NL163065C - Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.

Info

Publication number
NL163065C
NL163065C NL6907540A NL6907540A NL163065C NL 163065 C NL163065 C NL 163065C NL 6907540 A NL6907540 A NL 6907540A NL 6907540 A NL6907540 A NL 6907540A NL 163065 C NL163065 C NL 163065C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
metal layer
metal
electrodator
semi
coating
Prior art date
Application number
NL6907540A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL163065B (nl
NL6907540A (enrdf_load_html_response
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of NL6907540A publication Critical patent/NL6907540A/xx
Publication of NL163065B publication Critical patent/NL163065B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL163065C publication Critical patent/NL163065C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
NL6907540A 1968-05-17 1969-05-16 Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt. NL163065C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US73004768A 1968-05-17 1968-05-17
US72998568A 1968-05-17 1968-05-17

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6907540A NL6907540A (enrdf_load_html_response) 1969-11-19
NL163065B NL163065B (nl) 1980-02-15
NL163065C true NL163065C (nl) 1980-07-15

Family

ID=27111970

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6907540A NL163065C (nl) 1968-05-17 1969-05-16 Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
NL6907539A NL6907539A (enrdf_load_html_response) 1968-05-17 1969-05-16

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6907539A NL6907539A (enrdf_load_html_response) 1968-05-17 1969-05-16

Country Status (4)

Country Link
DE (2) DE1923253A1 (enrdf_load_html_response)
FR (2) FR2008771B1 (enrdf_load_html_response)
GB (2) GB1263381A (enrdf_load_html_response)
NL (2) NL163065C (enrdf_load_html_response)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE763522A (fr) * 1970-03-03 1971-07-16 Licentia Gmbh Serie de couches de contact pour des elements de construction semi-conducteurs
US4166279A (en) * 1977-12-30 1979-08-28 International Business Machines Corporation Electromigration resistance in gold thin film conductors

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL134170C (enrdf_load_html_response) * 1963-12-17 1900-01-01
US3368113A (en) * 1965-06-28 1968-02-06 Westinghouse Electric Corp Integrated circuit structures, and method of making same, including a dielectric medium for internal isolation
DE1283970B (de) * 1966-03-19 1968-11-28 Siemens Ag Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement
NL6706641A (enrdf_load_html_response) * 1966-11-07 1968-11-13

Also Published As

Publication number Publication date
GB1263381A (en) 1972-02-09
DE1924845A1 (de) 1969-11-27
FR2008771B1 (enrdf_load_html_response) 1973-08-10
NL163065B (nl) 1980-02-15
FR2011844A1 (enrdf_load_html_response) 1970-03-13
DE1923253A1 (de) 1969-12-11
NL6907539A (enrdf_load_html_response) 1969-11-19
FR2008771A1 (enrdf_load_html_response) 1970-01-23
NL6907540A (enrdf_load_html_response) 1969-11-19
FR2011844B1 (enrdf_load_html_response) 1973-07-13
GB1265896A (enrdf_load_html_response) 1972-03-08
DE1924845B2 (de) 1978-03-09
DE1924845C3 (de) 1978-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES375119A1 (es) Un dispositivo semiconductor.
NL172500B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een samengestelde suprageleider, de hiermee vervaardigde suprageleider, alsmede inrichting die zo'n suprageleider bevat.
NL160680B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL173110C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht.
NL154452B (nl) Thermisch vormherstellend voorwerp voor het bekleden en/of afdichten van ten minste een deel van een of meer substraten, alsmede substraten, die hiermede zijn bekleed en/of afgedicht.
NL163058C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, waarbij een metaallaag, die ten minste gedeeltelijk in aanraking is met een halfgeleider- lichaam wordt gebombardeerd met ionen.
NL167277C (nl) Halfgeleiderinrichting met een plaatvorming half- geleiderlichaam met over althans een deel van de dikte van het halfgeleiderlichaam afgeschuinde randen, dat is voorzien van een metalen elektrode die een gelijkrichtende overgang vormt met het halfgeleider- lichaam en werkwijze ter vervaardiging van de halfgeleiderinrichting.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL142462B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van samengestelde draden, alsmede voorwerpen, vervaardigd uit aldus verkregen samengestelde draden.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151213B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL183111C (nl) Dunne-laagschakelingen, weerstanden en condensatoren, die een aluminium-tantaallaag bevatten.
NL177263C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van onderling gescheiden elektroden die zijn gevormd uit een samengestelde elektrodelaag.
NL163065C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
NL149029B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een soldeerbare aansluiting voor een weerstandslaag uit tantaalnitride.
NL171148C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elementairdraden, die geheel of nagenoeg geheel uit aluminiumoxide bestaan.
NL147884B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL151845B (nl) Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL174947C (nl) Foelies en draden, vervaardigd met toepassing van polyurethanelastomeren.
NL163064C (nl) Halfgeleidergeheugeninrichting omvattende een samenge- stelde isolerende laag die een eerste isolerende laag van siliciumdioxyde en een op de eerste isolerende laag aangebrachte tweede isolerende laag met invangniveaux bevat.
NL143362B (nl) Werkwijze voor het formeren van een eenzijdig gemetalliseerde elektreetfoelie, alsmede zulk een elektreetfoelie geformeerd volgens deze werkwijze.
NL169091B (nl) Werkwijze voor het geheel of gedeeltelijk bekleden van het oppervlak van een uit aluminium of een aluminiumlegering bestaand werkstuk met een koperlaag.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Lapsed because of reaching the maxim lifetime of a patent