NL1007843C2 - Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel en werkwijze voor het vervaardigen er van. - Google Patents

Description

P j

Titel: Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in 1 een optisch projectiestelsel en werkwijze voor het vervaardigen er van.

Achtergrond van de uitvinding 1. Gebied van de uitvinding 5 De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel en op een werkwijze voor het vervaardigen er van, en meer in het bijzonder op een door een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een 10 optisch projectiestelsel voor het voorkomen van een verkeerde werking van een aandrijver wegens een fotolekstroom die wordt veroorzaakt door invallend licht en op een werkwijze voor het vervaardigen er van.

In het algemeen worden lichtmodulatoren verdeeld in 15 twee groepen al naar gelang hun optica. Het ene type is een direkte· lichtmodulator zoals een kathodestraalbuis (CRT) en het andere type is een doorlatende lichtmodulator zoals een vloeibaar kristalscherm (LCD). De CRT brengt beelden van superieure kwaliteit voort op een scherm maar het gewicht, 20 volume en de vervaardigingskosten van de CRT nemen toe naarmate het scherm groter wordt. De LCD heeft een eenvoudige optische structuur zodat het gewicht en het volume van de LCD minder zijn dan die van de CRT. De LCD heeft echter een gering lichtrendement van minder dan 1-2%, 25 omdat het invallende licht gepolariseerd is. Ook zijn er enkele problemen met betrekking tot de vloeibare kristalmaterialen van de LCD zoals een trage responsie en oververhitting.

Derhalve zijn een digitale spiegelinrichting en 30 aangedreven spiegelreeksen ontwikkeld om deze problemen op te lossen. De digitale spiegelinrichting heeft een lichtrendement van ongeveer 5% terwijl de aangedreven spiegelreeks een lichtrendement van meer dan 10% heeft. De 2 aangedreven spiegelreeks verhoogt het contrast van een beeld dat op een scherm wordt geprojecteerd zodat het beeld duidelijker en helderder is. De aangedreven spiegelreeks wordt niet beïnvloed door de polarisatie van de invallende 5 lichtstraling. Ook beïnvloedt de aangedreven spiegelreeks niet de polarisatie van gereflecteerd licht. Derhalve is de aangedreven spiegelreeks efficiënter dan de LCD of de digitale spiegelinrichting.

Fig. 1 toont een schematisch diagram van een 10 motorstelsel van een gebruikelijke aangedreven spiegelreeks, zoals beschreven in het Amerikaanse octrooischrift Nr. 5.126.836. Onder verwijzing naar fig. 1 gaat licht dat invalt vanuit de lichtbron 1 door een eerste spleet 3 en een eerste lens 5 en wordt verdeeld in rood, groen en blauw 15 licht volgens het rood-groen-blauw (R-G-B) stelsel voor het weergeven van kleuren. Nadat het verdeelde rode, groene en blauwe licht respectievelijk is gereflecteerd door een eerste spiegel 7, een tweede spiegel 9 en een derde spiegel 11 valt het gereflecteerde licht respectievelijk in op 20 aangedreven spiegelreeksinrichtingen 13, 15 en 17 die corresponderen met de spiegels 7, 9 en 11. De aangedreven spiegelreeksinrichtingen 13, 15 en 17 kantelen respectievelijk de spiegels die daarin zijn aangebracht, zodat de lichtstralen die invallen worden gereflecteerd 25 door de spiegels. In dit geval worden de spiegels die zijn aangebracht in de aangedreven spiegelreeksinrichtingen 13, 14 en 17 gekanteld al naar gelang de vervorming van actieve lagen die onder de spiegels zijn gevormd. De lichtstralen die worden gereflecteerd door de aangedreven spiegelreeks-30 inrichtingen 13, 15 en 17 gaan door een tweede lens 19 en een tweede spleet 21 en vormen een beeld op een scherm (niet getekend) door middel van een projectielens 23.

In de meeste gevallen wordt ZnO gebruikt als materiaal dat de actieve laag vormt. Er is echter gebleken 35 dat loodzirconaattitanaat (PZT:Pb(Zr,Ti)03) betere piëzo-elektrische eigenschappen heeft dan ZnO. PZT is een 1 Λ f: "7 0/10 b ‘-J f V.· “T v/ 3 volledig vaste oplossing vervaardigd uit loodzirconaat (PbZr03) en loodtitanaat (PbTi03) . Bij hoge temperaturen bestaat PZT in een para-elektrische fase waarvan de kristalstructuur cubisch is. Bij kamertemperatuur bestaat 5 PZT in een antiferro-elektrische fase waarvan de kristalstructuur orthorhombisch is en in een ferro-elektrische fase waarvan de kristalstructuren rhombohedraal of tetragonaal zijn al naar gelang de samenstellingsverhouding van Zr en Ti.

10 PZT heeft een morfotrope fasegrens van de te tragonale fase en de rhombohedrale fase waar de samenstellingsverhou-ding van Zr en Ti 1:1 is. PZT heeft maximale dielektrische eigenschappen en piëzo-elektrische eigenschappen bij de morfotrope fasegrens. De morfotrope 15 fasegrens ligt niet in een specifieke samenstellingsverhouding maar ligt over een betrekkelijk breed gebied waar de tetragonale fase en de rhombohedrale fase samen bestaan. Het fase-coëxistente gebied PZT wordt verschillend vermeld afhankelijk van de onderzoekers.

20 Verschillende theorieën zoals thermo-dynamische stabiliteit, compositie-fluctuatie en inwendige spanningen zijn voorgesteld als de reden voor het fase-coëxistente gebied. Tegenwoordig kan een dunne PZT film worden vervaardigd door verschillende processen zoals een 25 spinbekledingswerkwijze, een chemische opdampings(CVD) werkwijze of een kathode-verstuivingswerkwijze.

De aangedreven spiegelreeks wordt in het algemeen verdeeld in een aangedreven spiegelreeks van het bulktype en een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype. De 30 aangedreven spiegelreeks van het bulktype wordt beschreven in het Amerikaanse octrooischrift Nr. 5.469.302. De aangedreven spiegelreeks van het bulktype wordt als volgt gevormd. Een keramische wafel met een multilaag-keramiek waarbij metaal^lektroden zijn ingebracht wordt gemonteerd 35 op een actieve matrix met transistoren. Na het zagen van de keramische wafel wordt een spiegel gemonteerd op de 1 017 84 3 4 keramische wafel. De aangedreven spiegelreeks van het bulktype heeft echter enkele nadelen doordat een zeer nauwkeurige werkwijze en ontwerp zijn vereist en de responsie van een actieve laag langzaam is. De aangedreven 5 spiegelreeks van het dunne filmtype die kan worden vervaardigd met gebruikmaking van halfgeleider-vervaardigingstechnologie is derhalve ontwikkeld.

De aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype wordt beschreven in de nog hangende Amerikaanse 10 octrooiaanvrage serie Nr. 08/602.928 getiteld "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM".

Fig. 2 toont een dwarsdoorsnede van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype. Onder verwijzing naar 15 fig. 2 heeft de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype een actieve matrix 60 en een aandrijver 90 die is gevormd op de actieve matrix 60. De actieve matrix 60 heeft een substraat 50 met Μ x N (Μ, N zijn gehele getallen) transistoren (niet getekend), Μ x N (Μ, N zijn gehele 20 getallen) verbindingsaansluitingen 53 die respectievelijk zijn gevormd op de transistoren, een passiveringslaag 56 die is gevormd op het substraat 50 en op de verbindings-aansluiting 53 en een etsstoplaag 59 die is gevormd op de passiveringslaag 56.

25 De aandrijver 90 heeft een ondersteuningslaag 68, een eerste elektrode 71, een actieve laag 74, een tweede elektrode 77 en een doorgaand contact 80. De ondersteuningslaag 68 heeft een eerste deel dat is bevestigd aan de etsstoplaag 59 waaronder de verbindingsaansluiting 53 is 30 gevormd. Ook heeft de etsstoplaag 59 een tweede deel dat parallel gevormd is boven de bodem van de actieve matrix 60. Het eerste deel van de ondersteuningslaag wordt een anker 68a genoemd. Een luchtspleet 65 is aangebracht tussen het tweede deel van de ondersteuningslaag 68 en de etsstop-35 laag 59. De eerste elektrode 71 wordt gevormd op de ondersteuningslaag 68, de actieve laag 74 wordt gevormd op de •ï A f\ *7 O A O.

% \J 0 I O *4 v/ i 5 ! j eerste elektrode 71 en de tweede elektrode 77 wordt gevormd j op de actieve laag 74. Het doorgaande contact 80 wordt gevormd vanuit een deel van de actieve laag 74 waaronder de verbindingsaansluiting 53 wordt gevormd met de verbindings-5 aansluiting 53. Het doorgaand contact 80 verbindt de eerste elektrode 71 met de verbindingsaansluiting 53.

Een vervaardigingswerkwijze voor de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype zal in het onderstaande worden beschreven.

10 Fig. 3A-3D geven de vervaardigingsstappen weer van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype, getoond in fig. 2. In fig. 3A-3D worden dezelfde verwijzingscijfers gebruikt voor dezelfde elementen als in fig. 2.

Onder verwijzing naar fig. 3A is een substraat 50 15 getoond waarin Μ x N transistoren (niet getekend) zijn gemonteerd en Μ x N verbindingsaansluitingen 53 zijn aangebracht die respectievelijk zijn gevormd op de transistoren. Vervolgens wordt een passiveringslaag 56 gevormd op de verbindingsaansluiting 53 en het substraat 20 50. De passiveringslaag 56 wordt gevormd met gebruikmaking van een fosfor-silicaatglas (PSG) en met gebruikmaking van een chemische opdampings(CVD)werkwijze zodat de passiveringslaag 56 een dikte heeft tussen 0,1 μπι en 2,0 μτη. De passiveringslaag 56 beschermt het substraat 50 25 met de transistoren gedurende de daarop volgende vervaardigingsstappen .

Een actieve matrix 60 wordt voltooid nadat een etsstoplaag 59 is gevormd op de passiveringslaag 59. De actieve matrix 60 omvat het substraat 50, de verbindings-30 aansluiting 53, de passiveringslaag 56 en de etsstoplaag 59. De etsstoplaag 59 wordt gevormd met gebruikmaking van nitride en een chemisch opdampingsproces zodat de etsstoplaag 59 een dikte heeft tussen 1000 A en 2000 A. De etsstoplaag 59*voorkomt dat de passiveringslaag 56 en het 35 substraat 50 worden geëtst gedurende de daarop volgende etsstappen.

1007943 6

Een opofferingslaag 62 wordt gevormd op de etsstop-laag 59. De opofferingslaag 62 wordt gevormd door gebruikmaking van een fosfor-silicaatglas en door een chemische opdampingswerkwijze zodat de opofferingslaag 62 een dikte 5 heeft tussen 1,0 μιιι en 2,0 μιη. In dit geval is de vlakheid van het oppervlak van de opofferingslaag 62 gering omdat de opofferingslaag 62 het substraat 50 met de transistoren bedekt. Derhalve wordt het oppervlak van de opofferingslaag 62 vlak gemaakt met gebruikmaking van een spin op glas 10 (SOG) of door een chemisch-mechanische polijsting.

Vervolgens wordt de opofferingslaag 55 gedessineerd om een deel van de etsstoplaag 59 vrij te geven waar de verbindingsaansluiting 53 daaronder wordt gevormd. Een anker 68a zal worden gevormd op het vrijgegeven deel van de 15 etsstoplaag 59.

Onder verwijzing naar fig. 3B wordt een eerste laag 67 gevormd op het vrijgegeven deel van de etsstoplaag 59 en op de opofferingslaag 62. De eerste laag 67 wordt gevormd met gebruikmaking van nitride. De eerste laag 67 wordt 20 gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze of een CVD-werkwijze zodat de eerste laag 67 een dikte heeft tussen 0,1 μιη en 2,0 μτη. Een eerste elektrodelaag 70 wordt gevormd op de eerste laag 67 met gebruikmaking van een metaal zoals platina of tantaal of door een kathodeverstuivingswerkwijze 25 of een CVD-werkwijze zodat de eerste elektrodelaag 70 een dikte heeft tussen 0,1 μιη en 1,0 μτη. Vervolgens wordt de eerste elektrodelaag 70 iso-afgesneden om afzonderlijk een eerste signaal (beeldstroomsignaal) aan te leggen aan elke pixel die de eerste elektrodelaag 70 bevat.

30 Een tweede laag 73 wordt gevormd op· de eerste elektrodelaag 70 met gebruikmaking van een piëzo-elektrisch materiaal. Zoals loodzirconaattitanaat (PZT) of een elektrostrictie materiaal zoals loodmagnesiumniobaat (PMN). De tweede laag,73 wordt gevormd door een sol-gel werkwijze, 35 een kathodeverstuivingswerkwijze of een CVD-werkwijze zodat de tweede laag 73 een dikte heeft tussen 0,1 μιη en 1,0 μτη.

£ 0 Ü 7 Ö 4 3 7

Een tweede elektrodelaag 76 wordt gevormd op de tweede laag 73 met gebruikmaking van een metaal zoals aluminium of zilver en door een kathodeverstuivingswerkwijze of een CVD-werkwijze zodat de tweede elektrodelaag 73 een dikte heeft 5 tussen 0,1 μιη en 1,0 μτη.

Onder verwijzing naar fig. 3C worden de tweede elektrodelaag 76, de tweede laag 73 en de eerste elektrodelaag 70 respectievelijk gedessineerd om een tweede elektrode 77, een actieve laag 74 en een eerste elektrode 10 71 te vormen. Derhalve worden Μ x N pixels met vooraf- bepaalde afmetingen gevormd. Een deel van de actieve laag 74 wordt vrijgegeven door het etsen van een deel van de tweede elektrode 77 waar de verbindingsaansluiting 53 daaronder wordt gevormd. Delen van de actieve laag 74, de 15 eerste elektrode 71, de eerste laag 67, de etsstoplaag 59 en de passiveringslaag 56 worden geëtst. Vervolgens wordt een doorgaande opening 79 gevormd uit het vrijgegeven deel van de actieve laag 74 naar de verbindingsaansluiting 53.

Onder verwijzing naar fig. 3D wordt een doorgaand 20 contact 80 gevormd in de doorgaande opening 79 door het vullen van de doorgaande opening 79 met een elektrisch geleidend materiaal, bijvoorbeeld wolfraam. Het doorgaande contact 80 wordt gevormd door een kathodeverstuivings-werkwijze of een CVD-werkwijze. Het doorgaande contact 80 25 verbindt de verbindingsaansluiting 53 met de eerste elektrode 71. Het eerste signaal dat van buiten wordt overgedragen wordt aangelegd aan de eerste elektrode 71 via de transistor, de verbindingsaansluiting 53 en het doorgaande contact 80. Een tweede signaal (instelstroom-30 signaal) dat van buiten wordt overgedragen wordt aangelegd aan de tweede elektrode 77 via een gemeenschappelijke lijn (niet getekend). Derhalve wordt een elektrisch veld opgewekt tussen de tweede elektrode 77 en de eerste elektrode 71. De actieve laag 74 die wordt gevormd tussen 35 de tweede elektrode 77 en de eerste elektrode 71 wordt gevormd door het elektrische veld. De actieve laag 74 wordt ! u f.! 4 3 8 vervormd in een richting loodrecht op het elektrische veld, zodat de aandrijver 90 die de actieve laag 74 omvat opwaarts met een voorafbepaalde hoek wordt aangedreven. De tweede elektrode 77 wordt ook opwaarts gekanteld en de 5 tweede elektrode 77 reflecteert het licht dat invalt uit de lichtbron (niet getekend) met een voorafbepaalde hoek.

Vervolgens wordt de eerste laag 69 gedessineerd om een ondersteuningslaag 68 te vormen voor het ondersteunen van de aandrijver 90. Een deel van de ondersteuningslaag 68 10 wordt gehecht aan de etsstoplaag 59 waar de verbindings-aansluiting 53 daaronder wordt gevormd. Het aangehechte deel van de ondersteuningslaag 68 wordt ook een anker 68a genoemd. Nadat de opofferingslaag 62 is verwijderd met gebruikmaking van waterstoffluoridedamp, worden de pixels 15 schoongemaakt en gedroogd om de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype te voltooien.

In de boven beschreven aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype wordt echter het licht dat invalt vanuit een lichtbron geprojecteerd op de tweede elektrode 77 20 evenals het andere gebied behalve de tweede elektrode 77. Derhalve stroomt een fotolekstroom die wordt veroorzaakt door de invallende lichtstromen door de actieve matrix 60. Vanwege de fotolekstroom heeft de aandrijver 90 een verkeerde werking alvorens het eerste signaal wordt 25 aangelegd of wanneer de aandrijver 90 wordt aangedreven.

Samenvatting van de uitvinding

De uitvinding is derhalve bedoeld om de boven-30 genoemde problemen op te lossen. Het is een doel van de uitvinding om te voorzien in een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel om een verkeerde werking van een aandrijver te voorkomen, te wijten aan een'fotolekstroom die wordt veroorzaakt door 35 invallend licht, en op een werkwijze voor het vervaardigen ervan.

! 0Π7 Q.A o ^ H v,.i 9

Het is ook een ander doel van de onderhavige uitvinding om te voorzien in een werkwijze voor het vervaardigen van bovengenoemde aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel. i 5 Om het bovengenoemde eerste doel te bereiken is voorzien volgens de onderhavige uitvinding in een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype, omvattende een substraat, een eerste metaallaag gevormd op het substraat, een eerste passiveringslaag gevormd op de 10 elektrische bedrading en op de eerste metaallaag, een tweede metaallaag gevormd op de eerste passiveringslaag, een aandrijver, en een reflectie-onderdeel. Het substraat heeft een elektrische bedrading voor het ontvangen van een eerste signaal van buiten en het overdragen van het eerste 15 signaal. Het eerste metaal heeft een verbindingsaansluiting die is verbonden met de elektrische bedrading en daardoor het eerste signaal overdraagt. De eerste passiveringslaag beschermt het substraat met de elektrische bedrading en de verbindingsaansluiting. De tweede metaallaag voorkomt een 20 fotolekstroom die wordt veroorzaakt door licht dat invalt vanuit een lichtbron. De aandrijver omvat een ondersteuningslaag die wordt gevormd op de tweede metaallaag, een bodemelektrode die wordt gevormd op de eerste laag voor het ontvangen van het eerste signaal, een 25 bovenste elektrode die correspondeert met de bodemelektrode voor het ontvangen van het tweede signaal en het opwekken van een elektrisch veld tussen de bovenste elektrode en de bodemelektrode, en een actieve laag die wordt gevormd tussen de bovenelektrode en de bodemelektrode en wordt 30 vervormd door het elektrische veld. Ook omvat de aandrijver een gemeenschappelijke lijn voor het aanleggen van het tweede signaal aan de bovenste elektrode. De gemeenschappelijke lijn wordt gevormd op een deel van de aandrijver en is verbonden met de bovenste elektrode.

35 Een tweede passiveringslaag kan worden gevormd op de tweede metaallaag voor het beschermen van de tweede metaal- '007343 10 laag. Een etsstoplaag wordt gevormd op de tweede passiveringslaag voor het beschermen van de tweede passiveringslaag. De tweede passiveringslaag kan worden gevormd met gebruikmaking van een fosfor-silicaatglas en de 5 etsstoplaag kan worden gevormd met gebruikmaking van een nitride. De gemeenschappelijke lijn kan worden gevormd met gebruikmaking van een elektrisch geleidend metaal.

Bij voorkeur heeft de tweede metaallaag voorts een eerste adhesielaag, die is gevormd op de eerste 10 passiveringslaag en een eerste grenslaag die is gevormd op de eerste adhesielaag. De eerste adhesielaag wordt gevormd met gebruikmaking van titanium en de eerste grenslaag wordt gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride. Een eerste opening wordt gevormd in een deel van de tweede metaallaag • 15 waaronder de verbindingsaansluiting wordt gevormd.

Een derde metaallaag kan worden gevormd op de tweede metaallaag om een fotolekstroom te voorkomen die wordt veroorzaakt door het licht dat invalt vanuit de lichtbron. Een derde passiveringslaag kan worden gevormd op de derde 20 metaallaag voor het beschermen van de derde metaallaag. Bij voorkeur heeft de derde metaallaag een tweede adhesielaag die wordt gevormd op de tweede metaallaag en een tweede grenslaag die wordt gevormd op de tweede adhesielaag. De tweede adhesielaag kan worden gevormd met gebruikmaking van 25 titanium en de tweede grenslaag kan worden gebruikt met gebruikmaking van titaniumnitride. Een tweede opening wordt gevormd in een deel van de derde metaallaag waaronder de verbindingsaansluiting wordt gevormd.

Om het bovengenoemde tweede doel te bereiken is 30 volgens de onderhavige uitvinding voorzien in een werkwijze voor het vervaardigen van een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype, omvattende: het verschaffen van een substraat met een elektrische bedrading voor het ontvangen van het eerste 35 signaal van buiten en het overdragen van het eerste signaal; 1007843 11 het vormen van een eerste metaallaag op het !

substraat, waarbij de eerste metaallaag een verbindings- J

aansluiting heeft, die is verbonden met de elektrische bedrading voor het overdragen van het eerste signaal; 5 het vormen van een eerste passiveringslaag op de elektrische bedrading en op de eerste metaallaag, waarbij de eerste passiveringslaag het substraat met de elektrische bedrading en de verbindingsaansluiting beschermt; het vormen van een tweede metaallaag op de eerste 10 passiveringslaag om een fotolekstroom die wordt veroorzaakt door invallend licht te voorkomen; het vormen van een tweede passiveringslaag op de tweede metaallaag voor het beschermen van de tweede metaallaag; 15 het vormen van een eerste laag op de tweede passiveringslaag; het vormen van een bodemelektrodelaag op de eerste laag en het dessineren van de bodemelektrodelaag om een bodemelektrode te vormen voor het opvangen van een eerste 20 signaal; het vormen van een tweede laag en een bovenste elektrodelaag op de bodemelektrode; het vormen van een aandrijver door het dessineren van de bovenste elektrodelaag om een bovenste elektrode te 25 vormen voor het ontvangen van het tweede signaal en het opwekken van een elektrisch veld, door het dessineren van de tweede laag om een actieve laag te vormen die wordt vervormd door het elektrische veld, en door het dessineren van de eerste laag om een ondersteuningslaag onder de 30 bodemelektrode te vormen; en het vormen van een reflectie-onderdeel voor het reflecteren van licht op de bovenste elektrode van de aandrijver.

Bij voofkeur omvat het vormen van de tweede 35 metaallaag voorts het vormen van een eerste adhesielaag op de eerste passiveringslaag met gebruikmaking van titanium i i: u i b4 λ 12 en door een kathodeverstuivingswerkwijze en het vormen van een eerste grenslaag op de eerste adhesielaag met gebruikmaking van titaniumnitride en door een fysische opdampings-werkwijze. Ook omvat het vormen van een tweede metaallaag 5 voorts het vormen van een opening door het etsen van een deel van de tweede metaallaag waaronder de verbindings-aansluiting wordt gevormd.

Derhalve kan in de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de 10 onderhavige uitvinding licht dat invalt vanuit een lichtbron worden uitgesloten door de tweede metaallaag. Alvorens derhalve een eerste signaal en een tweede signaal respectievelijk worden aangelegd aan de bodemelektrode en bovenste elektrode, kan een verkeerde werking van een 15 aandrijver die te wijten is aan een fotolekstroom die wordt veroorzaakt door licht dat invalt vanuit de lichtbron worden voorkomen.

Korte beschrijving van de tekeningen 20

De uitvinding zal aan de hand van de tekening en de beschrijving in het volgende nader worden toegelicht.

Fig. 1 is een schematisch aanzicht van een motorstelsel van een gebruikelijke aangedreven spiegel-25 reeks; fig. 2 is een dwarsdoorsnede en toont een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel zoals beschreven in een eerdere aanvrage van aanvraagster; 30 fig. 3A-3D geven de vervaardigingsstappen weer van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel dat is weergegeven in fig. 2; fig. 4 is een bovenaanzicht en toont een aangedreven spiegelreeks v^n het dunne filmtype volgens een eerste 35 uitvoeringsvorm van de uitvinding;

I : · A Q

8 U ‘J - . -i O

13 I

i fig. 5 is een perspectivisch aanzicht en toont de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel in fig. 4; fig. 6 is een dwarsdoorsnede volgens de lijn Aj-A2 5 van fig. 5; fig. 7 is een dwarsdoorsnede langs de lijn B1-B2 van fig. 5; fig. 8A-11B tonen de vervaardigingsstappen van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een 10 optisch projectiestelsel volgens een eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; fig. 12A en 12B zijn dwarsdoorsneden van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een tweede uitvoeringsvorm 15 van de onderhavige uitvinding; fig. 13A en 13B geven de vervaardigingsstappen weer van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; 20 fig. 14A en 14B zijn dwarsdoorsneden van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een derde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; en fig. 15A en 15B geven de vervaardigingsstappen weer 25 van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een derde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

Gedetailleerde beschrijving van de uitvinding 30

Hierna zullen voorkeursuitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding worden besproken in meer detail onder verwijzing naar de begeleidende tekeningen.

* / 1007843 14

Uitvoeringavorm 1

Fig. 4 is een bovenaanzicht en toont een aangedreven 5 spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding. Fig. 5 is een perspectivisch aanzicht en toont de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel in fig. 4. Fig. 6 is een 10 dwarsdoorsnede langs de lijn A1-A2 van fig. 5 en fig. 7 is een dwarsdoorsnede langs de lijn B^B;, van fig. 5.

Onder verwijzing naar fig. 4 en 5 heeft de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de onderhavige 15 uitvoeringsvorm een substraat 100, een aandrijver 200 die gevormd is op het substraat 100 en een reflectie-onderdeel 190 dat is aangebracht op de aandrijver 200.

Onder verwijzing naar fig. 6 heeft het substraat 100 een elektrische bedrading 105, een eerste metaallaag 115 20 die gevormd is op de elektrische bedrading 105, een eerste passiveringslaag 120 die is gevormd op de elektrische bedrading 105 en op de eerste metaallaag 115, een tweede metaallaag 125 die gevormd is op de eerste passiveringslaag 120, een tweede passiveringslaag 130 die gevormd is op de 25 tweede metaallaag 125 en een etsstoplaag 140 die is gevormd op de tweede passiveringslaag 130. De elektrische bedrading 105 ontvangt een eerste signaal van buiten en draagt het eerste signaal over. Bij voorkeur heeft de elektrische bedrading 105 een metaaloxydehalfgeleider (MOS) transistor 30 voor schakelwerking. De eerste metaallaag 115 omvat een verbindingsaansluiting 110 die is verbonden met de elektrische bedrading 105. De verbindingsaansluiting 110 draagt het eerste signaal over naar de aandrijver 200. De eerste passiveringslaag 120 beschermt het substraat 100 met 35 de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110. De tweede passiveringslaag 130 beschermt de tweede 10 0 7 c 4.3 15 metaallaag 125. De etsstoplaag 140 voorkomt dat de tweede passiveringslaag 130 wordt geëtst gedurende de volgende etsstappen. De tweede metaallaag 125 heeft een eerste adhesielaag 126 die wordt gevormd met gebruikmaking van 5 titanium en een eerste grenslaag 127 die wordt gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride. Een eerste opening 128 wordt gevormd in de tweede metaallaag 125 waar de verbindingsaansluiting 110 wordt gevormd. De eerste opening 128 isoleert de tweede metaallaag 125 van een bodem-10 elektrode 155 en een bovenste elektrode 165.

De aandrijver 200 heeft een ondersteuningslaag 150 met een eerste deel dat is bevestigd aan een deel van de etsstoplaag 140 met daaronder de verbindingsaansluiting 110 en een tweede deel dat parallel boven de etsstoplaag 140 is 15 gevormd, een bodemelektrode 155 die is gevormd op de ondersteuningslaag 150, een actieve laag 160 die is gevormd op de bodemelektrode 155, een bovenste elektrode 165 die is gevormd op de actieve laag 160, een gemeenschappelijke elektrode 166 die is gevormd op een deel van het eerste 20 deel van de ondersteuningslaag 150 en een kolom 185 die is gevormd op een deel van de bovenste elektrode 165. Een luchtspleet 195 bevindt zich tussen de etsstoplaag 140 en het tweede deel van de ondersteuningslaag 150. De gemeenschappelijke elektrode 166 is verbonden met de 25 bovenste elektrode 165. Het reflecterende onderdeel 190 wordt ondersteund door de kolom 185 zodat het reflecterende onderdeel parallel wordt gevormd boven de bovenste elektrode 165.

Onder verwijzing naar fig. 7 heeft de aandrijver 200 30 voorts een doorgaand contact 175 dat wordt gevormd vanuit het doorgaande contact 175 naar de bodemelektrode 155. De doorgaande opening 170 wordt gevormd uit een deel van het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 naar de verbindingsaansluiting 110. De bodemelektrode 155 is 35 verbonden met het doorgaande contact 175 via het verbindingsonderdeel 176. Derhalve wordt het eerste / Λ Λ 7 Q Λ 0; 16 signaal, dat een beeIdstroomsignaal is, aangelegd aan de bodem-elektrode 155 van buiten via de elektrische bedrading 105, de verbindingsaansluiting 110, het doorgaande contact 175 en het verbindingsonderdeel 176. Wanneer een tweede 5 signaal dat een instelstroomsignaal is wordt aangelegd aan de bovenste elektrode 165 van buiten via de gemeenschappelijke lijn 166, wordt een elektrisch veld opgewekt tussen de bovenste elektrode 165 en de bodemelektrode 155. Derhalve wordt de actieve laag 160 die 10 wordt gevormd tussen de bovenste elektrode 165 en de bodemelektrode 155 vervormd door het elektrische veld.

De öndersteuningslaag 150 heeft een T-vorm en de bodemelektrode 155 heeft een rechthoekige vorm. De bodemelektrode 155 is gevormd op een centraal deel van de 15 öndersteuningslaag 150. De actieve laag 160 heeft een rechthoekige vorm die kleiner is dan de bodemelektrode 155 en de bovenste elektrode 165 heeft een rechthoekige vorm die kleiner is dan de actieve laag 160.

Een werkwijze voor het vervaardigen van de 20 aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding zal nu worden beschreven.

Fig. 8A en 8B geven de toestanden weer waarin een eerste laag 149 wordt gevormd.

25 Onder verwijzing naar fig. 8A en 8B is het substraat 110 voorzien van de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110. Bij voorkeur bestaat het substraat 100 uit een halfgeleider zoals silicium (Si). De elektrische bedrading 105 ontvangt het eerste signaal 30 (beeldstroomsignaal) en draagt het eerste signaal over naar de bodemelektrode 155. Bij voorkeur heeft de elektrische bedrading 105 MOS transistoren voor het schakelen.

Vervolgens worden titanium, titaniumnitride of wolfraam neergeslagen op de elektrische bedrading 105 en 35 het substraat 100 en worden gedessineerd om de eerste metaallaag 115 te vormen. De eerste metaallaag 115 heeft de l Ü l; .. O 4 'ó 17 verbindingsaansluiting 110 verbonden met de elektrische bedrading 105 en draagt het eerste signaal over naar de bodemelektrode 155.

De eerste passiveringslaag 120 is gevormd op de 5 eerste metaallaag 115 met het substraat 100 en de verbindingsaansluiting 110. De eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd door gebruikmaking van fosfor-silicaatglas (PSG). De eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd door een chemische opdamp (CVD) werkwijze zodat de eerste 10 passiveringslaag 120 een dikte heeft van ongeveer 8000 A tot 9000 A. De eerste passiveringslaag 120 beschermt het substraat 100 dat de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110 omvat gedurende de daarop volgende vervaardigingsstappen.

15 De tweede metaallaag 125 wordt gevormd door de eerste passiveringslaag 120. Om de tweede metaallaag 125 te vormen wordt eerst de eerste adhesielaag 126 gevormd met gebruikmaking van titanium. De eerste adhesielaag 126 wordt gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze zodat de 20 eerste adhesielaag 126 een dikte heeft tussen ongeveer 300 A en 500 A. Vervolgens wordt de eerste grenslaag 127 gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride op de eerste adhesielaag 120. De eerste grenslaag 127 wordt gevormd door een fysische opdampwerkwijze zodat de eerste grenslaag 127 25 een dikte heeft tussen ongeveer 1000 A en 1200 A. De tweede metaallaag 125 sluit het licht dat op het substraat 100 valt uit zodat de tweede metaallaag 125 voorkomt dat een fotolekstroom stroomt door het substraat 100. Daarna wordt een deel van de tweede metaallaag 125 met de verbindings-30 aansluiting 110 er onder geëtst om de eerste opening 128 te vormen. De eerste opening 128 isoleert de bodemelektrode 155 en de bovenste elektrode 165 van de tweede metaallaag 125.

De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd op de 35 tweede metaallaag 125 en op de eerste opening 128. De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd met gebruikmaking ,007843 18 van fosfor-silicaatglas. De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd door een chemische opdampwerkwijze zodat de tweede passiveringslaag 130 een dikte heeft tussen ongeveer 2000 A en 2500 A. De tweede passiveringslaag 130 beschermt 5 de tweede metaallaag 125 gedurende daarop volgende vervaar-digingsstappen.

De etsstoplaag 140 wordt gevormd op de tweede passiveringslaag 130 met gebruikmaking van nitride zodat de etsstoplaag 140 een dikte heeft tussen ongeveer 1000 A en 10 2000 A. De etsstoplaag 140 wordt gevormd door een lage druk chemische opdampwerkwijze. De etsstoplaag 140 beschermt de tweede passiveringslaag 130 gedurende daarop volgende ets-stappen.

Een eerste opofferingslaag 145 wordt gevormd op de 15 etsstoplaag 140 met gebruikmaking van fosfor-silicaatglas zodat de eerste opofferingslaag 145 een dikte heeft tussen ongeveer 2,0 μπι en 3,0 μιη. De eerste opof feringslaag 145 maakt het mogelijk dat de aandrijver 200 die bestaat uit de filmlagen gemakkelijk wordt gevormd. De eerste opofferings-20 laag 145 wordt verwijderd met gebruikmaking van waterstof-fluoridedamp wanneer de aandrijver 200 volledig is gevormd. De eerste opofferingslaag 145 wordt gevormd door een CVD-werkwijze bij atmosferische druk. In dit geval is de mate van vlakheid van de eerste opofferingslaag 145 gering omdat 25 de eerste opofferingslaag 145 de top van het substraat met de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110 bedekt. Derhalve wordt het oppervlak van de eerste opofferingslaag 145 vlak gemaakt met gebruikmaking van een spin op glas (SOG) of door een chemisch-mechanische 30 polijstingswerkwijze. Bij voorkeur wordt de oppervlakte van de eerste opofferingslaag 145 vlak gemaakt door een chemisch-mechanische polij stingswerkwij ze.

Nadat een deel van de eerste opofferingslaag 145 met de verbindingsaansluiting 110 die daaronder is gevormd is 35 gedessineerd langs de kolomrichting om een deel van de etsstoplaag vrij te geven, wordt een eerste laag 14S

734 3 19 i j gevormd op het vrijgegeven deel van de etsstoplaag 140 en op de eerste opofferingslaag 145. De eerste laag 149 wordt gevormd met gebruikmaking van een stijf materiaal bijvoorbeeld nitride of metaal zodat de eerste laag 149 een 5 dikte heeft tussen ongeveer 0,1 μιη en 1,0 μηι. Wanneer de eerste laag 149 is gevormd door een CVD-werkwijze bij lage druk, wordt de verhouding van nitridegas geregeld volgens de reactietijd om de spanning in de eerste laag 149 vrij te maken. De eerste laag 149 zal worden gedessineerd om de 10 ondersteuningslaag 150 te vormen.

Fig. 9A en 9B geven de toestanden weer waarin een bovenste elektrodelaag 164 wordt gevormd.

Onder verwijzing naar fig. 9A en 9B wordt, nadat een eerste fotoresistlaag 151 is gevormd op de eerste laag 149 15 door een spin coating werkwijze de eerste fotoresistlaag 151 gedessineerd om een deel van de eerste laag 149 langs de rijrichting vrij te geven. Als gevolg wordt het deel van de eerste laag 149 dat naast de verbindingsaansluiting 110 ligt vrijgegeven als een rechthoek. Nadat een bodemelek-20 trodelaag 154 is gevormd op het vrijgegeven deel van de eerste laag 149 en op de eerste fotoresistlaag 151 door een kathodeverstuivingswerkwijze wordt de bodemelektrodelaag 154 gedessineerd om de bodemelektrode 155 te dessineren op het vrijgegeven deel van de eerste laag 149 waarbij de 25 positie waarop de gemeenschappelijke lijn 166 zal worden gevormd in acht wordt genomen. Op deze wijze heeft de bodem-elektrode 155 een rechthoeksvorm. De bodemelektrode 155 wordt gevormd met gebruikmaking van een elektrisch geleidend metaal zoals platina (Pt), tantaal (Ta) of 30 platina-tantaal (Pt-Ta) zodat de bodemelektrode 155 een dikte heeft tussen ongeveer 0,1 μτη en 1,0 μτη.

Een tweede laag 159 ligt boven de bodemelektrode 155 en de eerste fotoresistlaag 151. De tweede laag 159 wordt gevormd met gebruikmaking van een piëzo-elektrisch 35 materiaal zoals PZT (Pb(Zr, Ti)0,) of PLZT

((Pb, La) (Zr, Ti)03) zodat de tweede laag 159 een dikte 10C7843 20 heeft tussen ongeveer 0,1 μπι en 1,0 μπι. Bij voorkeur heeft de tweede laag 159 een dikte van ongeveer 0,4 μπι. Ook wordt de tweede laag 159 gevormd met gebruikmaking van een elektrostrictie materiaal zoals PMN (Pb(Mg, Nb)03) nadat de 5 tweede laag 159 is gevormd door een sol-gel werkwijze, een kathodeverstuivingswerkwijze of CVD-werkwijze wordt de tweede laag 159 gegloeid door een snelle thermische gloeiwerkwijze. De tweede laag 159 zal worden gedessineerd om de actieve laag 160 te vormen.

10 De bovenste elektrodelaag 164 ligt boven de tweede laag 159. De bovenste elektrodelaag 164 wordt gevormd met gebruikmaking van metaal dat een elektrisch geleidingsvermogen heeft, bijvoorbeeld aluminium (Al), platina of tantaal (Ta). De bovenste elektrodelaag 164 15 wordt gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze zodat de bovenste elektrodelaag 164 een dikte heeft tussen ongeveer 0,1 μίτι en 1,0 μπι. De bovenste elektrodelaag 164 zal worden gedessineerd om de bovenste elektrode 165 te vormen.

20 Fig. 10A geeft een toestand weer waarin de aandrijver 200 wordt gevormd en fig. 10B geeft de toestand weer waarin het doorgaand contact 175 wordt gevormd.

Onder verwijzing naar fig. 10A wordt, nadat een tweede fotoresist (niet getekend) is bekleed op de bovenste 25 elektrodelaag 164 door een spin coating werkwijze, de bovenste elektrodelaag 164 gedessineerd om de bovenste elektrode 165 te vormen met gebruikmaking van de tweede fotoresist als etsmasker. De bovenste elektrode 165 is' rechthoekig van vorm. De tweede laag 159 wordt gedessineerd 30 om de actieve laag 160 te vormen met gebruikmaking van dezelfde werkwijze als die voor het dessineren van de bovenste elektrodelaag 164. D.w.z. dat een derde fotoresist (niet getekend) wordt bekleed op de bovenste elektrode 165 en op de tweede laag 159 door een spin coating werkwijze 35 nadat de tweede fotoresist is verwijderd door etsen. De

tweede laac 155 wordt gedessineerd om de actieve laag 16C

/ ί 64 3 i 21 te vormen met gebruikmaking van de derde fotoresist als etsmasker. De actieve laag 160 is rechthoekig van vorm en is breder dan die van de bovenste elektrode 165. De actieve laag 160 heeft een kleinere afmeting dan die van de in het 5 voorafgaande gevormde bodemelektrode 155.

De eerste laag 149 wordt gedessineerd om de ondersteuningslaag 150 te vormen door middel van de in het bovenstaande beschreven werkwijze. De ondersteuningslaag 150 heeft een T-vorm die niet gelijk is aan de vorm van de 10 bodemelektrode 155. De bodemelektrode 155 wordt gevormd op het centrale deel van de ondersteuningslaag 150.

De gemeenschappelijke lijn 166 wordt gevormd op het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 nadat de eerste fotoresistor 151 is verwijderd. Nadat namelijk een vierde 15 fotoresistlaag (niet getekend) is bekleed op de ondersteuningslaag 150 door een spin coating werkwijze en vervolgens de vierde fotoresist is gedessineerd om het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 vrij te geven, wordt de gemeenschappelijke lijn 166 gevormd op het vrij gegeven 20 deel van de ondersteuningslaag 150 met gebruikmaking van een elektrisch geleidend metaal zoals platina, tantaal, platina-tantaal, aluminium of zilver. De gemeenschappelijke lijn 166 wordt gevormd door een kathodeverstuivings-werkwijze of een CVD-werkwijze zodat de gemeenschappelijke 2 5 lijn 16 6 een dikte heeft tussen ongeveer 0,5 μπι en 2,0 μιη.

De gemeenschappelijke lijn 166 wordt gesepareerd van de bodemelektrode 155 met een vooraf bepaalde afstand en wordt bevestigd aan de bovenelektrode 165 en aan de actieve laag 160. Zoals in het bovenstaande is beschreven, kan een 30 spanningsdaling van het tweede signaal worden geminimaliseerd wanneer het tweede signaal de gemeenschappelijke lijn 160 passeert omdat de gemeenschappelijke lijn 166 dik is, zodat de inwendige weerstand er van afneemt. Daardoor wordt een voldoende tweede signaal aangelegd aan de bovenste 35 elektrode 165 via de gemeenschappelijke lijn 166 zodat eer.

t 1 O ?"-1 /] ^ 22 voldoende elektrisch veld wordt opgewekt tussen de bovenste elektrode 165 en de bodemelektrode 155.

Onder verwijzing naar fig. 10B wordt een deel van het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 met de 5 verbindingsaansluiting 110 daaronder vrijgemaakt wanneer de vierde fotoresist wordt gedessineerd. Tegelijktijdig wordt een deel dat ligt naast het deel van het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 vrijgemaakt. De doorgaande opening 170 wordt gevormd uit het deel van het eerste deel van de 10 ondersteuningslaag 150 naar de verbindingsaansluiting 110 via de etsstoplaag 140, de tweede passiveringslaag 130 en de eerste passiveringslaag 120 door etsen. Het doorgaande contact 175 wordt gevormd in de doorgaande opening 170 uit de verbindingsaansluiting 110 naar de ondersteuningslaag 15 150. Tegelijktijdig wordt het verbindingsonderdeel 176 gevormd op het deel dat naast het deel van het eerste deel van de ondersteuningslaag 150 ligt vanaf de bodemelektrode 155 naar het doorgaande contact 175. Derhalve worden het doorgaande contact 175, het verbindingsonderdeel 176 en de 20 bodemelektrode 155 na elkaar verbonden. Het doorgaande contact 175 en het verbindingsonderdeel 176 worden gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze of een CVD-werkwijze. Het doorgaande contact 175 en het verbindingsonderdeel 176 wordt gevormd met gebruikmaking van een elektrisch 25 geleidend metaal zoals platina, tantaal of platina-tantaal. Het verbindingsonderdeel 176 heeft een dikte tussen ongeveer 0,5 μιη en 1,0 μιη. Derhalve kan een spanningsdaling van het eerste signaal worden geminimaliseerd wanneer het eerste signaal door het verbindingsonderdeel 176 gaat omdat 30 het verbindingsonderdeel 176 dik is, zodat de inwendige weerstand er van afneemt. De aandrijver 200 met de bovenelektrode 165, de actieve laag 160 en de bodemelektrode 155 en de ondersteuningslaag 150 wordt voltooid nadat de vierde fotoresist door etsen is verwijderd.

35 Fig. 11A en 11B geven de toestanden weer waarin het reflectieonderdeei 190 wordt gevormd.

1 η Λ .o a o.

» .· \J : V H (j

23 I

Onder verwijzing naar fig. 1IA en 11B wordt de eerste opofferingslaag 145 verwijderd met gebruikmaking van waterstoffluoride (HF) damp, en een tweede opofferingslaag 180 wordt gevormd op de aandrijver 200 met gebruikmaking 5 van een polymeer. De tweede opofferingslaag 180 wordt gevormd door een spin coating werkwijze zodat de tweede opofferingslaag 180 volledig de bovenste elektrode 165 bedekt. Vervolgens wordt de tweede opofferingslaag 180 gedessineerd om een deel van de bovenste elektrode 165 vrij 10 te maken. De kolom 185 wordt gevormd op het vrij gegeven deel van de bovenste elektrode 165 en het reflecterende onderdeel 190 wordt gevormd op de kolom 185 en op de tweede opofferingslaag 180. De kolom 185 en het reflecterende onderdeel 190 worden tegelijktijdig gevormd met gebruik-15 making van een reflectiemetaal zoals aluminium, platina of zilver. De kolom 185 en het reflecterend onderdeel 190 worden gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze of een CVD-werkwijze. Bij voorkeur is het reflecterend onderdeel 190 voor het reflecteren van licht dat invalt vanuit een 20 lichtbron (niet getekend) een spiegel en heeft een dikte tussen ongeveer 0,1 μπι en 1,0 μιη. Het reflecterende onderdeel 190 heeft de vorm van een rechthoekige plaat om de bovenste elektrode 165 te bedekken. Zoals in het bovenstaande beschreven kan de vlakheid van het 25 reflecterende onderdeel 190 worden verhoogd omdat het reflecterende onderdeel 190 wordt gevormd op de tweede opofferingslaag 180. De aandrijver 200 die op het reflecterende onderdeel 190 wordt gevormd wordt voltooid zoals getoond in fig. 6 en 7 nadat de tweede opofferings-30 laag 180 is verwijderd door etsen.

De werking van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding zal nu worden beschreven.

3b In de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype volgens de onderhavige uitvoeringsvorm wordt het 1 0 ö 7 3 4 3 24 eerste signaal (beeldstroomsignaal) aangelegd aan de bodem-elektrode 155 via de elektrische bedrading 105, de verbindingsaansluiting 110, het doorgaand contact 175 en het verbindingsonderdeel 176. Het tweede signaal 5 (instelstroomsignaal) wordt aangelegd aan de bovenste elektrode 165 via de gemeenschappelijke lijn 166. Derhalve wordt een elektrisch veld opgewekt tussen de bovenste elektrode 165 en de bodemelektrode 155. De actieve laag 160 die is gevormd tussen de bovenste elektrode 165 en de 10 bodemelektrode 155 wordt vervormd door het elektrische veld. De elektrische laag 160 wordt vervormd in een richting loodrecht op het elektrische veld. De spiegellaag 160 wordt aangedreven in een richting die tegengesteld is aan de ondersteuningslaag 150. D.w.z. dat de aandrijver 200 15 met de actieve laag 160 naar boven wordt aangedreven met een voorafbepaalde kantelhoek.

Het reflecterende onderdeel 190 voor het reflecteren van het licht dat invalt uit de lichtbron wordt gekanteld met de aandrijver 200 omdat het reflecterende onderdeel 190 2 0 wordt gedragen door de kolom 185 en wordt gevormd op de aandrijver 200. Derhalve reflecteert het reflecterende onderdeel 190 het invallende licht met een voorafbepaalde kantelhoek zodat het beeld wordt geprojecteerd op het scherm.

25 Derhalve kan in de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens deze uitvoeringsvorm licht dat invalt vanuit de lichtbron worden uitgesloten door middel van de tweede metaallaag. Voordat derhalve het eerste signaal en het tweede signaal 30 respectievelijk worden aangelegd aan de bodemelektrode en de bovenste elektrode kan een verkeerde werking van de aandrijver die te wijten is aan de fotolekstroom die wordt veroorzaakt door het invallende licht, worden voorkomen.

* 25 i

Uitvoeringsvorm 2

Fig. 12A en 12B zijn dwarsdoorsneden van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een 5 optisch projectiestelsel volgens een tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

Onder verwijzing naar fig. 12A en 12B heeft de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de onderhavige 10 uitvoeringsvorm een substraat 100, een aandrijver 200 die is gevormd op het substraat 100 en een reflecterend onderdeel 190 dat wordt gevormd op een deel van de aandrijver 200.

De aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype 15 volgens de tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding heeft dezelfde structurele elementen en dezelfde vormen als die van de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding getoond in fig. 6 en 7 behalve dat een derde metaallaag 235 die primair licht uitsluit dat invalt op het substraat 100 en 20 een derde passiveringslaag 239 voor het beschermen van de derde metaallaag 235 zijn gevormd tussen de tweede passiveringslaag 130 en de etsstoplaag 140. In de tweede uitvoeringsvorm volgens de onderhavige uitvinding worden dezelfde verwijzingscijfers gebruikt voor dezelfde 25 elementen als in de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding.

Hierna zal de vervaardigingswerkwijze van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype volgens deze uitvoeringsvorm worden uiteengezet.

30 Fig. 13A en 13B geven de vervaardigingsstappen weer van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding. In deze uitvoeringsvorm zijn de stappen totdat»de tweede passiveringslaag 130 is gevormd 35 dezelfde als die in de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding, getoond in fig. 8A en 8B.

U .-07843 26

Onder verwijzing naar fig. 13A en 13B wordt voorzien in een substraat 100 met de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110. Bij voorkeur bestaat het substraat 100 uit een halfgeleider zoals silicium (Si). De 5 elektrische bedrading 105 vangt het eerste signaal (beeldstroomsignaal) op en zendt het eerste signaal naar de bodemelektrode 155. Bij voorkeur heeft de elektrische bedrading 105 MOS-transistoren voor het schakelen.

Vervolgens worden titanium, titaniumnitride of 10 wolfraam neergeslagen op de elektrische bedrading 105 en het substraat 100 en worden gedessineerd om de eerste metaallaag 115 te vormen. De eerste metaallaag 115 heeft de verbindingsaansluiting 110 die is verbonden met de elektrische bedrading 105 en draagt het eerste signaal over 15 naar de bodemelektrode 155.

De eerste passiveringslaag 120 is gevormd op de eerste metaallaag 115 met het substraat 100 en de verbindingsaansluiting 110. De eerste, passiveringslaag 120 wordt gevormd door gebruikmaking van fosforsilicaatglas. De 20 eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd door een chemische opdampings(CVD)werkwijze doordat de eerste passiveringslaag 120 een dikte heeft tussen ongeveer 8000 A en 9000 A. De eerste passiveringslaag 120 beschermt het substraat 100 dat de elektrische bedrading 105 en de 25 verbindingsaansluiting 110 omvat gedurende de daarop volgende vervaardigingsstappen.

De tweede metaallaag 125 wordt gevormd op de eerste passiveringslaag 120. Om de tweede metaallaag 125 te vormen wordt eerst de eerste adhesielaag 126 gevormd met gebruik-30 making van titanium. De eerste adhesielaag 126 wordt

gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze zodat de eerste adhesielaag 126 een dikte heeft tussen ongeveer 300 A en 500 A. Vervolgens wordt de eerste grenslaag 127 gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride. De eerste 35 grenslaag 127 wordt gevormd door een PVD-werkwijze zodat de eerste grenslaag 127 een dikte heeft tussen ongeveer 1000 A

* 0 0 7 .4 3 27 en 1200 A. De tweede metaallaag 125 sluit het licht uit dat wordt geprojecteerd naar een substraat 100 zodat de tweede metaallaag 125 voorkomt dat een fotolekstroom stroomt door het substraat 100. Daarna wordt een deel van de tweede 5 metaallaag 125 met de verbindingsaansluiting 110 die daaronder is gevormd geëtst om de eerste opening 128 te vormen. De eerste opening 128 isoleert de bodemelektrode 155 en de bovenste elektrode 165 tegen de tweede metaallaag 125.

10 De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd op de tweede metaallaag 125 en op de eerste opening 128. De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd met gebruikmaking van fosfor-silicaatglas. De tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd door een CVD-werkwijze zodat de tweede 15 passiveringslaag 130 een dikte heeft tussen ongeveer 2000 A en 25Ó0 A. De tweede passiveringslaag 130 beschermt de tweede metaallaag 125 gedurende de daarop volgende vervaardigingsstappen.

De derde metaallaag 235 wordt gevormd op de tweede 20 passiveringslaag 130. Om de derde metaallaag 235 te vormen wordt eerst een tweede adhesielaag 236 gevormd met gebruikmaking van titanium. De tweede adhesielaag 236 wordt gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze zodat de tweede adhesielaag 236 een dikte heeft tussen ongeveer 25 300 A en 500 A. Vervolgens wordt een tweede grenslaag 237 gevormd met gebruik van titaniumnitride. De tweede grenslaag 237 wordt gevormd door een PVD-werkwijze zodat de tweede grenslaag 237 een dikte heeft tussen ongeveer 1000 A en 1200 A. De derde metaallaag 235 sluit het licht uit dat 30 wordt geprojecteerd naar het substraat 100 zodat de derde metaallaag 235 primair voorkomt dat een fotolekstroom stroomt door het substraat 100. Daarna wordt een deel van de derde metaallaag 235 met de eerste opening 128 daaronder gevormd geëtst'om de tweede opening 238 te vormen. De 25 tweede opening 238 isoleert de bodemeiektroöe 155 en de bovenste elektrode 165 tegen de derde metaallaag 235.

1 0 07 74 3 28

De derde passiveringslaag 239 wordt gevormd door de derde metaallaag 235 en op de tweede opening 238. De derde passiveringslaag 239 wordt gevormd met gebruikmaking van fosfor-silicaatglas. De derde passiveringslaag 239 wordt 5 gevormd door een CVD-proces zodat de derde passiveringslaag 239 een dikte heeft tussen ongeveer 6000 A en 7000 A. De derde passiveringslaag 239 beschermt de derde metaallaag 235 gedurende daarop volgende vervaardigingsstappen.

In de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige 10 uitvinding zijn de volgende stappen van de vervaardiging en de werking van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype dezelfde als die van de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding, getoond in fig. 9A tot 11B.

Volgens deze uitvoeringsvorm van de onderhavige 15 uitvinding kan licht dat invalt vanuit de lichtbron primair worden uitgesloten door de derde metaallaag. Vervolgens wordt het licht dat wordt overgedragen door de derde metaallaag ook uitgesloten wederom door de tweede metaallaag. Voordat derhalve het eerste signaal en het tweede 20 signaal respectievelijk worden aangelegd aan de bodem- elektrode en de bovenste elektrode kan de verkeerde werking van de aandrijver vanwege de fotolekstroom die wordt veroorzaakt door het invallende licht, worden voorkomen.

25 Uitvoeringsvorm 3

Fig. 14A en 14B zijn dwarsdoorsneden van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens een derde uitvoeringsvorm 30 van de uitvinding.

Onder verwijzing naar fig. 14A en 14B heeft de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de onderhavige uitvoeringsvorm een substraat 100, een aandrijver 200 die 35 is gevormd op het substraat 100 en een reflecterend onderdeel 190 dat wordt gevormd op de aandrijver 200.

1007843 29

De aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype volgens de derde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding heeft dezelfde structurele elementen en dezelfde vormen als die van de tweede uitvoeringsvorm van de 1 5 uitvinding getoond in fig. 12A en 12B behalve dat de vorm van een derde metaallaag 235 en de vervaardigingswerkwijze er van verschillen van die van de tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding. In de derde uitvoeringsvorm van de uitvinding worden dezelfde verwijzingscijfers gebruikt voor 10 dezelfde elementen als in de tweede uitvoeringsvorm van de uitvinding.

Hierna zal de vervaardigingswerkwijze van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype volgens deze uitvoeringsvorm worden uiteengezet.

15 Pig. 15A en 15B geven de vervaardigingsstappen weer van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de derde uitvoeringsvorm van de uitvinding. In deze uitvoeringsvorm zijn de stappen totdat de tweede passiveringslaag 130 wordt gevormd 20 dezelfde als die van de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding, getoond in fig. 8A en 8B.

Onder verwijzing naar fig. 15A en 15B wordt voorzien in het substraat 100 met de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110. Bij voorkeur bestaat het 25 substraat 100 uit een halfgeleider zoals silicium (Si). De elektrische bedrading 105 ontvangt het eerste signaal (beeldstroomsignaal) en zendt het eerste signaal naar de bodemelektrode 155. Bij voorkeur heeft de elektrische bedrading 105 MOS-transistoren voor het schakelen.

30 Vervolgens worden titanium, titaniumnitride of wolfraam neergeslagen op de elektrische bedrading 105 en het substraat 100 en gedessineerd om de eerste metaallaag 115 te vormen. De eerste metaallaag 115 heeft de verbindingsaansluiting 110 verbonden met de elektrische 35 bedrading 105 en draagt het eerste signaal over naar de bodemelektrode 155.

30

De eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd op de eerste metaallaag 115 met het substraat 100 en de verbindingsaansluiting 110. De eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd met gebruikmaking van fosfor-silicaatglas. De 5 eerste passiveringslaag 120 wordt gevormd door een CVD-werkwijze zodat de eerste passiveringslaag 120 een dikte heeft tussen ongeveer 8000 A en 9000 A. De eerste passiveringslaag 120 beschermt het substraat 100 dat de elektrische bedrading 105 en de verbindingsaansluiting 110 10 bevat gedurende daarop volgende vervaardigingsstappen.

De tweede metaallaag 125 wordt gevormd op de eerste passiveringslaag 120. Om de tweede metaallaag 125 te vormen wordt eerst de eerste adhesielaag 126 gevormd met gebruikmaking van titanium. De eerste adhesielaag 126 wordt 15 gevormd door een kathodeverstuivingswerkwijze zodat de eerste adhesielaag 126 een dikte heeft tussen ongeveer 300 A en 500 A. Vervolgens wordt de eerste grenslaag 127 gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride. De eerste grenslaag 127 wordt gevormd door een PVD-werkwijze zodat de 20 eerste grenslaag 127 een dikte heeft tussen ongeveer 1000 A en 1200 A. De tweede metaallaag 125 sluit het licht uit dat wordt geprojecteerd naar het substraat 100 zodat de tweede metaallaag 125 voorkomt dat een fotolekstroom stroomt door het substraat 100. Daarna wordt een deel van de tweede 25 metaallaag 125 met de verbindingsaansluiting 110 daaronder gevormd geëtst om de eerste opening 128 te vormen. De eerste opening 128 isoleert de bodemelektrode 155 en de bovenste elektrode 165 tegen de tweede metaallaag 125.

De tweede passiveringslaag 330 wordt gevormd op de 30 tweede metaallaag 125 en op de eerste opening 128. De tweede passiveringslaag 330 wordt gevormd met gebruikmaking van fosfor-silicaatglas. De tweede passiveringslaag 330 wordt gevormd door een CVD-werkwijze zodat de tweede passiveringslaag 330 een dikte heeft tussen ongeveer 8000 A 35 en 9000 A. De tweede passiveringslaag 330 beschermt de 1 Λ r 7 o ή ς 31 tweede metaallaag 125 gedurende daarop volgende vervaard!-gingsstappen.

Vervolgens worden beide zijden van een deel van de tweede passiveringslaag 330 waar de eerste opening 128 5 wordt gevormd verwijderd over een voorafbepaalde diepte. Zoals getoond in fig. 15A en 15B is de horizontale afstand (dj tussen de delen waar de tweede passiveringslaag 330 wordt verwijderd groter dan de diameter van de eerste opening 128 (d2). Wanneer de tweede passiveringslaag 330 10 wordt verwijderd wordt de tweede metaallaag 125 niet vrij gegeven. Daarna wordt de derde metaallaag 335 gevormd op de tweede passiveringslaag 330 en de verwijderde delen van de tweede passiveringslaag 330. De derde metaallaag 335 wordt gevormd met gebruikmaking van aluminium of zilver of door 15 een kathodeverstuivingswerkwijze.

Vervolgens wordt de rest van de derde metaallaag 335 behalve de delen waar de tweede passiveringslaag 330 wordt verwijderd en waar de derde metaallaag 335 de eerste opening 128 bedekt, verwijderd. Bij voorkeur wordt de derde 20 metaallaag 335 gevormd op een zodanige wijze dat de eerste opening 128 wordt bedekt. De derde metaallaag 335 voorkomt dat invallend licht invalt op het substraat 100 door de eerste opening 128.

In de derde uitvoeringsvorm van de uitvinding zijn 25 de volgende stappen van de vervaardiging en de werking van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype dezelfde als die van de eerste uitvoeringsvorm van de uitvinding, getoond in fig. 9A tot 11B.

Volgens deze uitvoeringsvorm van de uitvinding kan 30 men voorkomen dat licht dat invalt uit de lichtbron invalt op het substraat 100 door de tweede metaallaag. Bovendien kan men voorkomen dat licht dat door de eerste opening 128 wordt overgedragen invalt op het substraat 100 door de derde metaallaag 335. Voordat derhalve het eerste signaal 35 en het tweede signaal respectievelijk worden aangelegd aan de bodemelektrode en de bovenste elektrode kan een 1007843 32 verkeerde werking van de aandrijver wegens de fotolekstroom die wordt veroorzaakt door het invallend licht worden voorkomen.

Bovendien heeft dit het voordeel dat het vervaardi-5 gingsproces gereduceerd wordt omdat de derde passiveringslaag 239 niet behoeft te worden gevormd op de derde metaallaag 335.

Derhalve kan in de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens de 10 uitvinding het licht dat invalt uit de lichtbron worden uitgesloten door middel van de tweede metaallaag en de derde metaallaag. Voordat derhalve het eerste signaal en het tweede signaal respectievelijk worden aangelegd aan de bodemelektrode en de bovenste elektrode kan een verkeerde 15 werking van de aandrijver die te wijten is aan de fotolekstroom die wordt veroorzaakt door het invallende licht worden voorkomen.

Hoewel voorkeursuitvoeringsvormen van de uitvinding zijn beschreven zal het duidelijk zijn aan deskundigen dat 20 de uitvinding niet beperkt is tot deze voorkeursuitvoeringsvormen, maar talrijke veranderingen en modificaties kunnen door deskundigen worden aangebracht binnen het kader van de uitvinding.

p 'i 0 o (843

Claims (20)

1. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel dat wordt aangedreven door een eerste signaal en een tweede signaal, met het kenmerk, dat de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een 5 optisch projectiestelsel omvat: een substraat met een elektrische bedrading voor het ontvangen van een eerste signaal van buiten en het overdragen van het eerste signaal; een eerste metaallaag die wordt gevormd op het 10 substraat met een verbindingsaansluiting die is verbonden met de elektrische bedrading voor het overdragen van een eerste signaal; een eerste passiveringslaag voor het beschermen van een substraat met de elektrische bedrading en de 15 verbindingsaansluiting, waarbij de passiveringslaag wordt gevormd op de elektrische bedrading op de eerste metaallaag; een tweede metaallaag die wordt gevormd op de eerste passiveringslaag om te voorkomen dat een fotolekstroom 20 optreedt die wordt veroorzaakt door licht dat invalt vanuit een lichtbron; een aandrijver, die omvat i) een ondersteuningslaag die wordt gevormd op de tweede metaallaag, ii) een bodem-elektrode voor het ontvangen van het eerste signaal waarbij 25 de bodemelektrode wordt gevormd op de ondersteuningslaag, iii) een bovenste elektrode die correspondeert met de bodemelektrode voor het ontvangen van het tweede signaal en het opwekken van een elektrisch veld tussen de bovenste elektrode en de bodemelektrode, en iv) een actieve laag die 30 wordt gevormd tussen de bovenste elektrode en de bodemelektrode en wórdt vervormd door het elektrische veld; en 1007843 een reflectie-orgaan voor het reflecteren van het licht waarbij het reflectie-orgaan wordt gevormd op de aandrijver.

2. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in 5 een optisch projectiestelsel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede metaallaag voorts omvat een tweede passiveringslaag voor het beschermen van een tweede metaal-laag waarbij de tweede passiveringslaag wordt gevormd op de tweede metaallaag en een etsstoplaag voor het beschermen 10 van de tweede passiveringslaag, waarbij de etsstoplaag wordt gevormd op de tweede passiveringslaag en dat de aandrijver voorts omvat een gemeenschappelijke lijn voor het aanleggen van het tweede signaal aan de bovenste elektrode, waarbij de gemeenschappelijke lijn is gevormd op 15 een deel van de aandrijver en is verbonden met de bovenste elektrode.

3. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de tweede passiveringslaag wordt gevormd met 20 gebruikmaking van een fosfor-silicaatglas waarbij de etsstoplaag wordt gevormd met gebruikmaking van een nitride en de gemeenschappelijke lijn wordt gevormd met gebruikmaking van een elektrisch geleidend metaal.

4. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in 25 een optisch projectiestelsel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede metaallaag voorts omvat een eerste adhesielaag die wordt gevormd op de eerste passiveringslaag en een eerste grenslaag die wordt gevormd op de eerste adhesielaag.

5. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de eerste adhesielaag wordt gevormd met gebruikmaking van titanium en de eerste grenslaag wordt gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride.

6. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie i, met het 1007343 kenmerk, dat een eerste opening wordt gevormd in een deel van de tweede metaallaag met de verbindingsaansluiting daaronder gevormd.

7. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in 5 een optisch projectiestelsel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype voorts omvat een derde metaallaag om een fotolek-stroom te voorkomen, die wordt veroorzaakt door invallend licht, waarbij de derde metaallaag wordt gevormd op de 10 tweede metaallaag.

8. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de aandreven spiegelreeks van het dunne filmtype voorts omvat een derde passiveringslaag voor het 15 beschermen van de derde metaallaag, waarbij de derde passiveringslaag wordt gevormd op de derde metaallaag.

9. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de derde metaallaag voorts omvat een tweede 20 adhesielaag die wordt gevormd op de tweede metaallaag en een tweede grenslaag die wordt gevormd op de tweede adhesielaag.

10. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 9, met het 25 kenmerk, dat de tweede adhesielaag wordt gevormd met gebruikmaking van titanium en de tweede grenslaag wordt gevormd met gebruikmaking van titaniumnitride.

11. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 7, met het 30 kenmerk, dat een tweede opening wordt gevormd in een deel van de derde metaallaag met daaronder gevormd de verbindingsaansluiting.

12. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch prpjectiestelsel dat wordt aangedreven door een 35 eerste signaal en een tweede signaal, met het kenmerk, dat " ; "· 7-^0 ' de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel omvat: een substraat met een elektrische bedrading voor het ontvangen van een eerste signaal vanaf de buitenzijde en 5 het overdragen van het eerste signaal; een eerste metaallaag die wordt gevormd op het substraat met een verbindingsaansluiting die is verbonden met de elektrische bedrading voor het overdragen van het eerste signaal; 10 een eerste passiveringslaag voor het beschermen van het substraat met de elektrische bedrading en de verbindingsaansluiting waarbij de eerste passiveringslaag is gevormd op de elektrische bedrading en op de eerste metaallaag; 15 een tweede metaallaag die wordt gevormd op de eerste passiveringslaag om een fotolekstroom te voorkomen die wordt veroorzaakt door licht dat invalt vanuit een lichtbron; een tweede passiveringslaag die wordt gevormd op de 20 tweede metaallaag voor het beschermen van de tweede metaallaag; een derde metaallaag die wordt gevormd op de tweede passiveringslaag om een fotolekstroom te voorkomen die wordt veroorzaakt door het licht; 25 een aandrijver die omvat i) een ondersteuningslaag die wordt gevormd op de derde metaallaag, ii) een bodem-elektrode voor het ontvangen van het eerste signaal, waarbij de bodemelektrode wordt gevormd op de ondersteuningslaag, iii) een bovenste elektrode die 30 correspondeert met de bodemelektrode voor het ontvangen van het tweede signaal en het opwekken van een elektrisch veld tussen de bovenste elektrode en de bodemelektrode, en iv) een actieve laag die wordt gevormd op de bovenste elektrode en dfe bodemelektrode en wordt vervormd door het 35 elektrische veld; en i ü ü i o 3 een reflectie-orgaan voor het reflecteren van licht, dat bij het reflectie-orgaan wordt gevormd op de aandrijver.

13. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in 5 een optisch projectiestelsel volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de derde metaallaag voorts omvat een derde passiveringslaag voor het beschermen van de derde metaallaag, waarbij de passiveringslaag wordt gevormd op de derde metaallaag, en een etsstoplaag voor het beschermen van de 10 derde passiveringslaag, waarbij de etsstoplaag wordt gevormd op de derde passiveringslaag, en dat de aandrijver voorts omvat een gemeenschappelijke lijn voor het aanleggen van het tweede signaal aan de bovenste elektrode, waarbij de gemeenschappelijke lijn wordt gevormd op een deel van de 15 aandrijver en wordt verbonden met de bovenste elektrode.

14. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de tweede metaallaag voorts omvat een eerste adhesielaag die wordt gevormd op de eerste passiveringslaag 20 met gebruikmaking van titanium en een eerste grenslaag die wordt gevormd op de eerste adhesielaag met gebruikmaking van titaniumnitride.

15. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 12, met het 25 kenmerk, dat de derde metaallaag voorts omvat een tweede adhesielaag die wordt gevormd op de tweede passiveringslaag met gebruikmaking van titanium en een tweede grenslaag die wordt gevormd op de tweede adhesielaag met gebruikmaking van titaniumnitride.

16. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat een eerste opening wordt gevormd in een deel van de tweede metaallaag met daaronder gevormd de 0 verbindingsaansluiting en een tweede opening wordt gevormd 35 in een deel van de derde metaallaag met daaronder gevormd de eerste opening.

17. Aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de derde metaallaag wordt gevormd op een deel van de tweede passiveringslaag met daaronder gevormd de 5 verbindingsaansluiting.

18. Werkwijze voor het vervaardigen van een aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel dat wordt aangedreven door een eerste signaal en een tweede signaal, met het kenmerk, dat de 10 werkwijze omvat: het verschaffen van een substraat met een elektrische bedrading voor het ontvangen van een eerste signaal van buiten en het overdragen van het eerste signaal; 15 het vormen van een eerste metaallaag op het substraat, waarbij de eerste metaallaag een verbindingsaansluiting heeft die is verbonden met de elektrische bedrading voor het overdragen van het eerste signaal; het vormen van een eerste passiveringslaag op de 20 elektrische bedrading en op de eerste metaallaag; het vormen van een tweede metaallaag op de eerste passiveringslaag om een fotolekstroom te voorkomen die wordt veroorzaakt door licht dat invalt vanuit een lichtbron; 25 het vormen van een tweede passiveringslaag op de tweede metaallaag voor het beschermen van de tweede metaallaag; het vormen van een eerste laag op de tweede passiveringslaag; 30 het vormen van een bodemelektrodelaag op de eerste laag en het dessineren van de bodemelektrodelaag om een bodemelektrode te vormen voor het ontvangen van het eerste signaal; het vorken van een tweede laag en een bovenste 35 elektrodelaag op de bodemelektrode; . u07 84 3 * 39 . het vormen van een aandrijver door het dessineren van de bovenste elektrodelaag om een bovenste elektrode te vormen voor het ontvangen van het tweede signaal en het opwekken van een elektrisch veld, door het dessineren van 5 de tweede laag om een actieve laag te vormen die wordt vervormd door het elektrische veld, en door het dessineren van de eerste laag om een ondersteuningslaag onder de bodemelektrode te vormen; en het vormen van een reflectie-orgaan voor het 10 reflecteren van het licht op de aandrijver.

19. Werkwijze voor het vervaardigen van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 18, met het kenmerk, dat het vormen van de tweede metaallaag voorts omvat het vormen 15 van een eerste adhesielaag op de eerste passiveringslaag met gebruikmaking van titanium en door middel van een kathodeverstuivingswerkwijze en het vormen van een eerste grenslaag op de eerste adhesielaag met gebruikmaking van titaniumnitride en door middel van een fysische opdampings-20 werkwijze.

20. Werkwijze voor het vervaardigen van de aangedreven spiegelreeks van het dunne filmtype in een optisch projectiestelsel volgens conclusie 18, met het kenmerk, dat het vormen van de tweede metaallaag voorts omvat het vormen 25 van een opening door het etsen van een deel van de tweede metaallaag waar de verbindingsaansluiting wordt gevormd. ;Ü07343 :