NL195040C

NL195040C - Stralingsdetector.

Info

Publication number: NL195040C
Application number: NL9100637A
Authority: NL
Original assignee: Raytheon Co
Priority date: 1989-12-19
Filing date: 1991-04-12
Publication date: 2003-06-25
Also published as: JPH11295145A; US5113076A; NL9100637A; JP3005674B2

Description

1 195040

Stralingsdetector

De uitvinding heeft betrekking op een stralingsdetector voor het detecteren van straling, omvattend een eerste pn-overgang tussen een eerste gebied van halfgeleidermateriaal van een eerste geleidingstype en 5 een gemeenschappelijk tweede gebied van halfgeleidermateriaal van het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en een tweede pn-overgang tussen een derde gebied van halfgeleidermateriaal van het eerste geleidingstype en het gemeenschappelijk tweede gebied, waarbij de eerste en tweede pn-overgang elk een hetero-overgang vormen en de pn-overgangen elektrisch in onderling tegengestelde richting in serie geschakeld zijn tussen een eerste elektrisch contact voor het eerste gebied 10 en een tweede contact.

De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van de stralingsdetector.

Een dergelijke stralingsdetector en werkwijze voor het detecteren van straling zijn bekend uit de Amerikaanse octrooipublicatie US-4.278.986. Bij de bekende stralingsdetector vormen de eerste en de 15 tweede pn-overgang elk een hetero-overgang doordat de samenstelling van het halfgeleidermateriaal van het gemeenschappelijk gebied afwijkt van samenstelling van het halfgeleidermateriaal van de met de contacten verbonden gebieden. De afmetingen en de doteringsstofconcentratie van het gemeenschappelijke gebied zijn zodanig gekozen dat bij afwezigheid van een uitwendige spanning geen vrije ladingsdragers aanwezig zijn in het gemeenschappelijke gebied.

20 Stralingsdetectoren, bijvoorbeeld detectoren van halfgeleidende ll-VI verbindingen voor het detecteren van IR-straling, zijn in het algemeen vervaardigd met een zodanige samenstelling van ll-VI verbindingen dat de energiebandafstand geschikt is voor het absorberen van straling binnen een enkelvoudig spectraal gebied. Een mogelijkheid tot het met een enkele detector detecteren van straling binnen meer dan een spectraal gebied is dus een wenselijk doel. De tegenwoordig beschikbare technologie voor het realiseren 25 van deze functie is echter minder dan optimaal. Bijvoorbeeld kunnen twee afzonderlijke brandvlakken verschaft worden in samenwerking met een optische inrichting voor het spectraal splitsen van een invallende stralingsbundel, waardoor een gedeelte van de bundel naar elk van de brandvlakken gericht wordt. Deze benadering vereist echter relatief gecompliceerde optische inrichtingen en optische uitlijning en vereist verder de met twee brandvlakken van stralingsdetectoren geassocieerde kosten.

30 De uitvinding beoogt te voorzien in een enkelvoudige stralingsdetector met twee elektrische contacten, die in een enkelvoudige stralingsbundel wordt geplaatst voor het afzonderlijk detecteren van straling binnen meer dan één spectraal gebied van te onderscheiden spectrale gebieden en in een werkwijze voor het met gebruikmaking van de enkelvoudige stralingsdetector detecteren van straling voor meer dan één spectraal gebied van de te onderscheiden spectrale gebieden.

35 Daartoe heeft een stralingsdetector van de in de aanhef beschreven soort volgens de uitvinding het kenmerk dat de hetero-overgang van de eerste pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de eerste pn-overgang gevoelig is voor straling binnen een eerste spectraal gebied en de hetero-overgang van de tweede pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de tweede pn-overgang is voor straling binnen een afzonderlijk tweede spectraal gebied, het halfgeleider- 40 materiaal van het eerste gebied een zodanige energiebandafstand heeft dat straling binnen het tweede spectrale gebied waarvoor de tweede pn-overgang gevoelig is daardoorheen kan dringen en het eerste en het tweede spectrale gebied zijn gekozen uit een groep bestaande uit IR-straling van korte golflengte (SWIR), IR-straling van middengolflengte (MWIR), IR-straling van lange golflengte (LWIR) en IR-straling van zeer lange golflengte (VLWIR).

45 Een werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van de stralingsdetector heeft volgens de uitvinding het kenmerk dat een eerste instelspanning van een eerste polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact zodanig, dat de eerste pn-overgang in doorlaatrichting is en de tweede pn-overgang in keerrichting voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een eerste spectraal gebied; 50 en de eerste instelspanning wordt ontkoppeld en een tweede instelspanning van een tweede, tegengestelde polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de tweede pn-overgang in doorlaatrichting is en de eerste pn-overgang in keerrichting; voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een tweede spectraal gebied.

55 Tijdens gebruik is de detector gekoppeld aan een schakelbare instelspanningsbron, die een bron van positieve instelspanning (+Vb) en een bron van negatieve instelspanning (-Vb) bevat. Wanneer +Vb geleverd wordt over de detector, bevindt de eerste hetero-overgang zich ver in doorlaatrichting en werkt als 195040 2 een lage-weerstandsgeleider, waardoor deze overgang geen significante hoeveelheid fotostroom aan de schakeling levert. De tweede hetero-overgang bevindt zich echter in een keertoestand en moduleert de schakelingsstroom in evenredigheid met de fotonflux van een betreffend spectraal gebied of kleur. Wanneer omgekeerd -Vb geleverd wordt over de detector bevindt de tweede hetero-overgang zich in doorlaatrichting 5 en levert geen significante fotostroom aan de schakeling, terwijl de eerste hetero-overgang in keerrichting ingesteld wordt en een stroommodulatie produceert evenredig aan de daarop invallende flux, waarbij de flux betrekking heeft op een verschillend spectraal gebied.

In een illustratieve uitvoering bestaat de detector uit HgCdTe en bevat een n-type basislaag met een energiebandafstand, die reageert op midden-golflengte IR (MWIR) straling. Boven de basislaag bevindt zich 10 een sterk gedoteerd p-type korte-golf IR (SWIR) gevoelige laag. De p-type laag vormt een hetero-overgang met de basislaag, maar levert geen significante aantallen van SWIR-foton-gegeneerde ladingsdragers, aangezien de meeste SWIR fotonen niet door de basislaag heen penetreren. Boven de SWIR-laag is een n-type lange golf IR (LWIR) gevoelige laag voorzien. De LWIR-laag heeft een dikte, die groot genoeg is voor het absorberen van door de twee onderliggende lagen heen gepenetreerde LWIR-straling. Een andere 15 hetero-overgang wordt daarbij gevormd tussen de LWIR en SWIR-lagen, waarbij de hetero-overgang nagenoeg alleen op LWIR-straling reageert. Een een- of twee-dimensionele reeks van de detectoren kan vervaardigd worden als mesa-type of als planair-type inrichtingen. Extra gebieden van halfgeleidermateriaal kunnen voorzien worden voor het produceren van extra hetero-overgangen, resulterend in een stralings-detector, die gevoelig is voor drie of meer spectrale gebeiden.

20

De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van de tekening.

Hierin toont figuur 1 een dwarsdoorsnede-aanzicht van een uitvoering van een stralingsdetector voor twee verschillende spectrale gebieden; 25 figuur 2 een dwarsdoorsnede-aanzicht van een andere uitvoering van stralingsdetector voor twee verschillende spectrale gebieden; figuur 3 een dwarsdoorsnede-aanzicht van een verdere uitvoering van een stralingsdetector voor twee verschillende spectrale gebieden; figuren 3A en 3B zijn schematische weergaven van de detector van figuur 3 bij het aanleggen van een 30 spanning van onderling verschillende polariteit; figuren 3C en 3D grafische voorstellingen van verscheidene operationele karakteristieken van de stralingsdetector van figuur 3; figuren 4A, 4B en 4C stroom-spanningskarakteristieken van een stralingsdetector met twee aansluitingen; figuur 5 een uitvoering van een stralingsdetector met vier opeenvolgende gebieden van afwisselend 35 verschillend geleidingstype; figuur 6 een stroomspanningskarakteristiek met de optimale instelpunten voor de stralingsdetector van figuur 5; en figuur 7 een dwarsdoorsnede-aanzicht van een inrichting.

40 De stralingsdetector wordt hieronder beschreven in de context van een huidige voorkeursuitvoeringsvorm van een vanaf de achterzijde belichte stralingsdetector bestaande uit Hg(10.x)CdxTe. Het zal echter duidelijk zijn dat de stralingsdetector kan zijn gevormd uit andere ll-VI materialen, lll-V materialen, zoals bijvoorbeeld GaAs, GaAIAs en InP en uit silicium, zoals silicium gedoteerd platina. In het algemeen is de stralingsdetector gevormd uit een halfgeleidermateriaal, waarin verschillende energiebandafstanden voorzien zijn, 45 bijvoorbeeld door het selectief doteren of aangroeien van het materiaal.

In figuur 1 wordt een drielaags hetero-overgang (TLHJ) halfgeleider stralingsdetector 10 met twee aansluitingen getoond. Detector 10 is opgebouwd uit Hg(1 .o-*)CdxTe en bevat een n-type basislaag 12 met een energiebandafstand gevoelig voor IR-straling van midden-golflengte (MWIR). Boven laag 12 bevindt zich een sterk gedoteerde p-type laag 14 met een energiebandafstand gevoelig voor IR-straling van korte 50 golflengte (SWIR) 14. Laag 14 vormt een hetero-overgang 14a met de basislaag 12, maar levert geen significante aantallen van SWIR-fotongenereerde ladingsdragers, aangezien de meeste SWIR-straling niet door de basislaag 12 heen penetreert. In verband hiermee kan een filter (niet weergegeven) gebruikt worden aan het stralingsopneem-achterzijde-oppervlak van de detector 10 voor het elimeren van elke SWIR-gerelateerde respons in de basislaag 12. Overgang 14a is dus nagenoeg alleen gevoelig voor 55 MWIR-straling. Boven de SWIR-laag 14 is een n-type laag 16 met een energiebandafstand gevoelig voor IR-straling van een lange golflengte (LWIR) voorzien. LWIR-laag heeft een diepte, die groot genoeg is voor het absorberen van de door de twee onderliggende lagen 12 en 14 heen gepenetreerde LWIR-straling. Een 3 195040 hetero-overgang 16a wordt gevormd tussen lagen 14 en 16, waarbij de hetero-overgang 16a nagenoeg alleen op LWIR-straling reageert. Zoals hierin gebruikt, wordt van de SWIR-straling verondersteld, dat het een spectraal gebied, dat zich uitstrekt van ongeveer 1000 nm tot ongeveer 4000 nm, bevat. Van MWIR-straling wordt verondersteld dat het een spectraal gebied, dat zich uitstrekt van ongeveer 3000 nm tot 5 ongeveer 8000 nm bevat en van LWIR-straling wordt verondersteld dat het een spectraal gebied, dat zich uitstrekt van ongeveer 7000 nm tot ongeveer 14000 nm, bevat. Van VLWIR-straling wordt verondersteld dat het een van ongeveer 12000 nm tot ongeveer 20000 nm uitstrekkend spectraal gebeid bevat.

N-type MWIR gevoelige basislaag 12 bestaat bijvoorbeeld uit Hg0 7Cd0 3Te met een dikte van ongeveer 80000 nm. Basislaag 12 is gedoteerd met een indium in een concentratie van ongeveer 2X1015 indium-10 atomen per cm3.

P-type SWIR gevoelige laag 14 bestaat uit Hg0 6Cd0 4Te met een dikte van ongeveer 3000 nm. P-type SWIR gevoelige laag 16 is gedoteerd met arsenicum in een concentratie van ongeveer 1X1017 arseen-atomen per cm3. De n-type LWIR gevoelige laag 16 bestaat uit Hg0eCd02Te met een dikte van ongeveer 6000 nm. N-type LWIR gevoelige laag 16 is eveneens gedoteerd met indium in een concentratie van 15 ongeveer 2X1015 indiumatomen per cm3. De lagen 12,14 en 16 kunnen aangegroeid worden door middel van LPE, VPE, MOCVD of door middel van elk ander geschikt proces.

De tot dusver beschreven multi-laag detector 10 is voorzien van een electrisch contact in de vorm van een nikkelbekleding met daarop een indiumknobbel 18 en een basiscontact 20 bestaande uit nikkel of elke geschikte elektrische geleider. Contacten 18 en 20 kunnen gevormd worden door middel van conventionele 20 fotolithografische processen. Typerend worden een groot aantal van de detectoren 10 verschaft als een één of twee-dimensionele reeks van detectoren, zoals bijvoorbeeld een brandvlakreeks (FPA) en zijn tijdens gebruik gekoppeld aan instel- en uitleesschakelingen via de contacten 18 en 20.

In de drie-laag detector 10 zijn de twee hetero-overgangen 14a en 16a in serie gekoppeld en functioneren electrisch als twee in onderling tegengestelde richting in serie geschakelde dioden. Tijdens gebruik is de 25 detector 10 gekoppeld aan een schakelbare instelingspanningsbron 22, die een bron 22A van positieve instelspanning (+Vb) en een bron 22B van negatieve instelspanning (-Vb) bevat. Bronnen 22A en 22B worden voor het gemak schematisch als batterijen weergegeven. Bronnen 22A en 22B zijn elk gekoppeld aan een schakelinrichting 22C zoals bijvoorbeeld een transistorschakelaar, voor het leveren van ofwel +Vb of -Vb over de detector 10.

30 Wanneer de positieve instelspanning +Vb geleverd wordt over de detector 10, dan bevindt de n-p overgang 16A zich ver in doorlaatrichting en functioneert als een lage weerstandsgeleider, waardoor het geen significante hoeveelheid fotostroom aan de schakeling levert. Overgang 14A bevindt zich in een keer-of spertoestand en moduleert de schakelingsstroom in evenredigheid met de MWIR-fotonflux.

Wanneer omgekeerd de negatieve instelspanning -Vb geleverd wordt over de detector 10, dan is de 35 overgang 14A in doorlaatrichting ingesteld en levert geen significante fotostroom aan de schakeling.

Overgang 16A bevindt zich in de keer- of sperrichting en produceert een stroommodulatie evenredig aan de op detector 10 invallende LWIR flux. De gemoduleerde stroom wordt afgegeven op een conventionele wijze via de contacten 18 en 20 aan een uitleesschakeling (niet weergegeven).

Figuur 4 toont de stroom-spanning (l-V) karakteristiek van overgang 16A, figuur 4B toont de l-V 40 karakteristiek van overgang 14A, terwijl figuur 4C de l-V karakteristiek van de gecombineerde overgang 14A en 16A toont. De aanduiding A geeft één instelpunt aan, dat geschikt is voor het uitlezen van de foto-respons van overgang 16A, terwijl de overgang 14A ver in doorlaatrichting gehouden wordt. De aanduiding B geeft één instelpunt aan, dat geschikt is voor het uitlezen van de fotorespons van de overgang 14A, terwijl de overgang 16A ver in doorlaatrichting gehouden wordt.

45 De hierboven beschreven uitvoering toont de werking van een MWIR-LWIR ”twee-kleuren” stralings-detectorinrichting. Andere keuzen van halfgeleidermateriaal met andere energiebandafstanden verschaffen echter een andere respons. Bijvoorbeeld wordt in figuur 2 een MWIR/LWIR/MWIR detector getoond en deze verschaft MWIR en LWIR-gemoduleerde stroom afkomstig van overgang 34A en LWIR-gemoduleerde stroom alleen afkomstig van overgang 36A. Een LWIR/MWIR/VLWIR detector (niet weergegeven) verschaft 50 een twee-kleuren respons gelijk aan de uitvoeringsnorm van figuur 1, maar in andere stralingsbanden.

De stralingsdetector voor onderling verschillende stralingsbanden kan zijn uitgevoerd met een n-p-n of een p-n-p polariteit. De keuze van een n-p-n structuur is tegenwoordig een voorkeursuitvoeringsvorm en heeft het voordeel, dat nagenoeg alle blootliggende oppervlakken van de detector bij voorkeur gepassiveerd zijn met een brede bandafstand groep ll-VI passiveringslaag, zoals bijvoorbeeld de gedeeltelijk weergege-55 ven lagen 24 (figuur 1) en 42 (figuur 2) bestaande uit CdTe. Een CdTe passiveringslaag neigt ook tot het bezitten van een positieve vaste lading. De kritieke n-type detectoroppervlakken worden dus in accumulatie gehouden, hetgeen een wenselijke toestand is voor deze minder sterk gedoteerde lagen. De tussenliggende

Claims

195040 4 p-type laag (14 of 34) is bij voorkeur gedoteerd tot een relatief hoog niveau, waarbij de positieve lading van de daarop liggende passiveringslaag 24 of 42 niet significant de werking beïnvloed. Als een negatief geladen passiveringslaag gebruikt wordt, dan kan een p-n-p structuur meer gewenst zijn. Een dergelijke p*n-p structuur wordt weergegeven in figuren 3, 3A en 3B en wordt hieronder in detail beschreven. 5 Figuur 3 toont een andere uitvoering van een drie-lagen hetero-overgang detector 50, die een eerste kleur LWIR-SWIR p-n overgang 56A en een tweede kleur MWIR-SWIR p-n overgang 54A bevat. Door omkering van de polariteit of door verandering van de grootte van de geleverde instelspanning wordt één overgang in sperrichting (actief) en de andere overgang in doorlaatrichting (inactief) ingesteld. De signaal-uitgang van de detector 50 wordt dus afgewisseld tussen de twee kleuren, wanneer de polariteit van de 10 instelspanning omgekeerd wordt. Dit aspect van de werking van detector 50 wordt weergegeven in de vereenvoudigde diagrammen van figuren 3A en 3B. De gevoeligheid voor twee spectrale banden of kleuren wordt verkregen met een enkele straiingsdetector en met slechts één indiumknobbel per detectorelement of pixel. Dat wil zeggen, een multi-kleur detector wordt verschaft, waarin elk detectorelement electrisch functioneert als een relatief eenvoudige inrichting met 15 twee-aansluitingen. Voor een reeks van stralingsdetectoren voor twee spectrale band of kleuren wordt aldus de productiviteit verhoogd, wat resulteert in een grotere opbrengst en gereduceerde kosten van de inrichtingen. Figuur 3C is een diagram van de ruimtelijke energieband van een uitvoering van de detector 50, terwijl figuur 3D een gewenste gecombineerde spectrale respons toont. 20 Aanvullende halfgeleidergebieden of lager kunnen worden toegevoegd aan de hierboven beschreven straiingsdetector. Figuur 5 toont een p-n-p-n straiingsdetector 70 met n-p overgang en twee p-n overgangen gekoppeld in serie. Discriminatie tussen de twee p-n overgangen wordt verkregen door het voorzien van een van de p-n overgangen van een relatief lage doorslagspanning voor de keer- of sperrichting, terwijl de andere p-n overgang voorzien is van een relatief hogere doorslagspanning voor de keer- of sperrichting. 25 Door instelling op een spanning kleiner dan de laatste doorslagspanning wordt de fotostroom van de hoogste impedantie-overgang uitgelezen. Wanneer ingesteld boven de laatste doorslag spanning, moduleert alleen de overgang met de hogere spanning de fotostroom. Dit wordt geïllustreerd in figuur 6, waarin de instelpunten A en B van figuur 4C in aanvulling op een instelpunt C weergegeven worden. De instelpunten A en C zijn elk gerelateerd aan één van de twee p-n 30 overgangen en maken de differentiatie daartussen mogelijk. De straiingsdetector is tot dusverre beschreven in de context van een mesa-type inrichting. De straiingsdetector kan ook zijn uitgevoerd als een planair-type structuur. Een planair-type n-p-n inrichting 80 wordt getoond in dwarsdoorsnede in figuur 7 en kan bijvoorbeeld vervaardigd worden door middel van een diffusie- of een implantering/uitgloei proces voor het vormen van een groot aantal in serie gekoppelde 35 hetero-overgangen tussen een eerste electrische aansluiting 82 en een tweede electrische aansluiting 84. Desgewenst kan de detector 80 als een p-n-p inrichting vervaardigd worden. 40

1. Straiingsdetector voor het detecteren van straling, omvattend een eerste pn-overgang tussen een eerste gebied van halfgeleidermateriaal van een eerste geleidingstype en een gemeenschappelijk tweede gebied van halfgeleidermateriaal van het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en een tweede pn-overgang tussen een derde gebied van halfgeleidermateriaal van het eerste geleidingstype 45 en het gemeenschappelijk tweede gebied, waarbij de eerste en tweede pn-overgang elk een hetero-overgang vormen en de pn-overgangen elektrisch in onderling tegengestelde richting in serie geschakeld zijn tussen een eerste elektrisch contact voor het eerste gebied en een tweede contact, met het kenmerk, dat de hetero-overgang van de eerste pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de eerste pn-overgang gevoelig is voor straling binnen een eerste spectraal gebied en de hetero-50 overgang van de tweede pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de tweede pn-overgang is voor straling binnen een afzonderlijk tweede spectraal gebied, het halfgeleidermateriaal van het eerste gebied een zodanige energiebandafstand heeft dat straling binnen het tweede spectrale gebied waarvoor de tweede pn-overgang gevoelig is daardoorheen kan dringen en het eerste en het tweede spectrale gebied zijn gekozen uit een groep bestaande uit IR-straling van korte golflengte (SWIR),

55 IR-straling van middengolflengte (MWIR), IR-straling van lange golflengte (LWIR) en IR-straling van zeer lange golflengte (VLWIR).

2. Straiingsdetector volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het halfgeleidermateriaal van het tweede 5 195040 gebied een zodanige energiebandafstand heeft dat straling uit het tweede gebied waarvoor de tweede p-n overgang gevoelig is daardoorheen kan penetreren.

3. Stralingsdetector volgens conclusie 1 of 2, gekenmerkt door een vierde gebied van halfgeleidermateriaal in serie in contact met het derde gebied van halfgeleidermateriaal, waarbij het vierde gebied van 5 halfgeleidermateriaal van het tweede geleidingstype, waarbij een derde p-n overgang is verschaft met een doorslagspanning in de keerrichting die verschilt van de doorslagspanning in de keerrichting van de eerste p-n overgang.

4. Werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van een stralingsdetector volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat een eerste instelspanning van een eerste polariteit wordt gekoppeld 10 tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de eerste p-n overgang in doorlaatrichting is en de tweede p-n overgang in keerrichting voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een eerste spectraal gebied; en de eerste instelspanning wordt ontkoppeld en een tweede instelspanning van een tweede, tegengestelde polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig 15 dat de tweede p-n overgang in doorlaatrichting is en de eerste p-n overgang in keerrichting; voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een tweede spectraal gebied.

5. Werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van een stralingsdetector volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat een eerste instelspanning van een eerste polariteit wordt gekoppeld 20 tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de eerste en derde p-n overgang in doorlaatrichting zijn en de tweede p-n overgang in keerrichting is voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een eerste spectraal gebied; de eerste instelspaning wordt ontkoppeld en een tweede instelspanning van een tweede, tegengestelde polariteit, welke instelspanning kleiner is dan de hoogste van de omkeerdoorslagspanningen van de eerste 25 en derde p-n overgangen, wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een tweede spectraal gebied en een derde instelspanning van de tweede, tegengestelde polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de derde p-n overgang in keerrichting ingesteld wordt voorbij een doorslagspanning van de eerste p-n 30 overgang en voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een derde spectraal gebied. Hierbij 4 bladen tekening