijn. Het is daarom gunstig als genoemde eerste en tweede meandertrajekt 10 over een tweede gedeelte van hun lengte, namelijk tussen genoemd eerste deel en telkens een eindlus van een paar aanpalend gelegen eindlussen, een verschillende periode-lengte bezitten, en dat genoemd paar eindlussen overeenkomstig gevormd is. Het niet-gespiegelde deel van eerste en 15 tweede meandergeleiders is relatief klein, waardoor de kans op defekten niet veel groter is. En door de gelijk-standigheid van de eindlussen is een volledig parallele overdracht van de domeinen mogelijk.It is beneficial if said first and second me ---- other route at least over a first part of their length 7QARR /. 7 t '* PHN 9531 each mirror image. In the mirrored part, the tolerances in the dimensions of the meanders appear to be wider, so that fewer errors occur during manufacture. First, an adjacent first and second meandering guide may be mirrored along their entire length. Then, however, the transfer (transfer) with the third and fourth conductor paths is not always the same, because the end loops are also mirrored. It is therefore advantageous if said first and second meandering path 10 have a different period length over a second part of their length, namely between said first part and each end loop of a pair of adjacent end loops, and that said pair of end loops is correspondingly formed . The non-mirrored part of the first and second meanders is relatively small, so the chance of defects is not much greater. And the equality of the end loops allows a completely parallel transfer of the domains.

20 KORTE BESCHRIJVING VAN DE FIGUREN.BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES.

Fig. 1 geeft een eerste uitvoering van een inrichting volgens de uitvinding.Fig. 1 shows a first embodiment of a device according to the invention.

Fig. 2 geeft een tweede uitvoering van een in-25 richting volgens de uitvinding.Fig. 2 shows a second embodiment of a device according to the invention.

Fig. 3 geeft een derde uitvoering van een inrichting volgens de uitvinding.Fig. 3 shows a third embodiment of a device according to the invention.

Fig. k geeft uitvoeringsdetails bij Fig. 2.Fig. k gives implementation details at Fig. 2.

Fig. 5 geeft een bekrachtigingsdiagram bij Fig.Fig. 5 shows an energizing diagram at FIG.

30 4.30 4.

BESCHRIJVING VAN DE VOORKEURSUITVOERINGEN.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS.

Fig. 1 geeft een eerste uitvoering van een in-35 richting volgens de uitvinding. De inrichting bevat in deze uitvoering zes meandertrajekten, respektievelijk lopend van positie 32 naar element en van element 38 naar ----element 40 (deze twee zijn de seriegeleiders) en voorts de 790 55 43 • » PHN 9531 5 meandertrajekten 24, 25, 28, 30 (dit zijn de parallelgelei-ders). De geleiders zijn bijvoorbeeld door sputteren op de plaat van magnetiseerbaar materiaal (ferrimagnetisch) aangebracht. Op de bouw van deze plaat wordt hier kortheids-5 halve niet verder ingegaan. Op zichzelf* is verder de techniek van genoemd aanbrengen bekend. De plaat van magnetisch materiaal kan domeinen bevatten welke in stand worden gehouden door een hoofd- of achtergrond-magneetveld, bijvoorbeeld van een permanente magneet. Soms is een statische 10 veld komponent in het vlak van de plaat aanwezig. Dit betekent dan dat het achtergrond (bias) magneetveld niet precies loodrecht staat. De meandertrajekten 24, 26, 28, 30 zijn middels de weerstanden 42 tot en met 56 aangesloten op de bondflappen 20, 22. Deze weerstanden kunnen op beken-15 de manier, bijvoorbeeld met zogenaamde "dunne film" techniek zijn aangebracht. De bondflappen zelf kunnen nog een specifieke plaats bevatten voor het solderen (bonden) van een stroomgeleider, bijvoorbeeld doordat zo'n plaats is verbreed, verdikt, of van een goudbedekking is voorzien.Fig. 1 shows a first embodiment of an apparatus according to the invention. The device in this embodiment comprises six meandering paths, which respectively run from position 32 to element and from element 38 to element 40 (these two are the series conductors) and furthermore the meandering paths 24, 25, 7, PHN 9531. 28, 30 (these are the parallel conductors). The conductors are arranged, for example, by sputtering on the plate of magnetizable material (ferrimagnetic). The construction of this plate is not further discussed here for shortness-5 half. The technique of said application is further known per se. The magnetic material plate may contain domains which are maintained by a main or background magnetic field, for example of a permanent magnet. Sometimes a static 10 field component is present in the plane of the plate. This means that the background (bias) magnetic field is not exactly perpendicular. The meandering paths 24, 26, 28, 30 are connected to the bonding flaps 20, 22 by means of the resistors 42 to 56. These resistors can be arranged in known manner, for instance with so-called "thin film" technique. The bonding flaps themselves may still contain a specific place for soldering (bonding) a current conductor, for instance because such a place has been widened, thickened or provided with a gold coating.

20 Op overeenkomstige manier zijn de .seriegeleiders al dan niet te samen aan.niet-getekende bondflappen aangesloten.In a corresponding manner, the series conductors may or may not be connected together to non-drawn bonding flaps.

Op plaatsen waar een seriegeleider en een parallelgeleider elkaar kruisen zijn ze op elkaar aangesloten. Zo maakt het geleiderstuk tussen de punten 72 en 74 zowel deel uit 25 van de bovenste seriegeleider, als van de parallelgeleider 26. Element 38 is een op zich bekende domeingenerator die door niet-getekende stroom-aansluitingen bekrachtigd kan worden. De geproduceerde domeinen worden door een periodieke stroom in de onderste seriegeleider aangedreven 30 in de richting van element 40. Als een domein in de lus 60 aanwezig is en door een stroom in de seriegeleider wordt het hoofdmagneetveld in lus 62 verlaagd, dan zal het be- ^ treffende domein naar lus 62 gaan, onder meer omdat door deze zelfde stroom het hoofdmagneetveld in lus 60 wordt 35 verhoogd. Het domein gaat niet naar lus 58 omdat er door niet aangegeven elementen van permalloy een voorkeur is voor de ene aandrijfrichting. Dergelijke elementen bepa--len. voorts langs de gehele meandergeleiders in elke halvp 79055 43 ψ % ΡΗΝ 9531 6 periode weer een voor-keursrichting voor de aandrijving. Zulke elementen kunnen op allerlei manieren zijn gevormd, bijvoorbeeld ook met ionenimplantatie, hoogteverschillen in de plaat van magnetisch materiaal en andere realisaties.They are connected in places where a series conductor and a parallel conductor cross each other. Thus, the conductor piece between the points 72 and 74 forms part of both the upper series conductor and the parallel conductor 26. Element 38 is a domain generator known per se which can be powered by power connections not shown. The domains produced are driven by a periodic current in the lower serial conductor 30 toward element 40. If a domain is present in loop 60 and a current in the series conductor lowers the main magnetic field in loop 62, it will ^ striking domain go to loop 62, partly because the same magnetic current increases the main magnetic field in loop 60. The domain does not go to loop 58 because there is a preference for one drive direction due to undeclared elements of permalloy. Determine such elements. furthermore, along the entire meandering guides in each half 79055 43 ψ% ΡΗΝ 9531 6 period, again a preferred direction for the drive. Such elements can be formed in various ways, for example also with ion implantation, height differences in the plate of magnetic material and other realizations.

5 Dit wordt nader besproken bij Fig. k. Element kO is een r domeinannihilator, en als er geen verdere besturing plaatsvindt worden de domeinen uitei ^ideli jk daarheen aangedreven. Door in een bepaalde periode van de periodieke stroom in de onderste seriegeleider de domeingenerator 38 al dan niet 10 te bekrachtigen wordt in een stroom informatie een domein gegenereerd (l) dan wel geen domein gegenereerd (o). Als een domein aanwezig is in lus 62 en de parallelgeleider 26 wordt zo bekrachtigd dat in de lus 66 het hoofdmagneetveld wordt verlaagd, dan beweegt het betreffende domein ^ 15 zich naar deze lus 66. Op dezelfde manier als de seriegeleider zijn ook de parallelgeleiders van kleine stukken permalloy voorzien om aan de aandrijving van de domeinen een voorkeursrichting te geven. Het is dus duidelijk dat alle 'a o - domeinen in de parallele meandertrajekten worden overge— 20 men als na elke vier perioden van bekrachtiging van de seriegeleiders er steeds één periode volgt van bekrachtiging van de parallelgeleiders. Daardoor is de totale dis-sipatie in de aandrijfstruktuur volgens Fig, 1 relatief laag. Het is in het algemeen gebleken dat bij relatief lage 25 aandrijffrekwentie de dissipatie per periode van de aandrijving ongeveer konstant is: er moeten bepaalde minimumwaarden overschreden worden in de duur en de hoogte van de stroompulsen in de meandergeleiders (een voorbeeld van het stroomverloop is bij Fig. 5 getoond). Boven een bepaal-30 de kritische frekwentie (bij domeinen van h mikron doorsnede ligt deze frekwentie dikwijls in de buurt van 1MHz) neemt de dissipatie per periode snel toe, zodat men dat gebied veelal vermijdt. Stel dat er m parallele meandertra-jekten zijn die' elk p perioden van de geleiders bevatten, 35 terwijl ze telkens over één periode versprongen op de seriegeleider zijn aangesloten. De opslagkapaciteit is dan mxp bits. Afwisselend wordt er dan gedissipeerd: eerst -m—perioden van m eenheidsdissipaties voor de serie geleider^ 790 5 5 43 PHN 9531 7 dan 1 periode van mxp eenheidsdissipaties in de parallel-geleider. De totale dissipatie is voor de opslag van m bits dan dus: m (m+p) eenheidsdissipaties, dus voor 1 bit: (m+p) eenheidsdissipaties. Dit neemt dus minder snel toe 5 dan lineair met de opslagkapaciteit van de inrichting als m en p onderling niet te veel verschillen. Veelal zullen ze ongeveer gelijk gekozen worden. Hierbij is verwaarloosd de dissipatie in de tweede seriegeleider, in de gedeelten van de seriegeleiders die niet aan de parallelgeleiders 10 zijn aangesloten, en in de weerstanden 42 tot en met §6,This is discussed in more detail in FIG. k. Element kO is a r domain annihilator, and if no further control takes place, the domains are eventually driven there. By energizing or not energizing the domain generator 38 in a given period of the periodic current in the lower serial conductor, a domain is generated (1) or no domain is generated (o) in a stream of information. If a domain is present in loop 62 and the parallel conductor 26 is energized such that in the loop 66 the main magnetic field is lowered, the respective domain ^ 15 moves to this loop 66. In the same way as the series conductor, the parallel conductors of small pieces of permalloy provided to give the drive of the domains a preferred direction. Thus, it is clear that all of the "a" domains in the parallel meandering paths are adopted if, after every four periods of energizing the series conductors, there is always one period of energizing the parallel conductors. As a result, the total dispersion in the drive structure according to Fig. 1 is relatively low. It has generally been found that at a relatively low drive frequency the dissipation per period of the drive is approximately constant: certain minimum values must be exceeded in the duration and the magnitude of the current pulses in the meander conductors (an example of the current development is shown in Figs. 5 shown). Above a certain critical frequency (in domains of micron cross-section this frequency is often close to 1MHz) the dissipation per period increases rapidly, so that that area is often avoided. Suppose there are m parallel meandering paths that each contain p periods of the conductors, while they are connected to the series conductor in staggered manner over one period. The storage capacity is then mxp bits. Dissipation is then alternated: first -m — periods of unit dissipations for the series conductor ^ 790 5 5 43 PHN 9531 7 then 1 period of mxp unit dissipations in the parallel conductor. The total dissipation for the storage of m bits is then: m (m + p) unit dissipations, so for 1 bit: (m + p) unit dissipations. This therefore increases less rapidly than linearly with the storage capacity of the device if m and p do not differ too much from each other. Often they will be chosen approximately the same. Here, the dissipation in the second series conductor, in the parts of the series conductors that are not connected to the parallel conductors 10, and in the resistors 42 to §6, has been neglected,

De bovengenoemde gemiddelde dissipatie nodig voor de opslag van één informatiebit kan worden vergeleken met de energie welke nodig is bij een geheel seriëel georganiseerd, volledig uit een meandergeleider opgebouwd domeingeheugen. Bij 15 een kapaciteit van (mxp) bits zijn er voor de opslag van elke bit opnieuw (mp) eenheidsdissipaties nodig. Het beschreven geheugen is iets minder snel werkend dan het geheel serieel georganiseerde geheugen. Dit scheelt een faktor m:(m+l), hetgeen in de praktijk zeer dicht bij één 20 zal liggen. Als de domeinen na een aantal aandrijfperioden in de parallelgeleiders 24-30 de bovenste seriegeleider bereiken kunnen ze door een periodieke stroom daarin worden afgevoerd naar element 3^·· Element 34 is een opzichzelf bekende domeindetektor annex domeinannihilator. De aanslui— 25 tingen voor voedingsstromen en uitgangssignalen aan element 34 zijn kortheidshalve niet aangegeven. Aan het andere uiteinde van de bovenste seriegeleider is bij de indikatie 32 een niet aangegeven bondflap aanwezig. Eventueel kunnen de stroomaansluitingen van de bovenste en onderste serie-30 geleiders onderling doorverbonden zijn als daardoor geen kortsluiting ontstaat voor de stromen in de parallelgeleiders. Een tegenmaatregel is dan te vinden in met de weerstanden 42-56 (zie hierna) overeenkomstige elementen.The above-mentioned average dissipation required for the storage of one information bit can be compared with the energy required for an entirely serially organized domain memory built entirely from a meander conductor. At a capacity of (mxp) bits, again (mp) unit dissipations are required for the storage of each bit. The memory described is slightly slower than the fully serially organized memory. This saves a factor m: (m + 1), which in practice will be very close to 20. When, after a number of driving periods in the parallel conductors 24-30, the domains reach the upper series conductor, they can be discharged by a periodic current therein to element 3. Element 34 is a self-known domain detector annex domain annihilator. The connections for supply currents and output signals to element 34 are not shown for brevity. At the other end of the top series guide at the indication 32 there is an undefined bond flap. Optionally, the current connections of the upper and lower series 30 conductors may be interconnected if this does not short-circuit the currents in the parallel conductors. A countermeasure can then be found in elements corresponding to resistors 42-56 (see below).

De seriegeleiders en parallelgeleiders zijn alle onderling 35 galvanisch doorverbonden, zo bijvoorbeeld door de aansluitingen 70 t/m 78. Dit heeft het voordeel dat alle meander-geleiders in een enkele bedradingslaag kunnen liggen. Daar-___„door is bij de vervaardiging een klein aantal fabricage- 78055 43 PHN 9531 8 stappen reeds voldoende. Aan de andere kant mogen de laag-ohmige bondflappen 20, 22 geen kortsluiting vormen tijdens het bekrachtigen van de seriegeleiders. Dit wordt bewerkstelligd door de weerstanden 42 tot en met 56. De waarde 5 van deze weerstanden moet zo groot zijn dat het stroomver-lies dóór de bondflap .verwaarloosbaar is ten opzichte van de stro*m in de seriegeleider. Aan de andere kant mogen deze weerstanden niet zo groot zijn dat de dissipatie daarin te groot wordt. Een aanvaardbaar kompromis is vaak be-10 reikt als de weerstand van één parallelgeleider ongeveer gelijk is aan de som van de daarmee in serie geschakelde twee weerstanden. Er zijn daarbij dan bijvoorbeeld 32 pa-rallelgeleiders elk *}2 perioden van de me anders truktuur.The series conductors and parallel conductors are all galvanically interconnected, for example through the connections 70 to 78. This has the advantage that all meander conductors can lie in a single wiring layer. As a result, a small number of manufacturing steps is sufficient for manufacturing 78055 43 PHN 9531 8. On the other hand, the low-ohmic bonding flaps 20, 22 should not be short-circuited during energization of the series conductors. This is accomplished by resistors 42 through 56. The value of these resistors must be so great that the current loss through the bonding flap is negligible relative to the current in the series conductor. On the other hand, these resistances should not be so great that the dissipation in them becomes too great. An acceptable compromise is often reached when the resistance of one parallel conductor is approximately equal to the sum of the two resistors connected in series therewith. There are then, for example, 32 parallel conductors, each *} 2 periods of the different structure.

De dissipatie per toegevoerde bit is dan verdubbeld tot 15 ongeveer (2m+2p) omdat ook de tweede seriegeleider een bijdrage levert (m) en de weerstanden evenveel als de parallelgeleiders (p). Daarbij zijn de aanvoer- en afvoer-stukken van de seriegeleiders verwaarloosd. Dit is minder dan de waarde (mxp) voor een serieel geheugen van dezelfde 20 grootte. Een andere oplossing is nog de volgende. Xn plaats van elk van de weerstanden 42 t/m 48 is eenzelfde parallel geleider aanwezig als de parallelgeleiders 24 t/m 30. VerT der is de seriegeleider tussen 32 en 3^· dubbel uitgevoerd, en wel éénmaal geschikt voor het afvoeren en detekteren van 25 de domeinen, zoals getekend, en een maal op de wijze van de onderste seriegeleider in Pig. 1 voor het genereren en koderen van informatie. Dan is de bitfrekwentie voor het toevoeren en afvoeren verhoogd. En verder is de bijdrage in de dissipatie welke afkomstig is van de weerstanden 30 42 t/m 56, nu gehalveerd. Voor de door—verbonden seriege leiders moeten ook isolerende serieweerstanden aanwezig zijn waarvoor overeenkomstige overwegingen gelden als voor de parallelgeleiders.The dissipation per supplied bit is then doubled to approximately (2m + 2p) because the second series conductor also contributes (m) and the resistances as much as the parallel conductors (p). The supply and discharge pieces of the series conductors have been neglected. This is less than the value (mxp) for a serial memory of the same size. Another solution is the following. Instead of each of the resistors 42 to 48, the same parallel conductor is present as the parallel conductors 24 to 30. Furthermore, the series conductor is between 32 and 3 × double, and is suitable once for the removal and detection of 25 the domains, as shown, and once in the manner of the lower serial conductor in Pig. 1 for generating and coding information. Then the bit frequency for feeding and discharging is increased. Furthermore, the contribution to the dissipation from resistors 42 to 56 has now been halved. Insulated series resistors must also be present for the interconnected series conductors for which considerations are similar to those for the parallel conductors.

Pig. 2 geeft een tweede uitvoering van een in-35 richting volgens de uitvinding. De eerder genoemde weerstanden zijn nu vermeden, maar nu is de extra maatregel getroffen dat er vier bondflappen voor de parallelgeleiders --aanwezig zijn. Er zijn weer vier parallelgeleiders 1Q.Q-,_ 790 55 43 PHN 9531 9 102, 1θ4, 1θ6. Rechts is er een onderste bondflap 108 die geheel is aangegeven. Daarop is aangebracht een niet-aan-gegeven isolerende laag. Deze bevat voor elke periode van de seriegeleider een opening (bijvoorbeeld 112), waardoor-5 heen een geleidende verbinding aanwezig is naar de bovenste geleider-laag annex bovenste bondflap (110). Deze laatste is afgebroken getekend. Waar de bovenste geleiderlaag de onderste bondflap afdekt is laatstgenoemde getekend met een onderbroken lijn. In deze uitvoering zijn de domein-10 generator, de domeindetektor, en de domeinannihilator(s) niet aangegeven. Het bekrachtigen van de parallelgeleiders gebeurt door een stroomgenerator aan te sluiten op de bond-flappen 110, 116. De bondflappen 108, 114 blijven dan zwevend. Als de rechtse seriegeleider moet worden bekrachtigd 15 wordt tussen de beide bondflappen 108 en 110 een wissel-stroomgenerator aangesloten. In een eerste halve periode van deze wisselstroom wordt bijvoorbeeld in het gearceerd getekende gebied 118 het hoofdmagneetveld verzwakt doordat de stroom een "U"-vormige weg volgt in de bovenste bedra-20 dingslaag. De stromen in de twee geleidersporen langsheen het andersom gearceerde gebied 120 zijn dan juist zo gericht dat daar het hoofdmagneetveld wordt versterkt. In de volgende halve periode is de stroomrichting omgekeerd en wordt het hoofdmagneetveld dus juist in het gearceerd getekende 25 gebied 120 verzwakt. De aandrijving vindt weer· plaats middels niet-aangegeven kleine elementen van permalloy. De linkerhelft van de inrichting is analoog gekonstrueerd.Pig. 2 shows a second embodiment of an apparatus according to the invention. The resistances mentioned above have now been avoided, but the additional measure has now been taken that four bonding flaps for the parallel conductors are present. There are again four parallel conductors 1Q.Q - .790 55 43 PHN 9531 9 102, 1θ4, 1θ6. On the right there is a lower bond flap 108 which is fully indicated. A non-indicated insulating layer is applied thereon. It contains an opening (for example 112) for each period of the series conductor, through which a conductive connection is present to the top conductor layer annex top bond flap (110). The latter has been broken off. Where the top conductor layer covers the bottom bond flap, the latter is drawn with a broken line. In this embodiment, the domain 10 generator, the domain detector, and the domain annihilator (s) are not indicated. The parallel conductors are energized by connecting a current generator to the bond flaps 110, 116. The bond flaps 108, 114 then remain floating. If the right-hand series conductor is to be energized, an alternating current generator is connected between the two bonding flaps 108 and 110. For example, in a first half period of this alternating current, in the hatched area 118, the main magnetic field is attenuated by the current following a "U" shaped path in the top wiring layer. The currents in the two conductor tracks along the region hatched the other way around are then directed in such a way that the main magnetic field is amplified there. In the next half period, the direction of flow is reversed and the main magnetic field is thus weakened just in the shaded area 120. The drive takes place again by means of small elements of permalloy which are not indicated. The left half of the device is constructed analogously.

Op overeenkomstige manier is het mogelijk dat de bondflappen 108 en 114 juist de bovenste bedradingslaag vormen.Similarly, bond flaps 108 and 114 may just form the top wiring layer.

30 In het algemeen is het voordelig wanneer de meandergelei-ders dicht op de laag van magnetiseerbaar materiaal gelegen zijn, omdat dan de dissipatie lager kan zijn. In dat geval is de konstruktie van het doorverbindingsgaït ook iets anders, maar op zichzelf is die konstruktie bekend. Het 35 voordeel de opzet van Fig. 2 is dat geen isolerende weerstanden nodig zijn voor de parallelgeleiders. Het is op zichzelf geen technologisch probleem om zulke weerstanden --te—maken; een soortelijke weerstand die twintig maal_zo__— 790 55 43 PHN 9531 10 hoog is als die van het materiaal van de geleiders is goed haalbaar (de weerstand van 1 periode van deze geleiders ligt in de orde van 1 ohm). Maar de dissipatie per oppervlak is daar dan veel groter, zodat aanzienlijke gradiënten 5 in de temperatuur kunnen optreden.In general, it is advantageous if the meandering conductors are located close to the layer of magnetizable material, because the dissipation can then be lower. In that case, the construction of the transfer gait is also slightly different, but that construction is known per se. The advantage of the design of FIG. 2 is that no insulating resistors are required for the parallel conductors. It is not in itself a technological problem to make such resistances; a resistivity which is twenty times as high as that of the material of the conductors is 790 55 43 PHN 9531 10 (the resistance of 1 period of these conductors is of the order of 1 ohm). But the dissipation per surface is then much greater there, so that considerable gradients in the temperature can occur.

Het kan in de opzet van Fig. 2 in bepaalde gevallen voorkomen dat de weerstand van de parallelgeschakelde lussen van de seriegeleiders te laag is voor een goede aanpassing aan de stroomgenerator daarvoor. In dat geval kan 10 bijvoorbeeld een scheiding gemaakt worden in de bondflap-pen 108, 110, terwijl telkens een helft van elk der beide flappen is doorverbonden met de daarmee niet overeenkomstige van de de andere (dus bijvoorbeeld de onderste helft van 108 met de bovenste helft van 110). De niet verbonden 15 helften vormen dan de aansluitingen. In sommige gevallen zijn dan weer, evenwel minder, isolerende weerstanden nodig omdat nog steeds alle parallel-geleiders een gemeenschappelijke aansluiting bezitten. Dit kan een gunstige tussenvorm tussen Fig. 1 en Fig . 2 leveren.In the scheme of Fig. 2 in some cases prevent the resistance of the parallel-connected loops of the series conductors from being too low for proper adaptation to the current generator therefor. In that case, for example, a separation can be made in bond flaps 108, 110, while one half of each of the two flaps is interconnected with the corresponding one of the other (i.e., for example, the bottom half of 108 with the top half of 110). The unconnected halves then form the connections. In some cases, however, less insulating resistors are required, because all parallel conductors still have a common connection. This can be a favorable intermediate form between FIG. 1 and FIG. 2 deliver.

20 Fig. 3 geeft een derde uitvoering van een in richting volgens de uitvinding. Er zijn getoond vier pa-rallelgeleiders 130 t/m 136 en één seriegeleider 138 (de andere is eenvoudshalve weggelaten). De seriegeleider is verdeeld in deeltrajekten van alle overeenkomstige vorm, 25 waarvan de spoed overeenkomt met twee perioden van de me— andergeleider. Bij positie 14θ is getekend een doorverbinding tussen bovenste en onderste bedradingslaag. Bij een domeindiameter van 1 mikron is de langsperiode van alle meandergeleiders gelijk aan vier mikron. Voor de doorver-30 binding bevat de bedradingslaag van de parallelgeleiders (zij bijvoorbeeld bij 142) aansluitstukken van 3^3 mikron. Bij een minimum detail in de bedrading van 1 mikron is hiervoor Igen uitsparing in deze zelfde laag ( de onderste in dit geval) van 4x5 mikron. Bij 140 is in gebroken lijnen 35 aangegeven het genoemde aansluitstuk en de bijbehorende uitsparing. In stippellijnen is ter plaatse als een vierkant van 2x2 mikron aangegeven het gat in de isolerende _tussenlaag tussen de bovenste en de onderste bedradjngs- 790 5 5 43 PHN 9531 Tt laag. De bovenste bedradingslaag wordt bijvoorbeeld begrensd door de lijn 146 en strekt zich in de figuur naar onderen uit. De verdere grenzen van deze bedradingslaag zijn niet aangegeven. Door een spanning tussen bovenste en onderste 5 bedradingslaag worden dan telkens vrijwel twee perioden van de seriegeleider bekrachtigd, met als gevolg een hogere impedantie in vergelijking tot Fig. 2. Door de vergrote periodiciteit van de aansluiting van de seriegeleider is voor zo’n aansluiting nu ook meer ruimte beschikbaar. Het is een 10 klein nadeel dat bij het bekrachtigen van de parallelgelei-ders een kleine asymmetrie in de bekrachtiging optreedt.FIG. 3 shows a third embodiment of an apparatus according to the invention. Four parallel conductors 130 through 136 and one series conductor 138 are shown (the other is omitted for simplicity). The series conductor is divided into sections of all corresponding shape, the pitch of which corresponds to two periods of the metal conductor. Position 14θ shows a jumper between the top and bottom wiring layer. For a domain diameter of 1 micron, the length of all meandering conductors is equal to four microns. For the through-connection, the wiring layer of the parallel conductors (albeit at 142) contains 3 µm micron connectors. With a minimum detail in the wiring of 1 micron, there is a recess in this same layer (the bottom one in this case) of 4x5 microns. At 140, broken lines 35 indicate the said connecting piece and the associated recess. In dotted lines, a square of 2x2 micron is indicated on the spot as the hole in the insulating intermediate layer between the top and bottom wiring 790 5 5 43 PHN 9531 Tt layer. For example, the top wiring layer is bounded by line 146 and extends downward in the figure. The further limits of this wiring layer are not indicated. A voltage between the top and bottom wiring layers then energizes almost two periods of the series conductor, resulting in a higher impedance compared to FIG. 2. Due to the increased periodicity of the connection of the series conductor, more space is now available for such a connection. It is a minor drawback that when energizing the parallel conductors, a small asymmetry in the energization occurs.

In dat geval wordt de bondflap 144 bekrachtigd. Mede door het stuk bij 148 hebben de parallelgeleiders 134 en 136 nu niet precies dezelfde impedantie. Bovendien is bij bekrach-15 tiging de kringstroom om de lus bij 149 groter dan die bij 148. In bepaalde gevallen kan dit een versmald tolerantiegebied voor het hoofdmagneetveld opleveren. Genoemde asym-metrieén worden groter als de deeltrajekten meer perioden bevatten dan in Fig. 3 is getoond.In that case, the bond flap 144 is energized. Partly because of the stretch at 148, the parallel conductors 134 and 136 do not now have exactly the same impedance. In addition, when energized, the loop loop current at 149 is greater than that at 148. In some instances, this may produce a narrowed tolerance range for the main magnetic field. Said asymetrics become larger if the sublanes contain more periods than in FIG. 3 is shown.

20 Een verder verschil tussen Fig. 3 en de voorgaan de is dat de parallelgeleiders 130 en 134 over een deel van hun lengte een periode bezitten die 10% groter is dan die van de andere twee, zodat ze boven positie 144 onderling in tegenfase zijn. Bij 146 is in onderbroken lijnen de "norma-25 ie” toestand weergegeven. Als de parallelgeleiders worden bekrachtigd, zijn de stromen aan weerszijden van de onderbroken lijnen gelijkgericht. Bovendien staat tussen de betreffende gebieden geen spanningsverschil. Weliswaar bevat het onderste gebied van bijvoorbeeld parallelgeleider 136 30 een halve periode meer, maar door de grotere lengte hebben de perioden van bijvoorbeeld parallelgeleider 13^· op zich een grotere weerstand. Van deze eigenschap is gebruik gemaakt door de tussenruimte tussen aanpalende parallelgeleiders ook met geleidermateriaal op te vullen, 35 zodat een eenvoudiger detaillering resulteert. Daardoor zullen bij de fabricage minder frouten optreden. Deze eaa· voudiger detaillering geldt voor een relatief groot deel ---van, de struktuur. Bij een lengte van de parallelgeleiders___ 790 5 5 43 PHN 9531 12 van 32 perioden is de ngatenplaat" over 20 perioden aanwezig. Het is duidelijk dat aan de bovenzijde van de struk-tuur dan weer een overgangsgebied met verspringende perioden aanwezig is om een juiste aansluiting op de seriegelei-5 der te krijgen. Aan de andere kant kunnen de parallelge-leiders ook over hun gehele lengte gespiegeld zijn, maar dan zijn niet alle overneem-mechanismes tussen de serie-en parallelaandrijving gelijk.A further difference between FIG. 3 and the foregoing is that the parallel conductors 130 and 134 have a period of 10% greater than that of the other two over part of their length, so that they are mutually phase-reversed above position 144. At 146, the "norma-25 ie" state is shown in broken lines. When the parallel conductors are energized, the currents on either side of the broken lines are rectified. In addition, there is no voltage difference between the affected areas. 136 30 half a period more, but due to the longer length, the periods of, for example, parallel conductor 13 ^ · in themselves have a greater resistance.This property has been used by also filling the gap between adjacent parallel conductors with conductor material, so that a simpler detailing results, which will lead to fewer frills during manufacturing This more simple detailing applies to a relatively large part of the structure At a length of the parallel conductors 790 5 5 43 PHN 9531 12 of 32 periods is the hole plate "present over 20 periods. It is clear that at the top of the structure there is again a transition region with staggered periods to obtain a correct connection to the series conductor. On the other hand, the parallel conductors can also be mirrored along their entire length, but not all transfer mechanisms between the series and parallel drive are the same.

Fig. 4 geeft nadere details bij het uitvoerings-voorbeeld van Fig.- 2. De figuur geeft een bovenaanzicht van de voortplantingsstruktuur. Als gearceerde gedeelten zijn aangegeven kleine elementen vanrpermalloy om bij afwezigheid van stroombekrachtiging permanente voorkeursposities voor de domeinen te creëren. De dikte van het per-10 malloy is evenals die van de geleiderlaag voor domeinen met een diameter van 1 mikron, ongeveer 0,2 - 0,4 mikron. Op zichzelf zijn andere technieken bekend voor het kreëren van zulke voorkeursposities, bijvoorbeeld met ionenimplantatie. Ongearceerd zijn aangegeven de meandergeleiders. Op bepaal-20 de plaatsen, bijvoorbeeld bij positie 150 steken permalloy elementen uit buiten de geleiderbaan ter plaatse. De stroom-aansluitingen hebben de vorm van Fig. 2 (enkelvoudige lus-sen in de seriegeleiders). De richting van het hoofdmagneetveld is naar bovengericht zoals bij indikatie 152 is.Fig. 4 gives further details on the exemplary embodiment of FIG. 2. The figure shows a top view of the propagation structure. As shaded sections, small elements of permalloy are indicated to create permanent preferred positions for the domains in the absence of power excitation. The thickness of the per-10 malloy, like that of the conductor layer for domains 1 micron diameter, is about 0.2-0.4 micron. Other techniques are known per se for creating such preferred positions, for example with ion implantation. The meander guides are indicated unshaded. At certain locations, for example at position 150, permalloy elements protrude from the on-site conductor track. The power connections are in the form of Fig. 2 (single loops in the series conductors). The direction of the main magnetic field is directed upwards as with indication 152.

25 aangegeven. Voorts is er een kleine veldkomponent in het vlak van de plaat ter grootte van ongeveer 15°/o van de sterkte van het hoofdmagneetveld. De richting daarvan is bij' indikatie 154 aangegeven. In bepaalde gevallen is dit in-vlaks- (in-plane) veld niet nodig. Fenvoudigshalve zijn 30 domeingenerators , annihilators, detektors, bondflappen en dergelijke weggelaten. In dit verband geeft Fig. 5 een bekrachtigingsdiagram bij Fig. 4, en wel op de bovenste regel de stromen door de seriegeleiders en op de onderste regel de stromen door de parallelgeleiders. Verder is een aantal domeinposities (met de domeinen telkens op schaal) aangegeven. De cijfers bij de domeinposities refereren aan punten op de tijdsas in Fig. 5. Door een positieve -s-froompuls i1 (volgens de pijlen) in de seriegeleidex--- 790 5 5 43 PHN 9531 13 wordt het hoofdmagneetveld ter plaatse van indikatie 156 verzwakt. Na het einde van zo'n stroompuls ontstaat door de invloed van de veldkomponent volgens pijl 154 op het permalloy een voorkeurspositie bij 112”. Door een daarop-5 volgende negatieve stroompuls in de seriegeleider wordt het hoofdveld bij 158 verzwakt en is daarna een.voorkeurspositie bij "1". Na weer een positieve stroompuls is positie 160 ("2") bereikt. Dan wordt een positieve puls van met de eerder genoemde pulsen in de seriegeleider vergelijkbare 10 duur en amplitude (162) gegeven op de parallelgeleiders, waardoor het hoofdmagneetveld bij indikatie 164 wordt versterkt, en bij indikatie wordt verzwakt, met name direkt aan de rand van het in de figuur horizontaal verlopend gedeelte van de geleider. Na het einde van deze stroompuls 15 is het domein dan aldaar op de positie "3" aanwezig. Door een direkt daarop volgende negatieve (tegen de getekende pijlrichting in) stroompuls in de parallelgeleiders wordt het veld bij indikatie 164 verzwakt en is daarna het domein bij indikatie ”4" aanwezig. Na weer een positieve 20 stroompuls is het domein een halve periode verder op positie "5” aanwezig. Als een domein na een laatste positieve puls in de parallelgeleiders aan het boveneinde daarvan op een positie 5 is aangekomen is opnieuw overname in de seriegeleider mogelijk. Door een negatieve puls in de serie-25 geleider wordt het hoofdveld bij indikatie 168 verzwakt en is een voorkeurspositie bij "1”. Na een positieve stroompuls in de seriegeleider is er daarna een voorkeurspositie bij "2" (dit is weer overeenkomstig met een "5"-positie).25 indicated. Furthermore, there is a small field component in the plane of the plate about 15 ° / o of the strength of the main magnetic field. The direction thereof is indicated at indication 154. In some cases, this in-plane field is not necessary. For the sake of simplicity, 30 domain generators, annihilators, detectors, bond flaps and the like have been omitted. In this connection, FIG. 5 an energizing diagram at FIG. 4, on the top line the currents through the series conductors and on the bottom line the currents through the parallel conductors. In addition, a number of domain positions (with the domains each on a scale) are indicated. The numbers at the domain positions refer to points on the time axis in FIG. 5. A positive magnetic pulse i1 (according to the arrows) in the series guide --- 790 5 5 43 PHN 9531 13 weakens the main magnetic field at indication 156. After the end of such a current pulse, a preferential position at 112 ”is created by the influence of the field component according to arrow 154 on the permalloy. Due to a subsequent negative current pulse in the series conductor, the main field at 158 is attenuated and is then a preferred position at "1". After another positive current pulse, position 160 ("2") is reached. Then a positive pulse of duration and amplitude (162) comparable to the aforementioned pulses in the series conductor is given on the parallel conductors, thereby amplifying the main magnetic field at indication 164, and attenuating it at indication, especially directly at the edge of the horizontally extending part of the guide in the figure. After this current pulse 15 has ended, the domain is then present at position "3". Due to a directly subsequent negative (counter-drawn arrow) current pulse in the parallel conductors, the field at indication 164 is weakened and the domain is then indicated at indication "4". After another positive current pulse, the domain is half a period further on. position "5" present. If a domain has arrived at a position 5 after a last positive pulse in the parallel conductors at the top end thereof, it is possible to take over again in the series conductor. Due to a negative pulse in the series-25 conductor, the main field is weakened at indication 168 and is a preferred position at "1". After a positive current pulse in the series conductor, there is then a preferred position at "2" (this again corresponds to a " 5 "position).

De twee seriegeleiders kunnen weer tesamen worden bekrach-30 tigd.The two series conductors can be energized together again.

35 --79 0 45Ύ335 --79 0 45Ύ3

Claims

1. Apparatus for storing digital information in the form of magnetic domains in a magnetizable layer under the control of a transverse main magnetic field, further comprising driving means in the form of at least one driveable by a periodic electric current, at least partially meandering current conductor 10 disposed on said layer, through which a path for the magnetic domains situated along the meandering part thereof is defined, characterized in that said electric singly coherent current conductor comprises at least first and second parallel meandering paths and furthermore a transverse thereto An upright third conductor path which, by a sequence of alternating currents therein, forms a longitudinal path for the magnetic domains therein, and that for a conversion between serial and parallel drive of the domains, said first and second meandering paths are provided on the third conductor path lots in that a first and second loop of the third conductor track also form part of said first as end loop. , second meandertra, respectively.

2. Device as claimed in claim 1, characterized in that said current conductor further comprises a fourth conductor path which runs parallel to the third conductor path and which forms a path for the magnetic domains thereon by a sequence of alternating currents therein, parallel organized storage in said first and second meandering section, the latter are connected to the fourth conductor section in that a third and fourth loop of the fourth conductor section, as a further end loop, form part of said first and second meandering section, respectively.

3. Device as claimed in claim 1 or 2, characterized in that at least said third conductor section forms a third meandering section, and that said end loops are each connected via a resistor to a former 790. 43 PHN 9531 15 and second meandering path common current connection to said magnetisable layer.

4. Device as claimed in claim 1 or 2, characterized in that said third conductor section comprises a number of sub-paths each comprising at least one said end loop, each having a first partial connection and a second partial connection, and that all said first partial connections mutually and second partial connections are interconnected on the magnetizable material plate to form a separate first and second main connection, respectively.

5. Device as claimed in any of the claims 1-4, characterized in that said first and second meandering stretches mirror each other at least over a first part of their length.

6. Device as claimed in claim 5, characterized in that said first and second meandering section extend over a second part of their length, namely between said first part and each end loop of a pair of adjacent end loops, having a different period length, and that said pair end loops are formed accordingly. 25 30 79T55T3 35