NL179927C - Werkwijze voor het vervaardigen van een eenkristal van gedoteerd cadmiumtelluride, alsmede halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een eenkristal van gedoteerd cadmiumtelluride, alsmede halfgeleiderinrichting.Info
- Publication number
- NL179927C NL179927C NLAANVRAGE7406301,A NL7406301A NL179927C NL 179927 C NL179927 C NL 179927C NL 7406301 A NL7406301 A NL 7406301A NL 179927 C NL179927 C NL 179927C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- single crystal
- cadmium telluride
- doped cadmium
- Prior art date
Links
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/02—Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
- C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7317261A FR2228540B1 (nl) | 1973-05-11 | 1973-05-11 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7406301A NL7406301A (nl) | 1974-11-13 |
NL179927B NL179927B (nl) | 1986-07-01 |
NL179927C true NL179927C (nl) | 1986-12-01 |
Family
ID=9119239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7406301,A NL179927C (nl) | 1973-05-11 | 1974-05-10 | Werkwijze voor het vervaardigen van een eenkristal van gedoteerd cadmiumtelluride, alsmede halfgeleiderinrichting. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE813808A (nl) |
DE (1) | DE2422251C2 (nl) |
FR (1) | FR2228540B1 (nl) |
GB (1) | GB1434437A (nl) |
IT (1) | IT1014137B (nl) |
NL (1) | NL179927C (nl) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2593196B1 (fr) * | 1986-01-21 | 1988-04-15 | Telecommunications Sa | Procede de preparation d'un lingot cristallin de hg1-xo cdxo te |
EP0261647A3 (en) * | 1986-09-26 | 1989-08-16 | Nippon Mining Company Limited | High resistivity cdte crystal and process for producing the same |
FR2629476B1 (fr) * | 1988-04-01 | 1990-11-30 | Telecommunications Sa | Procede de preparation d'un lingot cristallin de hgcdte |
FR2703696B1 (fr) * | 1993-04-08 | 1995-06-09 | Eurorad 2 6 Sarl | Procede d'obtention d'un materiau cristallin dope a base de tellure et de cadmium et detecteur comportant un tel materiau. |
CN109594124A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-09 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 晶体生长的加热装置及生长装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1129789A (en) * | 1966-03-26 | 1968-10-09 | Matsushita Electronics Corp | Process for producing cadmium telluride crystal |
-
1973
- 1973-05-11 FR FR7317261A patent/FR2228540B1/fr not_active Expired
-
1974
- 1974-04-17 BE BE143276A patent/BE813808A/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-04-22 GB GB1751174A patent/GB1434437A/en not_active Expired
- 1974-05-08 DE DE2422251A patent/DE2422251C2/de not_active Expired
- 1974-05-08 IT IT68444/74A patent/IT1014137B/it active
- 1974-05-10 NL NLAANVRAGE7406301,A patent/NL179927C/nl not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2228540A1 (nl) | 1974-12-06 |
DE2422251A1 (de) | 1974-11-28 |
GB1434437A (en) | 1976-05-05 |
NL7406301A (nl) | 1974-11-13 |
DE2422251C2 (de) | 1985-09-19 |
FR2228540B1 (nl) | 1978-02-10 |
BE813808A (fr) | 1974-08-16 |
NL179927B (nl) | 1986-07-01 |
IT1014137B (it) | 1977-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL161302B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL7510336A (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL176818C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL187508C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. | |
NL7501529A (nl) | Veldeffect halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL7503550A (nl) | Halfgeleiderstructuur met bovenliggende collector en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke structuur. | |
NL176416C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting. | |
NL7412472A (nl) | Inrichting voor het plaatsen van elementen, in het bijzonder bouwelementen. | |
NL176742C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van bruistabletten. | |
NL186478C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7608923A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7504260A (nl) | Celstructuurplaat, alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL161619C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL159824B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtgevoelig half- geleiderelement. | |
NL7509464A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL7507891A (nl) | Halfgeleiderbouwelement met een dielektrische dra- ger, en een werkwijze voor de vervaardiging hiervan. | |
NL188124C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. | |
NL7505134A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL179927C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een eenkristal van gedoteerd cadmiumtelluride, alsmede halfgeleiderinrichting. | |
NL7501990A (nl) | Halfgeleiderinrichting, alsmede werkwijze voor de vervaardiging daarvan. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BC | A request for examination has been filed | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |