NL141030B - Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL141030B NL141030B NL686801748A NL6801748A NL141030B NL 141030 B NL141030 B NL 141030B NL 686801748 A NL686801748 A NL 686801748A NL 6801748 A NL6801748 A NL 6801748A NL 141030 B NL141030 B NL 141030B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- conductor device
- electrode
- procedure
- applying
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/053—Field effect transistors fets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61471567A | 1967-02-08 | 1967-02-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6801748A NL6801748A (ja) | 1968-08-09 |
NL141030B true NL141030B (nl) | 1974-01-15 |
Family
ID=24462425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL686801748A NL141030B (nl) | 1967-02-08 | 1968-02-08 | Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3503124A (ja) |
JP (1) | JPS4811671B1 (ja) |
CH (1) | CH477094A (ja) |
DE (1) | DE1639241A1 (ja) |
FR (1) | FR1551444A (ja) |
GB (1) | GB1207370A (ja) |
NL (1) | NL141030B (ja) |
SE (1) | SE350367B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS575052B1 (ja) * | 1971-06-16 | 1982-01-28 | ||
JPS567305B2 (ja) * | 1973-01-19 | 1981-02-17 | ||
US3976524A (en) * | 1974-06-17 | 1976-08-24 | Ibm Corporation | Planarization of integrated circuit surfaces through selective photoresist masking |
US4003126A (en) * | 1974-09-12 | 1977-01-18 | Canadian Patents And Development Limited | Method of making metal oxide semiconductor devices |
US4137109A (en) * | 1976-04-12 | 1979-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Selective diffusion and etching method for isolation of integrated logic circuit |
US4821094A (en) * | 1985-11-08 | 1989-04-11 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Gate alignment procedure in fabricating semiconductor devices |
US5140387A (en) * | 1985-11-08 | 1992-08-18 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Semiconductor device in which gate region is precisely aligned with source and drain regions |
DE19743342C2 (de) * | 1997-09-30 | 2002-02-28 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor hoher Packungsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung |
US8844826B2 (en) * | 2006-07-10 | 2014-09-30 | Nxp B.V. | Integrated circuit transponder, method of producing an integrated circuit and method of producing a transponder |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL251064A (ja) * | 1955-11-04 | |||
US2981877A (en) * | 1959-07-30 | 1961-04-25 | Fairchild Semiconductor | Semiconductor device-and-lead structure |
US3247428A (en) * | 1961-09-29 | 1966-04-19 | Ibm | Coated objects and methods of providing the protective coverings therefor |
US3309585A (en) * | 1963-11-29 | 1967-03-14 | Westinghouse Electric Corp | Junction transistor structure with interdigitated configuration having features to minimize localized heating |
US3280391A (en) * | 1964-01-31 | 1966-10-18 | Fairchild Camera Instr Co | High frequency transistors |
US3298863A (en) * | 1964-05-08 | 1967-01-17 | Joseph H Mccusker | Method for fabricating thin film transistors |
US3372063A (en) * | 1964-12-22 | 1968-03-05 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing at least one electrically isolated region of a semiconductive material |
US3341743A (en) * | 1965-10-21 | 1967-09-12 | Texas Instruments Inc | Integrated circuitry having discrete regions of semiconductor material isolated by an insulating material |
-
1967
- 1967-02-08 US US614715A patent/US3503124A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-28 GB GB58963/67A patent/GB1207370A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-01-11 FR FR1551444D patent/FR1551444A/fr not_active Expired
- 1968-01-15 CH CH65168A patent/CH477094A/fr not_active IP Right Cessation
- 1968-01-16 DE DE19681639241 patent/DE1639241A1/de active Pending
- 1968-02-05 SE SE01465/68A patent/SE350367B/xx unknown
- 1968-02-06 JP JP43006988A patent/JPS4811671B1/ja active Pending
- 1968-02-08 NL NL686801748A patent/NL141030B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1639241A1 (de) | 1970-01-22 |
FR1551444A (ja) | 1968-12-27 |
SE350367B (ja) | 1972-10-23 |
NL6801748A (ja) | 1968-08-09 |
US3503124A (en) | 1970-03-31 |
CH477094A (fr) | 1969-08-15 |
GB1207370A (en) | 1970-09-30 |
JPS4811671B1 (ja) | 1973-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL144996B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode ten gebruike in elektrolytische processen, alsmede daarmede vervaardigde elektrode. | |
NL143437B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode ten gebruike bij elektrolyseprocessen. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL157347B (nl) | Werkwijze voor het in twee reactietrappen hydrogeneren van pyrolysebenzine. | |
NL147289B (nl) | Werkwijze voor het afwerken van een hoogspanningskabel en hoogspanningskabel vervaardigd volgens die werkwijze. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL141030B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL142076B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het regelen van de verdamping in een destillatieinrichting. | |
NL161304B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd. | |
NL143818B (nl) | Inrichting voor het met elkaar in aanraking brengen van ten minste twee vloeistoffen. | |
NL155472B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een houder, alsmede houder, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140657B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL155969B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het snijden van een groef in een registratiedrager. | |
NL139414B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL151845B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL139055B (nl) | Werkwijze voor het strenggieten van een voorwerp en voorwerp, vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze. | |
NL154196B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van rubberpreparaten, voorwerp verkregen onder toepassing van deze werkwijze en werkwijze voor het bereiden van een antioxidant, te gebruiken bij de genoemde werkwijze. | |
NL141111B (nl) | Inrichting en werkwijze voor elektroslaklassen. | |
NL150619B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |