NL7507742A - Werkwijze voor ionenimplantatie in een halfgeleider- drager en halfgeleiderinrichting vervaardigd vol- gens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor ionenimplantatie in een halfgeleider- drager en halfgeleiderinrichting vervaardigd vol- gens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7507742A
NL7507742A NL7507742A NL7507742A NL7507742A NL 7507742 A NL7507742 A NL 7507742A NL 7507742 A NL7507742 A NL 7507742A NL 7507742 A NL7507742 A NL 7507742A NL 7507742 A NL7507742 A NL 7507742A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
ion implantation
semiconductor
device manufactured
semiconductor device
Prior art date
Application number
NL7507742A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL7507742A publication Critical patent/NL7507742A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H01L21/2652—Through-implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/06—Gettering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
NL7507742A 1974-07-15 1975-06-30 Werkwijze voor ionenimplantatie in een halfgeleider- drager en halfgeleiderinrichting vervaardigd vol- gens deze werkwijze. NL7507742A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/488,376 US3945856A (en) 1974-07-15 1974-07-15 Method of ion implantation through an electrically insulative material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7507742A true NL7507742A (nl) 1976-01-19

Family

ID=23939499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7507742A NL7507742A (nl) 1974-07-15 1975-06-30 Werkwijze voor ionenimplantatie in een halfgeleider- drager en halfgeleiderinrichting vervaardigd vol- gens deze werkwijze.

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3945856A (fr)
JP (1) JPS5119475A (fr)
BR (1) BR7504456A (fr)
CA (1) CA1034683A (fr)
CH (1) CH594987A5 (fr)
DE (1) DE2531003B2 (fr)
FR (1) FR2279223A1 (fr)
GB (1) GB1457223A (fr)
IT (1) IT1038940B (fr)
NL (1) NL7507742A (fr)
SE (1) SE404975B (fr)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243435A (en) * 1979-06-22 1981-01-06 International Business Machines Corporation Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter
CA1131797A (fr) * 1979-08-20 1982-09-14 Jagir S. Multani Fabrication d'un dispositif semiconducteur dans une couche epitaxiale simulee
JPS56101757A (en) * 1980-01-18 1981-08-14 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
US4507159A (en) * 1981-10-07 1985-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method of manufacturing high capacity semiconductor capacitance devices
US4567645A (en) * 1983-09-16 1986-02-04 International Business Machines Corporation Method for forming a buried subcollector in a semiconductor substrate by ion implantation
JPS60134478A (ja) * 1983-11-28 1985-07-17 ローム・コーポレーション 電気的プログラム式記憶装置を製造する方法
JPS60249319A (ja) * 1984-05-24 1985-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS6215864A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
US5021358A (en) * 1987-05-14 1991-06-04 North American Philips Corp. Signetics Division Semiconductor fabrication process using sacrificial oxidation to reduce tunnel formation during tungsten deposition
US5026437A (en) * 1990-01-22 1991-06-25 Tencor Instruments Cantilevered microtip manufacturing by ion implantation and etching
US5244819A (en) * 1991-10-22 1993-09-14 Honeywell Inc. Method to getter contamination in semiconductor devices
US5316981A (en) * 1992-10-09 1994-05-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method for achieving a high quality thin oxide using a sacrificial oxide anneal
US5362685A (en) * 1992-10-29 1994-11-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method for achieving a high quality thin oxide in integrated circuit devices
US5498577A (en) * 1994-07-26 1996-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating thin oxides for a semiconductor technology
US5525529A (en) * 1994-11-16 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Method for reducing dopant diffusion
JP2007142134A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Sumco Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
CN113611600B (zh) * 2021-07-29 2024-08-23 上海华力微电子有限公司 半导体器件的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3388009A (en) * 1965-06-23 1968-06-11 Ion Physics Corp Method of forming a p-n junction by an ionic beam
GB1209914A (en) * 1967-03-29 1970-10-21 Marconi Co Ltd Improvements in or relating to semi-conductor devices
US3632438A (en) * 1967-09-29 1972-01-04 Texas Instruments Inc Method for increasing the stability of semiconductor devices
US3566519A (en) * 1968-04-01 1971-03-02 Sprague Electric Co Method of making field effect transistor device
US3704178A (en) * 1969-11-05 1972-11-28 Bryan H Hill Process for forming a p-n junction in a semiconductor material
US3717790A (en) * 1971-06-24 1973-02-20 Bell Telephone Labor Inc Ion implanted silicon diode array targets for electron beam camera tubes
US3793088A (en) * 1972-11-15 1974-02-19 Bell Telephone Labor Inc Compatible pnp and npn devices in an integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US3945856A (en) 1976-03-23
CH594987A5 (fr) 1978-01-31
FR2279223A1 (fr) 1976-02-13
SE404975B (sv) 1978-11-06
IT1038940B (it) 1979-11-30
GB1457223A (en) 1976-12-01
JPS5238385B2 (fr) 1977-09-28
BR7504456A (pt) 1976-07-06
DE2531003A1 (de) 1976-02-05
JPS5119475A (en) 1976-02-16
AU8258175A (en) 1977-01-06
DE2531003B2 (de) 1977-02-17
CA1034683A (fr) 1978-07-11
FR2279223B1 (fr) 1979-04-27
SE7507114L (sv) 1976-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7507742A (nl) Werkwijze voor ionenimplantatie in een halfgeleider- drager en halfgeleiderinrichting vervaardigd vol- gens deze werkwijze.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7511527A (nl) Gordelband voor veiligheidsgordel.
NL7510884A (nl) Muntplaatje alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7512238A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van elektrodemateri- aal op een halfgeleider en halfgeleiderinrichting volgens deze werkwijze verkregen.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7609805A (nl) Werkwijze en inrichting voor vonkerosie.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL161301C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL7507891A (nl) Halfgeleiderbouwelement met een dielektrische dra- ger, en een werkwijze voor de vervaardiging hiervan.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7501990A (nl) Halfgeleiderinrichting, alsmede werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7412506A (nl) Vasthoudinrichting voor afbuigjuk.
NL7513742A (nl) Werkwijze en inrichting voor faksimilekodering.
NL7512769A (nl) Inrichting voor een vertraagde afbuiging in een oscilloscoop.
NL7508649A (nl) Afstroopinrichting voor een transportband.
NL176413C (nl) Werkwijze voor het vormen van een drager voor een halfgeleiderelement.
NL7512074A (nl) Verpakkinghouder en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL7612257A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting alsmede een volgens deze werk- wijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL176622C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
BN A decision not to publish the application has become irrevocable