NL182265C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een halfgeleiderlichaam met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte laag van gedoteerd glasmateriaal, die is voorzien van een venster, wordt onderworpen aan een warmtebehandeling bij een zodanige temperatuur dat het glasmateriaal tot vloeien wordt gebracht. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een halfgeleiderlichaam met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte laag van gedoteerd glasmateriaal, die is voorzien van een venster, wordt onderworpen aan een warmtebehandeling bij een zodanige temperatuur dat het glasmateriaal tot vloeien wordt gebracht.

Info

Publication number
NL182265C
NL182265C NLAANVRAGE7812385,A NL7812385A NL182265C NL 182265 C NL182265 C NL 182265C NL 7812385 A NL7812385 A NL 7812385A NL 182265 C NL182265 C NL 182265C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
subject
glass
conducted
semi
window
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7812385,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7812385A (nl
NL182265B (nl
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of NL7812385A publication Critical patent/NL7812385A/xx
Publication of NL182265B publication Critical patent/NL182265B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL182265C publication Critical patent/NL182265C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
    • H01L21/3144—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers on silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
NLAANVRAGE7812385,A 1977-12-29 1978-12-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een halfgeleiderlichaam met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte laag van gedoteerd glasmateriaal, die is voorzien van een venster, wordt onderworpen aan een warmtebehandeling bij een zodanige temperatuur dat het glasmateriaal tot vloeien wordt gebracht. NL182265C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16029677A JPS5492175A (en) 1977-12-29 1977-12-29 Manufacture of semiconductor device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7812385A NL7812385A (nl) 1979-07-03
NL182265B NL182265B (nl) 1987-09-01
NL182265C true NL182265C (nl) 1988-02-01

Family

ID=15711895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7812385,A NL182265C (nl) 1977-12-29 1978-12-21 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een halfgeleiderlichaam met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte laag van gedoteerd glasmateriaal, die is voorzien van een venster, wordt onderworpen aan een warmtebehandeling bij een zodanige temperatuur dat het glasmateriaal tot vloeien wordt gebracht.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4224089A (xx)
JP (1) JPS5492175A (xx)
CA (1) CA1108310A (xx)
DE (1) DE2856147C2 (xx)
GB (1) GB2011711B (xx)
NL (1) NL182265C (xx)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4273805A (en) * 1978-06-19 1981-06-16 Rca Corporation Passivating composite for a semiconductor device comprising a silicon nitride (Si1 3N4) layer and phosphosilicate glass (PSG) layer
USRE32351E (en) * 1978-06-19 1987-02-17 Rca Corporation Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer
US4668973A (en) * 1978-06-19 1987-05-26 Rca Corporation Semiconductor device passivated with phosphosilicate glass over silicon nitride
JPS5534444A (en) * 1978-08-31 1980-03-11 Fujitsu Ltd Preparation of semiconductor device
US4355454A (en) * 1979-09-05 1982-10-26 Texas Instruments Incorporated Coating device with As2 -O3 -SiO2
US4319260A (en) * 1979-09-05 1982-03-09 Texas Instruments Incorporated Multilevel interconnect system for high density silicon gate field effect transistors
JPS5766673A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Manufacture of mos type semiconductor device
DE3170644D1 (en) * 1980-11-29 1985-06-27 Toshiba Kk Method of filling a groove in a semiconductor substrate
JPS57126147A (en) * 1981-01-28 1982-08-05 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4363830A (en) * 1981-06-22 1982-12-14 Rca Corporation Method of forming tapered contact holes for integrated circuit devices
US4492717A (en) * 1981-07-27 1985-01-08 International Business Machines Corporation Method for forming a planarized integrated circuit
JPS5850755A (ja) * 1981-09-21 1983-03-25 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置
JPS58147046A (ja) * 1982-02-25 1983-09-01 Nippon Denso Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4476621A (en) * 1983-02-01 1984-10-16 Gte Communications Products Corporation Process for making transistors with doped oxide densification
US4606114A (en) * 1984-08-29 1986-08-19 Texas Instruments Incorporated Multilevel oxide as diffusion source
JP2565317B2 (ja) * 1986-12-03 1996-12-18 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
DE3880860T2 (de) * 1987-03-04 1993-10-28 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
US5006480A (en) * 1988-08-08 1991-04-09 Hughes Aircraft Company Metal gate capacitor fabricated with a silicon gate MOS process
US5139968A (en) * 1989-03-03 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a t-shaped gate electrode
US5116778A (en) * 1990-02-05 1992-05-26 Advanced Micro Devices, Inc. Dopant sources for cmos device
US5164340A (en) * 1991-06-24 1992-11-17 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc Structure and method for contacts in cmos devices
JPH07273224A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
JP4093395B2 (ja) * 2001-08-03 2008-06-04 富士通株式会社 半導体装置とその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2040180B2 (de) * 1970-01-22 1977-08-25 Intel Corp, Mountain View, Calif. (V.St.A.) Verfahren zur verhinderung von mechanischen bruechen einer duennen, die oberflaeche eines halbleiterkoerpers ueberdeckende isolierschichten ueberziehenden elektrisch leitenden schicht
FR2134290B1 (xx) * 1971-04-30 1977-03-18 Texas Instruments France
US3806371A (en) * 1971-07-28 1974-04-23 Motorola Inc Method of making complementary monolithic insulated gate field effect transistors having low threshold voltage and low leakage current
JPS4953776A (xx) * 1972-09-27 1974-05-24
US3986903A (en) * 1974-03-13 1976-10-19 Intel Corporation Mosfet transistor and method of fabrication
US3912558A (en) * 1974-05-03 1975-10-14 Fairchild Camera Instr Co Method of MOS circuit fabrication
US4023195A (en) * 1974-10-23 1977-05-10 Smc Microsystems Corporation MOS field-effect transistor structure with mesa-like contact and gate areas and selectively deeper junctions
JPS5946107B2 (ja) * 1975-06-04 1984-11-10 株式会社日立製作所 Ｍｉｓ型半導体装置の製造法
JPS5293278A (en) * 1976-01-30 1977-08-05 Matsushita Electronics Corp Manufacture for mos type semiconductor intergrated circuit
JPS5299085A (en) * 1976-02-16 1977-08-19 Mitsubishi Electric Corp Production of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
NL7812385A (nl) 1979-07-03
NL182265B (nl) 1987-09-01
JPS5492175A (en) 1979-07-21
GB2011711B (en) 1982-05-12
GB2011711A (en) 1979-07-11
DE2856147C2 (de) 1984-08-30
US4224089A (en) 1980-09-23
DE2856147A1 (de) 1979-07-05
JPS6133252B2 (xx) 1986-08-01
CA1108310A (en) 1981-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182265C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij een halfgeleiderlichaam met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte laag van gedoteerd glasmateriaal, die is voorzien van een venster, wordt onderworpen aan een warmtebehandeling bij een zodanige temperatuur dat het glasmateriaal tot vloeien wordt gebracht.
NL174121C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een bouwelement met een voorvlak, dat gelijkt op een, in de natuur voorkomend, voorvlak en bouwelement, dat vervaardigd is met deze werkwijze.
NL164424C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor met een geisoleerde stuurelektrode, waarbij een door een tegen oxydatie maskerende laag vrijgelaten deel van het oppervlak van een siliciumlichaam aan een oxydatiebehandeling wordt onderworpen ter verkrijging van een althans gedeeltelijk in het siliciumlichaam verzonken siliciumoxydelaag.
NL7800457A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een induc- tieve keten alsmede inductieve keten verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
NL179595C (nl) Werkwijze voor het vuilwerend maken van oppervlakken, die met zeewater in aanraking komen.
NL7711139A (nl) Werkwijze en inrichting voor het doen voortbewe- gen en terugvinden van loginstrumenten in boor- putten met sterke afwijkingen.
NL7806476A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnepaneel en zonnepaneel, verkregen volgens deze werkwijze.
NL7804732A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van samengestelde pro- fielen, in het bijzonder voor vensters en deuren, en volgens de werkwijze vervaardigd, samengesteld profiel.
NL185656C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een snijgereedschap met een gereedschapslichaam en een hardmetalen laag.
BE876068A (nl) Keerklep en werkwijze voor het vervaardigen van die keerklep
NL166485B (nl) Werkwijze voor het hechten van een laag polypropeen aan een metaaloppervlak.
NL7614299A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een half-gelei- derinrichting door isolatie met een oxydelaag, alsmede aldus verkregen half-geleiderinrichting.
AT366354B (de) Mehrfachverglasung und verfahren sowie vorrichtungzum herstellen derselben
NL7706744A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van schoepen en schoep vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7704031A (nl) Werkwijze voor het katalytisch ma- ken van een substraat, waarop een laag stroomloos neergeslagen metaal moet worden aangebracht onder toepassing van een entmiddel, alsmede werkwijze voor het bereiden van een daartoe bestemd entmiddel.
NL186216C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van met kunststof ommantelde stijve metalen buisstukken.
NL169121C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.
NL7612299A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van hydraulische produkten.
NL7713064A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een lami- naat dat een fotoresistlaag omvat, alsmede laminaat verkregen volgens deze werkwijze.
NL7702724A (nl) Inrichting voor het aanbrengen van balkons aan bestaand gebouw.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7604430A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- -element, een volgens die werkwijze vervaardigd thermo-element en de toepassing daarvan.
NL7710607A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een laag met een structuur op een substraat.
NL7706802A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL178061C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van gietvormen met behulp van vacuum, en vormkast te gebruiken bij de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 981221