NL7706738A - Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL7706738A NL7706738A NL7706738A NL7706738A NL7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A NL 7706738 A NL7706738 A NL 7706738A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- mis
- line
- manufacturing
- application
- molded product
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7317476A JPS52156576A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Production of mis semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7706738A true NL7706738A (nl) | 1977-12-28 |
Family
ID=13510505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7706738A NL7706738A (nl) | 1976-06-23 | 1977-06-17 | Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4258465A (nl) |
JP (1) | JPS52156576A (nl) |
DE (1) | DE2726003A1 (nl) |
NL (1) | NL7706738A (nl) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4128439A (en) * | 1977-08-01 | 1978-12-05 | International Business Machines Corporation | Method for forming self-aligned field effect device by ion implantation and outdiffusion |
DE2802838A1 (de) * | 1978-01-23 | 1979-08-16 | Siemens Ag | Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge |
DE2834724A1 (de) * | 1978-08-08 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Mos-feldeffekttransistoren fuer hoehere spannungen |
US4402761A (en) * | 1978-12-15 | 1983-09-06 | Raytheon Company | Method of making self-aligned gate MOS device having small channel lengths |
DE2947350A1 (de) * | 1979-11-23 | 1981-05-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von mnos-speichertransistoren mit sehr kurzer kanallaenge in silizium-gate-technologie |
US4380866A (en) * | 1981-05-04 | 1983-04-26 | Motorola, Inc. | Method of programming ROM by offset masking of selected gates |
US5145798A (en) * | 1982-08-30 | 1992-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an insulated gate field effect transistor having lightly-doped source and drain extensions using an oxide sidewall spacer method |
DE3578270D1 (de) * | 1984-04-30 | 1990-07-19 | Gen Electric | Feldeffekt-transistor-anordnung und verfahren zu deren herstellung. |
JPS6269664A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 相補mos型半導体装置 |
US4784965A (en) * | 1986-11-04 | 1988-11-15 | Intel Corporation | Source drain doping technique |
US4907048A (en) * | 1987-11-23 | 1990-03-06 | Xerox Corporation | Double implanted LDD transistor self-aligned with gate |
US4851361A (en) * | 1988-02-04 | 1989-07-25 | Atmel Corporation | Fabrication process for EEPROMS with high voltage transistors |
US5258319A (en) * | 1988-02-19 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a MOS type field effect transistor using an oblique ion implantation step |
JP2760068B2 (ja) * | 1989-07-18 | 1998-05-28 | ソニー株式会社 | Mis型半導体装置の製造方法 |
JP2835216B2 (ja) * | 1991-09-12 | 1998-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5286664A (en) * | 1991-10-01 | 1994-02-15 | Nec Corporation | Method for fabricating the LDD-MOSFET |
EP0565231A3 (en) * | 1992-03-31 | 1996-11-20 | Sgs Thomson Microelectronics | Method of fabricating a polysilicon thin film transistor |
US5759897A (en) * | 1996-09-03 | 1998-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making an asymmetrical transistor with lightly and heavily doped drain regions and ultra-heavily doped source region |
JP4242461B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2009-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH10256394A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体構造体およびデバイス |
US6015991A (en) * | 1997-03-12 | 2000-01-18 | International Business Machines Corporation | Asymmetrical field effect transistor |
US5904529A (en) * | 1997-08-25 | 1999-05-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making an asymmetrical IGFET and providing a field dielectric between active regions of a semiconductor substrate |
JPH1187695A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6153477A (en) * | 1998-04-14 | 2000-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant |
TW544941B (en) * | 2002-07-08 | 2003-08-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Manufacturing process and structure of thin film transistor |
US20040201067A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-10-14 | Toppoly Optoelectronics Corp. | LLD structure of thin film transistor |
US20040201068A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-10-14 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Process for producing thin film transistor |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3533158A (en) * | 1967-10-30 | 1970-10-13 | Hughes Aircraft Co | Method of utilizing an ion beam to form custom circuits |
BE759057A (nl) * | 1969-11-19 | 1971-05-17 | Philips Nv | |
GB1289740A (nl) * | 1969-12-24 | 1972-09-20 | ||
JPS4936514B1 (nl) * | 1970-05-13 | 1974-10-01 | ||
US4075754A (en) * | 1974-02-26 | 1978-02-28 | Harris Corporation | Self aligned gate for di-CMOS |
US3996657A (en) * | 1974-12-30 | 1976-12-14 | Intel Corporation | Double polycrystalline silicon gate memory device |
US4033026A (en) * | 1975-12-16 | 1977-07-05 | Intel Corporation | High density/high speed MOS process and device |
-
1976
- 1976-06-23 JP JP7317476A patent/JPS52156576A/ja active Pending
-
1977
- 1977-06-08 DE DE19772726003 patent/DE2726003A1/de not_active Ceased
- 1977-06-17 NL NL7706738A patent/NL7706738A/nl not_active Application Discontinuation
-
1978
- 1978-05-26 US US05/909,942 patent/US4258465A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4258465A (en) | 1981-03-31 |
JPS52156576A (en) | 1977-12-27 |
DE2726003A1 (de) | 1977-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL7706738A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een mis halfgeliederinrichting met niet in lijn gelegen poort, en gevormd produkt verkregen onder toe- passing van deze werkwijze. | |
NL7510903A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL185457C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van tetrafluoretheencopolymeren, alsmede gevormd voortbrengsel. | |
NL7800531A (nl) | Kunsthuid voor het verbinden van wonden, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een zodanig produkt. | |
NL175443C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een gevlokt produkt, en daarmee verkregen gevlokt produkt. | |
NL7410349A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van schuimstofartikelen met een daaraan hech- tende bekleding, alsmede schuimstofartikel, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149822B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een copolymeer en gevormde voortbrengselen verkregen onder toepassing daarvan. | |
NL166963C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van geschuimd polyalkeen en voorwerpen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide polyalkeen. | |
NL147756B (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een thermoplastisch entcopolymeer en gevormde voortbrengselen, die geheel of ten dele bestaan uit het aldus bereide thermoplastische entcopolymeer. | |
NL7409590A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van spaanplaat, vezelplaat en dergelijke. | |
NL140555B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een mengsel voor het bekleden van papieroppervlakken, alsmede de onder toepassing daarvan vervaardigde papierprodukten. | |
NL161854B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kogelscharnier, alsmede kogelscharnier vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL168246C (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een chloor-houdend harsmateriaal en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide chloor-houdende harsmateriaal. | |
NL7703268A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van kunststof- produkten met een netvormige structuur en in- richting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
NL160297C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een gehard polyurethan- schuim, alsmede de daaruit bestaande gevormde voort- brengselen. | |
NL144517B (nl) | Werkwijze voor het vormgeven van een thermohardbare kunststof met behulp van een flexibele gietvorm, flexibele gietvorm, en voorwerpen, verkregen onder toepassing van de werkwijze. | |
NL7601727A (nl) | Inrichting voor het reduceren van de geluidspro- duktie in tandwielkoppelingen, met een hoge vei- ligheidsgraad. | |
NL174050B (nl) | Werkwijze voor de bereiding van een slagvast polymeer en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van het aldus bereide slagvaste polymeer. | |
NL160149C (nl) | Verrijdbare inrichting voor het in de grond brengen van een behandelingsmiddel. | |
NL162930C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een tegen veroudering gestabiliseerd polymeer materiaal, alsmede gevormd voortbrengsel, vervaardigd onder toepassing daarvan. | |
NL190267B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een geneesmiddel met antibacteriele werking en werkwijze voor het bereiden van geneeskrachtige oxadethia-cefalosporinederivaten. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL7800875A (nl) | Preparaat voor het regelen van het nitrosamine- gehalte in met nitriet verduurzaamd vlees, als- mede vleesprodukten die met een zodanig prepa- raat zijn behandeld. | |
NL167891B (nl) | Inrichting voor het uit kunststof vervaardigen van een strengvormig lichaam en het strengvormige lichaam verkregen met de inrichting. | |
NL7708787A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van polymeren als- mede gevormde voortbrengselen, verkregen met toepassing hiervan. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BV | The patent application has lapsed |