NL1012681C2 - Koude kathode veldemissie inrichting, koude kathode veldemissie weergeefeenheid, en processen voor de vervaardiging daarvan. - Google Patents

Description

KOUDE KATHODE VELDEMISSIE INRICHTING, KOUDE KATHODE VELDEMISSIE WEERGEEFEENHEID, EN PROCESSEN VOOR DE VERVAARDIGING DAARVAN

ACHTERGROND VAN DE UITVINDING EN STAND VAN DE TECHNIEK

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een koude kathode veldemissie inrichting, een koude kathode veldemissie weergeefeenheid en processen voor de vervaardiging daarvan. Meer specifiek heeft de uitvinding 5 betrekking op een koude kathode veldemissie inrichting met de vorm van een kolom, een koude kathode veldemissie weergeefeenheid van het vlakke paneeltype met een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen gerangschikt in een tweedimensionale matrix, en processen voor de ver-10 vaardiging daarvan.

Studies zijn uitgevoerd op verscheidene weer-geefeenheden van het vlakke paneeltype voor een beeld-weergeefeenheid, die de huidige kathodestraalbuizen (CRT) moet vervangen. De weergeefeenheden van het vlakke type 15 omvatten een vloeibaar kristal weergeefeenheid (LCD), een elektroluminescentie weergeefeenheid (ELD) en een plasma-weergeefeenheid (PDP). Verder is voorgesteld een koude kathode emissieweergeefeenheid vanuit het gezichtspunt van helderheid bij weergave.

20 De bovengenoemde koude kathode veldemissie weergeefeenheid (die soms simpelweg aangeduid wordt met ("veldemissie weergeefeenheid") heeft een aantal beeldpunten zoals is weergegeven in het conceptuele aanzicht van fig.33, en elk beeldpunt omvat een aantal koude 25 kathode veldemissie inrichtingen van het Spindt type (hierna soms simpelweg "veldemissie inrichting volgens het Spindt type" genoemd), die zijn gerangschikt in een tweedimensionale matrixvorm. Elke veldemissie inrichting volgens het Spindt type omvat een gepatroneerde elektro-30 delaag (kathode elektrode laag) 11, een isolerende tussenlaag 12, een poortelektrode 14 gevormd op de isolerende tussenlaag 12 en een emitterelektrode 102, die gevormd 1012681 2 is in een openingsgedeelte, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12.

De kathode elektrodelaag 11 is bijvoorbeeld gevormd op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, 5 dat is opgebouwd uit een glassubstraat, en de kathode elektrodelaag 11 is vervaardigd van bijvoorbeeld niobium (Nb). De kathode elektrodelaag 11 en het diëlectricum ondersteunend oppervlak 10 zijn bedekt met de isolerende tussenlaag 12. De emitterelektrode 102 is een conisch 10 uiteinde, dat gevormd is op de kathode elektrodelaag 11 volgens een halfgeleider vervaardigingsproces en heeft een diameter van ongeveer 1,0 μιπ. De emitterelektrode 102 is opgebouwd uit molybdeen (Mo) of dergelijke. Aan de zijde van het boveneinde van de emitterelektrode 102 is 15 de poortelektrode 114 voorzien, teneinde de emitterelektrode 102 te omgeven. Een spanning wordt aangebracht tussen de emitterelektrode 102 en de poortelektrode 14 om een elektrisch veld te genereren en als gevolg van het elektrische veld worden elektronen geëxtraheerd uit het 20 boveneinde van de emitterelektrode 102. De elektronen worden aangetrokken tot naar een tweede elektrodelaag (anode elektrode laag) 21, die gevormd is op een transparant substraat 20 om te botsen met een fluorescerende laag (licht uitzendende laag) 22, die gevormd is tussen 25 de anode elektrodelaag 21 en het transparante substraat 20, en als gevolg hiervan zendt de fluorescerende laag 22 licht uit en kan een bedoeld beeld verkregen worden. De prestaties van de veldemissie inrichting van het Spindt type worden in principe gestuurd op basis van een span-30 ning, die aangebracht wordt op de poortelektrode 14. Een dergelijke weergeefeenheid wordt bijvoorbeeld beschreven in het Amerikaanse octrooischrift 4.857.161. Het proces voor de productie van de in het bovenstaande Amerikaanse octrooischrift beschreven veldemissie inrichting van het 35 Spindt type zal hierna onder verwijzing naar figuren 34A, 34B, 35A en 35B geschetst worden.

[Stap-10] 10 A 2 68 1 3

Een niobium laag wordt gevormd op een diëlec-tricum ondersteunend substraat 10, welke laag bijvoorbeeld is opgebouwd uit een glassubstraat en vervolgens wordt de niobium laag gepatroneerd om een elektrodelaag 5 (kathode elektrode laag) 11 te vormen. Vervolgens wordt een isolerende tussenlaag 12 van bijvoorbeeld Si02 gevormd op het gehele oppervlak door middel van een CVD methode. Verder wordt een poortelektrode 14 gevormd door bijvoorbeeld het vormen van een metaallaag op de isolerende 10 tussenlaag 12 door een CVD methode en het vervolgens patroneren van de metaallaag. Vervolgens wordt een ope-ningsgedeelte 15 gevormd in de poortelektrode 14 door lithografie en droge etsmethoden. Verder wordt de isolerende tussenlaag 12 onder het openingsgedeelte 15 geëtst 15 om een openingsgedeelte 13 in de isolerende tussenlaag 212 te vormen (zie fig.34A).

[Stap-20]

Vervolgens wordt een afpellaag 100 die is opgebouwd uit aluminium, gevormd op de poortelektrode 14 20 door een schuine dampdepositie van aluminium (zie fig.34B). Aluminium wordt schuin damp-gedeponeerd, zodat de gesputterde delen van aluminium de poortelektrode 14 bereiken onder een hoek van ongeveer 75° ten opzichte van de normaal van de poortelektrode 14. Dientengevolge wordt 25 aluminium gedeponeerd om de afpellaag 100 te vormen met "overhangende delen" die zich uitstrekken vanaf een randgedeelte 15A van het in de poortelektrode 14 gevormde openingsgedeelte 15. Als gevolg hiervan krijgt het openingsgedeelte 15 een verminderde diameter door de afpel-30 laag 100.

[Stap-30]

Vervolgens wordt een metaallaag 101 gevormd door verticale dampdepositie van molybdeen, waardoor een emitterelektrode 102 van molybdeen met een conisch uit-35 einde gevormd is in een onderste gedeelte van het openingsgedeelte 13 (zie fig.35A).

[Stap-40] F10 1 2 6 8 1 4

Vervolgens wordt de afpellaag 100 afgepeld van het oppervlak van de poortelektrode 14 door een elektrochemisch proces en een nat proces teneinde de metaallaag 101 op de poortelektrode 14 (zie fig.35B) op selectieve 5 wijze te verwijderen, waardoor een veldemissie inrichting van het Spindt type met de in fig.33 weergegeven structuur verkregen kan worden.

In de veldemissie inrichting van het Spindt type, die de in fig.35B getoonde structuur heeft, is de 10 elektron uitzendende karakteristiek daarvan in grote mate afhankelijk van de afstand vanaf het randgedeelte 15A van het in de poortelektrode 14 gevormde openingsgedeelte 15 tot aan het bovenste eindgedeelte van de emitterelektrode 102. De bovenstaande afstand is in grote mate afhankelijk 15 van de procesnauwkeurigheid van de vorm van het openingsgedeelte 15, afhankelijk van de dimensionele nauwkeurigheid van de diameter van het openingsgedeelte 15 en afhankelijk van de dikte nauwkeurigheid van de in [Stap-30] gevormde metaallaag 101. Het is daarom noodzakelijk 20 om de vorming van de metaallaag 101 uniform over het gehele oppervlak van het diëlectricum ondersteunende substraat uit te voeren voor het voortbrengen van de veldemissie weergeefeenheid met een aantal veldemissie inrichtingen van het Spindt type, die uniforme karakte-25 ristieken hebben. Indien verder de metaallaag 101 niet verticaal gedeponeerd kan worden, varieert de afstand vanaf het bovenste eindgedeelte van de conische emitter elektrode 102 tot aan de poortelektrode 14 onderling tussen de veldemissie inrichtingen van het Spindt type.

30 Als gevolg hiervan kunnen de beeldweergave karakteristieken van de veldemissie weergeefeenheid, zoals helderheid van een beeld, variëren. Het is echter erg moeilijk om de metaallaag 101 met een uniforme dikte over het gehele oppervlak van het diëlectricum ondersteunende substraat 35 van grote oppervlakte te deponeren voor het voortbrengen van een veldemissie weergeefeenheid van een groot oppervlak en er kan niet alleen diktevariatie in het vlak van de metaallaag 101 op het diëlectricum ondersteunende 1012681 5 substraat, maar tevens een diktevariatie onder een aantal daarvan optreden. Bovendien is een inrichting voor de positie op grote schaal vereist. Aangezien het vereist is om de metaallaag 101 met een dikte van ongeveer Ιμτη of 5 meer door een dampdepositiewerkwijze te deponeren, is de doorvoer laag.

Het is verder vereist om de afpellaag 100 te vormen door een schuine dampdepositiemethode. Het is echter moeilijk om de bovenstaande afpellaag 100 over het 10 gehele oppervlak van het diëlectricum ondersteunende substraat met een groot oppervlak te vormen en het is tevens moeilijk om de afpellaag 100 zodanig nauwkeurig te deponeren, dat de afpellaag 100 zich uitstrekt strikt vanaf het randgedeelte 15A van het in de poortelektrode 15 14 gevormde openingsgedeelte 15 teneinde "overhangende delen " te hebben. Verder varieert de vorming van de afpellaag 100 niet alleen in het vlak van het diëlectricum ondersteunende substraat, maar tevens onder een aantal daarvan.

20 Verder is het niet alleen erg moeilijk om de afpellaag 100 over het gehele oppervlak van het glassubstraat met een groot oppervlak af te pellen voor het voortbrengen van de veldemissie weergeefeenheid met een groot oppervlak, maar het afpellen van de afpellaag 100 25 veroorzaakt tevens een verontreiniging, die resulteert in de afname van de productie opbrengst van de veldemissie weergeefeenheden.

Aangezien bovendien de hoogte van de conische emitterelektrode 102 hoofdzakelijk gedefinieerd wordt 30 door de dikte van de metaallaag 101, wordt de ontwerpvrijheid van de emitterelektrode 102 verminderd. Aangezien er verder moeilijkheden zijn bij het bepalen van de hoogte van de emitterelektrode 102 zoals vereist, wordt de dikte van de isolerende tussenlaag 12 onvermijdelijk 35 verkleind, wanneer de afstand vanaf de emitterelektrode 102 naar de poortelektrode 14 afneemt. Wanneer echter de dikte van de isolerende tussenlaag 12 wordt verminderd, kan de capacitantie tussen de poortelektrode 14 en de 1012681 6 kathode elektrode laag 11 niet verminderd worden, zodat de belasting op de elektrische schakeling van de veld-emissie weergeefeenheid toeneemt, zodat verder problemen optreden, dat de uniformiteit in het vlak en de beeldkwa-5 liteit van de veldemissie weergeefeenheid gedegradeerd wordt.

Een emitterelektrode, die de vorm van een kolom heeft, wordt bijvoorbeeld beschreven in het Japanse octrooischrift JP-A-9-139173. De in het bovengenoemde 10 Japanse octrooischrift JP-A-9-139173 beschreven werkwijze voor het vormen van de emitterelektrode verschilt echter geheel van de werkwijze voor het vormen van een koude kathode veldemissie inrichting of een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, zoals verschaft door de 15 onderhavige uitvinding. Het is tevens vereist om een isolerende laag 7 van Si02 door middel van een Chimney-dampdepositie werkwijze voor het vormen van de emitterelektrode te vormen, terwijl het moeilijk is om de tussenlaag 7 te vormen met een hoge nauwkeurigheid over 20 het gehele oppervlak van een glassubstraat met een groot oppervlak voor het voortbrengen van een veldemissie weergeefeenheid met een groot oppervlak. Verder is het vereist om een deel van de isolerende laag 7 en een deel van de poortelektrode 8 samen te verwijderen door een 25 natte werkwijze gebruikmakend van een afpelvloeistof. Het is niet alleen erg moeilijk om deze te verwijderen van het gehele oppervlak van het glassubstraat met een groot gebied, maar het afpellen veroorzaakt tevens een verontreiniging .

30 Uit het dokument "Matrix Display using elec tron-emission devices", IBM Technical Disclosure bulletin, US, IBM corp.New York, deel 32, nummer 5b, 1 oktober 1989 (1989-10-01), biz. 239-240 is een proces bekend voor het voortbrengen van een vlakke-plaatweergeefeenheid die 35 is opgebouwd uit een rij van veldemissie-inrichtingen die individueel schakelbaar zijn.

DOEL EN OVERZICHT VAN DE UITVINDING

1012681 7

Het is daarom een doel van de onderhavige uitvinding een proces te verschaffen voor de productie van koude kathode veldemissie inrichtingen, die de problemen bij de productie van conventionele kathode veld-5 emissie inrichtingen van het Spindt type overwinnen en die de eenvoudige productie mogelijk maakt van een aantal kathode veldemissie inrichtingen, die uniforme karakteristieken hebben, een proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid en een door de 10 bovengenoemde processen geproduceerde koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting volgens een eerste aspect 15 van de onderhavige uitvinding omvat de stappen van: (A) het vormen van een gepatroneerde elektrode laag op een diëlectricum ondersteunend substraat, (B) het vormen van een isolerende tussen laag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elek- 20 trodelaag, (C) het vormen van een poortelektrode, die gevormd is van een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van een openingsgedeelte, dat 25 door tenminste de isolerende tussenlaag penetreert en een bodemgedeelte heeft, waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, (E) het vormen van een zijwand van een isolerend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte 30 teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepo-sitie werkwijze, 35 (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde een in de vorm van een kolom gevormde en uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte opgebouwde emitterelektrode te vormen, en f01268 1 8 (H) het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de zijwand.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een eerste 5 aspect van de onderhavige uitvinding voor het tot stand brengen van het bovenstaande doel is een proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode 10 veldemissie inrichtingen omvat; elke koude kathode veldemissie inrichting omvattende: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, 15 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde poortelektrode, en 20 (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van een openingsgedeelte, dat door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert en dat gevormd is in de vorm van een kolom, 25 waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, die gevormd is op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, het proces de stappen omvattende van: 30 (A) het vormen van de gepatroneerde elektrode laag op het diëlectricum ondersteunende substraat, (B) het vormen van de isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, 35 (C) het vormen van de poortelektrode die opge bouwd is uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, 10 1 2 68 1 9 (D) het vormen van het openingsgedeelte, dat door tenminste de isolerende tussenlaag penetreert en een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt, 5 (E) het vormen van een zijwand van een isole rend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte, teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het 10 openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepo-sitie werkwijze, (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde de in de vorm van een kolom gevormde en uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte opgebouwde 15 emitterelektrode te vormen, (H) het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de zijwand, en (I) het bevestigen en met elkaar verbinden van het transparante substraat waarop de fluorescerende laag 20 en de tweede elektrodelaag gevormd zijn en het diëlectri-cum ondersteunende substraat.

De koude kathode veldemissie inrichting volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding voor het tot stand brengen van het bovenstaande doel omvat: 25 (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, 30 (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde en uit een eerste geleidende laag opgebouwde poortelektrode, en (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge- 35 deelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, 1012681 10 waarbij de emitterelektrode gevormd wordt nadat de poortelektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag door het vormen van het openingsgedeelte, dat door tenminste de isolerende tussenlaag penetreert en een 5 bodemgedeelte heeft, waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt; door het vormen van een zijwand van een isolerend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele 10 oppervlak, waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag, en het vervolgens verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de zijwand.

15 De koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding voor het tot stand brengen van het bovenstaande doel is een koude kathode veldemissie weergeefeenheid met een aantal beeldpunten, waarbij elk beeldpunt een aantal 20 koude kathode veldemissie inrichtingen omvat en waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is 25 op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde en uit een eerste geleidende laag opgebouwde poortelektrode, en 30 (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, 35 waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, 1012681 11 waarbij de emitterelektrode nadat de poortelek-trode gevormd is op de isolerende tussen gevormd wordt door het vormen van het openingsgedeelte, dat door tenminste de isolerende tussenlaag penetreert en het bodem-5 gedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een zijwand van een isolerend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak, 10 waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag.

In het proces voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de 15 productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding, wordt bij voorkeur tenminste een bovenste gedeelte van de zijwand in de bovengenoemde stap (H) verwijderd, zodat er geen zijwand aanwezig is op een denkbeeldig 20 lijnsegment, dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte verbindt. In de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het eerste aspect van de onderha-25 vige uitvinding is bij voorkeur geen zijwand aanwezig op een denkbeeldig lijnsegment, dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte verbindt. In deze configuraties kan een elektrisch veld op betrouwbare 30 wijze gegenereerd worden wanneer een spanning aangebracht wordt tussen de emitterelektrode en de poortelektrode. In deze configuraties steekt het eindgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte uit over het bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussen-35 laag gevormde openingsgedeelte, waardoor het eindgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte blootgesteld wordt, zodat een elektrisch veld gemakkelijker gevormd kan worden.

1012681 12

Verder kan in de koude kathode veldemissie inrichting, de koude kathode veldemissie weergeefeenheid of de processen voor de productie daarvan volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding, een uitvoe-5 ringsvorm gebruikt worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitte-relektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en is het scherphoekige gedeelte gevormd uit een oppervlak, dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale 10 gedeelte van het bovenste oppervlak gevormde put tot een randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode.

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de 15 productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding, kan een uitvoeringsvorm gebruikt worden, waarin de bovenstaande stap (G) de stappen omvat voor het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het 20 gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag over te laten op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag om in het openingsgedeelte 25 de emitterelektrode (dat wil zeggen de emitterelektrode waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft) te vormen, welke emitterelektrode de vorm heeft van een kolom, die gevormd is uit de tweede geleidende laag en een scherphoekig gedeelte heeft, dat gevormd is op het 30 bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekige gedeelte gevormd is van een uiteinde oppervlak, dat in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak uitsteekt. In deze uitvoeringsvorm wordt naar wens de tweede geleidende laag geëtst onder omstandigheden, 35 waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag. Wanneer de etssnelheid van de maskermateriaallaag gelijk is aan 1, is de etssnelheid van de tweede geleidende laag 1012681 13 naar wens tenminste 1,5, bij voorkeur tenminste 2, nog meer bij voorkeur tenminste 3. Dit punt is tevens toepasbaar bij de hierna te geven uitleg.

In de koude kathode veldemissie inrichting of 5 koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding kan een uitvoeringsvorm gebruikt worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode, het scherphoekig gedeelte gevormd is 10 van een uiteinde oppervlak, dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenste oppervlak, en de emitterelektrode (dat wil zeggen emitterelektrode waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft), nadat de tweede geleidende laag op het gehele oppervlak, 15 waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte gevormd is door een fysische of chemische dampdepositie werkwijze, gevormd is door het vormen van een maskermateriaal-laag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateri-20 aallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte over te laten; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van tenminste het bovenste gedeelte van de zijwand. In deze uitvoeringsvorm wordt naar 25 wens de tweede geleidende laag geëtst onder omstandigheden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag hoger is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of een koude kathode 30 veldemissie weergeefinrichting volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding, kan een uitvoeringsvorm verschaft worden, waarin na de stap (C), het proces de stappen omvat van het vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak en het vervolgens vormen van een 35 focus elektrode op de isolerende film en de bovengenoemde stap (D) de stap omvat van het vormen van het openingsgedeelte, dat door de focuselektrode, de isolerende film, de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert 10 1 2 68 1 14 en een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt door middel van de bovengenoemde uitvoeringsvorm, heeft de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeenheid een focus 5 elektrode, die gevormd is boven de poortelektrode door de isolerende film.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting volgens een tweede aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het 10 bovengenoemde doel omvat de stappen van: (A) het vormen van een gepatroneerde elektrodelaag op een diëlectricum ondersteunend substraat; (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektro- 15 delaag, (C) het vormen van een poortelektrode gevormd van een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van een openingsgedeelte, dat 20 penetreert door tenminste de isolerende tussenlaag en een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt, (E) het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak, waaronder het oppervlak van de 25 zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze, 30 (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde een emitter elektrode te vormen die gevormd is in de vorm van een kolom en opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte, en (H) het verwijderen van de isolerende materi- 35 aallaag.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een tweede aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken 1012681 15 van het bovenstaande doel is een proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode 5 veldemissie inrichtingen omvat, waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 10 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunde substraat en de elektrodelaag , (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde poortelektrode, en 15 (d) een emitterelektrode die geplaatst is op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en gevormd is in de vorm van een kolom, 20 waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, waarbij het proces de stappen omvat van: 25 (A) het vormen van de gepatroneerde elektrode laag op het diëlectricum ondersteunende substraat, (B) het vormen van de isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, 30 (C) het vormen van de poortelektrode, die opgebouwd is uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van het openingsgedeelte, dat penetreert door tenminste de isolerende tussenlaag en dat 35 een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt, (E) het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak, waaronder het oppervlak van de 1012681 16 zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsge-deelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte 5 door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze, (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde de emitterelektrode te vormen, die gevormd is in de vorm van een kolom en die opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte, 10 (H) het verwijderen van de isolerende materi aallaag, en (I) het bevestigen en met elkaar verbinden van het transparante substraat, waarop de fluorescerende laag en de tweede elektrodelaag gevormd zijn, en het diëlec-15 tricum ondersteunende substraat.

De koude kathode veldemissie inrichting volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovenstaande doel omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend 20 substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode, die gevormd is op de 25 isolerende tussenlaag en gevormd is van een eerste geleidende laag, en (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de 30 poortelektrode en de isolerende tussenlaag en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij de emitterelektrode, nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, gevormd is door het vormen van het openingsgedeelte, dat pene-35 treert door tenminste de isolerende tussenlaag en het bodemgedeelte waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak, waaronder het oppervlak van de zijwand van het 1012681 17 openingsgedeelte om het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; en het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; en 5 het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag.

De koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovenstaande doel is een koude kathode veldemissie weergeefeenheid met een aantal beeld-10 punten, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen omvat en waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 15 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode die gevormd is op de isolerende tussenlaag en gevormd is van een eerste gelei- 20 dende laag, en (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en gevormd is in de 25 vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, 30 waarbij de emitterelektrode, nadat de poorte lektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, gevormd is door het vormen van het openingsgedeelte, dat penetreert door tenminste de isolerende tussenlaag en dat het bodemgedeelte heeft waar de elektrodelaag blootgesteld 35 wordt, het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak waaronder het oppervlak van de zijwand van het openingsgedeelte om het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede gelei- 1012981 18 dende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepo-sitie werkwijze; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag.

5 In de koude kathode veldemissie inrichting, de koude kathode veldemissie weergeefeenheid of de processen voor de productie ervan volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding, wordt het oppervlak van de elek-trodelaag, wanneer het openingsgedeelte in diameter 10 verkleind wordt door het vormen van de isolerende materiaallaag op de poortelektrode waaronder het oppervlak van de zijwand van het openingsgedeelte, blootgesteld in het bodemgedeelte van het in diameter verkleinde openingsgedeelte.

15 In de koude kathode veldemissie inrichting, de koude kathode veldemissie weergeefeenheid of de processen voor de productie daarvan volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding kan tevens een uitvoeringsvorm gebruikt worden, waarin een scherphoekig gedeelte 20 gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelek-trode door het etsen van de tweede geleidende laag, en waarin het scherphoekige gedeelte gevormd is van een oppervlak, dat zich uitstrekt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een 25 randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode.

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-30 heid volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding, kan er tevens een uitvoeringsvorm gebruikt worden waarin de bovenstaande stap (G) de stappen omvat van het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateri-35 aallaag teneinde de maskermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte over te laten; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag teneinde in het 1012681 19 openingsgedeelte de emitterelektrode (d.w.z. de emitterelektrode waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft) te vormen, welke emitterelektrode de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag 5 en een scherphoekig gedeelte heeft, dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, waarbij het scherphoekige gedeelte opgebouwd is uit een uiteindoppervlak, dat in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak uitsteekt. In deze uitvoeringsvorm wordt naar wens de 10 tweede geleidende laag geëtst onder de omstandigheden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag hoger is dan de etssnelheid van de maskermateriaal laag.

In de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het 15 tweede aspect van de onderhavige uitvinding, kan tevens een uitvoeringsvorm toegepast worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode, waarin het scherphoekige gedeelte gevormd is van een uiteinde oppervlak, dat uitsteekt in 20 de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en waarin de emitterelektrode (d.w.z. de emitterelektrode waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft) gevormd is, nadat de tweede geleidende laag gevormd is op de isolerende materiaallaag en in het ope-25 ningsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze, door het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussen-30 laag gevormde openingsgedeelte over te laten; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag. Ook in deze uitvoeringsvorm wordt naar wens de tweede geleidende laag geëtst onder omstandigheden waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag hoger is dan de etssnelheid 35 van de maskermateriaallaag.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het eerste of het *0 1 2 681 20 tweede aspect van de onderhavige uitvinding omvat de bovengenoemde stap (D) bij voorkeur de stappen van het vormen van een afdeklaag op de isolerende tussenlaag en de poortelektrode door een lithografie werkwijze; het 5 vormen van een openingsgedeelte in de poortelektrode gebruikmakend van de afdeklaag als een etsmasker; en het vervolgens verder vormen van een openingsgedeelte in de isolerende tussenlaag onder het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte gebruikmakend van de afdeklaag 10 als een etsmasker, zodat het openingsgedeelte de elektro-delaag bereikt.

In de koude kathode veldemissie inrichting, de koude kathode veldemissie weergeefeenheid of de processen voor de productie daarvan volgens het eerste of het 15 tweede aspect van de onderhavige uitvinding, omvat de uitvoeringsvorm, waarin het openingsgedeelte, dat penetreert door "tenminste" de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt, gevormd wordt, (1) een uitvoeringsvorm, 20 waarin het openingsgedeelte gevormd wordt, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en een bodemgedeelte heeft, waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, d.w.z. de vorming van het openingsgedeelte in de poortelektrode en de vorming van het openingsgedeelte in 25 de isolerende tussenlaag uitgevoerd worden in een opeenvolgend proces, en (2) een uitvoeringsvorm, waarin een openingsgedeelte gevormd wordt in de poortelektrode, wanneer de poortelektrode gevormd wordt, en een openingsgedeelte, dat communiceert met het in de poortelektrode 30 gevormde openingsgedeelte en een bodemgedeelte heeft, waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, gevormd wordt in de isolerende tussenlaag, d.w.z. de vorming van het openingsgedeelte in de poortelektrode en de vorming van het openingsgedeelte in de isolerende tussenlaag, uitge-35 voerd worden in verschillende processen.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting volgens een derde aspect 1012661 21 van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovenstaande doel omvat de stappen van: (A) het vormen van een gepatroneerde elektrode-laag op een diëlectricum ondersteunend substraat, 5 (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektro-delaag, (C) het vormen van een poortelektrode, die gevormd is van een eerste geleidende laag op de isoleren- 10 de tussenlaag, (D) het vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak, (E) het vormen van een eerste openingsgedeelte, dat penetreert door de isolerende film en een bodemge- 15 deelte heeft, waarin de poortelektrode blootgesteld wordt, (F) het vormen van een eerste zijwand van een eerst isolerend materiaal op de zijwand van het eerste openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in 20 diameter te verkleinen, (G) het vormen van een tweede openingsgedeelte, dat penetreert de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft, waarin de elektro- 25 delaag blootgesteld wordt, (H) het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen 30 en teneinde het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (I) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak, waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of 35 chemische dampdepositie werkwijze, (J) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde een emitterelektrode te vormen, die gevormd is 10 1 2 68 1 22 in de vorm van een kolom en die opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het tweede openingsgedeelte, en (K) het verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van 5 de tweede zijwand.

Een koude kathode veldemissie inrichting volgens een derde aspect van de onderhavige uitvinding kan geproduceerd worden door het bovenstaande proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting 10 volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding.

Het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een derde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovenstaande doel is een proces voor de productie 15 van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen omvat en waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend 20 substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde 25 poortelektrode, en (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van een tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat 30 gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, 35 waarbij het proces de stappen omvat van: (A) het vormen van de gepatroneerde elektrodelaag op het diëlectricum ondersteunend substraat, *012681 23 (B) he vormen van de isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektro-delaag, (C) het vormen van de poortelektrode, die 5 opgebouwd is uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak, (E) het vormen van een eerste openingsgedeelte, 10 dat penetreert door de isolerende film en een bodemge- deelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt, (F) het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in 15 diameter te verkleinen, (G) het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft, waar de elektrode- 20 laag blootgesteld wordt, en dat een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt, (H) het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openingsgedeelte om het eerste 25 openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (I) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of 30 chemische dampdepositie werkwijze, (J) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde de emitterelektrode te vormen, die gevormd is in de vorm van een kolom en die opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het tweede openingsgedeelte, 35 (K) het verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand, en 1 0 1 2 6 8 1 24 (L) het bevestigen en het met elkaar verbinden van het transparante substraat, waarop de fluorescerende laag en de tweede elektrodelaag gevormd zijn en het diëlectricum ondersteunende substraat.

5 Een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een derde aspect van de onderhavige uitvinding kan geproduceerd worden door het bovenstaande proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeef-eenheid volgens het derde aspect van de onderhavige 10 uitvinding.

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvin-15 ding, kan een uitvoeringsvorm toegepast worden waarin naast stap (D) het proces de stappen omvat voor het vormen van een focus elektrode op de isolerende film en waarin de bovenstaande stap (E) de stap omvat van het vormen van het eerste openingsgedeelte, dat door de focus 20 elektrode en de isolerende film penetreert en een bodem-gedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt. Een koude kathode veldemissie inrichting of een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een vierde aspect van de onderhavige uitvinding, die later 25 beschreven zal worden, kan geproduceerd worden door het bovengenoemde proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het bovengenoemde proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens bovenstaande uitvoeringsvorm. 30

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvin-35 ding kan een uitvoeringsvorm toegepast worden, waarin naast stap (D) het proces de stappen omvat van het vormen van een focuselektrode op de isolerende film en verder het vormen van een tweede isolerende film op het gehele 1012681 25 oppervlak en waarin de bovengenoemde stap (E) de stap omvat van het vormen van het eerste openingsgedeelte, dat door de tweede isolerende film, de focuselektrode en de isolerende film penetreert en een bodemgedeelte heeft, 5 waar de poortelektrode blootgesteld wordt. Een koude kathode veldemissie inrichting of een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een vijfde aspect van de onderhavige uitvinding, die later beschreven zal worden, kunnen geproduceerd worden door het bovengenoemde 10 proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het bovengenoemde proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens bovengenoemde uitvoeringsvorm.

In het proces voor de productie van de koude 15 kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van de koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding wordt bij voorkeur tenminste een bovengedeelte van de tweede zijwand verwijderd in de bovengenoemde stap 20 (K), zodat geen tweede zijwand aanwezig is op een denk beeldig lijnsegment, dat het bovenoppervlak van de emit-terelektrode en het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte verbindt. In deze uitvoeringsvorm steekt bij voorkeur het eindgedeelte 25 van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte uit over het bovenste eindgedeelte van het tweede openingsgedeelte, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag .

In het proces voor de productie van de koude 30 kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van de koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding kan een uitvoeringsvorm toegepast worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak 35 van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag, en is het scherphoekige gedeelte opgebouwd uit een oppervlak, dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put 1012681 26 tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode. Aldus kan een uitvoeringsvorm toegepast worden waarin de bovengenoemde stap (J) de stappen omvat van het vormen van een masker-5 materiaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de mas-kermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte over te laten; en het vervolgens etsen van de tweede 10 geleidende laag om in het tweede openingsgedeelte de emitterelektrode te vormen, die de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag en een scherphoekig gedeelte heeft, dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekige gedeelte 15 opgebouwd is uit een uiteinde oppervlak, dat in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak uitsteekt. In deze uitvoeringsvorm wordt de tweede geleidende laag naar wens geëtst onder omstandigheden waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is 20 dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

In het proces voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvin-25 ding omvat de bovengenoemde stap (G) bij voorkeur de stap van het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en een bodemgedeelte heeft, waar de elektro-30 delaag blootgesteld is, waarbij gebruik wordt gemaakt van de eerste zijwand als een etsmasker.

De koude kathode veldemissie inrichting volgens een derde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovengenoemde doel omvat: 35 (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde elektrodelaag, 1012681 27 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elek-trodelaag, (c) een poortelektrode die gevormd is op de 5 isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, en (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd in een bodemgedeelte van het tweede openingsgedeelte, dat door de poortelek- 10 trode en de isolerende tussenlaag penetreert en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij de emitterelektrode, nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, gevormd wordt door het vormen van een isolerende film op het 15 gehele oppervlak; het vormen van een eerste openingsgedeelte, dat door de isolerende film penetreert en een bodemgedeelte heeft, waarin de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste 20 openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede openingsgedeelte, dat door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte penetreert en een bodemgedeelte heeft, 25 waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en op de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte 30 in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak, waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervol-35 gens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand .

1012681 28

De koude kathode veldemissie inrichting volgens een vierde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovengenoemde doel omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend 5 substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode, die gevormd is op de 10 isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, (d) een focuselektrode, die gevormd is boven de poortelektrode door een isolerende film (e) een tweede openingsgedeelte, dat communi-15 ceert met een eerste openingsgedeelte dat door de focuse- lektrode en de isolerende film penetreert en door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert, en (f) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge- 20 deelte van het tweede openingsgedeelte en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij de emitterelektrode gevormd is, nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, het vormen van de isolerende film op het gehele opper-25 vlak; het vormen van de focuselektrode op de isolerende film; het vormen van het eerste openingsgedeelte, dat door de focuselektrode en de isolerende film penetreert en een bodemgedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een 30 eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste openingsgedeelte, teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van het tweede ope* ningsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde 35 eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft, waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openings- .10 1 2 6 8 1 29 gedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnen-5 zijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

10 De koude kathode veldemissie inrichting volgens een vijfde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovengenoemde doel omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 15 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode, die gevormd is op de isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste 20 geleidende laag, (d) een focuselektrode, die gevormd is boven de poortelektrode door een isolerende film (e) een tweede openingsgedeelte, dat communiceert met een eerste openingsgedeelte dat door de focuse- 25 lektrode en de isolerende film penetreert en door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert, en (f) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van het tweede openingsgedeelte en gevormd is in 30 de vorm van een kolom, waarbij de emitterelektrode, nadat de poortelektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag, gevormd wordt door het vormen van de isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van de focuselektrode op 35 de isolerende film; het vormen van een tweede isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van het eerste openingsgedeelte, dat door de tweede isolerende film, de focus elektrode en de isolerende film penetreert en een 10 1 2 68 1 30 bovengedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste ope-ningsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in 5 diameter te verkleinen; het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van 10 een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede gelei-15 dende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van ten-20 minste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

De koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een derde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovengenoemde doel is een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal 25 beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen omvat en elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 30 (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode, die gevormd is op de isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste 35 geleidende laag, (d) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in het bodemgedeelte van een tweede openingsgedeelte, dat penetreert J 0 1 2 6 8 t 31 door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluoresce-5 rende laag gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrode, waarbij de emitterelektrode, nadat de poortelektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag, gevormd door het vormen van een isolerende film op het 10 gehele oppervlak; het vormen van een eerste openingsge-deelte, dat penetreert door de isolerende film en een bodemgedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste ope-15 ningsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft 20 waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en op de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter verder te verkleinen en het tweede openingsge-25 deelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens 30 verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

De koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een vierde aspect van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van het bovengenoemde doel is een koude 35 kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen omvat en waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: 1012681 32 (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elek- 5 trodelaag, (c) een poortelektrode, die gevormd is op de isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, (d) een focuselektrode, die gevormd is boven de 10 poortelektrode door een isolerende film (e) een tweede openingsgedeelte, dat communiceert met een eerste openingsgedeelte dat door de focuselektrode en de isolerende film penetreert en door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert, en 15 (f) een emitterelektrode, die geplaatst is op de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van het tweede openingsgedeelte en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: 20 (g) een tweede elektrode laag en een fluoresce rende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitter elektrodes, waarbij de emitterelektrode, nadat de poortelektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag, 25 gevormd wordt door het vormen van de isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van de focuselektrode op de isolerende film; het vormen van een tweede isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van het eerste openingsgedeelte, dat door de tweede isolerende film, de 30 focus elektrode en de isolerende film penetreert en een bovengedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in 35 diameter te verkleinen; het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft 1012681 33 waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openings-gedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in 5 diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; het etsen 10 van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

De koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een vijfde aspect van de onderhavige uitvinding 15 voor het bereiken van het bovengenoemde doel is een koude kathode veldemissie weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathode veldemissie inrichtingen omvat, en waarbij elke koude kathode veldemissie inrichting omvat: 20 (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormd gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag, die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat en de elektrodelaag, 25 (c) een poortelektrode, die gevormd is op de isolerende tussenlaag en opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, (d) een focuselektrode, die gevormd is boven de poortelektrode door een isolerende film 30 (e) een tweede openingsgedeelte, dat communi ceert met een eerste openingsgedeelte dat door de focuselektrode en de isolerende film penetreert en door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag penetreert, en (f) een emitterelektrode, die geplaatst is op 35 de elektrodelaag, die gepositioneerd is in een bodemge-deelte van het tweede openingsgedeelte en gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: 10 1 2 68 1 34 (g) een tweede elektrode laag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitterelektrode, waarbij de emitterelektrode, nadat de poorte-5 lektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag, gevormd wordt door het vormen van de isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van de focuselektrode op de isolerende film; het vormen van een tweede isolerende film op het gehele oppervlak; het vormen van het eerste 10 openingsgedeelte, dat door de tweede isolerende film, de focus elektrode en de isolerende film penetreert en een bovengedeelte heeft, waar de poortelektrode blootgesteld wordt; het vormen van een eerste zijwand van een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste ope-15 ningsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van het tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft 20 waar de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een tweede zijwand van een tweede isolerend materiaal op de eerste zijwand en de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in 25 diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositie werkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwij-30 deren van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

In de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een van de derde tot en met vijfde aspecten van de onderhavi-35 ge uitvinding is bij voorkeur geen tweede zijwand aanwezig op een denkbeeldig lijnsegment, dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het eindgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte 10 1 2 68 f 35 verbindt, of het eindgedeelte van het in de poortelektro-de gevormde tweede openingsgedeelte steekt uit over het bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsgedeelte.

5 In de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens een van de derde t/m vijfde aspecten van de onderhavige uitvinding kan een uitvoeringsvorm toegepast worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het 10 bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak, dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het 15 bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode. Overigens kan een andere uitvoeringsvorm toegepast worden, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode, het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde oppervlak, 20 dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en de emitterelektrode, gevormd wordt, nadat de tweede geleidende laag gevormd is op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische 25 dampdepositiewerkwijze, door het vormen van een maskerma-teriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de mas-kermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsge-30 deelte over te laten; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van tenminste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand. In deze uitvoeringsvorm wordt de tweede geleidende laag naar wens geëtst onder omstandig-35 heden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag hoger is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag .

10 1 2 68 1 36

De vorm in dwarsdoorsnede van de "kolom" kan willekeurig zijn, zoals een cirkelvorm, een rechthoekige vorm, een afgeronde rechthoekige vorm, veelhoekige vorm, een ovale vorm of dergelijke en de vorm is afhankelijk 5 van de vorm in dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte of het tweede openingsgedeelte. De term "het verkleinen van het openingsgedeelte in diameter" betekent, dat het gebied in dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte, genomen door het snijden van het openingsgedeelte in een vlak 10 loodrecht op een axiale lijn, die door het midden van het openingsgedeelte gaat, verkleind wordt.

In het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting of het proces voor de productie van een koude kathode veldemissie weergeefeen-15 heid volgens een van de eerste t/m derde aspecten van de onderhavige uitvinding of in de koude kathode veldemissie inrichting of de koude kathode veldemissie weergeefeen-heid volgens een van de eerste t/m vijfde aspecten van de onderhavige uitvinding, omvat het diëlectricum ondersteu-20 nende substraat een glassubstraat, een quartz substraat, een glassubstraat met een oppervlak gevormd van een isolerende film, een quartz substraat met een oppervlak gevormd van een isolerende film, en een silicium halfgeleider substraat met een oppervlak gevormd van een isole-25 rende film.

Het materiaal voor het vormen van de elektrode-laag omvat refractaire metalen zoals wolfram (W), molyb-deen (Mo), titaan (Ti), niobium (Nb), tantalium (Ta), chroom (Cr); metalen zoals aluminium (Al) en koper (Cu); 30 legeringen van deze warmtebestendige metalen of deze metalen; willekeurige samenstellingen van deze warmtebestendige metalen of deze metalen (b.v. nitriden en sili-ciden); halfgeleiders zoals silicium (Si); diamant; koolstof; en ITO. De elektrodelaag kan gevormd zijn door 35 een algemene dunne laag vormende werkwijze zoals een dampdepositie werkwijze, een sputtering werkwijze, een CVD werkwijze, een ionplateringswerkwijze, een drukwerk-wijze, een plateringswerkwijze of dergelijke.

10 1 2 68 1 37

Wanneer de emitterelektrode gevormd wordt, wordt de tweede geleidende laag op de poortelektrode of op de focuselektrode geëtst. Bij voorkeur kan daarom het materiaal voor het vormen van de poortelektrode (eerste 5 geleidende laag) of de focuselektrode en het materiaal voor het vormen van de emitterelektrode (tweede geleidende laag) het etsen op selectieve wijze mogelijk maken.

Het materiaal voor het vormen van de poortelektrode (de eerste geleidende laag) en de focuselektrode omvat warm-10 tebestendige metalen zoals wolfram (W), molybdeen (Mo), titanium (Ti), niobium (Nb), tantalium (Ta), chroom (Cr); metalen zoals aluminium (Al) en koper (Cu); legeringen met deze warmtebestendige metalen of deze metalen; en willekeurige samenstellingen van deze warmtebestendige 15 metalen of deze metalen (b.v. nitriden en siliciden). Het materiaal voor het vormen van de emitterelektrode (tweede geleidende laag) omvat warmtebestendige metalen zoals wolfram (W), niobium (Nb), tantalium (Ta), titanium (Ti), molybdeen (Mo), chroom (Cr); metalen zoals aluminium (Al) 20 en koper (Cu); legeringen met deze warmtebestendige metalen of deze metalen; en willekeurige samenstellingen van deze warmtebestendige metalen of deze metalen, en onder deze materialen worden warmtebestendige metalen, legeringen met deze warmtebestendige metalen of willekeu-25 rige samenstellingen van deze warmtebestendige metalen gebruikt. Bij voorkeur wordt een materiaal voor het vormen van de emitterelektrode (tweede geleidende laag) en een materiaal voor het vormen van de elektrodelaag gecombineerd teneinde een hoge mate van kleefkracht te 30 krijgen tussen de elektrodelaag en de emitterelektrode.

De fysieke dampdepositie (PVD) werkwijze voor het vormen van de tweede geleidende laag omvat (a) verscheidene vacuüm dampdepositie werkwijzen, zoals een elektronenstraal verwarmingswerkwijze, een weerstandsver-35 warmingswerkwijze en een flits depositiewerkwijze (flash deposition method), (b) een verbeterde plasma dampdeposi- tiewerkwijze (plasma-enhanced vapor deposition method), (c) verscheidene sputteringswerkwijzen zoals een dubbele 1012681 ? 38 pool sputteringswerkwijze (double-pole sputtering method) , een DC sputteringswerkwijze, een DC magnetron sputteringswerkwijze, een hoog frequentie sputterings-werkwijze, een magnetron sputteringswerkwijze, een ionen-5 straal sputteringswerkwijze en een schuin sputteringswerkwi jze, (d) verscheidene ionenplateringswerkwijzen zoals een DC (Direct Current) werkwijzen, een RF werkwijze, een multikathode werkwijze, een activatie reactie werkwijze, een HCD (Hollow Cathode Discharge) werkwijze, 10 een elektrisch veld dampdepositiewerkwijze, een RF ion plateringswerkwijze en een reactieve ion plateringswerk-wijze, en (e) een ion dampdepositie (IVD) werkwijze. De chemische damp depositiewerkwijze (CVD werkwijze) voor het vormen van de tweede geleidende laag omvat een normals le druk CVD werkwijze, een lage druk CVD werkwijze, een thermische CVD werkwijze, een verbeterde plasma CVD werkwijze, een foto CVD werkwijze en een door een laser geïnduceerde CVD werkwijze.

De maskermateriaal laag kan opgebouwd zijn uit 20 een willekeurig materiaal zolang als het een lagere etssnelheid heeft dan de etssnelheid van de tweede geleidende laag. Het materiaal voor de maskermateriaal laag omvat bijvoorbeeld een afdekmateriaal, SOG (spin on glass) en op polyimide gebaseerde harsen. Deze materialen 25 kunnen eenvoudig toegepast worden in een spinbekledings-werkwijze. Anders kan het bovenstaande materiaal een materiaal zijn zoals BPSG (boro-phospho-silicate glass), dat oppervlak afvlakking mogelijk maakt na te zijn gevormd in een laag door een thermische herstroomwerkwijze 30 De "etssnelheid" betekent een etssnelheid van de masker-materiaallaag en de tweede geleidende laag in een richting loodrecht op het diëlectricum ondersteunende substraat .

Wanneer het materiaal voor het vormen van de 35 emitter elektrode (tweede geleidende laag) geselecteerd kan worden uit warmtebestendige metalen zoals wolfram (W), titanium (Ti), niobium (Nb), tantalium (Ta), molyb-deen (Mo), chroom (Cr), legeringen met deze warmtebesten-

10 1 2 68 Y

39 dige metalen, of willekeurige samenstellingen van deze warmtebestendige metalen zoals nitriden (b.v. TiN) en siliciden (b.v. WSi2, MoSi2, TiSi2, TaSi2) kan de maskerma-teriaal laag samengesteld zijn uit koper (Cu), goud (Au) 5 en zilver (Ag), of de combinatie daarvan. Wanneer een dergelijk materiaal gebruikt wordt als het materiaal voor het vormen van de maskermateriaallaag en wanneer de snelheid van de maskermateriaal laag 1 is, kan naar wens de etssnelheid van de tweede geleidende laag van tenmin-10 ste 10 verkregen worden.

Het materiaal voor het vormen van de isolerende tussenlaag omvat Si02, SiN, SiOn en een uitgehard glaspasta product (engels: glass-paste cured product), het materiaal voor het vormen van de zijwand, de eerste 15 zijwand, de tweede zijwand, de isolerende materiaal laag, de isolerende film of de tweede isolerende film omvat Si02, SiN en SiON. De vorming van de isolerende tussenlaag, de isolerende film of de tweede isolerende film kan uitgevoerd worden door een bekende werkwijze zoals een 20 CVD werkwijze, een bedekkingswerkwijze, een sputterings-werkwijze of een afdrukwerkwijze, en de vorming van de zijwand, de eerste zijwand of de tweede zijwand kan uitgevoerd worden met een bekende werkwijze, zoals de combinatie van de CVD-werkwijze en een etsproces. Bij 25 voorkeur kan het materiaal voor het vormen van de isolerende tussenlaag en het materiaal voor de zijwand, de eerste zijwand, de tweede zijwand, de isolerende materi-aallaag, de isolerende film of de tweede isolerende film (hierna in het algemeen "zijwand, etc." genoemd), het op 30 selectieve wijze etsen mogelijk maken. Wanneer SiOz gebruikt wordt als materiaal voor de isolerende tussenlaag, heeft het de voorkeur om SiN als een isolerend materiaal voor het vormen van de zijwand, etc. te gebruiken en wanneer SiON gebruikt wordt als materiaal voor het vormen 35 van de isolerende tussenlaag, heeft het de voorkeur om Si02 als materiaal te gebruiken voor het vormen van de zijwand, etc., alhoewel de combinatie van de bovenstaande materialen niet tot deze beperkt is.

Γ10 1 2 6 8 1 40

Het transparante substraat omvat b.v. een glassubstraat en een quartz substraat. Het materiaal voor de tweede elektrodelaag kan geselecteerd worden uit aluminium, met tinoxide gedoteerde indium oxide (ITO) en 5 tinoxide (Sn02) . De fluorescerende laag kan opgebouwd zijn uit een bekend fluorescerend materiaal. De tweede elek-trolaag en de fluorescerende laag kunnen gevormd zijn op het transparante substraat in de volgorde van de tweede elektrodelaag en de fluorescerende laag of in de volgorde 10 van de fluorescerende laag en de tweede elektrodelaag.

De focuselektrode is een onderdeel dat verschaft is voor het verhinderen van de divergentie van de banen van elektronen, die geëmitteerd zijn vanuit een elektron emissiegedeelte in een zogenoemde weergeefeen-15 heid van het hoge spanningstype, waarin het spanningsverschil tussen de tweede elektrodelaag (anode elektrode), die gevormd is op het transparante substraat, en de elektrodelaag (kathode elektrode), die gevormd is op het diëlectricum ondersteunende substraat, in de orde van 20 grootte van 5 kV is en de afstand tussen deze twee elektroden relatief groot (b.v. ongeveer 1 mm) is. Door het verbeteren van de convergentie van het pad van de geëmitteerde elektronen, kan een overspraak tussen beeldpunten verminderd worden en wordt in het bijzonder een kleurver-25 menging verhinderd wanneer de weergave uitgevoerd wordt in kleuren. Verder kunnen de beeldpunten gevormd worden als kleinere eenheden, zodat weergave van kleinere beelden tot stand kan worden gebracht.

In de onderhavige uitvinding wordt de emittere-30 lektrode gevormd in het in diameter verkleinde openings-gedeelte met de zijwand of de isolerende materiaallaag, zodat de emitterelektrode gevormd kan worden op een zelfopgelijnde wijze. Verder wordt de tweede geleidende laag geëtst teneinde het scherphoekige gedeelte te vormen 35 op het bovenoppervlak van de emitterelektrode, zodat het niet langer noodzakelijk is om een speciale productie-werkwijze te gebruiken teneinde een scherphoekig gedeelte te vormen op het bovenoppervlak van de emitterelektrode.

1012881 41

In de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding, wordt de tweede geleidende laag 5 geëtst in een toestand, waarin de poortelektrode bedekt is met de isolerende materiaal laag. In de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding, wordt de 10 tweede geleidende laag geëtst in een toestand, waarin de poortelektrode bedekt is met de isolerende film of waarin de focuselektrode bedekt is met de tweede isolerende film. Voordeligerwijze neemt daarom de vrijheid van selectie van de combinatie van het materiaal voor het 15 vormen van de poortelektrode of de focuselektrode en het materiaal voor het vormen van de tweede geleidende laag toe. In het bijzonder kan het materiaal voor de poortelektrode of de focuselektrode geselecteerd worden uit een breder bereik van materialen en behoeft de tweede gelei-20 dende laag niet langer op selectieve wijze geëtst te worden ten opzichte van de poortelektrode of de focuselektrode .

KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN 25

De onderhavige uitvinding zal hierna gedetailleerd beschreven worden onder verwijzing naar de tekeningen .

Fig. IA is een schematisch gedeeltelijk eind-30 aanzicht van een koude kathode veldemissie inrichting in voorbeeld 1, en

Fig. 1B is een conceptueel aanzicht van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid.

Fig. 2A toont een rangschikking van een deel 35 van de elektrodelagen en poortelektrodes van een koude kathode veldemissie inrichting en

Fig. 2B toont een rangschikking van een elek-trodelaag en poortelektrodes in één beeldpunt.

10 1 2 681 42

Fig. 3A is een schematisch aanzicht in perspectief van een koude kathode veldemissie weergeefeenheid en

Fig. 3B is een uitvergroot aanzicht van een emitterelektrode.

5 Fig. 4A en 4B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc, voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voor-10 beeld 1.

Fig. 5A, 5B en 5C, volgend op fig.4B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode 15 veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 1.

Fig. 6A en 6B volgend op fig.5C, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de 20 processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 1.

Fig. 7A en 7B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend sub-25 straat, etc., voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 2.

Fig. 8A en 8B, volgend op fig.7B, zijn schema-30 tische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc., voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 2.

35 Fig. 9 is een schematisch gedeeltelijk eindaan- zicht van een variant van het proces voor de productie van de in voorbeeld 2 verklaarde koude kathode veldemissie inrichting.

f10 1 2 68 1 43

Fig. 10A en 10B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van de koude kathode veldemissie inrichtingen in voorbeelden 3 en 4.

Fig. 11A en 11B zijn schematische gedeeltelijke 5 eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc., voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 3 .

10 Fig. 12A en 12B, volgend op fig. 11B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc., voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie 15 weergeefeenheid in voorbeeld 3.

Fig. 13A en 13B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en 20 een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 4 .

Fig. 14, volgend op fig. 13B, is een schematisch gedeeltelijk eindaanzicht van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de 25 processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 4.

Fig. 15A en 15B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend sub-30 straat, etc. voor het in het algemeen verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 5.

Fig. 16A en 16B volgend op fig.l5B, zijn sche-35 matische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode 10 1 2 68 1 44 veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 5.

Fig. 17 volgens op fig. 16B is een schematisch gedeeltelijk eindaanzicht van een diëlectricum ondersteu-5 nend substraat, etc. voor het verklaren van de processen van de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 5.

Fig. 18A en 18B zijn schematische gedeeltelijke 10 eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 6 .

15 Fig. 19A en 19B volgend op fig. 18B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie 20 weergeefeenheid in voorbeeld 6.

Fig. 20A en 20B, volgend op fig. 19B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode 25 veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 6.

Fig. 21A en 21B, volgend op fig. 20B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren 30 van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 6.

Fig. 22A en 22B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend sub-35 straat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van een koude kathode veldemissie inrichting en een koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 7.

1012681 45

Fig. 23A en 23B volgend op fig. 22B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlec-tricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode 5 veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 7.

Fig. 24A en 24B, volgend op fig. 23B, zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlec-tricum ondersteunend substraat, etc.voor het verklaren 10 van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 7.

Fig. 25 volgend op fig. 24B is een schematisch gedeeltelijk eindaanzichten van een diëlectricum onderis steunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeen-heid in voorbeeld 7.

Fig. 26A en 26B zijn schematische gedeeltelijke 20 eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 8.

25 Fig. 27A en 27B volgend op fig. 26B zijn sche matische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie 30 weergeefeenheid in voorbeeld 8.

Fig. 28A en 28B volgend op fig. 27B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode 35 veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 8.

Fig. 29A en 29B volgend op fig. 28B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectri- 10 1 2 68 1 46 cum ondersteunend substraat etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van de koude kathode veldemissie inrichting en de koude kathode veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 8.

5 Fig. 30A en 30B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van varianten van de koude kathode veldemissie inrichtingen die in voorbeelden 1 en 2 verklaard zi jn.

Fig. 31A en 31B zijn schematische gedeeltelijke 10 eindaanzichten van de koude kathode veldemissie inrichting, die verklaard is in voorbeeld 2 voor het tonen van een andere variant van het proces voor de productie daarvan.

Fig. 32 volgend op fig. 31B is een schematisch 15 gedeeltelijk eindaanzicht van de koude kathode veldemissie inrichting die verklaard is in voorbeeld 2 voor het vertonen van de variant van het proces voor de productie daarvan.

Fig. 33 is een conceptueel aanzicht van een 20 conventionele koude kathode veldemissie weergeefeenheid.

Fig. 34A en 34B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat, etc. voor het verklaren van de processen voor de productie van een conventioneel koude kathode veldemissie 25 inrichting volgens het Spindt type.

Fig. 35A en 35B volgend op fig. 34B zijn schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een dielectrium ondersteunend substraat etc. voor het verklaren van het proces voor de productie van de conventionele koude 30 kathode veldemissie inrichting van het Spindt type.

BESCHRIJVING VAN DE VOORKEURSUITVOERINGSVORMEN·

Voorbeeld 1 35

Voorbeeld 1 heeft betrekking op een koude kathode veldemissie inrichting (hierna simpelweg een "veldemissie inrichting" genoemd), een koude kathode f0 1 2 681 47 veldemissie weergeefeenheid (hierna simpelweg een "veld-emissie weergeefeenheid" genoemd) met de veldemissie inrichtingen en processen voor de productie daarvan volgens het eerste aspect van de onderhavige uitvinding.

5 Fig. IA toont een schematisch gedeeltelijk eindaanzicht van de veldemissie inrichting in voorbeeld 1 en fig. 1B toont een conceptueel aanzicht van de veldemissie weergeefeenheid wanneer de veldemissie weergeefeenheid verticaal door midden gesneden is. Fig. 2A toont een rang-10 schikking van een deel van de elektrodelagen (kathode elektrode lagen) 11 en poortelektrodes 14 in de veldemissie weergeefeenheid, fig. 2B toont een rangschikking van de elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 en de poor-telektrode 14 in één beeldpunt, en fig. 3A toont een 15 schematisch aanzicht in perspectief van de veldemissie weergeefeenheid. In fig. 2B is het aantal veldemissie inrichtingen waaruit één beeldpunt bestaat gelijk aan 64, terwijl het bovenstaande aantal hiertoe niet beperkt is.

De veldemissie inrichting omvat een diëlectri-20 cum ondersteunend substraat 10, dat is opgebouwd uit een glassubstraat, een gepatroneerde elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 die is opgebouwd uit molybdeen, een isolerende tussenlaag 12 opgebouwd uit Si02, een poorte-lektrode 14 opgebouwd uit aluminium en een emitterelek-25 trode 18, die de vorm heeft van een kolom en opgebouwd is uit wolfram (W). De gepatroneerde elektrodelaag 11 is gevormd op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 dat gevormd is van een glassubstraat. De isolerende tussenlaag 12 is gevormd op het diëlectricum ondersteu-30 nend substraat 10 en de elektrodelaag 11. De poortelek-trode 14, die gevormd is van een eerste geleidende laag (aluminium laag), wordt gevormd op de isolerende tussenlaag 12. De emitterelektrode 18, gevormd van een tweede laag, is geplaatst op de elektrodelaag 11 die blootge-35 steld is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12. Het openingsgedeelte omvat een openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, en een 110 1 2 68 1 48 openingsgedeelte 13, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12. De emitterelektrode 18 wordt omgeven door het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelek-trode 14. Een holte gedeelte 19 is gevormd in de isole-5 rende tussenlaag 12 onder het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14.

In de veldemissie inrichting in voorbeeld 1, waarbij fig. 3B een uitvergroot aanzicht toont van een boveneindgedeelte van de emitterelektrode 18, wordt een 10 scherphoekig gedeelte 18B gevormd op een bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18, en wordt het scherphoekig gedeelte 18B opgebouwd uit een oppervlak 18D dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak 18A gevormde put 18C tot aan een randge-15 deelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak 18E van de emitterelektrode 18. De emitterelektrode 18 wordt gevormd, nadat de poortelektrode 14 gevormd is op de isolerende tussenlaag 12, door het vormen van de ope-ningsgedeeltes 15 en 13, die de poortelektrode 14 en de 20 isolerende tussenlaag 12 penetreren en een bodem hebben waar de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt (overigens wordt het openingsgedeelte 13 gevormd in de isolerende tussenlaag 12 en wordt het openingsgedeelte 15 gevormd in de poortelektrode 14); het vormen van een zijwand 16 die 25 is opgebouwd uit een isolerend materiaal op de zijwanden van de openingsgedeelten 13 en 15 teneinde de openingsge-deelten 13 en 15 in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag 17 op het gehele oppervlak (meer in het bijzonder op de isolerende tussenlaag 12 en 30 de poortelektrode 14) waaronder de binnenzijdes van de openingsgedeeltes 13A en 15A door een CVD werkwijze; het etsen van de tweede geleidende laag 17; en het vervolgens verwijderen van een bovenste gedeelte van de zijwand 16 en verder de isolerende tussenlaag 12 onder het openings-35 gedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14. Geen zijwand 16 is aanwezig op een denkbeeldig lijnsegment dat het bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18 en een randgedeelte 15A van het openingsgedeelte 15, gevormd in )10 1 2 6 8 1 49 de poortelektrode 14, verbindt. Verder vormt het eindge-deelte 15A van het openingsgedeelte 15, gevormd in de poortelektrode 14, een overhangend deel boven het bovenste einde van het openingsgedeelte 13, gevormd in de 5 isolerende tussenlaag 12. Dat wil zeggen dat het eindge-deelte 15A van het openingsgedeelte 15, gevormd in de poortelektrode 14, uitsteekt over het holtegedeelte 19.

De veldemissie weergeefeenheid van voorbeeld 1 heeft een aantal beeldpunten en elk beeldpunt omvat een 10 aantal van de bovengenoemde veldemissie inrichtingen. Verder omvat elk beeldpunt een tweede elektrodelaag (anode elektrodelaag) 21 en een fluorescerende laag 22, gevormd op een transparant substraat 22, dat opgebouwd is uit een glassubstraat tegenover de emitterelektrodes 18. 15 De anode elektrode laag 21 is opgebouwd uit aluminium. De veldemissie weergeefeenheid van voorbeeld 1 wordt vervaardigd op de wijze van een achterpaneel, waarin een aantal van de bovengenoemde veldemissie inrichtingen gevormd wordt en een voorpaneel met behulp van een frame 20 23 aan elkaar bevestigd en met elkaar verbonden worden. Het frame 23 heeft een hoogte van ongeveer 1 mm en bestaat uit een keramiek of glas. Voor de bovengenoemde verbinding (laminatie), kan een afdichtingsmateriaal 24 van gefrit glas gebruikt worden. Het voorpaneel omvat het 25 transparante substraat 20, de daarop gevormde fluorescerende laag 22 en de tweede elektrodelaag (anode elektrode laag) 21 die gevormd is op de fluorescerende laag 22. Het voorpaneel kan het transparante substraat 20, de tweede elektrodelaag (anode elektrode laag ) 21, die daarop 30 gevormd is, en de fluorescerende laag 22, die op de elektrodelaag 21 gevormd is, omvatten.

Zoals is weergegeven in fig. 1B wordt de anode elektrodelaag 21 verbonden met een versnellingsenergie-bron 30, wordt de poortelektrode 14 verbonden met een 35 besturingsschakeling 33, en wordt de elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 verbonden met een aftastscha-keling 34. Wanneer een focuselektrode 32 geplaatst wordt boven de poortelektrode 14, wordt de focuselektrode 32 <10 1 2 68 1 50 verbonden met een focusenergiebron 31. Een spanning wordt aangebracht tussen de emitterelektrode 18 en de poorte-lektrode 14 door de juiste eigenschappen van de bovengenoemde energiebronnen en schakelingen teneinde een elek-5 trisch veld te genereren, en wegens het elektrische veld worden elektronen geëxtraheerd uit het scherphoekig gedeelte 18B van de emitterelektrode 18. De elektronen worden aangetrokken naar de anode elektrode laag 21, die gevormd is op het transparante substraat 20 teneinde te 10 botsen met de fluorescerende laag (licht uitzendende laag) 22, die gevormd is tussen de anode elektrode laag 21 en het transparante substraat 20. Dientengevolge zendt de fluorescerende laag 22 licht uit en kan een gewenst beeld verkregen worden. Door het toestaan dat de fluores-15 cerende lagen 22 rood licht, groen licht en blauw licht uitstralen, kan een kleurenbeeld verkregen worden. Een videosignaal wordt ingevoerd in de besturingsschakeling 33, teneinde de hoeveelheid vanaf de emitterelektrode 18 uitgezonden elektronen te sturen. Een aftastsignaal wordt 20 ingevoerd in de aftastschakeling 34 om elektronen uit een gewenste emitterelektrode 18 te zenden.

De processen voor de productie van de veldemis-sie inrichtingen van voorbeeld 1 en de veldemissie weergeef eenheid die de veldemissie inrichtingen heeft, zal 25 uiteengezet worden onder verwijzing naar de figuren 4A, 4B, 5A, 5B, 5C, 6A en 6B die schematische deeleindaan-zichten van het diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke weergeven.

[Stap -100] 30 Allereerst wordt de gepatroneerde elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 die is opgebouwd uit molyb-deen, gevormd op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 dat is opgebouwd uit een glassubstraat. Meer specifiek wordt een molybdeen laag afgezet op het diëlectricum 35 ondersteunend substraat 10 door bijvoorbeeld een sputter-werkwijze of een CVD werkwijze, en de molybdeen laag wordt gepatroneerd, waardoor een aantal van de elektrode-lagen 11, die zich parallel in een rijrichting uitstrek- 1012681 51 ken en die de vorm van een streep hebben, gevormd kunnen worden (zie fig. IA en 2A). Vervolgens wordt de isolerende tussenlaag 12, die opgebouwd is uit Si02 gevormd op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrode-5 lagen 11 door een CVD werkwijze. De isolerende tussenlaag 12 heeft een dikte van 1 μιη.

[Stap-110)]

Vervolgens wordt een uit aluminium opgebouwde eerste geleidende laag 14A gevormd op de isolerende 10 tussenlaag 12 door een sputterwerkwijze en wordt vervolgens de eerste geleidende laag (aluminium laag )14A gepatroneerd door een bekende werkwijze teneinde de poortelektroden 14 te vormen, die zijn opgebouwd uit de eerste geleidende laag (aluminium laag) 14A. Een aantal 15 van de gepatroneerde eerste geleidende lagen 14A, die de poortelektrodes 14 vormen, hebben de vorm van een streep die zich uitstrekt in een kolomrichting (zie fig. 2A). Vervolgens wordt een afdeklaag 40 gevormd op het gehele oppervlak (meer specifiek op de isolerende tussenlaag 12 20 en de poortelektrode 14) door een lithografie werkwijze (zie fig. 4A). Terwijl de afdeklaag 40 gebruikt wordt als een etsmasker, wordt een openingsgedeelte 15 gevormd in de poortelektrode 14 door een reactief ion etswerkwijze (RIE methode) gebruikmakend van een etsgas op chlorine 25 basis (zie fig. 4B). De dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte 15, genomen door het doorsnijden van het openingsgedeelte 15 met een vlak loodrecht op een axiale lijn L die door het midden van het openingsgedeelte 15 gaat, heeft een cirkelvorm met een diameter van 2 μπι.

30 [Stap-120)]

Na het etsen van de poortelektrode 14, wordt, terwijl de afdeklaag 40 gebruikt wordt als een etsmasker, het openingsgedeelte 13 gevormd in de isolerende tussenlaag 12 onder het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in 35 de poortelektrode 14, teneinde de elektrodelaag 11 door een RI werkwijze gebruik makend van een koolstoftetraflu-oride (CF4) gas te bereiken. De dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte 13, genomen door het snijden van het 10Ί 2 68 1 52 openingsgedeelte 13 met een vlak loodrecht op de axiale lijn die door het midden van het openingsgedeelte 13 gaat en die in overeenstemming is met de axiale lijn L die door het midden van het openingsgedeelte 15 gaat, heeft 5 eveneens een cirkelvorm met een diameter van 2 μνη. Vervolgens wordt de afdeklaag 40 verwijderd door een veras-singsbehandeling, waardoor een in fig. 5A weergegeven structuur kan worden verkregen.

[Stap-130] 10 Vervolgens wordt een zijwand opgebouwd uit een isolerend materiaal (Si02) gevormd op zijwanden van de openingsgedeelten 13 en 15 voor het doen afnemen van de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter. Meer specifiek wordt een uit Si02 opgebouwde isolerende materiaallaag 16A 15 afgezet op het gehele oppervlak door een plasma-verbeterd TEOS-CVD werkwijze. De isolerende materiaallaag 16A op de poortelektrode 14 heeft een dikte van 0,8 μτη (zie fig.

5B). Vervolgens wordt de isolerende materiaallaag 16A geëtst door een RIE werkwijze gebruikmakend van CF4 gas 20 teneinde de zijwand 16 te vormen op de zijwanden van de openingsgedeelten 13 en 15 (zie fig. 5C). Het openingsgedeelte 13 alleen kan in diameter verkleind worden door het vormen van de zijwand 16 op de zijwand van het openingsgedeelte 13. Het in diameter verkleinde openingsge-2 5 deel te 13A heeft een diameter van 0,4 μτη. Het openingsgedeelte 13A wordt gevormd op een zelfopgelijnde wijze en de axiale lijn, die door het midden van het openingsgedeelte 13A gaat, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 en de axiale lijn L die door het midden van het 30 openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, gaat, zijn in overeenstemming met elkaar. Wanneer de emitterelektrode gevormd wordt in een volgende stap, wordt de emitterelektrode gevormd op een zelfopgelijnde wijze en de axiale lijn die door de emitterelektrode gaat 35 is in overeenstemming met de axiale lijn L, die door het midden van het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, gaat.

[Stap-14 0] 1012681 53

Vervolgens wordt een ongeveer 200 nm dikke tweede geleidende laag 17, die is opgebouwd uit wolfram gevormd op het gehele oppervlak (meer in het bijzonder op de isolerende tussenlaag 12 en de poortelektrode 14), 5 waaronder de binnenzijdes van het in diameter verkleinde openingsgedeelte 13A en 15B door een CVD werkwijze onder omstandigheden die als voorbeeld in de volgende Tabel 1 zijn weergegeven (zie fig. 6A). Een concaaf gedeelte wordt gevormd in de tweede geleidende laag 17 boven het 10 openingsgedeelte 15A, dat gevormd is in de poortelektrode 14, wegens een invloed van een hoogteverschil tussen het bovenste oppervlak van de poortelektrode en het onderste oppervlak van het openingsgedeelte 13A. De tweede geleidende laag 17 wordt geëtst door een RIE werkwijze onder 15 omstandigheden die als voorbeeld zijn weergegeven in de volgende Tabel 2, waardoor de emitterelektrode 18, die de vorm heeft van een kolom (waarvan de vorm in dwarsdoorsnede in voorbeeld 1 een cirkel is) en gevormd is van de tweede geleidende laag (wolfram laag) 17 gevormd kan 20 worden in het openingsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 op een zelfopgelijnde wijze (zie fig. 6B). Onder de in Tabel 2 weergegeven etsomstandighe-den, wordt de poortelektrode 14, opgebouwd uit aluminium, nauwelijks geëtst. Wanneer de tweede geleidende laag 17 25 geëtst wordt, wordt de put 18C gevormd in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18 wegens een invloed van het concave gedeelte, dat gevormd is in de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 15A, dat gevormd is in de poortelektrode 30 14, en als gevolg daarvan wordt het scherphoekig gedeelte 18B gevormd op het bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18. Dat wil zeggen, dat het scherphoekig gedeelte 18B opgebouwd is uit een oppervlak 18D, dat zich uitstrekt vanaf de in het centrale gedeelte van het bovenop-35 pervlak 18A gevormde put 18C tot een randgedeelte van het bovenoppervlak en het zij oppervlak 18E van de emitterelektrode 18. Voor de vorming van de tweede geleidende laag 17 door een lage druk CVD werkwijze, wordt naar wens 10 1 2 68 1 54 een kleefkracht vergrotende laag (niet weergegeven), die opgebouwd is uit Ti of TiN, gevormd op het gehele oppervlak waaronder de binnenoppervlakken van de openingsge-deelten 13 en 15 door een sputterwerkwijze of een CVD 5 werkwijze voor het verbeteren van de adhesie tussen de emitterelektrode en de elektrodelaag 11.

Tabel 1 10 Gebruikt gas WF6/H2=97/700 scan

Druk 1,2 x 104 Pa

15 Substraat temperatuur 430°C

Tabel 2 20 Gebruikt gas SF6/02/Ar =150/30/90 sccm

Druk 35 Pa RF golfenergie 700 w 25 _ [Stap-150]

Vervolgens wordt tenminste een bovenste gedeelte van de zijwand 16 verwijderd (geëtst) teneinde het 30 holtegedeelte 19 onder het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14 (zie fig. IA) te vormen. In voorbeeld 1 worden het bovenste gedeelte van de zijwand 16 en een deel van de isolerende tussenlaag 12, die gepositioneerd onmiddellijk onder het randgedeel- 35 te 15A van het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, geëtst door isotroop etsen gebruikmakend van CF4 gas of dergelijke. Dat wil zeggen, dat het holtegedeelte 19 gevormd is onder het openingsgedeelte 1012681 55 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, zodat geen zijwand 16 aanwezig is op een denkbeeldige segmentlijn, die het bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18 en het randgedeelte 15A van het openingsgedeelte 15, dat 5 gevormd is in de poortelektrode 14, verbindt, waardoor een structuur verkregen kan worden waarin het randgedeelte 15A van het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, geprojecteerd wordt over het boven-eindgedeelte van het openingsgedeelte 13, dat gevormd is 10 in de isolerende tussenlaag 12. In de bovengenoemde stappen kan de veldemissie inrichting van voorbeeld 1 voortgebracht worden.

[Stap-160]

Voor het voortbrengen van de veldemissie weer-15 geefeenheid wordt het transparante substraat 20, dat gevormd is van een glassubstraat geprepareerd. De fluorescerende laag 22 (elk beeldpunt zendt één van de drie kleuren rood, groen en blauw uit) wordt gevormd op het transparante substraat 20 en verder wordt de tweede 20 elektrodelaag (anode elektrode laag) 21 daarop gevormd.

De tweede elektrodelaag (anode elektrode laag) 21 kan gevormd worden door het op bekende wijze sputteren van aluminium en.het vervolgens patroneren daarvan. Vervolgens worden het transparante substraat 20 (voorpaneel) en 25 het diëlectricum ondersteunend substraat 10 (achterpa-neel) aan elkaar bevestigd en met elkaar verbonden. Het verbinden (laminering) kan uitgevoerd worden door het van te voren aanbrengen van afdichtingsmateriaal 24 van gefrit glas op het transparante substraat 20 (voorpa-30 neel), het diëlectricum ondersteunend substraat 10 (ach-terpaneel) en het frame 23, het drogen van het afdich-tingsmateriaal 24, het plaatsen van het frame 23 tussen het transparante substraat 20 (voorpaneel) en het diëlectricum ondersteunende substraat 10 (achterpaneel) en het 35 vervolgens sinteren van de frit op ongeveer 450°C gedurende 10 tot 30 minuten. Vervolgens wordt een vacuüm van ongeveer 10'4 Pa verschaft binnen in de veldemissie weer- 1012681 56 geefeenheid. Als alternatief kan het tussenplaatsen en het sinteren uitgevoerd worden in een vacuümkamer. Voorbeeld 2 5 Voorbeeld 2 is een variant van voorbeeld 1. De veldemissie inrichting van voorbeeld 2 verschilt van zijn tegenhanger van voorbeeld 1 in de vorm van het bovenoppervlak van de veldemissie inrichting. Dat wil zeggen dat in voorbeeld 2, zoals is weergegeven in fig. 8A een 10 scherphoekig gedeelte 18G gevormd is op een bovenoppervlak 18F van een emitterelektrode 118 en het scherphoekig gedeelte 18G gevormd wordt van een uiteinde-eindoppervlak 18A, dat zich in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak uitstrekt. Dat wil zeggen dat het 15 bovenoppervlak 18F van de emitter elektrode 118 een conische vorm heeft. De emitter elektrode 118 in voorbeeld 2 wordt, nadat een poortelektrode 14 gevormd is op een isolerende tussenlaag 12, gevormd door het vormen van openingsgedeelten 15 en 13, die de poortelektrode 14 en 20 de isolerende tussenlaag 12 penetreren en een bodemge-deelte hebben waarin een elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 blootgesteld wordt; door het vormen van de zijwand 16 die opgebouwd is uit een isolerend materiaal op de zijwanden van het openingsgedeelte 13 en 15 tenein-25 de de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter te verkleinen; door het vormen van een tweede geleidende laag 17 op het gehele oppervlak (meer specifiek op de isolerende tussenlaag 12 en de poortelektrode 14) waaronder de binnenzijdes van de openingsgedeeltes 13A en 15A door een 30 CVD werkwijze; door het vormen van een maskermateriaal laag 50 op het gehele oppervlak; door het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaal laag 50 teneinde de maskermateriaal laag 50 op de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A dat gevormd is in de 35 isolerende tussenlaag 12 over te laten; en door het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag 17. In voorbeeld 2 is de isolerende tussenlaag 12 opgebouwd uit Si02 en is de zijwand 16 opgebouwd uit SiN. Een concaaf 1012681 57 gedeelte wordt gevormd in de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 wegens een hoog niveauverschil tussen het bovenoppervlak van de poortelektrode 14 en de 5 bodem van het openingsgedeelte 13A. De maskermateriaal laag 50A wordt in het concave gedeelte gelaten.

De processen voor de voortbrenging van de veldemissie inrichting en de veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 2 zullen verklaard worden onder verwijzing 10 naar fig.7A( 7B, 8A en 8B, die schematische deeleindaan-zichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke tonen.

[Stap-200)

De stap van het vormen van een gepatroneerde 15 elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrode laag 11, de stap van het vormen van een poortelektrode 14 op de 20 isolerende tussenlaag 12, de stap van het vormen van de openingsgedeelten 15 en 13, die penetreren door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 en een bodem hebben, waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt, de stap van het vormen van een zijwand 16, die is opgebouwd 25 van een isolerend materiaal, op de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 teneinde de openingsgedeelten 13 en 15 in diameter te verkleinen, en de stap van het vormen van een tweede geleidende laag 17, die is opgebouwd uit wolfram, op het gehele oppervlak (specifiek op 30 de isolerende tussenlaag 12 en de poortelektrode 14) waaronder de binnenzijdes van de diameter verkleinde openingsgedeeltes 13A en 15A door een CVD werkwijze, kunnen op dezelfde wijze worden uitgevoerd als in [stap-100] tot en met [Stap-130] en de vorming van de tweede 35 geleidende laag die is opgebouwd uit wolfram in [Stap-140] in voorbeeld 1 en verklaringen daaromtrent worden daarom weggelaten. In een stap die soortgelijk is aan [Stap-130] in voorbeeld 1, wordt een zijwand, die is 10 1 2 68 1 58 opgebouwd van een isolerend materiaal (SiN) gevormd op de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 voor het verkleinen van de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter. Specifiek wordt een uit SiN opgebouwd isolerende materi-5 aallaag 16A gedeponeerd op het gehele oppervlak door en plasma verbeterde CVD werkwijze. Vervolgens wordt de isolerende materiaallaag 16A geëtst door een RIE-werkwij-ze, waarbij gebruik wordt gemaakt van CHF3/02 gas teneinde de zijwand 16 op de zijwanden van de openingsgedeelten 13 10 en 15 te vormen. De zijwand 16 kan gevormd worden op alleen de zijwand van het openingsgedeelte 13.

[Stap-210]

Vervolgens wordt een ongeveer 0,77 μτη dik maskermateriaal laag 50, die is opgebouwd uit afdekmate-15 riaal, gevormd op het gehele oppervlak (zie fig. 7A) en wordt het maskermateriaal 50 gedeeltelijk verwijderd door een verassingsbehandeling waarbij gebruik wordt gemaakt van zuurstofgas, waardoor een maskermateriaal laag 50A achterblijft op de tweede geleidende laag 17 boven het 20 openingsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig. 7B). Dat wil zeggen dat de maskermateriaal laag 50A in het in de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A gevormde concave gedeelte achterblijft.

25 [Stap-220]

Vervolgens wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst teneinde de emitterelektrode 118 te vormen, die de vorm heeft van een kolom en gevormd is van de tweede geleidende laag (wolfram laag) 17 in het openingsgedeelte 30 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig. 8A). Een emitterelektrode, die de vorm heeft van een kolom en opgebouwd is uit de tweede geleidende laag (wolfram laag) 17 kan gevormd worden in het openingsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 35 en in het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14. Dit punt is tevens toepasbaar op andere voorbeelden. Wanneer de tweede geleidende laag 17 geëtst wordt, wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst >10 1 2 6 8 1 59 onder omstandigheden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 hoger is dan de etssnelheid van de maskermateriaal laag 50. Specifiek kunnen er, door het veranderen van de stroomsnelheid van het zuurstofgas 5 onder etsomstandigheden zoals is weergegeven in Tabel 2, etsomstandigheden verkregen worden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 bijvoorbeeld ongeveer 1,5 is wanneer de etssnelheid van de maskermateriaal laag 50 1 is. Op deze wijze wordt de tweede geleidende laag 10 17, waarop geen maskermateriaal laag 50A achterblijft, geëtst vanaf het begin van het etsen, wordt het etsen van de tweede geleidende laag 17, waarop de maskermateriaal laag 50A met een kleinere dikte achterblijft, enige tijd later geïnitieerd, en wordt het etsen van de tweede 15 geleidende laag 17, waarop de maskermateriaallaag 50A, die een grotere dikte heeft, na een langere tijd geïnitieerd. Wegens het bovengenoemde verschil in tijd van de initiatie van het etsen van de tweede geleidende laag 17, kan een emitterelektrode 118 waarvan het bovenste einde 20 zich verscherpt zoals is weergegeven in fig.8A verkregen worden.

[Stap-23 0]

Vervolgens wordt in voorbeeld 1 [Stap-150] uitgevoerd teneinde de veldemissie inrichting van voor-25 beeld 2 voort te brengen en wordt verder [Stap-160] in voorbeeld 1 uitgevoerd om de veldemissie weergeefeenheid van voorbeeld 2 voort te brengen. In een stap die soortgelijk is aan [Stap-150] in voorbeeld 1, worden het bovenste gedeelte van de zijwand 16 en een deel van de 30 isolerende tussenlaag 12, gepositioneerd onmiddellijk onder het randgedeelte 15A van het openingsgedeelte 15, gevormd in de poortelektrode 14 verwijderd (geëtst) door het uitvoeren van isotroop etsen met CF4/02 gas of derge-lijke.

35 Het op het bovenoppervlak 18F van de emitter elektrode 118 in voorbeeld 2 gevormde scherphoekig gedeelte 18G kan naar wens gevormd worden hoofdzakelijk door het besturen van de verhouding van de etssnelheid 1012081 60 van de maskermateriaal laag 50 en de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17. Dat wil zeggen dat een scherphoekig gedeelte 18G met een scherphoekige vorm van een hogere graad gevormd kan worden op het bovenoppervlak 18F 5 van de emitterelektrode 118 door het instellen van de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 op een hogere snelheid dan de etssnelheid van de maskermateriaal laag 50, d.w.z door het sneller maken van het etsen van de tweede geleidende laag 17 dan het etsen van de masker-10 materiaal laag 50. Wanneer de maskermateriaal laag 50 op het tweede geleidende gedeelte 17 boven het openingsge-deelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12, achter mag blijven, is het niet noodzakelijkerwijs vereist om de maskermateriaal laag 50A op de tweede 15 geleidende 17 boven het openingsgedeelte 13A rigoureus achter te laten. Zoals is weergegeven in fig.9 kan de maskermateriaal laag 50 een verbreed gebied hebben op de tweede geleidende laag 17, die verbreed is vanaf een gedeelte boven het openingsgedeelte 13A.

20 Voorbeeld 3

Voorbeeld 3 heeft betrekking op de veldemissie inrichting, de veldemissie weergeefeenheid en de processen voor de productie daarvan volgens het tweede aspect van de onderhavige uitvinding. Fig.lOA toont een schema-25 tisch gedeeltelijk eindaanzicht van de veldemissie inrichting van voorbeeld 3. In dwarsdoorsnede heeft de veldemissieweergeefeenheid van voorbeeld 3 een conceptueel aanzicht dat soortgelijk is aan dat is weergegeven in Fig. 1B. Voor een configuratie van een deel van de elek-30 trodelaag (kathode elektrode laag) 11 en de poortelektro-des 14 in de veldemissie weergeefeenheid, een configuratie van de elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 en de poortelektrode 14 in één beeldpunt en een aanzicht in perspectief van de veldemissie weergeefeenheid, zie fig.

35 2A, 2B en 3A. De basisconfiguratie van de veldemissie inrichting in voorbeeld 3 is soortgelijk aan de configuratie van de veldemissie inrichting die is uitgelegd in voorbeeld 1, en de emitter elektrode 18 heeft een boven- 10 1 2 68 1 61 gedeelte zoals is weergegeven in het uitvergrote aanzicht van fig. 3B.

De emitter elektrode 18 in voorbeeld 3 wordt, nadat de poortelektrode 14 gevormd is op de isolerende 5 tussenlaag 12, gevormd door het vormen van openingsge-deeltes 15 en 13, die de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 penetreren en een bodem hebben, waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt; door het vormen van een isolerende materiaal laag 16B op het 10 gehele oppervlak (specifiek op de poortelektrode 14) waaronder de oppervlakken van de zijwanden van de ope-ningsgedeeltes 13 en 15 teneinde de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter te verkleinen; door het vormen van een tweede geleidende laag 17 op de isolerende tussenlaag 16B 15 en door het in diameter verkleinen van de openingsgedeeltes 13A en 15A door een CVD werkwijze; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag 17.

De processen voor de productie van de veldemis-sie inrichting en de veldemissie weergeefeenheid met de 20 veldemissie inrichting in voorbeeld 3 zullen verklaard worden onder verwijzing naar fig. 11A, 11B, 12A en 12B, die schematische deeleindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke tonen.

[Stap-300] 25 De stap van het vormen van een gepatroneerde elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrodelaag 11, de 30 stap van het vormen van een poortelektrode 14 op een isolerende tussenlaag 12 en de stap van het vormen van openingsgedeeltes 15 en 13, die penetreren door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 en een bodem hebben waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt, 35 kunnen op dezelfde wijze worden uitgevoerd als in [Stap-100] t/m [Stap-120] in voorbeeld 1 en verklaringen hiervan worden daarom weggelaten.

[Stap-310] 10 1 2 68 1 62

Vervolgens wordt een isolerende materiaal laag 16B die is opgebouwd uit Si02, gevormd op het gehele oppervlak waaronder de oppervlakken van de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 teneinde de openingsgedeel-5 tes 13 en 15 in diameter te verkleinen. Specifiek wordt de van Si02 opgebouwde isolerende materiaal laag 16B gedeponeerd op de poortelektrode 14, waaronder de binnen-oppervlakken van de openingsgedeeltes 13 en 15 door een plasma verbeterd TEOS-CVD werkwijze (zie fig. 11A). De 10 isolerende materiaal laag 16B wordt geëtst door een RIE werkwijze gebruik makend van CF4 gas teneinde de isolerende materiaal laag 16B op de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 en op de poortelektrode 14 (zie fig. 11B) over te laten. In het bodemgedeelte van het in 15 diameter verkleinde openingsgedeelte 13A wordt een oppervlak van de elektrodelaag 11 blootgesteld. Het openingsgedeelte 13A wordt gevormd op een zelf-opgelijnde wijze en de axiale lijn die door het midden van het openingsgedeelte 13A en de axiale lijn L die door het openingsge-20 deelte 15 gaat, komen met elkaar overeen. Wanneer de emitterelektrode gevormd wordt in een volgende stap, wordt de emitterelektrode op een zelf opgelijnde wijze gevormd en is de axiale lijn, die door het midden van de emitterelektrode gaat in overeenstemming met de axiale 25 lijn L die door het midden van het openingsgedeelte 15 gaat.

[Stap-320]

Een tweede geleidende laag 17 opgebouwd uit wolfram wordt gevormd op de isolerende materiaal laag 16B 30 en in de openingsgedeeltes 13A en 15A door een CVD werkwijze onder omstandigheden zoals weergegeven in Tabel 1 als voorbeeld (zie fig. 12A). De tweede geleidende laag 17 wordt onder omstandigheden zoals als voorbeeld in Tabel 2 is weergegeven door een RIE werkwijze geëtst,

35 waardoor de emitterelektrode 18, die de vorm heeft van een kolom (met een vorm in dwarsdoorsnede van een cirkel) en gevormd is van de tweede geleidende laag (wolfram laag) 17, gevormd kan worden in het openingsgedeelte 13A

1012681 63 dat op een zelfopgelijnde wijze gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig. 12B). Wanneer de tweede geleidende laag 17 geëtst wordt, wordt een put 18C gevormd in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak 18A 5 van de emitterelektrode 18 en dientengevolge wordt het scherphoekig gedeelte 18B gevormd op het bovenoppervlak 18A van de emitterelektrode 18. Dat wil zeggen dat het scherphoekig gedeelte 18B gevormd is van een oppervlak 18D dat zich uitstrekt vanaf de put 18C die gevormd is in 10 het centrale gedeelte van het bovenoppervlak 18A tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak 18E van de emitterelektrode 18. Voor de vorming van de tweede geleidende laag 17 door een lagere druk CVD werkwijze, wordt naar wens een kleefkracht vergrotende 15 laag (niet weergegeven) die is opgebouwd uit Ti of TiN gevormd op het gehele oppervlak waaronder de binnenopper-vlakken van de openingsgedeelten 13A en 15A door een CVD werkwijze of een sputteringswerkwijze voor het verbeteren van de kleefkracht tussen de emitterelektrode en de 20 elektrodelaag 11.

[Stap-330]

De isolerende materiaallaag 16B wordt geëtst, waardoor een veldemissie inrichting met een in fig. 10A weergegeven structuur voortgebracht kan worden en verder 25 wordt [Stap-160] in voorbeeld 1 uitgevoerd om een veldemissie weergeefeenheid voort te brengen.

In voorbeeld 3 wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst in een toestand, waarin de poortelektrode 14 bedekt is met de isolerende materiaal laag 16B. Daarom 30 wordt de vrijheid bij de selectie van de combinatie van een materiaal voor het vormen van de poortelektrode 14 en een materiaal voor het vormen van de tweede geleidende laag 17 vergroot. In het bijzonder voordelig kan het materiaal voor het vormen van de poortelektrode 14 gese-35 lecteerd worden uit een breder bereik van materialen en behoeft de tweede geleidende laag 17 niet langer op selectieve wijze geëtst te worden ten opzichte van de poortelektrode 14.

1012881 64

Voorbeeld 4

Voorbeeld 4 is een variant van voorbeeld 3. De veldemissie inrichting van voorbeeld 4 verschilt van zijn tegenhanger van voorbeeld 3 in de vorm van het bovenop-5 pervlak van de veldemissie inrichting. Dat wil zeggen dat in voorbeeld 4, zoals weergegeven in fig. 10B, een scherphoekig gedeelte 18G gevormd wordt op een bovenoppervlak 18F van de emitterelektrode 118 en het scherphoekig gedeelte 18G opgebouwd is uit een uiteinde-eindopper-10 vlak 18A dat zich in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak uitstrekt. Dat wil zeggen dat het bovenoppervlak 18F van de emitterelektrode 118 een conische vorm heeft. De emitterelektrode 118 in voorbeeld 4 wordt, nadat de poortelektrode 14 gevormd is op de 15 isolerende tussenlaag 12, gevormd door het vormen van de openingsgedeelten 15 en 13, die penetreren door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 en een bodemgedeelte hebben, waarin de elektrode laag (kathode elektrodelaag) 11 blootgesteld wordt; door het vormen van 20 een isolerende materiaallaag 16B op het gehele oppervlak (specifiek op de poortelektrode 14) waaronder de oppervlakken van de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 teneinde de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag 17 25 op de isolerende materiaal laag 16B en in de in diameter verkleinde openingsgedeeltes 13A en 15A door een CVD werkwijze; door het vormen van een masker materiaal laag 50 op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaal laag 50 teneinde de maskermateri-30 aal laag 50A op de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12, over te laten; en door het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag 17. In voorbeeld 4 wordt de isolerende tussenlaag 12 opgebouwd uit Si02 en 35 wordt de isolerende materiaal laag 16B opgebouwd uit SiN.

De processen voor de productie van de veldemissie inrichting en de veldemissie weergeefeenheid in voorbeeld 4, zal verklaard worden onder verwijzing naar 1012681 65 fig. 13A, 13B en 14, die schematische gedeeltelijke eindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke tonen.

[Stap-400] 5 De stap van het vormen van een gepatroneerde elektrodelaag (kathode elektrode laag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrode laag 11, de 10 stap van het vormen van een poortelektrode 14 op de isolerende tussenlaag 12, de stap van het vormen van de openingsgedeeltes 15 en 13, die penetreren door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 en een bodem hebben waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt, de 15 stap van het vormen van een isolerende materiaal laag 16B op het gehele oppervlak (specifiek op de poortelektrode 14) waaronder de oppervlakken van zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 teneinde de openingsgedeeltes 13 en 15 in diameter te verkleinen en de stap van het vormen 20 van een tweede geleidende laag 17 die opgebouwd is uit wolfram op de isolerende materiaal laag 16B en in de in diameter verkleinde openingsgedeeltes 13A en 15A, die op dezelfde wijze uitgevoerd worden als in [Stap-300] tot en met [Stap-310] en de vorming van de tweede geleidende 25 laag die opgebouwd is uit wolfram in [Stap-32] in voorbeeld 3, en verklaringen daarvan worden derhalve weggelaten. In een stap die soortgelijk is aan [Stap-310] in voorbeeld 3, wordt de van SiN opgebouwde isolerende materiaal laag 16B gedeponeerd op het gehele oppervlak 30 door een plasma-verbeterde CVD werkwijze voor het verkleinen van de diameters van de openingsgedeelts 13 en 15. Vervolgens wordt de isolerende materiaal laag 16B geëtst door een RIE werkwijze gebruikmakend van CHF3/02 gas of dergelijke teneinde de isolerende materiaal laag 35 16B op de poortelektrode 14 waaronder de oppervlakken van de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 te vormen. [Stap-410] r10 1 2 6 8 1 66

Vervolgens wordt een van een afdekmateriaal gevormd maskermateriaal laag 15 gevormd op het gehele oppervlak (zie fig. 13A) en wordt de masker materiaal laag 50 gedeeltelijk verwijderd door asbehandeling ge-5 bruik makend van zuurstofgas of dergelijke, waardoor de maskermateriaal laag 50A achterblijft op de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig. 13B). Dat wil zeggen, dat de masker materiaal laag 50A achtergelaten 10 wordt in een concaaf gedeelte, dat gevormd is in de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A.

[Stap-420]

Vervolgens wordt de tweede geleidende laag 17 15 geëtst teneinde de emitterelektrode 118 te vormen, die de vorm heeft van een kolom en opgebouwd is uit de tweede geleidende laag (wolfram laag) 17 in het openingsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig.14). Wanneer de tweede geleidende laag 17 geëtst 20 wordt, wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst onder omstandigheden, waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 groter is dan de etssnelheid van de masker materiaal laag 50. Specifiek kan door het veranderen van de stroomsnelheid van zuurstofgas onder etsom-25 standigheden zoals getoond in Tabel 2, etsomstandigheden verkregen worden waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 bijvoorbeeld ongeveer 1,5 is wanneer de etssnelheid van de maskermateriaal laag 50 gelijk is aan 1. Op deze wijze wordt de tweede geleidende laag 17, 30 waarop geen masker materiaal laag 15A achtergelaten is, geëtst van het begin van het etsen, wordt het etsen van de tweede geleidende laag 17, waarop de masker materiaal laag 50A met een kleinere dikte achtergelaten wordt, enige tijd later geïnitieerd, en wordt het etsen van de 35 tweede geleidende laag 17 waarop de masker materiaal laag 50A met een grotere dikte geïnitieerd wordt na een langere tijd, genomen. Wegens het bovengenoemde verschil in tijd van initiatie van het etsen van de tweede geleidende 10 1 2 68 1 67 laag 17, kan de emitterelektrode 118 waarvan het uiteinde zich verscherpt, zoals is weergegeven in fig. 14, verkregen worden.

[Stap-430] 5 Vervolgens wordt [Stap-330] in voorbeeld 3 uitgevoerd teneinde de veldemissie inrichting van voorbeeld 4 voort te brengen en wordt verder [Stap-160] in voorbeeld 1 uitgevoerd teneinde de veldemissie weergeef-eenheid uit te voeren.

10 Het op het bovenoppervlak 18F van de emittere lektrode 118 in voorbeeld 4 gevormde scherphoekig gedeelte 18G kan naar wens gevormd worden hoofdzakelijk door besturing van de verhouding van de etssnelheid van de masker materiaal laat 50 en de etssnelheid van de tweede 15 geleidende laag 17. Dat wil zeggen, dat een scherphoekig gedeelte 18G met een scherphoekige vorm van een hogere graad gevormd kan worden op het bovenoppervlak 18F van de emitterelektrode 118 door het instellen van de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 met een hogere 20 snelheid dan de etssnelheid van de masker materiaal laag 50, dat wil zeggen door het sneller maken van het etsen van de tweede geleidende laag 17 dan het etsen van de masker materiaal laag 50. Wanneer de masker materiaal laag 50 op de tweede geleidende laag 17 boven het ope-25 ningsgedeelte 13A, dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12, mag achterblijven, is het niet noodzakelijkerwijze vereist om de masker materiaal laag 50 rigoureus achter te laten op de tweede geleidende laag 17 boven het openingsgedeelte 13A. Zoals is weergegeven in fig. 9 kan 30 de maskermateriaallaag 50 achtergelaten worden met een verbreed gebied op de tweede geleidende laag 17, die verbreed is vanaf een gedeelte boven het openingsgedeelte 13A. 1 1012681 !

Voorbeeld 5

Voorbeeld 5 is een variant van voorbeeld 2. In de veldemissie-inrichting van voorbeeld 5 wordt een focuselektrode gevormd boven de poortelektrode door een 68 isolerende film. Het proces van de produktie van de veldemissie-inrichting in voorbeeld 5 verschilt van zijn tegenhanger in voorbeeld 2 doordat het proces in voorbeeld 5 nadat de poortelektrode gevormd is de stappen 5 omvat van het vormen van de isolerende film op het gehele oppervlak en het vormen van de focuselektrode op de isolerende film en doordat een openingsgedeelte gevormd dat penetreert door de focuselektrode, de isolerende film, de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en 10 dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt.

De processen voor de produktie van de veldemissie-inrichting en veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 5 zullen onder verwijzing naar fig. 15A, 15B, 16A, 16B en 15 17 verklaard worden, waarin schematische deelaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke getoond worden.

[Stap-500]

De stap van het vormen van een gepatroneerde 20 elektrodelaag (kathode-elektrodelaag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op de diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrodelaag 11, en de stap van het vormen van een poortelektrode 14 op de 25 isolerende tussenlaag 12 kunnen op dezelfde wijze worden uitgevoerd als in [Stap-100] en de vorming van de poortelektrode 14 in [Stap-110] in voorbeeld 1 en de verklaringen daarvan worden daarom weggelaten. Op deze wijze kan de in fig. 15A weergegeven structuur verkregen worden.

30 [Stap-510]

Vervolgens wordt een isolerende film 60 die opgebouwd is uit SiN gevormd op het gehele oppervlak door een bekende CVD-methode en vervolgens wordt een focuselektrode 61 gevormd op de isolerende film 60. De focuse-35 lektrode 61 kan verkregen worden door het vormen van een aluminiumlaag op de isolerende film 60 door een sputte-ringmethode en door het etsen van de aluminiumlaag teneinde een voorafbepaald patroon te vormen. Op deze wijze 1012681 69 kan de in fig. 15B weergegeven structuur worden verkregen .

[Stap-52 0]

Vervolgens wordt een afdeklaag 40 gevormd op 5 het gehele oppervlak (in het bijzonder op de isolerende film 60 en de focuselektrode 61) door een lithografie-methode en vervolgens wordt een openingsgedeelte 62, dat door de focuselektrode 61, de isolerende film 60, de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 en dat 10 een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt. Voor het etsen van de focuselektrode 61 en de poortelektrode 14 kan een etsgas op basis van chlorine gebruikt worden voor het etsen van de isolerende film 60, opgebouwd uit SiN en de isolerende tussenlaag 12, opge-15 bouwd uit Si02, kan CF4-gas of dergelijke gebruikt worden. Op deze wijze kan de in fig. 16 verkregen structuur worden verkregen.

In de in fig. 16A weergegeven structuur is de zijwand van elk van de in de focuselektrode 61, de isole-20 rende film 60, de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 gevormde openingsgedeeltes hellend. Deze helling wordt bijvoorbeeld verkregen door het toepassen van condities voor het doen afnemen van de resistiviteit van de afdeklaag 40, zoals toename in verhouding van 25 stroomsnelheid van zuurstofgas in een etsgas teneinde een gepatroneerde rand van de afdeklaag 40 naar achteren toe gradueel te verwijderen wanneer het etsen voortduurt, alhoewel de werkwijze voor het vormen van de helling niet beperkt zal zijn tot de bovengenoemde middelen. De ope-30 ningsdiameter van het openingsgedeelte 62 is daarom niet uniform langs de diepterichting en het in de focuselektrode 61 gevormde openingsgedeelte heeft een grotere diameter dan het openingsgedeelte dat gevormd is in een poortelektrode 14. Dat wil zeggen dat het boveneindge-35 deelte van de focuselektrode 61 meer naar achteren toe geplaatst is dan het boveneindgedeelte van de poortelektrode 14. Het doel van de focuselektrode 61 is aanvankelijk om het pad van elektroden te corrigeren, dat in ft 0 1 2 6 8 1 70 grote mate kan afwijken van de richting op de elektrode-laag 11, en wanneer de openingsdiameter van de elektrode 61 te klein is, kan de elektronemissie-efficiency van de veldemissie-inrichting afnemen. Wanneer echter de focuse-5 lektrode 61 een grotere openingsdiameter heeft dan de poortelektrode 14, dat wil zeggen wanneer de diameter van het openingsgedeelte dat gevormd is in de poortelektrode 14 aangepast is om smaller te zijn dan de diameter van het openingsgedeelte dat gevormd is in de focuselektrode 10 61 door het op juiste wijze besturen van de etscondities van de focuselektrode 61 en de poortelektrode 14, kan een gewenst focuseffect verkregen worden zonder de emissie van elektroden te verhinderen, hetgeen het meest wenselijk is.

15 [Stap-530]

Daarna kunnen de stappen van het verwijderen van de afdeklaag 40 en het vormen van de zijwand 16 van een isolerend materiaal (bijvoorbeeld SiN) op de zijwand van het openingsgedeelte 62 (zie fig. 16B) teneinde het 20 openingsgedeelte 62 in diameter te verkleinen, en de stap van het vormen van de tweede geleidende laag die opgebouwd is uit wolfraam op het gehele oppervlak (in het bijzonder op de isolerende film 60 en de focuselektrode 61) inclusief de binnenzijde van het diameterverkleinope-25 ningsgedeelte 62A door een CVD-werkwijze op dezelfde wijze uitgevoerd worden als in [Stap-130] en de vorming van de tweede geleidende laag, die is opgebouwd uit wolfraam in [Stap-140] in voorbeeld 1 en de verklaringen daarvan worden daarom weggelaten.

30 [Stap- 54 0]

Vervolgens wordt een ongeveer 0,77 μτη dikke maskermateriaallaag gevormd op het gehele oppervlak en wordt de maskermateriaallaag gedeeltelijk verwijderd door een verassingsbehandeling gebruikmakend van zuurstofgas, 35 en wordt op dezelfde wijze als in [Stap-210] in voorbeeld 2, waardoor de maskermateriaallaag achterblijft op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag 12 gevormde openingsgedeelte.

1012681 71 [Stap-550]

Vervolgens wordt de tweede geleidende laag op dezelfde wijze geëtst als in [Stap-220] in voorbeeld 2 teneinde een emitterelektrode 118 te vormen, die de vorm 5 heeft van een kolom en opgebouwd is uit de tweede geleidende laag (wolfraamlaag) in het in de isolerende tussenlaag 12 gevormde openingsgedeelte. Wanneer de tweede geleidende laag geëtst wordt, wordt de tweede geleidende laag geëtst onder condities waarin de etssnelheid van de 10 tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag. In het bijzonder kan door het veranderen van de stroomsnelheid van zuurstofgas onder condities die zijn weergegeven in tabel 2, condities verkregen worden wanneer de etssnelheid van de tweede 15 geleidende laag ongeveer 1,5 is wanneer de etssnelheid van de maskermateriaallaag 1 is. Wegens het verschil in initiatietijd van het etsen van de tweede geleiden laag, kan de emitterelektrode 118, waarvan het boveneinde scherp is zoals is weergegeven in fig. 17, verkregen 20 worden.

[Stap-560]

Vervolgens wordt de zijwand 16 verwijderd en worden verder de isolerende film 60 en de isolerende tussenlaag 12 geëtst zoals vereist is om de in de isole-25 rende film 60 en de isolerende tussenlaag gevormde ope-ningsgedeeltes breder te maken, waardoor de in fig. 17 weergegeven veldemissie-inrichting van voorbeeld 5 voortgebracht kan worden.

Op alternatieve wijze kan het etsen van de 30 tweede geleidende laag 17, zoals verklaard in [Stap-140] in voorbeeld 1, uitgevoerd worden teneinde de in fig. 3B weergegeven emitterelektrode 18 te vormen.

Voorbeeld 6

Voorbeeld 6 heeft betrekking op de veldemissie-35 inrichting, de veldemissieweergeefinrichting en de processen voor de voortbrenging daarvan volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding. In dwarsdoorsnede heeft de veldemissieweergeefeenheid van voorbeeld 6 een 1012 ββ1 72 conceptaanzicht dat soortgelijk is aan het aanzicht dat is weergegeven in fig. 1B. Voor een configuratie van een deel van de elektrodelagen (kathode-elektrodelagen) 11 en de poortelektrodes 14 en de veldemissieweergeefeenheid, 5 een configuratie van de elektrodelaag (kathode-elektrodelagen) 11 en de poortelektrode 14 in een beeldpunt en een perspectivisch aanzicht van de veldemissieweergeefeenheid, zie fig. 2A, 2B en 3A. Verder is de basisconfiguratie van de veldemissie-inrichting in voorbeeld 6 soortge-10 lijk aan de configuratie van de veldemissie-inrichting die verklaard is in voorbeeld 2 en heeft de emitterelek-trode 118 een bovengedeelte dat soortgelijk is aan het gedeelte dat is weergegeven in fig. 8A.

In de veldemissie-inrichting of de veldemissie-15 weergeefinrichting in voorbeeld 6, wordt de emitterelek-trode gevormd door: (1) het vormen van een poortelektrode 14 op een isolerende tussenlaag 12, het vervolgens vormen van de isolerende film 60 op het gehele oppervlak,-20 (2) het vormen van een eerste openingsgedeelte 70, dat penetreert door de isolerende film 60 en een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode 14 blootgesteld wordt, (3) het vormen van een eerste zijwand 71, die 25 opgebouwd is uit een eerste isolerend materiaal op de zijwand van het eerste openingsgedeelte 70, teneinde het eerste openingsgedeelte 70 in diameter te verkleinen, (4) het vormen van een tweede openingsgedeelte 72, dat penetreert door de poortelektrode 14 en de isole- 30 rende tussenlaag 12 onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte 70A en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt; (5) het vormen van een tweede zijwand 73 op de eerste zijwand 71 en de zijwand van het tweede openings- 35 veld 72 teneinde het eerste openingsgedeelte 70A verder in diameter te verkleinen en om het tweede openingsgedeelte 72 in diameter te verkleinen; 10 1 2 68 1 73 (6) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak (in het bijzonder op de isolerende film 60) inclusief de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes 70A en 72A door een CVD-werkwij- 5 ze ; (7) het etsen van de tweede geleidende laag, en het vervolgens (8) verwijderen van de eerste zijwand 71 en het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de 10 tweede zijwand 73. Bij voorkeur wordt de isolerende film 60 uiteindelijk verwijderd en werkt de isolerende film 60 in hoofdzaak als een beschermende film voor het beschermen van de poortelektrode 14 wanneer de tweede geleidende laag geëtst wordt.

15 In de veldemissie-inrichting van voorbeeld 6 is op soortgelijke wijze geen tweede zijwand aanwezig op een denkbeeldige segmentlijn die het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het randgedeelte van het tweede openingsgedeelte, dat gevormd is in de poortelektrode, 20 verbindt, en steekt dat randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte uit over het boveneindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsgedeelte. Verder wordt een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van 25 de emitterelektrode en bestaat het scherphoekig gedeelte uit een uiteinde-eindoppervlak dat zich uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak. De emitterelektrode wordt gevormd door het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak 30 inclusief de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdeposi-tiewerkwijze; het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag op de 35 tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsgedeelte over te laten; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van 1012881 74 het eerste bovenste gedeelte van de tweede zijwand. Dat wil zeggen dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode een conische vorm heeft. Een emitterelektrode met de bovenstaande vorm kan verkregen worden door het etsen van 5 de tweede geleidende laag onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

In voorbeeld 2 wordt, na de vorming van het openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode 10 en de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, de zijwand gevormd voor het in diameter doen afnemen van het openingsgedeelte. In voorbeeld 4 is, na de vorming van het openingsgedeelte dat penetreert door de poortelektro-15 de en de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, het openingsgedeelte in diameter verkleind wordt voor het vormen van de isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak inclusief het oppervlak van de zijwand van het 20 openingsgedeelte.

In de processen voor de voortbrenging van de veldemissie-inrichting en de veldemissieweergeefinrichting in voorbeeld 6, wordt een isolerende film met een in diameter verkleind eerste openingsgedeelte gevormd op de 25 poortelektrode en wordt een tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, gevormd, terwijl de focuselek-30 trode en de eerste zijwand gebruikt worden als etsmas-kers, en wordt een zijwand gevormd voor het verder in diameter doen afnemen van het eerste openingsgedeelte en het in diameter doen afnemen van het tweede openingsgedeelte .

35 De processen voor de voortbrenging van de veldemissie-inrichting en de veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 6 zullen verklaard worden onder verwijzing naar fig. 18A, 18B, 19A, 19B, 20A, 20B, 21A en 21B, 10 1 2 68 1 75 waarbij schematische deeleindaanzichten van het diëlec-tricum ondersteunend substraat en dergelijke getoond worden.

[Stap-600] 5 De stap van het vormen van een gepatroneerde elektrode (kathode-elektrodelaag) op het diëlectricum ondersteunde substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrodelaag 11, en het vormen 10 van een poortelektrode 14 op de isolerende tussenlaag 12 kunnen op dezelfde wijze uitgevoerd worden als in [Stap-100] en de vorming van de poortelektrode in [Stap-110] in voorbeeld 1 en de verklaringen daarvan kunnen daarom weggelaten worden.

15 [Stap-610]

Vervolgens wordt een isolerende film 60, die opgebouwd is uit SiN, door een bekende CVD-werkwijze gevormd op het gehele oppervlak en wordt een afdeklaag 40 door een lithografiewerkwijze gevormd op de isolerende 20 film 60.

[Stap-620]

Vervolgens wordt een RIE-werkwijze gebruikmakend van CF4-gas uitgevoerd teneinde een eerste openings-gedeelte 70 te vormen, dat de isolerende film 60 pene-25 treert en dat een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode 14 blootgesteld wordt, waardoor de in fig. 18A weergegeven structuur verkregen kan worden. Het eerste openingsgedeelte 70 kan bijvoorbeeld een diameter van 3 μιη hebben.

30 [Stap-630]

Vervolgens wordt de afdeklaag 40 verwijderd en wordt een eerste zijwand 71 die opgebouwd is uit een eerste isolerend materiaal (SiN in voorbeeld 6) gevormd op de zijwand van het eerste openingsgedeelte 70 teneinde 35 het eerste openingsgedeelte 70 in diameter te verkleinen (zie fig. 18B).

In het bijzonder wordt een SiN-laag gevormd op het gehele oppervlak en in het eerste openingsgedeelte 70 1012681 76 door bijvoorbeeld een plasma-verbeterde CVD-werkwijze en wordt vervolgens de SiN-laag geëtst totdat de poortelek-trode 14 blootgesteld wordt.

[Stap-640] 5 Vervolgens wordt een tweede openingsgedeelte 72, dat penetreert door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte 70A en dat een bodemgedeelte waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt, gevormd.

10 Terwijl de isolerende film 60 en de eerste zijwand 71 gebruikt worden als etsmaskers, wordt in het bijzonder een tweede openingsgedeelte gevormd in de poortelektrode 14 door een RIE-werkwijze gebruikmakend van etsgas op chlorinebasis en wordt verder een tweede openingsgedeelte 15 gevormd door een RIE-werkwijze gebruikmakend van CF4-gas of dergelijke in de isolerende tussenlaag 12, waardoor de in fig. 19A weergegeven structuur verkregen kan worden. [Stap-650]

Vervolgens wordt een tweede zij'wand 73 die 20 opgebouwd is uit een tweede isolerend materiaal (Si02 in voorbeeld 6) gevormd op de eerste zijwand 71 en de zijwand van het eerste openingsgedeelte 72 teneinde het eerste openingsgedeelte 70 verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte 72A in diameter te 25 verkleinen (zie fig. 19B). In het bijzonder wordt een

Si02-laag gevormd op het gehele oppervlak en in het tweede openingsgedeelte 72 door bijvoorbeeld een plasma-verbeterde CVD-werkwi j ze en wordt de Si02-laag geëtst door een RIE-werkwijze gebruikmakend van CF4-gas of dergelijke 30 totdat de elektrodelaag blootgesteld wordt.

[Stap-660]

Vervolgens wordt een tweede geleidende laag 17 die opgebouwd is uit wolfraam gevormd op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van de eerste en 35 tweede openingsgedeeltes 70A en 72A door een CVD-werkwij-ze en wordt vervolgens een ongeveer 0,35 μιη dikke masker-materiaallaag, die is opgebouwd uit afdekmateriaal, gevormd op het gehele oppervlak, wordt de maskermateri- 1012681 77 aallaag gedeeltelijk verwijderd teneinde de maskermateri-aallaag 50A op de tweede geleidende laag 17 boven het tweede openingsgedeelte 72A dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12 (zie fig. 20A) over te laten en wordt 5 vervolgens de tweede geleidende laag 17 geëtst teneinde daardoor in het tweede openingsgedeelte 72A een emittere-lektrode 118 te vormen (waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft, de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag 17 en een scherp-10 hoekig gedeelte op zijn bovenoppervlak heeft, waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde eindop-pervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak.

In het bijzonder kan de tweede geleidende laag 15 17 op dezelfde wijze als in [Stap-220] in voorbeeld 2 geëtst worden. Wanneer de tweede geleidende laag 17 geëtst wordt, wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 groter is dan de etssnelheid van de 20 maskermateriaallaag. In het bijzonder kan door het veranderen van de stroomsnelheid van zuurstofgas in de tweede etscondities verkregen worden waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag 17 ongeveer 1,5 is wanneer de etssnelheid van de maskermateriaallaag 1 is. Wegens het 25 verschil in initiatietijd van het etsen van de tweede geleidende laag, kan de emitterelektrode 118 waarvan het boveneinde scherp is, zoals is weergegeven in fig. 20B, verkregen worden.

[Stap-670] 30 Vervolgens wordt de eerste zijwand 71 verwij derd en wordt een bovenste gedeelte van de tweede zijwand 73 verwijderd, waardoor een in fig. 2IA weergegeven structuur kan worden verkregen. Vervolgens wordt de isolerende film 60 verwijderd voor de verhindering van 35 een statische lading en kan de in fig. 21B weergegeven veldemissie-inrichting volgens voorbeeld 6 voortgebracht worden. Verder wordt [Stap-160] in voorbeeld 1 uitge- f0 1 2 681 78 voerd, waardoor de veldemissieweergeefeenheid voortgebracht kan worden.

Als alternatief kan een emitterelektrode 18 met een vorm zoals is weergegeven in fig. 3D gevormd worden 5 door het etsen van de tweede geleidende laag 17 zoals is uitgelegd in [Stap-140] in voorbeeld 1.

In voorbeeld 6 wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst in een toestand waarin de poortelektrode 14 bedekt is met de isolerende film 60. Daarom wordt de 10 vrijheid bij de selectie van een combinatie van een materiaal voor het vormen van de poortelektrode 14 en een materiaal voor het vormen van de tweede geleidende laag 17 vergroot. In het bijzonder op voordelige wijze kan het materiaal voor het vormen van de poortelektrode 14 gese-15 lecteerd worden uit een breder bereik van materialen en behoeft de tweede geleidende laag 17 niet op selectieve wijze geëtst te worden ten opzichte van de poortelektrode 14 .

Voorbeeld 7 20 Het proces voor de voortbrenging van een veld- emissie-inrichting en het proces voor de voortbrenging van een veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 7 zijn varianten van de processen volgens het derde aspect van de onderhavige uitvinding die zijn verklaard in voorbeeld 25 6. Verder heeft voorbeeld 7 betrekking op de veldemissie-inrichting en de veldemissieweergeefeenheid volgens het vierde aspect van de onderhavige uitvinding. In voorbeeld 7 wordt een focuselektrode gevormd boven de poortelektrode door de isolerende film. In dwarsdoorsnede heeft de 30 veldemissieweergeefeenheid van voorbeeld 7 een conceptueel aanzicht dat soortgelijk is aan het aanzicht dat is weergegeven in fig. 1B. Voor een configuratie van het deel van de elektrodelagen (kathode-elektrodelagen) 11 en de poortelektroden 14 in de veldemissieweergeefeenheid, 35 de configuratie van de elektrodelaag (kathode-elektrode-laag) 11 en de poortelektrode 14 in een beeldpunt en een perspectivisch aanzicht van de veldemissieweergeefeenheid, zie fig. 2A, 2B en 3A. Verder is de basisconfigura- 1012681 79 tie van de veldemissie-inrichting in voorbeeld 7 in principe soortgelijk aan de configuratie van de veldemissie-inrichting zoals uitgelegd in voorbeeld 2 en heeft, de emitterelektrode 118 een bovengedeelte zoals is weergege-5 ven in fig. 8A.

De emitterelektrode in de veldemissie-inrichting of de veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 7 is gevormd door: (1) het nadat een poortelektrode gevormd is op 10 een isolerende tussenlaag vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak; (2) het vormen van een focuselektrode op de isolerende film; (3) het vormen van een eerste openingsgedeelte, 15 dat penetreert door de focuselektrode en de isolerende film en dat een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode blootgesteld wordt; (4) het vormen van een eerste zijwand, die is opgebouwd is uit een eerste isolerend materiaal op de 20 zijwand van het eerste openingsgedeelte, teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (5) het vormen van een tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste ope- 25 ningsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode blootgesteld wordt; (6) het vormen van een tweede zijwand die is opgebouwd uit een tweede isolerend materiaal, op de eerste zijwand en op de zijwand van het tweede openings- 30 gedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in diameter te verkleinen; (7) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak inclusief de binnenzijdes van de 35 eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; (8) het etsen van de tweede geleidende laag, en het 1012681 80 (9) verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

In de veldemissie-inrichting van voorbeeld 7 5 is op soortgelijke wijze geen tweede zijwand aanwezig op een denkbeeldige segmentlijn die het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte verbindt, en steekt het randgedeelte van het in de poortelektrode 10 gevormde tweede openingsgedeelte uit boven het boveneind-gedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsgedeelte. Verder wordt een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van de emitterelektrode en is het scherphoekig gedeelte opgebouwd uit 15 een uiteinde eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak. De emitterelektrode wordt gevormd door het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak inclusief de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes 20 door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag 25 gevormde tweede openingsgedeelte over te laten; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand. Dat wil zeggen dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode 30 een conische vorm heeft. De emitterelektrode met de bovenstaande vorm kan verkregen worden door het etsen van de tweede geleidende laag onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

35 De processen voor de voortbrenging van de veldemissie-inrichting en veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 7 zullen verklaard worden onder verwijzing naar fig. 22A, 22B, 23A, 23B, 24A, 24B en 25, die schematische 10 1 2 68 1 81 deeleindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke weergeven.

[Stap-700]

De stap van het vormen van een gepatroneerde 5 elektrodelaag (kathode-elektrodelaag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrodelaag 11, en de stap van het vormen van een poortelektrode 14 op de 10 isolerende tussenlaag 12 kunnen op dezelfde wijze worden uitgevoerd als in [Stap-100] en de vorming van de poortelektrode 14 in [Stap-110] in voorbeeld 1 en de verklaringen kunnen weggelaten worden.

[Stap-710] 15 Vervolgens wordt een isolerende film 60 die opgebouwd is uit SiN, door een bekende CVD-werkwijze, gevormd op het gehele oppervlak en vervolgens wordt een focuselektrode 61 gevormd op de isolerende film 60. De focuselektrode 61 kan verkregen door het vormen van een 20 aluminium laag op de isolerende film 60 door een sputter-werkwijze en door het etsen van de aluminiumlaag teneinde een voorafbepaald patroon te vormen.

[Stap-720]

Vervolgens wordt een afdeklaag 40 door een 25 lithografiewerkwijze gevormd op het gehele oppervlak (in het bijzonder op de isolerende film 60 en de focuselektrode 61). Vervolgens wordt een eerste openingsgedeelte 70, dat de focuselektrode 61 en de isolerende film 60 penetreert dat een bodemgedeelte heeft waarin de poorte-30 lektrode 14 blootgesteld wordt, gevormd. Etsgas op basis van chlorine kan gebruikt worden voor het etsen van de focuselektrode 61 en CF4-gas of dergelijke kan gebruikt worden voor het etsen van de isolerende film 60 die is opgebouwd uit SiN. Op deze wijze kan de in fig. 22A 35 weergegeven structuur worden verkregen. Het eerste openingsgedeelte 70 kan een diameter van bijvoorbeeld 3 μπι hebben.

[Stap-73 0] (10 1 2 68 1 82

Vervolgens wordt een stap die soortgelijk is aan [Stap-630] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een eerste zijwand 71 te vormen om het eerste openingsgedeel-te 70 in diameter te verkleinen (zie fig. 22B). Vervol-5 gens wordt een stap die soortgelijk is aan [Stap-640] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een tweede openingsge-deelte 72 te vormen dat penetreert door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 12 onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte 70A en dat een bodem-10 gedeelte waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt (zie fig. 23A). Vervolgens wordt een stap soortgelijk aan [Stap-640] uitgevoerd teneinde een tweede zijwand 73 te vormen die is opgebouwd uit een tweede isolerend materiaal, op de eerste zijwand 71 en op de zijwand van het 15 tweede openingsgedeelte 72 waardoor het eerste openingsgedeelte 70A verder verkleind wordt in diameter en het tweede openingsgedeelte 72A in diameter verkleind wordt (zie fig. 23B).

[Stap-740] 20 Vervolgens wordt een stap soortgelijk aan [Stap-660] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een tweede geleidende laag 17 te vormen, die is opgebouwd uit wolfraam, over het gehele oppervlak (in het bijzonder op de isolerende film 60 en de focuselektrode 61) waaronder de 25 binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes 70A en 72A door een CVD-werkwijze. Vervolgens wordt een maskermateriaallaag, die is opgebouwd uit een afdekmateriaal, gevormd op het gehele oppervlak, wordt de maskermateriaallaag gedeeltelijk verwijderd teneinde de mas-30 kermateriaallaag 50A op de tweede geleidende laag 17 boven het in de isolerende tussenlaag 12 gevormde tweede openingsgedeelte 72A (zie fig. 24A) over te laten en vervolgens wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst, om daardoor in het tweede openingsgedeelte 72A een emittere-35 lektrode 118 te vormen (waarvan het bovenoppervlak een conische vorm heeft), die de vorm heeft van een kolom opgebouwd is uit de tweede geleidende laag 17 en een scherphoekig gedeelte op zijn bovenoppervlak daarvan 1012681 83 heeft, waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak (zie fig. 24B).

5 [Stap-750]

Vervolgens worden de eerste zijwand 71 en een bovenste gedeelte van de tweede zijwand 73 verwijderd door een etswerkwijze gebruikmakend van bijvoorbeeld een mengsel van CHF3/02-gas, waardoor de in fig. 25 weergege-10 ven veldemissie-inrichting van voorbeeld 7 verkregen kan worden. De in de isolerende tussenlaag 12 en de isolerende film 60 gevormde openingsgedeeltes kunnen verbreed worden en met CH4-gas. Verder wordt [Stap-160] in voorbeeld 1 uitgevoerd, waardoor de veldemissieweergeefeen-15 heid voortgebracht kan worden.

Als alternatief kan de tweede geleidende laag 17 geëtst worden zoals is verklaard in [Stap-140] in voorbeeld 1 teneinde een emitterelektrode 18 te vormen die een vorm heeft zoals is weergegeven in fig. 3B.

20 Voorbeeld 8

Het proces voor de voortbrenging van een veldemissie-inrichting en het proces voor de voortbrenging van een veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 8 zijn varianten van de processen volgens het derde aspect van 25 de onderhavige uitvinding die zijn verklaard in voorbeeld 6. Verder heeft voorbeeld 8 betrekking op de veldemissie-inrichting en de veldemissieweergeefeenheid volgens het vijfde aspect van de onderhavige uitvinding. In voorbeeld 8 wordt ook een focuselektrode gevormd boven de poorte-30 lektrode door de isolerende film. In dwarsdoorsnede heeft de veldemissieweergeefeenheid van voorbeeld 8 een conceptueel aanzicht dat soortgelijk is aan dat is weergegeven in fig. 1B. Voor een configuratie van het deel van de elektrodelagen (kathode-elektrodelagen) 11 en de poorte-35 lektroden 14 in de veldemissieweergeefeenheid, een configuratie van de elektrodelaag (kathode-elektrodelaag) 11 en de poortelektrode 14 in een beeldpunt en een perspectivisch aanzicht van de veldemissieweergeefeenheid, zie 10 1 2 68 1 84 fig. 2A, 2B en 3A. Verder is de basisconfiguratie van de veldemissie-inrichting in voorbeeld 8 in principe soortgelijk aan de configuratie van de veldemissie-inrichting zoals uitgelegd in voorbeeld 2 en heeft de emitterelek-5 trode 118 een bovengedeelte zoals is weergegeven in fig. 8A.

De emitterelektrode in de veldemissie-inrich-ting of de veldemissieweergeefeenheid in voorbeeld 8 is gevormd door: 10 (1) het nadat een poortelektrode gevormd is op een isolerende tussenlaag vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak, het vervolgens vormen van een focuselektrode op de isolerende film; (2) het verder vormen van een tweede isolerende 15 film op het gehele oppervlak; (3) het vervolgens vormen van een eerste ope-ningsgedeelte, dat penetreert door de tweede isolerende film, de focuselektrode en de isolerende film en dat een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode blootgesteld 20 wordt; (4) het vormen van een eerste zijwand, die is opgebouwd is uit een eerste isolerend materiaal, op de zijwand van het eerste openingsgedeelte, teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen, 25 (5) het vormen van een tweede openingsgedeelte, dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt; 30 (6) het vormen van een tweede zijwand die is opgebouwd uit een tweede isolerend materiaal, op de eerste zijwand en op de zijwand van het tweede openingsgedeelte teneinde het eerste openingsgedeelte verder in diameter te verkleinen en het tweede openingsgedeelte in 35 diameter te verkleinen; (7) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak inclusief de binnenzijdes van de f0 1 2 681 85 eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwij ze; (8) het etsen van de tweede geleidende laag, en het vervolgens 5 (9) verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand.

In de veldemissie-inrichting van voorbeeld 8 is op soortgelijke wijze geen tweede zijwand aanwezig op 10 een denkbeeldige segmentlijn die het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte verbindt, en steekt het randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde tweede openingsgedeelte uit boven het boveneind-15 gedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde tweede openingsgedeelte. Verder wordt een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van de emitterelektrode en is het scherphoekig gedeelte opgebouwd uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting 20 van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak. De emitterelektrode wordt gevormd door het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak inclusief de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze; het 25 vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag op de tweede geleidende laag boven het tweede openingsgedeelte dat gevormd is in de isolerende tussenlaag over te laten; het 30 etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van de eerste zijwand en het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de tweede zijwand. Dat wil zeggen dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode een conische vorm heeft. De emitterelektrode met 35 de bovenstaande vorm kan verkregen worden door het etsen van de tweede geleidende laag onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan f10 1 2 6 8 1 86 de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

De processen voor de voortbrenging van de veldemissie-inrichting en veldemissieweergeefeenheid in 5 voorbeeld 8 zullen verklaard worden onder verwijzing naar fig. 26A, 26B, 27A, 27B, 28A, 28B, 29A en 29B, die schematische deeleindaanzichten van een diëlectricum ondersteunend substraat en dergelijke weergeven.

[Stap-800] 10 De stap van het vormen van een gepatroneerde elektrodelaag (kathode-elektrodelaag) 11 op een diëlectricum ondersteunend substraat 10, de stap van het vormen van een isolerende tussenlaag 12 op het diëlectricum ondersteunend substraat 10 en de elektrodelaag 11, en de 15 stap van het vormen van een poortelektrode 14 op de isolerende tussenlaag 12 kunnen op dezelfde wijze worden uitgevoerd als in [Stap-100] en de vorming van de poortelektrode 14 in [Stap-110] in voorbeeld 1 en de verklaringen daarvan kunnen daarom weggelaten worden.

20 [Stap-810]

Een isolerende film 60, die opgebouwd is uit SiN, wordt door een bekende CVD-werkwijze gevormd op het gehele oppervlak en vervolgens wordt een focuselektrode 61 gevormd op de isolerende film 60. De focuselektrode 61 25 kan verkregen door het vormen van een aluminium laag op de isolerende tussenlaag 60 en het etsen van de alumini-umlaag teneinde een voorafbepaald patroon te vormen. Vervolgens wordt een tweede isolerende laag 63, die gevormd is van een laminaat van Si02 en SiN, gevormd op 30 het gehele oppervlak door een bekende CVD-werkwijze. In de figuren wordt de tweede isolerende laag 63 als een enkele laag weergegeven.

[Stap-820]

Vervolgens wordt een afdeklaag 40 door een 35 lithografiewerkwijze gevormd op de tweede isolerende film 63. Vervolgens wordt een eerste openingsgedeelte 70 gevormd, dat de tweede isolerende film 63, de focuselektrode 61 en de isolerende film 60 penetreert en dat een 1012681 87 bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode 14 blootgesteld wordt. Etsgas op basis van chlorine kan gebruikt worden voor het etsen van de focuselektrode 61 en CF^-gas of dergelijke kan gebruikt worden voor het etsen van de 5 tweede isolerende film 63 en de isolerende film 60. Op deze wijze kan de in fig. 26A weergegeven structuur worden verkregen.

[Stap-830]

Vervolgens wordt een stap die soortgelijk is 10 aan [Stap-630] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een eerste zijwand 71 te vormen om het eerste openingsgedeel-te 70 in diameter te verkleinen (zie fig. 26B). Vervolgens wordt een stap die soortgelijk is aan [Stap-640] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een tweede openingsge-15 deelte 72 te vormen dat penetreert door de poortelektrode 14 en de isolerende tussenlaag 16 onder het in diameter verkleinde eerste openingsgedeelte 70A en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag 11 blootgesteld wordt (zie fig. 27A). Vervolgens wordt een stap soortge-20 lijk aan [Stap-650] uitgevoerd teneinde een tweede zijwand 73 te vormen die is opgebouwd uit een tweede isolerend materiaal, op de eerste zijwand 71 en op de zijwand van het tweede openingsgedeelte 72 waardoor het eerste openingsgedeelte 70A verder verkleind wordt in diameter 25 en het tweede openingsgedeelte 72A in diameter verkleind wordt (zie fig. 27B).

[Stap-84 0]

Vervolgens wordt een stap soortgelijk aan [Stap-660] in voorbeeld 6 uitgevoerd teneinde een tweede 30 geleidende laag 17, die is opgebouwd uit wolfraam, te vormen over het gehele oppervlak (in het bijzonder op de tweede isolerende film 63) waaronder de binnenzijdes van de eerste en tweede openingsgedeeltes 70A en 72A door een CVD-werkwijze, vervolgens wordt een uit een afdekmateri-35 aal opgebouwd maskermateriaallaag gevormd op het gehele oppervlak en wordt de maskermateriaallaag gedeeltelijk verwijderd teneinde de maskermateriaallaag 50A op de tweede geleidende laag 17 boven het in de isolerende 10 1 2 68 1 88 tussenlaag 12 (zie fig. 28A) gevormde tweede openingsge-deelte 72A over te laten en vervolgens wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst, om daardoor in het tweede openingsgedeelte 72A een emitterelektrode 118 (waarvan 5 het bovenoppervlak een conische vorm heeft) te vormen, welke elektrode de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag 17 en een scherphoekig gedeelte op zijn bovenoppervlak heeft, waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde-eindop-10 pervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak (zie fig. 28B).

[Stap-850]

Vervolgens worden de eerste zijwand 71 en een bovenste gedeelte van de tweede zijwand 73 verwijderd 15 waardoor een in fig. 29A weergegeven structuur kan worden verkregen. Vervolgens wordt de tweede isolerende film 63 verwijderd, waardoor de veldemissie-inrichting van voorbeeld 6 voortgebracht kan worden. Verder wordt [Stap-160] in voorbeeld 1 uitgevoerd, waardoor de veldemissieweer-20 geefeenheid voortgebracht kan worden.

Als alternatief kan de tweede geleidende laag 17 geëtst worden zoals is verklaard in [Stap-140] in voorbeeld 1 teneinde een emitterelektrode 18 te vormen die de in fig. 3B weergegeven vorm heeft.

25 In voorbeeld 8 wordt de tweede geleidende laag 17 geëtst waarin de toestand van de focuselektrode 61 bedekt is met de tweede isolerende film 63. Daarom wordt de vrijheid bij de selectie van de combinatie van een materiaal voor het vormen van de focuselektrode 61 en het 30 materiaal voor het vormen van de tweede geleidende laag 17 vergroot. In het bijzonder op voordelige wijze kan het materiaal voor het vormen van de focuselektrode 61 geselecteerd worden uit een breder bereik van materialen en behoeft de tweede geleidende laag 17 niet langer op 35 selectieve wijze geëtst te worden ten opzichte van de focuselektrode 61.

De onderhavige uitvinding is verklaard onder verwijzing naar de hierbovengenoemde voorbeelden, terwijl 10 1 2 68 t 89 de onderhavige uitvinding hiertoe niet beperkt zal zijn. De verscheidene waarden, verwerkingscondities en materialen die zijn uitgelegd in de voorbeelden, zijn gegeven voor illustratieve doeleinden en kunnen indien gewenst 5 veranderd worden. Zoals is weergegeven in fig. 30A en 30B kan bij het etsen van de zijwand 16, etc. in [Stap-150] in voorbeeld 1 de gehele zijwand 16 door etsing verwijderd worden. Verder kan in [Stap-330] in voorbeeld 3 de isolerende materiaallaag 16B in het bodemgedeelte van het 10 openingsgedeelte 13A achtergelaten worden. Verder kan in [Stap-330] in voorbeeld 3 het gedeelte van de isolerende tussenlaag 12 overeenkomstig met de zijwand van het openingsgedeelte 13 geëtst worden. Dit is tevens toepasbaar in de andere voorbeelden. In de voorbeelden wordt de 15 tweede geleidende laag 17 gevormd door een CVD-werkwijze, terwijl deze gevormd kan worden door een PVD-werkwijze zoals een sputterwerkwijze.

De vorm in dwarsdoorsnede die het openingsgedeelte heeft, in doorsnede met een vlak loodrecht op de 20 axiale lijn L die door het openingsgedeelte 15 gaat, zal niet beperkt zijn tot een cirkel en kan elke willekeurige vorm hebben zoals een ovaal, een polygoon of een polygoon met afgeronde randen of zijdes. De vorm in dwarsdoorsnede, die het in diameter verkleinde openingsgedeelte 25 heeft, in doorsnede met een vlak loodrecht op de axiale lijn die door het midden daarvan gaat, zal eveneens niet beperkt zijn tot een cirkel en is analoog of soortgelijk aan de vorm in dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte. Daarom zal de vorm in dwarsdoorsnede, die de emittere-30 lektrode 18, 118 heeft, in doorsnede met een vlak loodrecht op de axiale lijn die door de emitterelektrode 8, 118, ook niet beperkt zijn tot de cirkel en is deze analoog of soortgelijk aan de vorm in dwarsdoorsnede van het openingsgedeelte.

35 Verder kan in de emitterelektrode van de in voorbeeld 2 of 4 verklaarde veldemissie-inrichting de emitterelektrode een structuur hebben waarin het bovengedeelte daarvan een grotere diameter heeft dan een wille- Ö0 12 68 1 90 keurig ander gedeelte daarvan. De emitterelektrode met de bovenstaande structuur kan verkregen worden door het besturen van de hoogte van de zijwand 16 langs de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 of de hoogte van de 5 isolerende materiaallaag 16B, het besturen van de dikte van de tweede geleidende laag 17 of het besturen van de condities van het etsen van de tweede geleidende laag 17. Dat wil zeggen, dat, zoals bijvoorbeeld is weergegeven in fig. 31A, de hoogte van de zijwand 16 langs de zijwand 10 van het openingsgedeelte 13 verkleind is teneinde deze kleiner te maken dan de wand die is weergeven in fig. 7A en dat de dikte van de tweede geleidende laag 17 vergroot wordt om deze groter te maken dan de dikte die is weergegeven in fig. 7A. En, zoals is weergegeven in fig. 31A, 15 blijft een maskermateriaallaag 50 in enige mate achter op de tweede geleidende laag 17, die een verbreed gebied heeft boven het openingsgedeelte 13A dat gevormd is in de isolerende tussenlaag 12. En, zoals is weergegeven in fig. 31B, de tweede geleidende laag 17 wordt geëtst, 20 waardoor een emitterelektrode 218, waarvan het bovengedeelte een grotere diameter heeft dan elk willekeurig ander gedeelte, verkregen kan worden. Een structuur zoals verkregen na het etsen van de zijwand 16, etc. wordt weergegeven in fig. 32.

25 De afstand van het randgedeelte 15A van het openingsgedeelte 15, dat gevormd is in de poortelektrode 14, tot het scherphoekig gedeelte van de emitterelektrode 18 of 118 is afhankelijk van de dikte van de isolerende tussenlaag 12, de diameter van het openingsgedeelte 15 en 30 de afstand vanaf de elektrodelaag (kathode-elektrodelaag) 11 tot aan het scherphoekig gedeelte 18B of 18G van de emitterelektrode 18 of 118. In het proces voor de produk-tie van de conventionele veldemissie-inrichting van het Spindt-type, is het moeilijk de hoogte van de emittere-35 lektrode 112 zoals vereist te bepalen. In de onderhavige uitvinding kan echter de afstand vanaf de elektrodelaag 11 tot aan het scherphoekig gedeelte 18B of 18G van de emitterelektrode 18 of 118 bepaald worden afhankelijk van ft 0 1 2 6 8 1 91 de condities van het etsen van de tweede geleidende laag 17 en afhankelijk van de vorm in dwarsdoorsnede van de zijwand 16 of de isolerende materiaallaag 16B op de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 in doorsnede 5 met een loodrecht vlak welke de axiale lijn bevat die door het midden van het openingsgedeelte 13 gaat. Wanneer de conditie van het vormen van de zijwand of de isolerende materiaallaag 16B bepaald worden teneinde de zijwand 16 te verkrijgen die een juiste vorm in dwarsdoorsnede 10 heeft, of de isolerende materiaallaag 16B op de zijwanden van de openingsgedeeltes 13 en 15 die een juiste vorm in dwarsdoorsnede heeft, en verder wanneer de condities van het etsen van de tweede geleidende laag 17 op juiste wijze bepaald zijn, kan daarom de afstand vanaf het 15 randgedeelte 15A van het in de poortelektrode 14 gevormde openingsgedeelte 15 tot aan het scherphoekig gedeelte 18B of 18G van de emitterelektrode 18 of 118 met een grote mate van vrijheid ontworpen worden. Daarom kan de afstand tussen de poortelektrode 14 en de elektrodelaag 11, met 20 andere woorden de dikte van de isolerende tussenlaag 12, zodanig ontworpen worden dat deze een juiste waarde heeft.

In sommige gevallen wordt, nadat het openingsgedeelte (of het tweede openingsgedeelte) dat de elektro-25 delaag 11 bereikt, gevormd is in de isolerende tussenlaag 12, en voordat het openingsgedeelte (of tweede openingsgedeelte) in diameter gevormd is, een elektrisch geleidend materiaal gevuld worden in het bodemgedeelte van het openingsgedeelte (of tweede openingsgedeelte). Nadat het 30 openingsgedeelte (of tweede openingsgedeelte) in diameter is verkleind kan anders een elektrisch geleidend materiaal gevuld worden in het bodemgedeelte van het openingsgedeelte (of tweede openingsgedeelte). Het bovenstaande elektrisch geleidend materiaal kan hetzelfde zijn als of 35 kan verschillend zijn van het materiaal voor het vormen van de tweede geleidende laag en in dit laatste geval kan bijvoorbeeld polykristallijn silicium, dat een impuriteit bevat, gebruikt worden als het elektrisch geleidende 10 1 2 681 92 materiaal. Verder kan de veldemissie-inrichting of de veldemissieweergeefeenheid zoals uitgelegd in voorbeelden 3 en 4 verschaft worden met een focuselektrode.

Het openingsgedeelte kan gevormd zijn in de 5 poortelektrode wanneer de poortelektrode gevormd wordt, en het openingsgedeelte, dat communiceert met het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte dat een bodemge-deelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt kan gevormd worden in de isolerende tussenlaag. De vor-10 ming van het openingsgedeelte in de poortelektrode kunnen uitgevoerd worden door het vormen van de eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag 12 door bijvoorbeeld een sputteringswerkwijze en het vervolgens patroneren van de eerste geleidende laag dat een bekende werkwijze 15 teneinde de poortelektrodes met het openingsgedeelte te vormen. Wanneer een gepatroneerde poortelektrode gevormd wordt op de isolerende tussenlaag door bijvoorbeeld een afdrukwerkwijze, kan als alternatief tegelijkertijd een openingsgedeelte in de poortelektrode gevormd worden.

20 De vorming van het openingsgedeelte in de focuselektrode kan uitgevoerd worden door het vormen van een geleidende laag op de isolerende film door bijvoorbeeld een sputerringswerkwijze en het vervolgens patroneren van de geleidende laag door een bekende werkwijze 25 teneinde de focuselektrode met het openingsgedeelte te vormen. De gepatroneerde focuselektrode gevormd door het op de isolerende film door bijvoorbeeld een afdrukwerkwi jze, kan als alternatief tegelijkertijd een openingsgedeelte in de focuselektrode gevormd worden.

30 De maskermateriaallaag kan zijn opgebouwd uit bijvoorbeeld koper (Cu). Wanneer de maskermateriaallaag is opgebouwd uit metaal, kan een hoge verhouding van (etssnelheid van de tweede geleidende laag)/(etssnelheid van de maskermateriaallaag) verkregen worden. Wanneer 35 koper gebruikt wordt als een materiaal voor de maskermateriaallaag, worden katalysatorbehandeling en versneller-behandeling uitgevoerd en kan vervolgens de maskermateriaallaag gevormd worden door een stroomloze-platerings-

30 1 2 6 8 I

93 werkwijze onder condities die zijn weergegeven in de volgende tabel 3. De plateringsoplossing bevat kleine hoeveelheden van een stabilisator en een bevochtiger. Wanneer de maskermateriaallaag op het bovengedeelte van 5 de emitterelektrode na voltooiing van het etsen van de tweede geleidende laag blijft, kan de resterende maskermateriaallaag verwijderd worden door een juist nat-ets-proces.

Tabel 3 10 Platerings- Kopersulfaat (CuS045H20) 7 g/liter oplossing Formaline (37% HCHO) 20 ml/liter

Natriumhydroxide 10 g/liter

Kaliumnatriumtartraat 20 g/liter

Platerings- 50°C

badtemperatuur 15 In de onderhavige uitvinding wordt de emittere lektrode gevormd in het openingsgedeelte, dat in diameter verkleind is door middel van de zijwand of de isolerende materiaallaag en de emitterelektrode kan daarom gevormd worden op een zelfopgelijnde wijze door het toepassen van 20 de werkwijze van het voortbrengen van een halfgeleiderin-richting, en een emitterelektrode die een kleine diameter en een kleinere veldemissie-inrichting heeft kan gevormd worden met een hoge mate van ontwerpvrijheid. Verder kan het scherphoekig gedeelte, dat een kleine kromming heeft, 25 gevormd worden op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag met excellente reproduceerbaarheid en daarom is het niet langer noodzakelijk om een speciale voortbrengingswerk-wijze te gebruiken voor het vormen van het scherphoekig 30 gedeelte op het bovenoppervlak van de emitterelektrode. Verder zijn de axiale lijn, die door het midden van de emitterelektrode gaat, en de axiale lijn die door het midden van het openingsgedeelte gaat in overeenstemming met elkaar en is daarom de richting waarin de elektronen 35 uitgezonden worden vanaf de veldemissie-inrichting wegens 10 1 2 68 1 94 een elektrisch veld, constant, zodat de emissierichting van de elektronen op eenvoudige wijze bestuurd kan worden. Bovendien kan de afstand van het randgedeelte van in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte tot aan het 5 scherphoekig gedeelte van de emitterelektrode met een hoge mate van vrijheid ontworpen worden en kan daarom de afstand tussen de elektrodelaag en de poortelektrode vergroot worden. Als gevolg hiervan kan de belasting op de elektrische schakeling van de veldemissieweergeefeen-10 heid gereduceerd worden en kan de veldemissieweergeefeen-heid verbeterd worden en in-vlaksuniformiteit en beeldkwaliteit. Bovendien kan de capacitantie tussen de poortelektrode en de elektrodelaag verkleind worden, zodat er problemen vermeden kunnen worden dat de belasting op de 15 elektrische schakeling van de veldemissieweergeefeenheid toeneemt en dat de veldemissieweergeefeenheid verslechtert in in-vlaks uniformiteit en beeldkwaliteit.

Aangezien de emitterelektrode gevormd kan worden op een zelf-opgelijnde wijze, kan het produktie-20 proces in stappen afnemen en in het bijzonder kan de investering in fotolithografie-apparatuur gereduceerd worden. Het is niet vereist om de afpellaag met een scheve-dampdepositiewerkwijze te vormen, noch is het vereist om een metaallaag met een grote dikte in een 25 loodrechte richting te vormen voor het vormen van de emitterelektrode. De procestijd kan daarom verkleind worden en de kosten die vereist zijn voor de voortbrenging van de veldemissie-inrichting in de veldemissieweergeefeenheid kunnen verkleind worden.

30 Verder kan de focuselektrode gevormd worden zonder het aantal processtappen veel te laten toenemen.

10 1 2 68 1

Claims (38)

1. Proces voor de voortbrenging van een koude-kathodeveldemissie-inrichting welke de stappen omvat van: (A) het vormen van een gepatroneerde elektrode-laag op een diëlectricum ondersteunend substraat, 5 (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode-laag, (C) het vormen van een poortelektrode die is opgebouwd uit een eerste geleidende laag op de isolerende 10 tussenlaag, (D) het vormen van een openingsgedeelte, dat penetreert door ten minste de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, 15 (E) het vormen van een zijwand van een isole rend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het 20 openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepo-sitiewerkwij ze, (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde een emitterelektrode te vormen die gevormd is in de vorm van een kolom die is opgebouwd uit de tweede 25 geleidende laag in het openingsgedeelte, en (H) het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de zijwand, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en 30 waarin het scherphoekig gedeelte gevormd is van een oppervlak dat zich uitstrekt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put dat een 1012681 randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode.

2. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 1, waarin 5 in stap (H) ten minste een bovenste gedeelte van de zijwand verwijderd wordt, zodat geen zijwand aanwezig is op een denkbeeldig lijnsegment, dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en een randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte verbindt.

3. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 2, waarin een eindgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte uitsteekt over een bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsge-15 deelte.

4. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 1, waarin de stap (G) de stappen omvat van het vormen van een maskermateriaallaag over het gehele oppervlak; het ge- 20 deeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag achter te laten op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag teneinde in het openingsgedeelte 25 de emitterelektrode te vormen, die de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag en een scherphoekig gedeelte heeft dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt 30 in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak .

5. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 4, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities 35 waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

6. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 1, waarin 1012681 de stap (D) de stappen omvat van het vormen van een afdeklaag op de isolerende tussenlaag en de poortelektro-de door een lithografiewerkwijze; het vormen van een openingsgedeelte in de poortelektrode, waarbij gebruik 5 wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, en het vervolgens verder vormen van een openingsgedeelte in de isolerende tussenlaag onder het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, zodat het openingsge-10 deelte de elektrodelaag bereikt.

7. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 1, waarin na stap (C) het proces de stappen omvat van het vormen van een isolerende film op het gehele oppervlak en het 15 vervolgens vormen van een focuselektrode op de isolerende film, en stap (D) de stap omvat van het vormen van het openingsgedeelte, dat door de focuselektrode, de isolerende film, de poortelektrode en de isolerende tussenlaag 20 penetreert en een bodemgedeelte heeft waarin de poortelektrode blootgesteld wordt.

8. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting welke de stappen omvat van: (A) het vormen van een gepatroneerde elektrode-25 laag op een diëlectricum ondersteunend substraat, (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrodelaag, (C) het vormen van een poortelektrode die is 30 opgebouwd uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van een openingsgedeelte, dat penetreert door ten minste de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag 35 blootgesteld wordt, (E) het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak waaronder het oppervlak van de f0 1 2 68 f zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsge-deelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte 5 door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde een emitterelektrode te vormen die gevormd is in de vorm van een kolom en die is opgebouwd uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte, en 10 (H) het verwijderen van de isolerende materi aallaag, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte gevormd is van een oppervlak dat zich 15 uitstrekt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en een zij oppervlak van de emitterelektrode .

9. Proces voor de voortbrenging van een koude 20 kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 8, waarin de stap (G) de stappen omvat van het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag achter te laten op de tweede gelei-25 dende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag teneinde in het openingsgedeelte de emitterelektrode te vormen, die de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag en een 30 scherphoekig gedeelte heeft dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak .

10. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 9, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities 10 1 2 68 1 waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

11. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 8, waarin 5 de stap (D) de stappen omvat van het vormen van een afdeklaag op de isolerende tussenlaag en de poortelektro-de door een lithografiewerkwijze; het vormen van een openingsgedeelte in de poortelektrode, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, en het 10 vervolgens verder vormen van een openingsgedeelte in de isolerende tussenlaag onder het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, zodat het openingsgedeelte de elektrodelaag bereikt.

12. Proces voor de voortbrenging van koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal kathodevelde-missie-inrichtingen, 20 elk koude kathodeveldemissie-inrichting omvat tende : (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op 25 het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrodelaag, (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde poortelektrode, en (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de 30 elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte penetrerend door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: 35 (e) een tweede elektrodelaag en een fluoresce rende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitterelektrodes, waarbij het proces de stappen omvat van: 1012081 (A) het vormen van de gepatroneerde elektrode-laag op het diëlectricum ondersteunend substraat, (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode- 5 laag, (C) het vormen van een poortelektrode die is opgebouwd uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van het openingsgedeelte, dat 10 penetreert door ten minste de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, (E) het vormen van een zijwand van een isolerend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte 15 teneinde het eerste openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op het geheel oppervlak waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepo- 20 sitiewerkwijze, (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde de emitterelektrode te vormen die gevormd is in de vorm van een kolom en die opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte, 25 (H) het verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de zijwand, en (I) het bevestigen en met elkaar verbinden van het transparante substraat waarop de fluorescerende laag en de tweede elektrodelaag gevormd zijn en het diëlectri-30 cum ondersteunend substraat,waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale 35 gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en het zijoppervlak van de emitterelektrode. 10 1 2 68 1

13. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusie 12, waarin in stap (H) ten minste een bovenste gedeelte van de zijwand verwijderd wordt, zodat geen zijwand aanwezig 5 is op een denkbeeldig lijnsegment dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en een randgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte verbindt.

14. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusie 13, 10 waarin een eindgedeelte van het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte uitsteekt over een bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte.

15. Proces voor de voortbrenging van een koude 15 kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusies 12, waarin de stap (G) de stappen omvat van het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak, het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag achter te laten op de 20 tweede geleidende laag boven het openingsgedeelte dat gevormd is in de isolerende tussenlaag; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag teneinde in het openingsgedeelte de emitterelektrode te vormen, die de vorm heeft van een kolom, welke bestaat uit de tweede 25 geleidende laag en een scherphoekig gedeelte heeft dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak.

16. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusie 15, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaal-35 laag.

17. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusie 12, waarin stap (D) de stappen omvat van het vormen van een 1012681 afdeklaag op de isolerende tussenlaag en de poortelektrode door een lithografie-werkwijze; het vormen van een openingsgedeelte in de poortelektrode waarbij gebruik wordt gemaakt van een afdeklaag als etsmasker; en het 5 vervolgens verder vormen van een openingsgedeelte in de isolerende tussenlaag onder het in de poortelektrode gevormde openingsgedeelte waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, zodat het openingsgedeelte de elektrodelaag bereikt.

18. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissieweergeefeenheid volgens conclusie 12, waarin de koude kathodeveldemissie-inrichting verder omvat een focuselektrode boven de poortelektrode door een isolerende film, en 15 na stap (C) het proces de stappen omvat van het vormen van de isolerende film op het gehele oppervlak en het vervolgens vormen van de focuselektrode op de isolerende film, en de stap (D) de stap omvat van het vormen van 20 het openingsgedeelte, dat penetreert door de focuselek-trode, de isolerende film, de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft, waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt.

19. Proces voor de voortbrenging van een koude 25 kathodeveldemissie-weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathodeveldemissie- inricht ingen omvat, waarbij elk koude kathodeveldemissie-inrichting 30 omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode- 35 laag, (c) een op de isolerende tussenlaag gevormde poortelektrode, en 1012681 (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte dat penetreert door de poorte-lektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in 5 de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitterelektrodes, 10 waarbij het proces de stappen omvat van: (A) het vormen van de gepatroneerde elektrodelaag op het diëlectricum ondersteunend substraat, (B) het vormen van een isolerende tussenlaag op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode- 15 laag, (C) het vormen van een poortelektrode die is opgebouwd uit een eerste geleidende laag op de isolerende tussenlaag, (D) het vormen van het openingsgedeelte, dat 20 penetreert door ten minste de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt, (E) het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak waaronder het oppervlak van de 25 zijwand van het openingsgedeelte teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen, (F) het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, 30 (G) het etsen van de tweede geleidende laag teneinde de emitterelektrode te vormen die gevormd is in de vorm van een kolom en die opgebouwd is uit de tweede geleidende laag in het openingsgedeelte, (H) het verwijderen van de isolerende materi- 35 aallaag, en (I) het bevestigen en met elkaar verbinden van het transparante substraat waarop de fluorescerende laag en de tweede elektrodelaag gevormd zijn en het diëlectri- '1012 6 81 cum ondersteunend substraat, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte gevormd is van 5 een oppervlak dat zich uitstrekt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en een zijoppervlak van de emitterelektrode.

20. Proces voor de voortbrenging van een koude 10 kathodeveldemissie-weergeefeenheid volgens conclusie 19, waarin de stap (G) de stappen omvat van het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag achter te laten op de 15 tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag teneinde in het openingsgedeelte de emitterelektrode te vormen, die de vorm heeft van een kolom, opgebouwd is uit de tweede geleidende laag 20 en een scherphoekig gedeelte heeft dat gevormd is op het bovenoppervlak daarvan, en waarbij het scherphoekig gedeelte gevormd is van een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak.

21. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid volgens conclusie 20, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaal-30 laag.

22. Proces voor de voortbrenging van een koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid volgens conclusie 19, waarin de stap (D) de stappen omvat van het vormen van een afdeklaag op de isolerende tussenlaag en de poorte-35 lektrode door een lithografiewerkwijze; het vormen van een openingsgedeelte in de poortelektrode, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, en het vervolgens verder vormen van een openingsgedeelte 9012681 in de isolerende tussenlaag onder het in de poortelektro-de gevormde openingsgedeelte, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afdeklaag als een etsmasker, zodat het openingsgedeelte de elektrodelaag bereikt.

23. Koude kathodeveldemissie-inrichting omvat tende : (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op 10 het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode die gevormd is op de isolerende tussenlaag en die opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, en 15 (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, 20 waarbij de emitterelektrode nadat de poortelek trode gevormd is op de isolerende tussenlaag gevormd door het vormen van het openingsgedeelte, dat penetreert door ten minste de isolerende tussenlaag en dat het bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt; 25 het vormen van een zijwand van een isolerend materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte, teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een 30 fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van ten minste een bovenste gedeelte van de zijwand, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van 35 de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het 1012681 bovenoppervlak en het zijoppervlak van de emitterelektro-de.

24. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 23, waarin geen zijwand aanwezig is op een 5 denkbeeldig lijnsegment dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en een randgedeelte van het in de poor-telektrode gevormde openingsgedeelte verbindt.

25. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 24, waarin een eindgedeelte van het in de 10 poortelektrode gevormde openingsgedeelte uitsteekt over een bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte.

26. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusies 23, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd 15 wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en de emitterelektrode gevormd wordt, nadat de - 20 tweede geleidende laag gevormd is op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, door het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateri- 25 aallaag teneinde de maskermateriaallaag over te laten op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte, het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van ten minste het bovenste gedeelte van de zijwand.

27. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 26, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

28. Koude kathodeveldemissie-inrichting omvat tende : (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 1012 881 (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode-laag, (c) een poortelektrode die gevormd is op de 5 isolerende tussenlaag en die opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, en (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte dat penetreert door de poorte- 10 lektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij de emitterelektrode nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag gevormd door het vormen van het openingsgedeelte, dat penetreert door 15 ten minste de isolerende tussenlaag en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag geplaatst is; het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak waaronder het oppervlak van de zijwand van het openingsgedeelte, teneinde het openingsgedeelte in diame-20 ter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerk-wijze, en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd op het 25 bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het 30 bovenoppervlak en het zijoppervlak van de emitterelektrode .

29. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusies 28, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode en 35 waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en 1012681 de emitterelektrode gevormd wordt, nadat de tweede geleidende laag gevormd is op de isolerende mate-riaallaag en in het openingsgedeelte door fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, door het vormen van een 5 maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag over te laten op de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte, en het vervolgens etsen van de tweede 10 geleidende laag.

30. Koude kathodeveldemissie-inrichting volgens conclusie 29, waarin de tweede geleidende laag geëtst wordt onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de 15 maskermateriaallaag.

31. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid, die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathodeveldemissie-inrichtingen omvat, waarbij elk koude kathodeveldemissie-inrichting omvat: 20 (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrode-laag, 25 (c) een poortelektrode die gevormd is op de isolerende tussenlaag en die opgebouwd is uit een eerste geleidende laag, en (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte 30 van een openingsgedeelte dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluoresce- 35 rende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitterelektrodes, waarbij de emitterelektrode gevormd is, nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, 1012681 door het vormen van het openingsgedeelte, dat door ten minste de isolerende tussenlaag penetreert en dat een bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag blootgesteld wordt; het vormen van een zijwand van een isolerend 5 materiaal op de zijwand van het openingsgedeelte, teneinde het openingsgedeelte in diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijde van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerk-10 wijze; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag, waarbij een scherphoekig gedeelte gevormd op het bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak dat zich üit-15 spreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het bovenoppervlak en het zijoppervlak van de emitterelektrode .

32. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid 20 volgens conclusie 31, waarin geen zijwand aanwezig is op een denkbeeldig lijnsegment dat het bovenoppervlak van de emitterelektrode en een eindgedeelte van het in de poor-telektrode gevormde openingsgedeelte verbindt.

33. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid 25 volgens conclusie 32, waarin een eindgedeelte van het openingsgedeelte dat gevormd is in de poortelektrode uitsteekt over een bovenste eindgedeelte van het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte.

34. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid 30 volgens conclusie 33, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelektrode en het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en 35 waarbij de emitterelektrode gevormd wordt, nadat de tweede geleidende laag gevormd is op het gehele oppervlak waaronder de binnenzijdes van het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerk- klO 1 2 68 1 wijze, door het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag over te laten op de tweede geleidende laag boven het in de 5 isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; het etsen van de tweede geleidende laag; en het vervolgens verwijderen van ten minste het bovenste gedeelte van de zijwand.

35. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid 10 volgens conclusie 34, waarin de tweede geleidende laag geëtst is onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag.

36. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid, 15 die een aantal beeldpunten heeft, waarbij elk beeldpunt een aantal koude kathodeveldemissie-inrichtingen omvat, waarbij elk koude kathodeveldemissie-inrichting omvat: (a) een op een diëlectricum ondersteunend substraat gevormde gepatroneerde elektrodelaag, 20 (b) een isolerende tussenlaag die gevormd is op het diëlectricum ondersteunend substraat en de elektrodelaag, (c) een poortelektrode die gevormd is op de isolerende tussenlaag en die opgebouwd is uit een eerste 25 geleidende laag, en (d) een emitterelektrode die is geplaatst op de elektrodelaag die gepositioneerd is in een bodemgedeelte van een openingsgedeelte dat penetreert door de poortelektrode en de isolerende tussenlaag en dat gevormd is in 30 de vorm van een kolom, waarbij elk beeldpunt verder omvat: (e) een tweede elektrodelaag en een fluorescerende laag, gevormd op een transparant substraat tegenover de emitterelektrodes, 35 waarbij de emitterelektrode gevormd is, nadat de poortelektrode gevormd is op de isolerende tussenlaag, door het vormen van het openingsgedeelte, dat door ten minste de isolerende tussenlaag penetreert en dat een «10 1 2 6 8 1 Ill bodemgedeelte heeft waarin de elektrodelaag geplaatst is; het vormen van een isolerende materiaallaag op het gehele oppervlak waaronder het oppervlakte van de zijwand van het openingsgedeelte, teneinde het openingsgedeelte in 5 diameter te verkleinen; het vormen van een tweede geleidende laag op de isolerende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampde-positiewerkwijze; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag, een scherphoekig gedeelte gevormd op het 10 bovenoppervlak van de emitterelektrode door het etsen van de tweede geleidende laag en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een oppervlak dat zich uitspreidt vanaf een in het centrale gedeelte van het bovenoppervlak gevormde put tot aan een randgedeelte van het 15 bovenoppervlak en het zijoppervlak van de emitterelektrode .

37. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid volgens conclusie 36, waarin een scherphoekig gedeelte gevormd wordt op het bovenoppervlak van de emitterelek- 20 trode en waarin het scherphoekig gedeelte opgebouwd is uit een uiteinde-eindoppervlak dat uitsteekt in de richting van het centrale gedeelte van het bovenoppervlak, en waarbij de emitterelektrode gevormd wordt, nadat de tweede geleidende laag gevormd is op de isole-25 rende materiaallaag en in het openingsgedeelte door een fysieke of chemische dampdepositiewerkwijze, door het vormen van een maskermateriaallaag op het gehele oppervlak; het gedeeltelijk verwijderen van de maskermateriaallaag teneinde de maskermateriaallaag over te laten op 30 de tweede geleidende laag boven het in de isolerende tussenlaag gevormde openingsgedeelte; en het vervolgens etsen van de tweede geleidende laag.

38. Koude kathodeveldemissie-weergeefeenheid volgens conclusie 37, waarin de tweede geleidende laag 35 geëtst is onder condities waarin de etssnelheid van de tweede geleidende laag groter is dan de etssnelheid van de maskermateriaallaag. 1012681