NL7706738A - Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7706738A
NL7706738A NL7706738A NL7706738A NL7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
mis
line
manufacturing
application
molded product
Prior art date
Application number
NL7706738A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7706738A publication Critical patent/NL7706738A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7833Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
    • H01L29/7835Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
NL7706738A 1976-06-23 1977-06-17 Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze. NL7706738A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7317476A JPS52156576A (en) 1976-06-23 1976-06-23 Production of mis semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7706738A true NL7706738A (nl) 1977-12-28

Family

ID=13510505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7706738A NL7706738A (nl) 1976-06-23 1977-06-17 Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4258465A (nl)
JP (1) JPS52156576A (nl)
DE (1) DE2726003A1 (nl)
NL (1) NL7706738A (nl)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128439A (en) * 1977-08-01 1978-12-05 International Business Machines Corporation Method for forming self-aligned field effect device by ion implantation and outdiffusion
DE2802838A1 (de) * 1978-01-23 1979-08-16 Siemens Ag Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge
DE2834724A1 (de) * 1978-08-08 1980-02-14 Siemens Ag Mos-feldeffekttransistoren fuer hoehere spannungen
US4402761A (en) * 1978-12-15 1983-09-06 Raytheon Company Method of making self-aligned gate MOS device having small channel lengths
DE2947350A1 (de) * 1979-11-23 1981-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von mnos-speichertransistoren mit sehr kurzer kanallaenge in silizium-gate-technologie
US4380866A (en) * 1981-05-04 1983-04-26 Motorola, Inc. Method of programming ROM by offset masking of selected gates
US5145798A (en) * 1982-08-30 1992-09-08 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating an insulated gate field effect transistor having lightly-doped source and drain extensions using an oxide sidewall spacer method
DE3578270D1 (de) * 1984-04-30 1990-07-19 Gen Electric Feldeffekt-transistor-anordnung und verfahren zu deren herstellung.
JPS6269664A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp 相補mos型半導体装置
US4784965A (en) * 1986-11-04 1988-11-15 Intel Corporation Source drain doping technique
US4907048A (en) * 1987-11-23 1990-03-06 Xerox Corporation Double implanted LDD transistor self-aligned with gate
US4851361A (en) * 1988-02-04 1989-07-25 Atmel Corporation Fabrication process for EEPROMS with high voltage transistors
US5258319A (en) * 1988-02-19 1993-11-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a MOS type field effect transistor using an oblique ion implantation step
JP2760068B2 (ja) * 1989-07-18 1998-05-28 ソニー株式会社 Mis型半導体装置の製造方法
JP2835216B2 (ja) * 1991-09-12 1998-12-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5286664A (en) * 1991-10-01 1994-02-15 Nec Corporation Method for fabricating the LDD-MOSFET
EP0565231A3 (en) * 1992-03-31 1996-11-20 Sgs Thomson Microelectronics Method of fabricating a polysilicon thin film transistor
US5759897A (en) * 1996-09-03 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an asymmetrical transistor with lightly and heavily doped drain regions and ultra-heavily doped source region
JP4242461B2 (ja) * 1997-02-24 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10256394A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体構造体およびデバイス
US6015991A (en) * 1997-03-12 2000-01-18 International Business Machines Corporation Asymmetrical field effect transistor
US5904529A (en) * 1997-08-25 1999-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an asymmetrical IGFET and providing a field dielectric between active regions of a semiconductor substrate
JPH1187695A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6153477A (en) * 1998-04-14 2000-11-28 Advanced Micro Devices, Inc. Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant
TW544941B (en) * 2002-07-08 2003-08-01 Toppoly Optoelectronics Corp Manufacturing process and structure of thin film transistor
US20040201067A1 (en) * 2002-07-08 2004-10-14 Toppoly Optoelectronics Corp. LLD structure of thin film transistor
US20040201068A1 (en) * 2002-10-02 2004-10-14 Toppoly Optoelectronics Corp. Process for producing thin film transistor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3533158A (en) * 1967-10-30 1970-10-13 Hughes Aircraft Co Method of utilizing an ion beam to form custom circuits
BE759057A (nl) * 1969-11-19 1971-05-17 Philips Nv
GB1289740A (nl) * 1969-12-24 1972-09-20
JPS4936514B1 (nl) * 1970-05-13 1974-10-01
US4075754A (en) * 1974-02-26 1978-02-28 Harris Corporation Self aligned gate for di-CMOS
US3996657A (en) * 1974-12-30 1976-12-14 Intel Corporation Double polycrystalline silicon gate memory device
US4033026A (en) * 1975-12-16 1977-07-05 Intel Corporation High density/high speed MOS process and device

Also Published As

Publication number Publication date
US4258465A (en) 1981-03-31
JPS52156576A (en) 1977-12-27
DE2726003A1 (de) 1977-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7706738A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL185457C (nl) Werkwijze voor het bereiden van tetrafluoretheencopolymeren, alsmede gevormd voortbrengsel.
NL7800531A (nl) Kunsthuid voor het verbinden van wonden, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een zodanig produkt.
NL175443C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een gevlokt produkt, en daarmee verkregen gevlokt produkt.
NL7410349A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van schuimstofartikelen met een daaraan hech- tende bekleding, alsmede schuimstofartikel, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149822B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een copolymeer en gevormde voortbrengselen verkregen onder toepassing daarvan.
NL166963C (nl) Werkwijze voor het bereiden van geschuimd polyalkeen en voorwerpen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide polyalkeen.
NL147756B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een thermoplastisch entcopolymeer en gevormde voortbrengselen, die geheel of ten dele bestaan uit het aldus bereide thermoplastische entcopolymeer.
NL7409590A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van spaanplaat, vezelplaat en dergelijke.
NL140555B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een mengsel voor het bekleden van papieroppervlakken, alsmede de onder toepassing daarvan vervaardigde papierprodukten.
NL161854B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een kogelscharnier, alsmede kogelscharnier vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL168246C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een chloor-houdend harsmateriaal en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide chloor-houdende harsmateriaal.
NL7703268A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van kunststof- produkten met een netvormige structuur en in- richting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL160297C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een gehard polyurethan- schuim, alsmede de daaruit bestaande gevormde voort- brengselen.
NL144517B (nl) Werkwijze voor het vormgeven van een thermohardbare kunststof met behulp van een flexibele gietvorm, flexibele gietvorm, en voorwerpen, verkregen onder toepassing van de werkwijze.
NL7601727A (nl) Inrichting voor het reduceren van de geluidspro- duktie in tandwielkoppelingen, met een hoge vei- ligheidsgraad.
NL174050B (nl) Werkwijze voor de bereiding van een slagvast polymeer en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide slagvaste polymeer.
NL160149C (nl) Verrijdbare inrichting voor het in de grond brengen van een behandelingsmiddel.
NL162930C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een tegen veroudering gestabiliseerd polymeer materiaal, alsmede gevormd voortbrengsel, vervaardigd onder toepassing daarvan.
NL190267B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een geneesmiddel met antibacteriele werking en werkwijze voor het bereiden van geneeskrachtige oxadethia-cefalosporinederivaten.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7800875A (nl) Preparaat voor het regelen van het nitrosamine- gehalte in met nitriet verduurzaamd vlees, als- mede vleesprodukten die met een zodanig prepa- raat zijn behandeld.
NL167891B (nl) Inrichting voor het uit kunststof vervaardigen van een strengvormig lichaam en het strengvormige lichaam verkregen met de inrichting.
NL7708787A (nl) Werkwijze voor het bereiden van polymeren als- mede gevormde voortbrengselen, verkregen met toepassing hiervan.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed