NL187414B - Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag. - Google Patents

Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.

Info

Publication number
NL187414B
NL187414B NLAANVRAGE7804268,A NL7804268A NL187414B NL 187414 B NL187414 B NL 187414B NL 7804268 A NL7804268 A NL 7804268A NL 187414 B NL187414 B NL 187414B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
applying
epitaxial layer
epitaxial
layer
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7804268,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL187414C (nl
NL7804268A (nl
Inventor
Paulus Zacharias Antoniu Putte
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NLAANVRAGE7804268,A priority Critical patent/NL187414C/nl
Priority to CA325,479A priority patent/CA1134059A/en
Priority to AU46046/79A priority patent/AU523988B2/en
Priority to IT21949/79A priority patent/IT1112317B/it
Priority to GB7913398A priority patent/GB2019644B/en
Priority to JP4850279A priority patent/JPS54141560A/ja
Priority to DE19792915883 priority patent/DE2915883A1/de
Priority to FR7910090A priority patent/FR2423865A1/fr
Publication of NL7804268A publication Critical patent/NL7804268A/nl
Publication of NL187414B publication Critical patent/NL187414B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL187414C publication Critical patent/NL187414C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/2205—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities from the substrate during epitaxy, e.g. autodoping; Preventing or using autodoping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments
NLAANVRAGE7804268,A 1978-04-21 1978-04-21 Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag. NL187414C (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7804268,A NL187414C (nl) 1978-04-21 1978-04-21 Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.
AU46046/79A AU523988B2 (en) 1978-04-21 1979-04-12 Depositing epitaxial layer from gaseous phase
CA325,479A CA1134059A (en) 1978-04-21 1979-04-12 Method of providing an epitaxial layer
GB7913398A GB2019644B (en) 1978-04-21 1979-04-18 Producing epitaxial layers
IT21949/79A IT1112317B (it) 1978-04-21 1979-04-18 Metodo per creare uno strato epitassiale
JP4850279A JPS54141560A (en) 1978-04-21 1979-04-18 Method of forming epitaxial layer
DE19792915883 DE2915883A1 (de) 1978-04-21 1979-04-19 Verfahren zum anbringen einer epitaktischen schicht
FR7910090A FR2423865A1 (fr) 1978-04-21 1979-04-20 Procede pour l'application d'une couche epitaxiale sur un substrat a partir d'une phase gazeuse

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7804268,A NL187414C (nl) 1978-04-21 1978-04-21 Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7804268A NL7804268A (nl) 1979-10-23
NL187414B true NL187414B (nl) 1991-04-16
NL187414C NL187414C (nl) 1991-09-16

Family

ID=19830695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7804268,A NL187414C (nl) 1978-04-21 1978-04-21 Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS54141560A (nl)
AU (1) AU523988B2 (nl)
CA (1) CA1134059A (nl)
DE (1) DE2915883A1 (nl)
FR (1) FR2423865A1 (nl)
GB (1) GB2019644B (nl)
IT (1) IT1112317B (nl)
NL (1) NL187414C (nl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0671770B1 (en) * 1993-02-09 2000-08-02 GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. Multilayer epitaxy for a silicon diode
JP6477210B2 (ja) 2015-04-30 2019-03-06 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP6358472B2 (ja) * 2015-06-08 2018-07-18 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
JP6447960B2 (ja) * 2016-04-01 2019-01-09 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL288409A (nl) * 1962-02-02
DE2547692C3 (de) * 1975-10-24 1979-10-31 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
NL187414C (nl) 1991-09-16
JPS5538819B2 (nl) 1980-10-07
AU4604679A (en) 1979-10-25
GB2019644A (en) 1979-10-31
DE2915883A1 (de) 1979-10-31
FR2423865B1 (nl) 1984-07-27
FR2423865A1 (fr) 1979-11-16
JPS54141560A (en) 1979-11-02
DE2915883C2 (nl) 1987-01-22
GB2019644B (en) 1982-09-29
IT1112317B (it) 1986-01-13
IT7921949A0 (it) 1979-04-18
NL7804268A (nl) 1979-10-23
CA1134059A (en) 1982-10-19
AU523988B2 (en) 1982-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL180118C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een kleefmiddel.
NL185500C (nl) Werkwijze voor het fluoreren van oppervlakken.
NL189915C (nl) Werkwijze voor het behandelen van een polyvinylideenfluoride-oppervlak.
NL187312C (nl) Werkwijze voor het defosfateren van water.
NL7610511A (nl) Werkwijze voor het omzetten van koolwater- stoffen.
NL7701385A (nl) Werkwijze voor het hydrogeneren van een olie.
NL188254C (nl) Werkwijze voor het vormen van een afdichting.
NL7904393A (nl) Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken.
NL7612960A (nl) Werkwijze voor het omzetten van koolwater- stoffen.
NL7900892A (nl) Werkwijze voor het bereiden van aminen.
NL7900489A (nl) Werkwijze voor het opbrengen van dunne lagen.
NL7900497A (nl) Werkwijze voor het positioneren van een substraat.
NL163534C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een kleefmiddel.
NL168279C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vormen van een epitaxiale laag.
NL186248C (nl) Werkwijze voor het polymeriseren van etheen.
NL7610510A (nl) Werkwijze voor het omzetten van koolwater- stoffen.
NL186808C (nl) Werkwijze voor het bereiden van vinylideenfluoride.
NL186175C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een warmte-isolatie.
NL7701084A (nl) Werkwijze voor het bereiden en toepassen van hydraulische mortel.
NL7702100A (nl) Werkwijze voor het bereiden van ubichinon-10.
NL7700479A (nl) Werkwijze voor het bereiden van antigenen.
NL187414C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxiale laag.
NL7712300A (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkylaroma- ten.
NL179850C (nl) Werkwijze voor het vormen van een beeld.
NL7903946A (nl) Werkwijze voor het regenereren van enzymimmobilisaten.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee