NL160989B - Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan. - Google Patents

Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.

Info

Publication number
NL160989B
NL160989B NL7303958A NL7303958A NL160989B NL 160989 B NL160989 B NL 160989B NL 7303958 A NL7303958 A NL 7303958A NL 7303958 A NL7303958 A NL 7303958A NL 160989 B NL160989 B NL 160989B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
schottky
diode
procedure
coating
manufacturing
Prior art date
Application number
NL7303958A
Other languages
English (en)
Other versions
NL160989C (nl
NL7303958A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US00237060A external-priority patent/US3808072A/en
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7303958A publication Critical patent/NL7303958A/xx
Publication of NL160989B publication Critical patent/NL160989B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL160989C publication Critical patent/NL160989C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30621—Vapour phase etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
NL7303958A 1972-03-22 1973-03-21 Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan. NL160989C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00237060A US3808072A (en) 1972-03-22 1972-03-22 In situ etching of gallium arsenide during vapor phase growth of epitaxial gallium arsenide
US24931172A 1972-05-01 1972-05-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7303958A NL7303958A (nl) 1973-09-25
NL160989B true NL160989B (nl) 1979-07-16
NL160989C NL160989C (nl) 1979-12-17

Family

ID=26930348

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7303954A NL162313C (nl) 1972-03-22 1973-03-21 Werkwijze voor het behandelen van een substraat van galliumarsenide.
NL7303958A NL160989C (nl) 1972-03-22 1973-03-21 Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7303954A NL162313C (nl) 1972-03-22 1973-03-21 Werkwijze voor het behandelen van een substraat van galliumarsenide.

Country Status (6)

Country Link
JP (2) JPS5232831B2 (nl)
FR (2) FR2176998B1 (nl)
GB (2) GB1425102A (nl)
IT (2) IT982897B (nl)
NL (2) NL162313C (nl)
SE (2) SE388972B (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5244582A (en) * 1975-10-06 1977-04-07 New Japan Radio Co Ltd Semiconductor device and process for production of the same
JPS55114620A (en) * 1979-02-22 1980-09-04 Yoshio Kaneda Driver's cab on tractor or the like
JPS56169331A (en) * 1980-05-30 1981-12-26 Nec Corp Vapor phase etching method for compound semiconductor
JPS5770810A (en) * 1980-10-17 1982-05-01 Lion Corp Cosmetic for hair
JPS60222410A (ja) * 1984-04-20 1985-11-07 Asahi Denka Kogyo Kk シヤンプ−組成物

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4916231A (nl) * 1972-06-06 1974-02-13

Also Published As

Publication number Publication date
FR2176999A1 (nl) 1973-11-02
FR2176998B1 (nl) 1976-11-05
NL162313B (nl) 1979-12-17
DE2313768A1 (de) 1973-10-04
JPS4948281A (nl) 1974-05-10
GB1425102A (en) 1976-02-18
NL160989C (nl) 1979-12-17
FR2176999B1 (nl) 1978-03-03
IT982897B (it) 1974-10-21
JPS5019367A (nl) 1975-02-28
NL7303954A (nl) 1973-09-25
IT979892B (it) 1974-09-30
FR2176998A1 (nl) 1973-11-02
NL162313C (nl) 1980-05-16
SE375557B (nl) 1975-04-21
SE388972B (sv) 1976-10-18
JPS5433711B2 (nl) 1979-10-22
JPS5232831B2 (nl) 1977-08-24
GB1425101A (en) 1976-02-18
DE2313768B2 (de) 1975-11-20
NL7303958A (nl) 1973-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL155983B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en aldus vervaardigde transistor.
BE785902A (fr) Rotoren voor maaidorsers van het type met axiale doorstroming.
NL161617C (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
CH554600A (de) Halbleiterbauelement.
NL161085B (nl) Inrichting voor het bekleden van kleine voorwerpen.
NL161301C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL159536B (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL177797C (nl) Verbindingsconstructie voor rekken, stellingen en dergelijke constructies.
BE796707A (fr) Werkwijze en inrichting voor het vormen van monokristallen
NL150358B (nl) Werkwijze voor het strenggieten van metaal.
NL148252B (nl) Werkwijze voor het strenggieten van metaal.
NL160989C (nl) Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL157074B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een schijfvormig lichaam van dichtingsmateriaal.
CH549286A (de) Halbleiterbauelement.
CH554160A (de) Aufhaengbare verkaufspackung fuer kleineisenwaren und dergl.
NL7416907A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen itssluitingen.
BE787435A (fr) Beschermingsneus voor veiligheidsschoeisel.
NL160987C (nl) Halfgeleiderinrichting met een schottky-diode en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
BE777790A (fr) Apparaten voor het ledigen van kegelvormige tremels.
NL7409148A (nl) Inrichting voor het schilderen en tekenen.
NL145096B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderstelsel en het met deze werkwijze verkregen halfgeleiderstelsel.
NL149578B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een eendelig legerhuis.
BE791497A (fr) Profielenstel voor het verwezenlijken van deuren, ramen, wandenen dergelijke,

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: WESTERN ELECT