NL163367C - Werkwijze voor het afzetten van eean laag dielektrisch materiaal met instelbare fysische eigenschappen door hoogfrequente verstuiving, en inrichting voor toepas- sing daarvan. - Google Patents

Werkwijze voor het afzetten van eean laag dielektrisch materiaal met instelbare fysische eigenschappen door hoogfrequente verstuiving, en inrichting voor toepas- sing daarvan.

Info

Publication number
NL163367C
NL163367C NL6812114.A NL6812114A NL163367C NL 163367 C NL163367 C NL 163367C NL 6812114 A NL6812114 A NL 6812114A NL 163367 C NL163367 C NL 163367C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
selling
application
physical properties
dielectric material
low dielectric
Prior art date
Application number
NL6812114.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL163367B (nl
NL6812114A (nl
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL6812114A publication Critical patent/NL6812114A/xx
Publication of NL163367B publication Critical patent/NL163367B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL163367C publication Critical patent/NL163367C/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
NL6812114.A 1967-09-15 1968-08-26 Werkwijze voor het afzetten van eean laag dielektrisch materiaal met instelbare fysische eigenschappen door hoogfrequente verstuiving, en inrichting voor toepas- sing daarvan. NL163367C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US66811467A 1967-09-15 1967-09-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6812114A NL6812114A (nl) 1969-03-18
NL163367B NL163367B (nl) 1980-03-17
NL163367C true NL163367C (nl) 1980-08-15

Family

ID=24681074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6812114.A NL163367C (nl) 1967-09-15 1968-08-26 Werkwijze voor het afzetten van eean laag dielektrisch materiaal met instelbare fysische eigenschappen door hoogfrequente verstuiving, en inrichting voor toepas- sing daarvan.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3617459A (nl)
CH (1) CH499628A (nl)
DE (1) DE1790094B1 (nl)
FR (1) FR1586445A (nl)
GB (1) GB1181560A (nl)
NL (1) NL163367C (nl)
SE (1) SE359719B (nl)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3767551A (en) * 1971-11-01 1973-10-23 Varian Associates Radio frequency sputter apparatus and method
US3860507A (en) * 1972-11-29 1975-01-14 Rca Corp Rf sputtering apparatus and method
GB1485266A (en) * 1973-11-20 1977-09-08 Atomic Energy Authority Uk Storage of material
US4131533A (en) * 1977-12-30 1978-12-26 International Business Machines Corporation RF sputtering apparatus having floating anode shield
US4268374A (en) * 1979-08-09 1981-05-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High capacity sputter-etching apparatus
US4333814A (en) * 1979-12-26 1982-06-08 Western Electric Company, Inc. Methods and apparatus for improving an RF excited reactive gas plasma
US4693805A (en) * 1986-02-14 1987-09-15 Boe Limited Method and apparatus for sputtering a dielectric target or for reactive sputtering
US4818359A (en) * 1986-08-27 1989-04-04 International Business Machines Corporation Low contamination RF sputter deposition apparatus
JPS6358834A (ja) * 1986-08-27 1988-03-14 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション スパッタリング装置
US4802968A (en) * 1988-01-29 1989-02-07 International Business Machines Corporation RF plasma processing apparatus
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
US5946013A (en) * 1992-12-22 1999-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet head having a protective layer with a controlled argon content
DE4301188C2 (de) * 1993-01-19 2001-05-31 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
US5849372A (en) * 1993-09-17 1998-12-15 Isis Innovation Limited RF plasma reactor and methods of generating RF plasma
ES2202439T3 (es) * 1995-04-25 2004-04-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sistema de pulverizacion que utiliza un magnetron cilindrico rotativo alimentado electricamente utilizando corriente alterna.
EP0774772A1 (en) * 1995-11-17 1997-05-21 Applied Materials, Inc. Methods for physically etching silicon electrically conducting surfaces
US6095084A (en) * 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US6478924B1 (en) 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6730609B2 (en) * 2001-10-09 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Etch aided by electrically shorting upper and lower sidewall portions during the formation of a semiconductor device
US6843880B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-18 International Business Machines Corporation Enhanced endpoint detection for wet etch process control
US7767056B2 (en) * 2003-01-14 2010-08-03 Canon Anelva Corporation High-frequency plasma processing apparatus
JP4326895B2 (ja) * 2003-09-25 2009-09-09 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US8052799B2 (en) * 2006-10-12 2011-11-08 International Business Machines Corporation By-product collecting processes for cleaning processes
JP4317888B2 (ja) * 2007-08-31 2009-08-19 富士フイルム株式会社 スパッタ方法およびスパッタ装置
US8540851B2 (en) * 2009-02-19 2013-09-24 Fujifilm Corporation Physical vapor deposition with impedance matching network
US8557088B2 (en) * 2009-02-19 2013-10-15 Fujifilm Corporation Physical vapor deposition with phase shift
US8182662B2 (en) * 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
JP5596402B2 (ja) * 2010-04-19 2014-09-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析装置、イオン化装置及び分析方法
US10964590B2 (en) * 2017-11-15 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contact metallization process
US10790466B2 (en) * 2018-12-11 2020-09-29 Feng-wen Yen In-line system for mass production of organic optoelectronic device and manufacturing method using the same system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL136984C (nl) * 1964-06-04
US3451917A (en) * 1966-01-10 1969-06-24 Bendix Corp Radio frequency sputtering apparatus
US3461054A (en) * 1966-03-24 1969-08-12 Bell Telephone Labor Inc Cathodic sputtering from a cathodically biased target electrode having an rf potential superimposed on the cathodic bias

Also Published As

Publication number Publication date
SE359719B (nl) 1973-09-03
US3617459A (en) 1971-11-02
DE1790094B1 (de) 1972-02-03
FR1586445A (nl) 1970-02-20
NL163367B (nl) 1980-03-17
CH499628A (de) 1970-11-30
NL6812114A (nl) 1969-03-18
GB1181560A (en) 1970-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL163367C (nl) Werkwijze voor het afzetten van eean laag dielektrisch materiaal met instelbare fysische eigenschappen door hoogfrequente verstuiving, en inrichting voor toepas- sing daarvan.
FI44710C (fi) Menetelmä ja laite vaahtomuoviesineiden suulakepuristamiseksi.
AU449813B2 (en) Apparatus for continuously forming plastic coated metallic tubings
NL147789B (nl) Werkwijze voor het afzetten van een isolerende laag door verstuiven van materiaal uit een di-elektrische trefplaat, alsmede voorwerp, voorzien van een isolatielaag, verkregen volgens deze werkwijze.
NL162383C (nl) Werkwijze voor het bereiden van hypoglycemisch werkzame, heterocyclische acylaminogroepen bevattende benzeen- sulfonylsemicarbaziden; werkwijze ter bereiding van farmaceutische preparaten en de door toepassing daarvan verkregen gevormde voortbrengselen.
NL160357C (nl) Werkwijze en machine voor het continu vervaardigen van een langwerpig, samengesteld constructie-element.
NL151682B (nl) Werkwijze en inrichting voor het continu vervaardigen van een gelaagde glasstrook en gelaagde glasstrook verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL163460C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van rubberen handschoenen.
NL161574B (nl) Inrichting voor het behandelen van materiaal door middel van lucht.
NL167204C (nl) Inrichting voor het reinigen van voorwerpen door katho- deverstuiving en vervolgens opdampen van een laag materiaal, alsmede voorwerp, verkregen onder gebruikma- king van deze inrichting.
NL157011B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een geneesmiddel en onder toepassing daarvan verkregen gevormd geneesmiddel, alsmede een werkwijze voor het bereiden van een verbinding geschikt voor toepassing bij voornoemde werkwijze.
NL141810B (nl) Werkwijze voor het fijn verdelen van langwerpig plaatmateriaal en produkt, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL154751B (nl) Werkwijze voor het bereiden van polyalkenen, alsmede daaruit vervaardigde, gevormde voortbrengselen.
NL151340B (nl) Werkwijze voor het bereiden van 1,5,9,-cyclododecatrieen.
NL142382B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van vlak glas en vlak glas, verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL7709613A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van kunststof- stangen met over de gehele lengte verdeelde ver- dikkingen, inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze en produkt verkregen met de werkwijze respectievelijk de inrichting.
NL157244B (nl) Warmte-overdrukmateriaal, werkwijze voor het etiketteren van een oppervlak van een voorwerp met behulp van dit materiaal en voorwerpen, verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
FI49689C (fi) Menetelmä muovituotteiden, erityisesti ovien valmistamiseksi.
NL156412B (nl) Werkwijze voor het polymeriseren van 1,3-butadieen.
BE575228R (nl) Werkwijze en inrichting voor het verwarmen van continu voortbewegende draden en dergelijke produkten, alsmede de aldus behandelde produkten.
AU425570B2 (en) Method and apparatus for forming articles from sheet or tubular material
AU416836B2 (en) Spray drying method, apparatus and product
NL153573B (nl) Werkwijze en inrichting voor het continu verdampen van oplosmiddelen uit kunststofoplossingen.
CA750768A (en) Plastic containers, method of closing such containers and apparatus for performing the same
AU279625B2 (en) Method of and apparatus for fabricating self-lubricating articles or components, and articles or components made by the method

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee