NL143733B - Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam. - Google Patents

Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam.

Info

Publication number
NL143733B
NL143733B NL707018051A NL7018051A NL143733B NL 143733 B NL143733 B NL 143733B NL 707018051 A NL707018051 A NL 707018051A NL 7018051 A NL7018051 A NL 7018051A NL 143733 B NL143733 B NL 143733B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
silicon body
selectively etching
etched
etched silicon
etching
Prior art date
Application number
NL707018051A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7018051A (xx
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7018051A publication Critical patent/NL7018051A/xx
Publication of NL143733B publication Critical patent/NL143733B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/115—Orientation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
NL707018051A 1969-12-16 1970-12-10 Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam. NL143733B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88560569A 1969-12-16 1969-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7018051A NL7018051A (xx) 1971-06-18
NL143733B true NL143733B (nl) 1974-10-15

Family

ID=25387295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL707018051A NL143733B (nl) 1969-12-16 1970-12-10 Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam.

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3689389A (xx)
JP (1) JPS4911793B1 (xx)
BE (1) BE759296A (xx)
CH (1) CH527498A (xx)
ES (1) ES387267A1 (xx)
FR (1) FR2070873B1 (xx)
GB (1) GB1318770A (xx)
IE (1) IE34802B1 (xx)
IL (1) IL35826A (xx)
NL (1) NL143733B (xx)
SE (1) SE369801B (xx)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027179B2 (ja) * 1975-11-05 1985-06-27 日本電気株式会社 多孔質シリコンの形成方法
US4783237A (en) * 1983-12-01 1988-11-08 Harry E. Aine Solid state transducer and method of making same
US4597003A (en) * 1983-12-01 1986-06-24 Harry E. Aine Chemical etching of a semiconductive wafer by undercutting an etch stopped layer
US4682776A (en) * 1985-11-06 1987-07-28 William Mitchell User worn arm bend control device
US4692066A (en) * 1986-03-18 1987-09-08 Clear Kenneth C Cathodic protection of reinforced concrete in contact with conductive liquid
US5576249A (en) * 1987-08-05 1996-11-19 Hughes Aircraft Company Electrochemically etched multilayer semiconductor structures
DE3805752A1 (de) * 1988-02-24 1989-08-31 Fraunhofer Ges Forschung Anisotropes aetzverfahren mit elektrochemischem aetzstop
US4822755A (en) * 1988-04-25 1989-04-18 Xerox Corporation Method of fabricating large area semiconductor arrays
DE4036895A1 (de) * 1990-11-20 1992-05-21 Messerschmitt Boelkow Blohm Elektrochemisches verfahren zum anisotropen aetzen von silizium
US5129982A (en) * 1991-03-15 1992-07-14 General Motors Corporation Selective electrochemical etching
GB201217525D0 (en) 2012-10-01 2012-11-14 Isis Innovation Composition for hydrogen generation

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044289B (de) * 1956-07-16 1958-11-20 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung einer duennen Halbleiterschicht, z. B. aus Germanium, durchelektrolytische Abaetzung der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers, insbesondere fuer die Herstellung von Transistoren
FR1332459A (fr) * 1961-08-28 1963-07-12 Philips Nv Transistor à couches et son procédé de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
SE369801B (xx) 1974-09-16
ES387267A1 (es) 1973-05-01
JPS4911793B1 (xx) 1974-03-19
US3689389A (en) 1972-09-05
DE2061061A1 (de) 1971-07-08
NL7018051A (xx) 1971-06-18
IE34802B1 (en) 1975-08-20
IE34802L (en) 1971-06-16
IL35826A0 (en) 1971-02-25
BE759296A (fr) 1971-04-30
FR2070873B1 (xx) 1974-04-26
CH527498A (de) 1972-08-31
FR2070873A1 (xx) 1971-09-17
GB1318770A (en) 1973-05-31
IL35826A (en) 1973-11-28
DE2061061B2 (de) 1972-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7508940A (nl) Silicon-catheter en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL144971B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een accumulatorseperator alsmede de aldus vervaardigde accumulatorseperator.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL143733B (nl) Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL151684B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van drijfglas.
NL161301B (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL7313572A (nl) Werkwijze voor het etsen van silicium- of ger- mplakken en halfgeleiderinrichtingen ver- igd met toepassing van deze werkwijze.
NL139912B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL154059B (nl) Werkwijze voor het etsen van siliciumnitride in aanwezigheid van gedoteerd silicium.
NL151506B (nl) Werkwijze en inrichting voor het uitvoeren van een tweedimensionale immuunelektroforese.
NL7511259A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van microbedradingen voor het contacteren van halfgeleiderschakelkringen.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL145495B (nl) Werkwijze voor het bekleden van metaal.
NL147618B (nl) Werkwijze en inrichting voor het ononderbroken vervaardigen van toffees.
NL176477C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van meerkleurige stukken zeep.
NL7604601A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen van een dergelijke inrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: WESTERN