MXPA00012566A - Metodo para fabricar una matriz negra para un tubo de rayos catodicos - Google Patents

Metodo para fabricar una matriz negra para un tubo de rayos catodicos

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MXPA00012566A
MXPA00012566A MXPA/A/2000/012566A MXPA00012566A MXPA00012566A MX PA00012566 A MXPA00012566 A MX PA00012566A MX PA00012566 A MXPA00012566 A MX PA00012566A MX PA00012566 A MXPA00012566 A MX PA00012566A
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matrix
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MXPA/A/2000/012566A
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Istvan Gorog
Richard Laperuta Jr
Samuel Pearlman
Richard William Nosker
Danielle Helene Herford
Pabitra Estate Of Datta
Nitin Vithalbhi Desai
Wilber Clarence Stewart
Gregory James Cohee
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Thomson Consumer Electronics Inc
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Abstract

Una matriz absorbente de luz (23) que tiene aberturas en la misma, esta formada en una superficie interior de un papel de placa frontal 812) de un tubo de rayos catódicos (10) al proporcionar un fotorreceptor en el mismo, cargar electrostáticamente el fotorreceptor a un nivel sustancialmente uniforme de carga y exponer el fotorreceptor a luz a través de aberturas (33) en un electrodo de selección de color 824) para descargar selectivamente lasáreas más intensamente iluminadas línea del fotorreceptor, sin descargar sustancialmente lasáreas iluminadas menos intensamente. El fotorreceptor comprende una pluralidad de capas que incluyen una capa fotorresistente (56) , una capa conductora (62) y una capa fotoconductora (66). Las aberturas en el electrodo de selección de color tienen una dimensión sustancialmente mayor de la dimensión de las aberturas en la matriz resultante (23). El fotorreceptor hace contacto con un tonificador líquido que tiene partículas de pigmentos cargas que forman líneas de tonificador (84) en lasáreas menos intesamente iluminadas del fotorreceptor. El fotorreceptor estáexpuesto a radiación UV para cambiar selectivamente la solubilidad de la capa fotorresistente del mismo enáreas de mayor y menor solubilidad. El fotorreceptor se revela en serie para exponer porciones de la superficie interior del panel, mientras deja intactas lasáreas de menor solubilidad. Después la superficie interior del panel y lasáreas de menor solubilidad se recubren con una suspensión de matriz. Las areas de menor solubilidad y el material de la matriz absorbente de luz sobrepuesto en las mismas se eliminan, formando asíen la matriz una pluralidad de aberturas que tienen una anchura menor que la anchura de las aberturas en el electrodo de selección de color.

Description

MÉTODO PARA FABRICAR UNA MATRIZ NEGRA PARA UN TUBO DE RAYOS CATÓDICOS Esta invención se refiere a un método para fabricar una matriz absorbente de luz para un tubo de rayos catódicos (CRT) , y más particularmente, a un método para fabricar una matriz utilizando un electrodo de selección de color que tiene aberturas de un ancho sustancialmente mayor que el ancho de las aberturas de la matriz resultante.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN La Figura 1 muestra una máscara de sombra 2 y una placa de cara para ver 18 de una superficie de pantalla de tubo de rayos catódicos convencional que tiene u .ensamble de pantalla 22 sobre la misma. La máscara de sombra 2 incluye una pluralidad de ranuras, o aberturas rectangulares, solamente cuatro de las cuales se muestran. El ensamble de pantalla 22 incluye una matriz absorbente de luz 23 con aberturas rectangulares, en donde se disponen líneas de fósforo emisor de azul, verde, y rojo, P , Pg, y Pr respectivamente. Tres fósforos emisores de color y las líneas de matriz, o bandas de guarda, entre los mismos, comprenden un triad que tiene un_ancho, o separación de pantalla, T, de aproximadamente 0.84 milímetros (33 milésimas). Las bandas de guarda se designan posteriormente en la presente como RB, para las bandas de guarda entre las líneas de fósforo emisor de rojo y azul; RG para las bandas de guarda entre las líneas de fósforo emisor de rojo y verde; y BG para las bandas de guarda entre las líneas de fósforo emisor de azul y verde. Para la máscara de sombra convencional 2 , las aberturas de máscara 4 tienen un ancho, a, no mayor que una tercera parte del ancho, T, del triad. En un tubo de rayos catódicos que tiene una dimensión diagonal de 51 centímetros (20 pulgadas) , el ancho, a, de las aberturas 4 de la máscara de sombra es del orden de aproximadamente 0.23 milímetros (9 milésimas), y las aberturas resultantes formadas en TLa matriz tienen un ancho, c, de aproximadamente 0.18 milímetros (7 milésimas) . Las bandas de guarda de la matriz 23, entre las líneas de fósforo adyacentes, tienen un ancho, d, de aproximadamente 0.1 milímetro (4 milésimas) . La matriz 23 de preferencia se forma sobre la placa de cara para ver 18 mediante el proceso descrito en la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 3,558,310, expedida a Mayaud el 26 de enero de 1971. Brevemente, una película de una fotorresistencia adecuada, cuya solubilidad se altera por luz, está provista sobre la superficie interna de la placa de cara para ver 18. La película de fotorresistencia se expone, a través de las aberturas 4 en la máscara de sombra 2, a luz ultravioleta desde un faro tres en uno convencional, mostrado esquemáticamente en la Figura 2. Con la máscara de sombra 2 en su lugar, la película de fotorresistencia se expone en. secuencia e igualmente (6 unidades de exposición) (wgt) cada una, por ejemplo) mediante cada una de las fuentes de luz. Las aberturas 4 de la máscara de sombra tienen una separación periódica, Dm, y el valor de diseño de la .separación de la máscara a la pantalla es Q = Q0. Se desea que las trayectorias de luz desde las tres fuentes, R, G,~~y B, imiten las trayectorias del haz de electrones desde las tres pistolas de electrones del tubo de rayos catódicos. Por consiguiente, las fuentes de luz R, G, y B están separadas a una distancia, L, desde la pantalla, en el centro efectivo dedesviación del sistema de yugo de la pistola, y están lateralmente separadas por la misma distancia, s, que los centros del haz de electrones en el plano de desviación. La fuente "G" queda sobre el eje de simetría de la pantalla y la máscara. Después de que se termina el proceso de exposición de ia matriz, se remueven las regiones de la película de_ fotorresistencia con mayor solubilidad inundando -la película expuesta con agua, descubriendo de esta manera las áreas desnudas de la placa de cara. En seguida, la superficie interna del panel de placa de cara se recubre con una pasta de matriz negra, del tipo conocido en la técnica, que, cuando se seca, es adherente a las áreas descubiertas de la placa de cara. Finalmente, el material de matriz que se -sobrepone a las regiones de película retenidas, así como las regiones de película retenidas, se remueven, dejando las bandas de guarda de matriz sobre las áreas previamente descubiertas del panel de placa de cara. Las posiciones sobre la superficie de la pantalla denotadas por b, g, y r en la Figura 2 , son los centros de las imágenes de las ranuras proyectadas . Las bandas de guarda de la matriz están en el área de menor exposición a la luz, a la mitad del camino entre las imágenes de ranura. A partir de la geometría de exposición, el valor de diseño de la separación del triad, T, en la pantalla, basándose en las imágenes de ranura proyectadas desde una sola fuente de luz, es dado por: T = (L/(L - Q0)) Dp (1) Con el objeto de obtener el valor requerido de T/3 para la distancia desde g hasta b, y para la distancia desde r hasta g en la pantalla, se debe satisfacer la condición: s = LDm/3QQ (2) en donde "s" es la separación lateral entre las fuentes de luz en el faro, como se muestra en la Figura 2. Nuevamente con referencia a. la Figural, la diferencia entre el ancho, a, de las aberturas de máscara de sombra, y el ancho, c, de las aberturas de matriz, es referida como "impresión". Por consiguiente, en el tubo de rayos catódicos de tipo de máscara de sombra convencional, que tiene aberturas de máscara con un ancho de 0.23 milímetros, y las aberturas de matriz con un ancho de 0.18 milímetros, la "impresión" típica es de aproximadamente 0.05 milímetros (2 milésimas) . Un inconveniente del tubo de rayos catódicos de tipo de máscara de sombra es que, en el centro de la pantalla, la máscara de sombra intercepta toda salvo aproximadamente el 18-22 por ciento de la corriente del haz de electrones; es decir, se dice que la máscara de sombra tiene una transmisión de solamente aproximadamente el 18-22 por ciento. Por consiguiente, el área de las aberturas 4 en la máscara de sombra 2 es aproximadamente el 18-22 por ciento del área de la máscara. Debido a que no hay campos de enfoque asociados con la máscara de sombra 2, se excita una porción correspondiente del ensamble de pantalla 22 mediante los haces de electrones . Con el objeto de incrementar la transmisión del electrodo de selección de color sin incrementar el tamaño de las porciones excitadas de la pantalla, se requiere de una estructura de selección de color de enfoque posterior a la desviación. Las características de enfoque de esta estructura permiten que se utilicen aberturas más grandes para obtener una mayor transmisión del haz de electrones de lo que se puede obtener con la máscara de sombra convencional. Una de estas estructuras, una máscara de enfoque de tensión uniaxial, se describe en la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 5,646,478, expedida a R.W. Nosker y colaboradores el 8 de julio de 1997. Un inconveniente de utilizar un electrodo de selección de color posterior a la desviación, tal como una máscara de enfoque de tensión, es que no se pueden utilizar los métodos convencionales para formar la matriz, debido a que los métodos anteriores proporcionan solamente una "impresión" de aproximadamente 0.05 milímetros (2 milésimas) . Para la máscara de enfoque de tensión de la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 5,646,478, el período triad o separación, T, del ensamble de pantalla, es igual que para un tubo de rayos catódicos con una máscara de sombra convencional, de modo que las aberturas de matriz son de aproximadamente 0.18 milímetros de ancho. Sin embargo, como se describe posteriormente en la presente, para un tubo de rayos catódicos de tipo de máscara de enfoque de tensión, se_ requiere una "impresión" de aproximadamente 0.37 milímetros (14.5 milésimas) . Este alto grado de "impresión" no se puede lograr con el proceso de matriz convencional descrito anteriormente. Adicionalmente, para un tubo_ de rayos catódicos de tipo de máscara de enfoque de tensión que tenga,_ por ejemplo, una transmisión de máscara del 50 por ciento, cualesquiera patrones de abertura de matriz formados utilizando un proceso de faro tres en uno convencional, tal como es enseñado por Mayaud, referenciado anteriormente, dará como resultado un mal registro de los haces de electrones que impacten sobre los fósforos emisores de azul y rojo, y también una falta de paridad de las aberturas intratrio con errores de separación "Q" . Son típicos los errores de separación "Q" del orden de +/- 5 por ciento, es decir, variaciones en la separación de enfoque de la máscara a la pantalla por desviaciones del espesor de la placa de cara o curvatura desde las dimensiones bogie. De conformidad con lo anterior, se requiere un nuevo método para hacer una matriz con la capacidad para una "impresión" muy grande. La Patente Británica Número GB-A-2 , 307, 094, fechada el 14 de mayo de 1997, describe un método para hacer una matriz, que comprende recubrir una capa conductora sobre la superficie interna de un panel de tubo de rayos catódicos a color, sobre-recubrir una capa fotoconductora sobre la capa conductora, estableciendo una carga electrostática sobre la capa fotoconductora, exponer las áreas seleccionadas de la capa fotoconductora, y revelar el panel expuesto. De acuerdo con una discusión, el revelado de preferencia no puede ser mediante un método electrofotográfico seco, en donde se dice que una matriz negra se fija mediante la irradiación de rayos infrarrojos desde una lámpara infrarroja sobre el panel. De acuerdo con otra discusión, el revelado de preferencia puede ser mediante un método electrofotográfico húmedo, empleando una solución de material absorbente de 7Lnz, en donde se remueva una solución residual sobre el panel revelado y se fije el material absorbente de luz sobre el panel. Sin embargo, el método descrito no hace una matriz con la capacidad para una "impresión" muy grande.
COMPENDIO DE LA INVENCIÓN La presente invención se refiere_a un método para ~ fabricar una matriz absorbente de luz, que tiene una-pluralidad de aberturas formadas en la_ misma, sobre una superficie interna de un panel de placa de cara de un tubo de_ rayos catódicos. Se forma un fotorreceptor, que tiene una pluralidad de capas, incluyendo una capa de fotorresistencia, una capa conductora, y una capa fotoconductora, sobre la superficie interna del panel, y se carga electrostáticamente hasta un nivel de carga sustancialmente uniforme. Luego, se inserta en el panel un electrodo de selección de color que tiene una pluralidad de aberturas, de una dimensión sustancialmente mayor que las aberturas correspondientes en la matriz absorbente de luz . El fotorreceptor se expone a la luz a través de las aberturas en el electrodo de selección de color, para descargar selectivamente las áreas más intensamente iluminadas del fotorreceptor, sin descargar sustancialmente las áreas menos intensamente iluminadas, y sin irradiar sustancialmente la fotorresistencia subyacente. El electrodo de selección de color se remueve del panel después del paso de exposición, y el fotorreceptor se pone en contacto con un tóner líquido adecuado para formar líneas de tóner. El tóner líquido comprende partículas de pigmento que tienen una carga de polaridad opuesta a la carga sobre las áreas menos intensamente iluminadas del fotorreceptor. El electrodo de selección de color se vuelve a insertar en el panel, y el fotorreceptor se expone a radiación ultravioleta, para cambiar selectivamente la solubilidad de su capa de fotsrresistencia, creando de esta manera áreas de mayor solubilidad subyacentes a las líneas de tóner, y áreas de menor solubilidad entre las mismas. El fotorreceptor se^ revela en serie para remover las áreas con menor ^solubilidad y exponer porciones de la superficie interna del panel, mientras que se dejan intactas las áreas de menor solubilidad. En seguida, se recubren las porciones expuestas de la superficie interna del panel y las áreas de menor solubilidad con una suspensión de matriz, y se secan para formar una matriz. La matriz se revela poniéndola en contacto con un solvente para remover las áreas de menor solubilidad y la matriz absorbente de luz sobrepuesta en las mismas, sin remover la matriz absorbente de luz de las porciones expuestas de la superficie interna del panel.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS En los dibujos: La Figura 1 es una vista seccional amplificada de una porción de una máscara de sombra y pantalla convencional de un tubo de rayos catódicos, que demuestra la "impresión". La Figura 2 muestra esquemá icamente un procedimiento de exposición de faro tres_ en uno convencional en conjunto con una máscara de sombra. La Figura 3 es una vista en planta, parcialmente en sección axial, de un tubo de rayos catódicos a color hecho de conformidad con la presente invención. La Figura 4 es una vista seccional amplificada de una porción de la máscara de enfoque de tensión y la pantalla del tubo de rayos catódicos de la Figura 3. La Figura 5 es una vista en planta de una máscara de enfoque de tensión y marco utilizados en el tubo de rayos catódicos de la Figura 3. La Figura 6 es una vista seccional amplificada de una porción de una placa de cara para ver que tiene una pluralidad de capas formadas sobre la misma, durante los pasos sucesivos en el proceso de fabricación de la matriz. La Figura 7 es un diagrama de bloques que comprende un diagrama de flujo del proceso de fabricación de la presente invención. La Figura 8 muestra esquemáticamente el procedimiento de exposición descrito como la anotación de la columna 4 de la tabla. — La Figura 9 muestra esquemáticamente el procedimiento de exposición descrito como la anotación de la columna 6 de la tabla. La Figura 10 muestra esquemáticamente el procedimiento de exposición descrito como la anotación de la columna 8 de la tabla.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS MODALIDADES PREFERIDAS La Figura 3 muestra un tubo de rayos catódicos 10 que tiene una envoltura de vidrio 11 que comprende un panel de placa de cara rectangular 12 y un cuello tubular 14 conectados mediante un embudo rectangular 15. El embudo tiene un recubrimiento conductor interno (no mostrado) que se extiende desde un botón de ánodo 16 hasta el cuello 1.4. E] panel 12 comprende una placa de cara para ver cilindrica 18, y una pestaña periférica o pared lateral 20 que se sella al embudo 15 mediante una frita de vidrio 17. Una pantalla de fósforo de tres colores 22 es llevada por la superficie interna de la placa de cara 18. La pantalla 22 es una pantalla de líneas con los fósforos emisores de azul, verde, y rojo arreglados en triads, incluyendo cada triad una líne de fósforo de cada uno de los tres colores, Pb, Pg, y Pr. separadas por líneas opacas de una matriz absorbente de luz 23, mostrada en la Figura 4. Un electrodo de selección de color cilindrico de múltiples aberturas, tal como una máscara de enfoque de tensión 24, se monta removiblemente adentro del panel 12 , en una relación separada previamente determinada con la pantalla 22. Una pistola de electrones 26, mostrada" esquemáticamente por las líneas punteadas de la Figura 3, se monta centralmente adentro del cuello 14 para generar y dirigir tres haces de electrones en línea (tampoco mostrados) a lo largo de las trayectorias convergentes a través de la máscara de enfoque de tensión 24 hasta la pantalla 22. La pistola de electrones es convencional, y puede ser cualquier pistola adecuada conocida en la materia. El tubo de rayos catódicos 10 está diseñado para utilizarse con un yugo de desviación magnético externo, tal" como el yugo 30, mostrado en el vecindario de la unión del embudo al cuello. Cuando se activa, el yugo 30 somete a los tres haces a campos magnéticos que hacen que los haces barran una cuadrícula rectangular horizontal y vertical sobre la pantalla 22. Como se conoce en la técnica, una capa de aluminio (no mostrada) se sobre a la pantalla 22, y proporciona un contacto eléctrico con la misma, así como una superficie reflejante para dirigir la luz, emitida por los fósforos, hacia afuera, a través de la placa de cara para ver 18. Como se muestra en la Figura 5, la máscara de enfoque de tensión 24 se forma de preferencia de una hoja rectangular delgada de aproximadamente 0.05 milímetros (2 milésimas) de espesor de acero bajo en carbono, que incluye dos lados largos y dos lados cortos . Los dos lados largos de la máscara de enfoque de tensión paralelos al eje central mayor X de la máscara, y los dos lados cortos paralelos al eje central 7 menor Y de la máscara. Con referencia a las Figuras 4 y 5, la máscara de enfoque de tensión 24 incluye una porción con aberturas que contiene una pluralidad de primeras hebras alargadas 32 separadas por ranuras 33 parálelas al eje menor Y de la máscara. En una configuración, la separación de la máscara, Dm, definida como la dimensión transversal de una primera hebra 32 y una ranura adyacente 33, es de ~0.85~ milímetros (33.5 milésimas) . Como se muestra cada una de las primeras hebras 32 tiene una dimensión transversal, o ancho, w, de aproximadamente 0.39 milímetros (15.5 milésimas), y cada una de las ranuras 33 tiene un ancho, a' , de aproximadamente 0.46 milímetros (18 milésimas) . Las ranuras 33 se extienden desde casi un lado largo de la~máscara de enfoque de tensión, hasta casi el otro lado largo de la misma. Una pluralidad de segundas hebras 34, cada una teniendo un diámetro de -aproximadamente 0.025 milímetros (1 milésima) , se disponen sustancialmente paralelas a las primeras hebras 32, y separadas de las mismas por los aisladores 36. Como se muestra en la Figura 5, el marco 38 comprende cuatro miembros principales : dos miembros de_ torsión 40 y 41; y dos miembros laterales 42 y 43. Los dos miembros de torsión 40 y 41, están paralelos al eje mayor X, y uno con el otro. Los lados largos de la máscara de enfoque ~ de tensión 24 se sueldan entre los dos miembros de torsión 4CL y 41, que proporcionan la tensión necesaria a la máscara 24. Nuevamente con referencia a la Figura 4, la pantalla 22, m formada sobre la placa de cara para ver 18, incluye la matriz absorbente de luz 23 con aberturas rectangulares, en donde se disponen las líneas de fósforo emisor de color. Las aberturas de matriz correspondientes tienen un ancho, c, de aproximadamente 0.25 milímetros (6.1 milésimas) . El ancho, d, de cada línea de matriz, es de aproximadamente 0.15~ milímetros (5.8 milésimas), y cada triad de fósforo tiene un ancho o separación de pantalla, T, de aproximadamente 0.91 milímetros (35.8 milésimas) . Para esta modalidad, la máscara de tensión 24 está separada a una distancia Q (posteriormente en la presente, la separación Q) de aproximadamente 15.24 milímetros (600 milésimas) desde el centro de la superficie interna del panel de placa de cara 12. Durante la operación del tubo de rayos catódicos 10, la diferencia de voltaje entre las primeras hebras 32 y las segundas hebras 34, en un voltaje del ánodo de 30 kV, es de aproximadamente 800 voltios . La separación, Dm, de la máscara de enfoque de_ tensión 24, se puede variar. Por ejemplo, en una segunda configuración, con una separación de máscara de 0.68 milímetros (25.6 milésimas), y un ancho de la primera hebra de 0.3 milímetros (11.8 milésimas), la separación-de pantalla correspondiente, T, es de 0.68 milímetros (26.78 milésimas). Cada abertura de la matriz tiene un ancho, c, de aproximadamente 0.11 milímetros (4.5 milésimas), y un ancho de línea de matriz, d, de aproximadamente 0.11 milímetros (4.5 milésimas) . Para esta configuración _de la máscara de enfoque de tensión 24, con una separación Q central de 11.56 milímetros (455 milésimas) , la diferencia de voltaje entre las primeras hebras 32 y las segundas hebras 34, en el voltaje del ánodo de 30 kV, es de aproximadamente 750 voltios . En una tercera configuración, con una separación de la máscara, Dm, de 0.41 milímetros (16.1 milésimas), y un ancho de la primera hebra de 0.2 milímetros (7.8 milésimas), la separación de pantalla correspondiente, T, es de 0.42 milímetros (16.5 milésimas). Cada abertura de la matriz tiene un ancho, c, de aproximadamente 0.051 milímetros (2 milésimas) , y un ancho de la línea de la matriz, d, de aproximadamente 0.089 milímetros (3.5 milésimas). Para esta configuración de la máscara de enfoque de tensión 24, con una separación Q central de 7.4 milímetros (291.5 milésimas) , la' diferencia de voltaje entre las primeras hebras 32 y las segundas hebras 34, a un voltaje del ánodo de 30 kV, es de aproximadamente 650 voltios. El método para fabricar la matriz 23 se describirá en una modalidad utilizando la máscara de enfoque de tensión 24 con una separación de máscara, Dm, de 0.68 milímetros, como una maestra fotográfica. Inicialmente, se limpia el panel 12, como se indica en el paso 50 de la Figura 6, lavándolo con una solución cáustica, enjuagándolo con agua, grabándolo con ácido fluorhídrico regulado, y enjuagándolo nuevamente con agua, como se conoce en este campo. Como se indica en el paso 52, la superficie interna de la placa decara para ver 18 del panel 12 se recubre entonces con una solución de alcohol polivinílico (PVA) , y se seca para formar una capa de recubrimiento previo 54, mostrada en la Figura 7. Debido a que la composición química del panel de placa de cara de vidrio 12 puede variar un poco de un fabricante de vidrio a otro, la capa de recubrimiento previo 54 -proporciona-una condición superficial uniforme para el depósito de los siguientes materiales. El espesor de la capa de recubrimiento previo 54 es del orden de una monocapa. Se sobre-recubre una solución de fotorresistencia negativa sobre la capa de recubrimiento previo 54 , y se seca para formar una capa de otorresistencia 56, como se indica en el paso 58. La solución de fotorresistencia comprende el 1.08 por ciento en peso de PVA; el 1.08 por ciento en peso de PVP; el 0.6 por ciento en peso de un sensibilizante, tal como Resina Diazoica #8, disponible en Fairmount Chemical Co., Inc., Newark, NJ; el 0.02 por ciento en peso de un tensoactivo, tal como Tritón XlOO, disponible en Union Carbide, Danbury, CT; y el resto de agua desionizada (DI) . La capa de fotorresistencia 56 tiene" un espesor de aproximadamente 1 + 0.2 mieras. Luego, se sobre-recubre una solución conductora orgánica sobre la capa de fotorresistencia 56, y se seca para formar una capa conductora orgánica (OC) 62, como se indica en el paso 60. El espesor de la capa OC 62 es de aproximadamente 1 ± 0.2 mieras. La solución OC comprende aproximadamente el 0.62 por ciento en peso de PVP; el 5.84 por ciento en peso de MS-905, disponible en BASF, Parsippany, NJ; y el resto de metanol. En seguida, como se indica en el paso 64, se proporciona una solución fotoconductora orgánica para sobre-recubrir la capa OC 62, y se seca para formar una capa fotoconductora orgánica (OPC) 66 . La capa OPC 66 tiene un espesor de aproximadamente 5 ±. 1 miera. La solución OPC comprende aproximadamente el 0.005 por ciento en peso del tensoactivo UL-7602, disponible en Union Carbide, Danbury, CT; aproximadamente el 0.23 por ciento en peso de 2 , 4 , 7-trinitro-9-fluorenona (TNF); aproximadamente el 0.35 por ciento en peso de 2-etilantraquinona (EAQ) ; aproximadamente el 2.32 por ciento en peso de tetrafeniletileno (TPE); aproximadamente el 9.28 por ciento en peso de poliestireno; aproximadamente el 24.49 por ciento en peso de xileno; y el resto de tolueno. Entonces, como se indica en el paso 68, se aplica una solución de poli-2-vinilpiridina (PVPy) para sobre-recubrir la capa OPC 66, y se seca para formar una capa protectora 70, que tiene un espesor de aproximadamente 0.7 ± 0.2 mieras . La capa de fotorresistencia 56, la capa OC 62, y la capa OPC 66, son referidas posteriormente en la presente, de una manera colectiva, como el fotorreceptor 72. Luego se coloca el panel de placa de cara sobre un aparato de carga del tipo descrito en la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 5,519,217, expedida a Wilbur y colaboradores, el 21 de mayo de 1996, y se carga electrostáticamente la capa OPC 66 del fotorreceptor 72 hasta un voltaje positivo de 425 ± 25V, para proporcionar un nivel sustancialmente uniforme de carga, como se indica en el paso 74. Como se indica en el paso 76, la máscara de enfoque de tensión 24 se inserta en el panel de placa de cara 12, y se monta adentro de un faro, que contiene una pluralidad de fuentes de luz . A diferencia del tubo de rayos "_ catódicos convencional, en donde la máscara de sombra 2 tiene aberturas 4 , cada una con un ancho menor de Dm/3 , los tubos de rayos catódicos que incorporan la máscara de enfoque de tensión 24 pueden tener una abertura a' con un ancho entre Dm/3 y 2Dm/3. Si se fueran a utilizar las tres fuentes de luz, R, G, y B, mostradas en la Figura 2, para proyectar una imagen de las- aberturas de máscara 33 de la Figura 4, se presentaría un traslape espacial significativo en la pantalla. El resultado sería que el área de menos exposición se centraría sobre la imagen proyectada de la abertura 33, en donde se pretende que eventualmente se centre una de las franjas de fósforo. Para evitar este problema, todas las posiciones de la fuente de luz de la Figura 2 se mueven lateralmente, ya sea a la izquierda o a la derecha, por una distancia S/2, de modo que la fuente de luz G ya no queda sobre el eje de simetría de la pantalla y la máscara. Cuando las fuentes de luz se mueven hacia la derecha, el eje de la máscara-pantalla queda a la mitad del camino entre las fuentes de luz R y G cambiadas . De una manera similar, si las fuentes de luz se mueven hacia la izquierda, el eje de simetría de la pantalla queda a la mitad del camino entre las fuentes de luz G y B cambiadas . Las geometrías de las fuentes de luz para los procedimientos de exposición para un tubo de rayos catódicos convencional con una máscara de sombra, y un tubo de rayos catódicos que utilice una máscara de enfoque de tensión 24, se resumen como las entidades 1-3 de la tabla. La tabla -indica las localizaciones de las fuentes de luz y los pesos de exposición (en paréntesis) .
En la tabla, la columna 1 indica las localizaciones de luz y los pesos de exposición para el tubo de rayos catódicos convencional y la máscara de sombra de la Figura 2. La columna 2 representa un tubo de rayos catódicos que utiliza la máscara de enfoque de tensión 24, con las localizaciones de luz movidas a la izquierda, y la columna 3 representa la misma máscara de enfoque de tensión 24, con las localizaciones de luz movidas hacia la derecha. Los valores de s utilizados para establecer las localizaciones de las fuentes de luz en un faro, se ligan con los valores de diseño L, Dm, y Q0. Cuando una máscara de sombra o máscara de enfoque de tensión defectuosa o no acoplada exhibe deformaciones de localización desde la forma superficial especificada zm(x,y), el error produce una separación local de la máscara-pantalla de la forma Q = Q0 +~ e, en donde L sigue siendo fijo. La separación trio Ti en la_ pantalla llega a ser: Ti = LDm/ [L- (Qo+e) ] (3) y la separación xx entre los centros de imagen g y b, y entre los centros de imagen r y b, expresados como una fracción de la separación trio dependiente de e, es dada por la relación: El cambio lateral de las fuentes de luz requeridas para imprimir las pantallas para un tubo de rayos catódicos que tenga una máscara de enfoque de tensión 24, afecta solamente a la posición de referencia de las franjas de matriz con respecto a las aberturas de la máscara 33. Si no hay influencia sobre la separación de franja a franja, es decir, este cambio de la fuente no cambia los elementos estructurales de la pantalla o su relación unos con otros, sino que más bien los cambia colectivamente con respecto a la-máscara. Por consiguiente, las fórmulas de separación de las ecuaciones (3) y (4) se aplican tanto al tubo de rayos catódicos convencional, como al tubo de rayos catódicos que tenga la máscara de enfoque de tensión 24. Para ambos tipos de tubos, los errores de ±5 por ciento en la máscara-pantalla o en la separación Q, producen un grado inaceptable de falta de uniformidad en los anchos de separación de las franjas negras, o bandas de guarda, de la matriz 23. La ecuación 4 proporciona una descripción del centro de los perfiles de exposición individuales para una posición de fuente dada. La ecuación es una aproximación muy buena para el sistema de la máscara de enfoque de tensión, es decir, la difracción tiene poca influencia sobre la precisión de la ecuación. La agrupación o desagrupación de un triad será influenciada por la suma de los patrones de exposición; sin embargo, para un sistema de máscara de enfoque de tensión con errores "Q" , el centro de los perfiles de exposición individuales descritos por la ecuación 4-, no rastrea la agrupación o desagrupación-resultante. Por ejemplo, la secuencia de exposición enseñada por la anotación de la columna 8 de la tabla, produce una agrupación con "Q" corta, lo cual es menos severo de lo que uno puede esperar de la ecuación 4, y de la misma manera, la des grupación con "Q" larga, es menos severa de lo que se puede esperar de la ecuación 4. La agrupación se refiere a la tendencia de los centros del triad rojo y azul para moverse hacia el centro verde con un error-Q corto (es decir, b, g y y g, r < T/3 en la Figura 3) . La desagrupación se refiere a_ la tendencia de los centros de triad rojo y azul a moverse alejándose del centro verde con un error-Q largo (es decir, b, g, y g, r > T/3 en la Figura 2) . Con referencia a la Figura 8, si se denotan dos de las localizaciones de fuente de luz como B' y R' , y se separan a una distancia lateral 2s desde la localización de la fuente de luz G, las imágenes proyectadas de las aberturas de máscara en cada trio B, G, R en la pantalla, se forman mediante rayos de luz a través de tres aberturas adyacentes en la máscara, en lugar de hacerlo a partir de la misma abertura, como en la Figura 2. Para los valores de diseño L, Qo/ y Dm/ las separaciones entre las imágenes en la pantalla son iguales que para el procedimiento de la Figura 2. Un ejemplo de este procedimiento de exposición para un tubo de rayos catódicos convencional, se resume como la anotación de la columna 4 en la tabla. En la presencia de errores de separación Q, la configuración de las fuentes de luz de la Figura 8 produce una separación trio T2 con la misma dependencia del espacio Q que Ti en la ecuación (3), pero la separación fraccionaria x2/T2 entre los centros de imagen g y b, y entre los centros de imagen r y g, ahora tiene la forma: x2/T2 = (Qo - 2e) /3Q0 ( 5 ) Con las nuevas localizaciones de fuente, la ecuación (5) dice que los cambios de imagen fraccionaria por" un error Q dado son del doble que en la ecuación (4) , y están en las direcciones opuestas . Para un procedimiento de exposición compuesto, en donde a la pantalla se le dan cuatro unidades de exposición desde cada fuente de luz en la configuración de la Figura 2 , y dos unidades de exposición adicionales desde cada localización de fuente de luz como en la Figura 8, las imágenes de ranura roja y azul proyectadas experimentan el doble del peso desde las localizaciones de fuente B y R que desde las localizaciones de fuente R' y B' . Adicionalmente, la imagen compuesta, contribuida por todas las fuentes de luz asociadas con un color dado, recibe las mismas exposiciones totales de seis unidades, como en la práctica convencional. En la presencia del error Q, los movimientos de los centroides de imagen roja y de imagen azul desde las exposiciones tipo 1 y tipo 2 ponderadas, se cancelan unos a otros en la exposición combinada. Para errores Q_ suficientemente pequeños, del orden de ± 5 por ciento o menos, el nivel de contraste de la imagen compuesta roja o azul se reduce un poco, pero la localización pico y el ancho de la exposición seguirán siendo relativamente fijos, y exhiben errores aceptablemente pequeños . La Figura 9 ilustra el procedimiento de exposición compuesta que minimiza los problemas de agrupación o desagrupación de franjas de la matriz resultantes de los errores de separación Q pequeños. El patrón de exposición compuesta asigna pesos de exposición relativos de dos unidades desde B' , cuatro unidades desde R, seis unidades desde G, cuatro unidades desde B, y dos unidades desde R' . El procedimiento se resume en la columna 5 de la tabla. Como se observó anteriormente, el movimiento lateral de las fuentes de luz requerido para que el tubo de rayos catódicos tenga la máscara de enfoque de tensión 24, afecta solamente a la posición de referencia de las franjas de la matriz con respecto a las ranuras o aberturas de la máscara 33, y no tiene ninguna influencia sobre la paridad de las aberturas de la matriz . La paridad de las aberturas de la matriz se refiere a la condición en la que las aberturas de la matriz en un triad dado son de un ancho igual. En consecuencia, el movimiento del arreglo de las cinco fuentes de luz de la Figura 9 por una distancia lateral de s/2, como se resume para un movimiento a la izquierda en la columna 6 de la tabla, minimiza el problema de la agrupación, para un tubo de rayos catódicos que tenga una máscara de enfoque de tensión, en la presencia de errores Q. En este ejemplo, el eje de simetría de la máscara-pantalla queda a la mitad del camino entre las fuentes de luz G y B . De "una manera alternativa, el patrón de exposición se puede mover hacia la derecha por una distancia lateral s/2 para el mismo tipo de tubo, como se resume en la columna 7 de la tabla. La exposición de cinco posiciones ponderadas ayuda de una manera significativa a compensar los errores de separación de franja a franja, y se encuentra adecuada para este propósito en el proceso de fabricación de la pantalla para un tubo de rayos catódicos que tenga una máscara de enfoque de tensión. Sin embargo, las direcciones de exposición globales en el faro no son simétricas alrededor de la -normal al centro de la pantalla, que también es el eje de simetría para el ensamble de la pistola de electrones en línea del tubo de rayos catódicos. Una exposición compuesta de seis posiciones que exhiba esta simetría alrededor de la pistola de electrones y el eje de la pantalla, se puede obtener llevando a la mitad los pesos de las fuentes de luz en las exposiciones de las columnas 6 y 7 de la tabla, y combinando las dos secuencias. Los resultados se muestran en la Figura 10, y se resumen en la columna 8 de la tabla. Como se indica en el paso 78 de la Figura 6, utilizando uno de los procedimientos de las Figuras 9 ó 10, una fuente de luz de xenón adentro del faro, expone a la capa OPC 66 del fotorreceptor 62 a la luz, que pasa a través de la pluralidad de las aberturas rectangulares 33 en la máscara de enfoque de tensión 24, para descargar selectivamente las áreas más intensamente iluminadas de la capa OPC 66 del fotorreceptor 72, sin descargar completamente las áreas menos intensamente iluminadas. Debido a que la intensidad de la fuente de luz de xenón es sustancialmente menor que aquélla de una fuente de mercurio convencional, la capa de fotorresistencia subyacente 56 del fotorreceptor 72 sustancialmente no es afectada por la exposición a la luz. Normalmente, el contraste de voltaje de exposición entre las áreas más intensamente iluminadas y menos intensamente iluminadas de la capa OPC 66, es de aproximadamente 50 a 75 voltios. Después del paso de exposición, la máscara de enfoque de tensión 24 se remueve del panel 12, como se indica por el paso 80, y se revela la capa OPC 66, en el paso 82, utilizando un tóner líquido adecuado. El tóner comprende partículas de pigmento negativamente cargadas suspendidas en un líquido aislante, tal como un isopar tipo H ó G. El tóner se puede aplicar como una corriente de inundación, o mediante inmersión. Durante la aplicación, las partículas de tóner negativamente cargadas siguen las líneas del campo electrostático, y se asientan sobre la capa protectora 70, sobreponiéndose a las áreas positivamente cargadas, menos intensamente iluminadas de la capa OPC 66 . El exceso de tóner líquido se remueve del panel 12, por ejemplo mediante flujo por gravedad, o vertiendo, y las líneas de tóner resultantes 84, mostradas en la Figura 7, se secan. Se ha determinado que la dosis de exposición, es decir, el número de destellos de la lámpara de xenón, afecta directamente al ancho de las líneas de tóner. El ancho de las líneas generalmente disminuye a medida que se incrementa la dosificación de la" exposición. El tiempo de revelado del patrón de tóner, que también afecta al ancho de las líneas de tóner 84, está relacionado con la conductividad del tóner, que'""a su "vez, depende de la concentración de los sólidos de pigmento en la solución de tóner. El pigmento preferido, disponible en 01in_ Corporation, Cheshire, CT, comprende partículas de carbón que tienen una concentración dentro de la escala del 0.3 al 2.0 por ciento en peso. Las líneas de tóner que tienen la. densidad y opacidad necesarias, se pueden obtener con un tóner líquido que tenga una conductividad "de_ aproximadamente 0.88 picosiemens/centímetro (pS/cm) , una proporción de la-carga a la masa de aproximadamente 9 microcoulombs/gramo (µC/gm) , y un tamaño de partículas de aproximadamente 430 nanómetros . Como se indica por el paso 86, la máscara de enfoque de tensión 24 se vuelve a insertar en el panel de placa de cara 12 , y se monta adentro de un aro que tenga una fuente de arco de mercurio que proporcione una salida da_ ultravioleta. Entonces, como se indica en el paso 88, la fuente de radiación ultravioleta dentro de La inundación del faro, expone a la capa de fotorresistencia 56 del fotorreceptor 72 a la radiación ultravioleta. La radiación ultravioleta pasa a través de la pluralidad de aberturas rectangulares 33 en la máscara de enfoque de tensión 24, y a^ través de la capa protectora 70, la capa OPC 66 , y la capa OC 62, para cambiar selectivamente la solubilidad de la capa de fotorresistencia 56 del fotorreceptor 72. Las áreas no iluminadas de la capa de fotorresistencia 56, subyacentes a las líneas de tóner 84, no son afectadas por la exposición al ultravioleta, y retienen su solubilidad, mientras que las áreas iluminadas de la capa de fotorresistencia entre las líneas de tóner se hacen menos solubles. Durante la exposición a ultravioleta, la fuente de ultravioleta adentro del faro oscila para impedir que las primeras hebras 32 de la-mascara de enfoque de tensión 24 formen un patrón sobre la capa de fotorresistencia 56. Las líneas de tóner 84 y las diferentes capas 54, 56, 62, 66, y 70, dispuestas sobre la superficie interna del panel 12, se revelan en serie, con el objeto de exponer porciones de la superficie interna de la placa de cara para ver 18. Como se indica en el paso 90, se vierte una cantidad adecuada de un primer solvente en el panel, y se agita durante aproximadamente 2 minutos para remover las líneas de tóner y la capa protectora 70. De preferencia, el primer solvente se selecciona a partir del grupo que consiste en isopropanol (IPA) , una solución acuosa de ácido sulfámico (al 15 por ciento) , o ácido peryódico (10 por ciento) . Entonces, se inclina el panel en una posición vertical para drenar el solvente, el tóner, y el residuo de la capa protectora. Aunque en la posición vertical, si se ha utilizado IPA, se dosifica una cantidad adicional, por ejemplo aproximadamente- 200 mililitros, de IPA en el panel, y se deja drenar, después de lo cual, la pared lateral del panel 20 se limpia para remover cualquier residuo, y se seca el panel. La remoción de la capa OPC 66 se realiza, como se indica en el paso 92, depositando un segundo solvente, de preferencia 400 mililitros de una mezcla de 2:1 por volumen de tolueno y metilisobutilcetona (MIBK) , o de una manera alternativa, una cantidad adecuada de d- limoneno. La mezcla se mueve alrededor del interior del panel durante aproximadamente 7 minutos para disolver la capa OPC 66, y luego se inclina el panel para verter la mezcla de solvente y el residuo de OPC. Si se utiliza d-limoneno, entonces no se requiere ningún tratamiento adicional antes del revelado de la fotorresistencia; sin embargo, si se utiliza la mezcla de tolueno y MIBK, entonces se requieren 200 mililitros adicionales de tolueno en el panel, mientras que está en una posición vertical para drenarse, y la pared lateral 20 se limpia para remover cualquier residuo. Debido a la capa OC 62 y las áreas no expuestas de la capa de fotorresistencia 56 son solubles en agua, el revelado de la capa de fotorresistencia, como se describe en el paso 94, se realiza enjuagando la superficie interna del panel 12 con un tercer solvente, tal como agua, para remover la capa OC y las áreas de la capa de fotorresistencia que tengañJmayór solubilidad. Este paso de revelado expone porciones de las áreas subyacentes de la superficie interna de panel 12, mientras que deja intactas las áreas de la capa de fotorresistencia 56 que tienen menor solubilidad, la matriz se forma, como se indica en el paso 96, recubriendo las porciones expuestas de la superficie interna del panel 12, y las áreas retenidas de la capa de fotorresistencia 56, que tienen menor solubilidad, con una suspensión acuosa de grafito, del tipo descrito en la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 3,558,310 anteriormente referenciada . La suspensión se seca para formar una matriz absorbente de luz 23, como se indica en el paso 98, y se revela, en el paso 100, depositando un cuarto solvente, tal como ácido peryódico acuoso, o el equivalente, sobre la matriz, para reblandecer e hinchar las áreas retenidas subyacentes de la capa de fotorresistencia 56, que tienen menor solubilidad. Luego se inunda la matriz con- agua para remover las áreas retenidas aflojadas, menos solubles, de la capa de fotorresistencia y la matriz sobrepuesta en la misma, formando aberturas en la misma, pero dejando las líneas de matriz o las bandas de guarda unidas a la porción expuesta de la superficie interna del panel 12.
El panel de placa de cara está ahora listo para la formación de la pantalla de fósforo, utilizando el proceso" EPS descrito en la Patente de los Estados Unidos de Norteamérica Número 4,721,767. Aunque la capa de fotorresistencia 56 y la capa OC 52 se han descrito en la presente como capas separadas, está dentro del alcance de esta invención proporcionar una sola capa que tenga tanto propiedad de fotorresistencia como conductora. También, la invención abarca un revelado adecuado del pigmento cargado sobre las áreas __ más intensamente iluminadas del fotorreceptor.

Claims (14)

R*EIVINDÍCACIONES
1. Un método para fabricar una matriz absorbente de luz (23), que tiene una pluralidad de aberturas formadas en la misma, sobre una superficie interna de un panel de placa de cara (12) de un tubo de rayos catódicos (10) , el cual comprende los pasos de : a) formar un fotorreceptor (72) , que tenga una pluralidad de capas, incluyendo una capa de fotorresistencia (56) , una capa conductora (62) , y una capa fotoconductora ( 66 ) , sobre la superficie interna del panel de placa de cara; b) cargar electrostáticamente el fotorreceptor hasta un nivel de carga sustancialmente uniforme; c) insertar un electrodo de selección de color (24) en el panel, teniendo este electrodo de selección de color una pluralidad de aberturas (33) de una dimensión sustancialmente mayor que la dimensión correspondiente de las aberturas en la matriz absorbente de luz; d) exponer al fotorreceptor a la luz, a través de" la pluralidad de aberturas en el electrodo de selección de color, para descargar selectivamente las áreas más intensamente iluminadas del fotorreceptor, sin descargar sustancialmente las áreas menos intensamente iluminadas del mismo ; e) remover el electrodo de selección de color- del panel; f) poner en contacto el fotorreceptor con un tóner líquido adecuado para formar una pluralidad de líneas de tóner (84) , comprendiendo el tóner partículas de pigmento"" que tengan una carga de una polaridad opuesta a la carga en las áreas menos intensamente iluminadas del fotorreceptor; g) volver a insertar el electrodo de selección de color en el panel; h) volver a exponer el fotorreceptor a la luz, para cambiar selectivamente la solubilidad de la capa de fotorresistencia del fotorreceptor, creando de esta manera, en la capa de fotorresistencia, áreas de mayor solubilidad subyacentes a las localizaciones del tóner, y áreas de menor solubilidad entre las mismas; i) revelar en serie el fotorreceptor para exponer porciones de la superficie interna del panel, mientras que se dejan las áreas de menor solubilidad; j ) recubrir las porciones expuestas de la superficie interna del panel y de las áreas de menor solubilidad, con una suspensión de matriz,- k) secar la suspensión de matriz para formar la matriz absorbente de luz; y 1) poner en contacto la matriz absorbente de luz con un solvente para remover las áreas de menor solubilidad y la matriz absorbente de luz sobrepuesta en las mismas, sin remover la matriz absorbente de luz de las porciones expuestas de la superficie interna del panel, formando de esta manera la pluralidad de aberturas en la matriz absorbente de luz .
2. El método como se describe en la reivindicación 1, el cual incluye además, antes del paso a) , el sub-paso de recubrir la superficie interna del panel de placa de cara (12) con una solución de PVA para formar una capa de recubrimiento previo (54) .
3. El método como se describe en la reivindicación 2, en donde el paso a) incluye los sub-pasos de: I) sobre-recubrir la capa de recubrimiento previo (54) con una solución de fotorresistencia, para" formar la capa de fotorresistencia (56) ; II) sobre-recubrir la capa de fotorresistencia con: una- solución conductora orgánica para -formar una capa" conductora orgánica (OC) (62) ; III) sobre-recubrir la capa OC con una solución fotoconductora orgánica para formar una capa fotoconductorár orgánica (OPC) ( 66 ) ; y IV) aplicar una solución de PVPy a la capa OPC para formar un recubrimiento protector (70) sobre la misma.
4. El método como se describe en la reivindicación 3, en donde la solución de fotorresistencia del paso I) , y la solución OC del paso II) , se combinan para facilitar el sobre-recubrimiento de la capa de recubrimiento previo (54) con una solución adecuada para formar una sola fotorresistencia y capa OC.
5. El método como se describe en la reivindicación 3 , en donde el paso i) , de revelar en serie el fotorreceptor (72) para exponer porciones de la superficie interna del panel (12), mientras que se dejan las áreas de menor solubilidad, incluye : depositar un primer solvente en el panel para remover las líneas de tóner (84) y el recubrimiento protector (70) ,- depositar un segundo solvente en el panel para remover la capa OPC (66) ; y depositar un tercer solvente en el panel para remover la capa OC (62) y las áreas de mayor solubilidad de la capa de fotorresistencia (56) , exponiendo de esta manera porciones de la superficie interna del panel, mientras que se dejan intactas las áreas de la capa de fotorresistencia de menor solubilidad.
6. El método como se describe en la reivindicación 5, en donde el primer solvente se selecciona a partir del grupo que consiste en IPA, una solución acuosa de ácido sulfámico (al 15 por ciento) , y ácido peryódico (10 por ciento) .
7. El método como se describe en la reivindicación 5, en donde el segundo solvente se selecciona a partir del grupo que consiste en una mezcla de tolueno y MIBK, y d-limoneno.
8. El método como se" describe en la reivindicación 5, en donde el tercer solvente es agua.
9. Un método para fabricar una matriz absorbente de luz (23) que tiene una pluralidad de aberturas rectangulares formadas en la misma, sobre una superficie interna de un panel de placa de cara (12) de un tubo de rayos catódicos (10), el cual comprende los pasos de: recubrir la superficie interna del panel de placa de -cara con una solución de PVA para formar una capa de recubrimiento previo (54) ; sobre-recubrir la capa de recubrimiento previo con una solución de fotorresistencia para formar una capa de fotorresistencia (56) ; sobre-recubrir la capa de fotorresistencia con una solución conductora orgánica para formar una capa conductora orgánica (OC) (62) ; sobre-recubrir la capa OC con una solución fotoconductora orgánica para formar una capa fotoconductora orgánica (OPC) (66) ,- aplicar una solución de PVPy para formar un sobre-recubrimiento protector (70) sobre la capa OPC; cargar electrostáticamente la capa OPC hasta un nivel de carga sustancialmente uniforme; insertar, en el panel, una máscara de enfoque de tensión (24) que tenga una pluralidad de aberturas rectangulares (33) de un ancho sustancialmente mayor que el ancho de las aberturas rectangulares de la matriz absorbente de luz ; exponer a la luz la capa OPC, a través de la pluralidad de aberturas rectangulares en la máscara de enfoque de tensión, desde cuando menos cinco localizaciones de luz (B' ,R,G,B,R' ;B' ,R,G,B,R' ,G' ;R,G,B,R' ,G') , para descargar selectivamente las áreas más intensamente iluminadas de la capa OPC, sin descargar sustancialmente las áreas menos intensamente iluminadas de la capa OPC; remover la máscara de enfoque de tensión del panel; poner en contacto la capa OPC con un tóner líquido adecuado, que tenga partículas de pigmento cargadas en el mismo, para formar una pluralidad de líneas de tóner (84) sobre las áreas menos intensamente iluminadas de la capa OPC, teniendo estas partículas de pigmento una carga de polaridad opuesta a la carga en las áreas menos intensamente iluminadas ? de la capa OPC; volver a insertar la máscara de enfoque de tensión en el panel ,- exponer por inundación la capa de fotorresistencia subyacente a la capa protectora, la capa OPC, y la capa OC, a radiación ultravioleta, para cambiar selectivamente su solubilidad, creando de esta manera en la capa de fotorresistencia, áreas de mayor solubilidad subyacentes a las líneas de tóner, y áreas de menor solubilidad entre las mismas; depositar un primer solvente en el panel para remover las líneas de tóner y el recubrimiento protector; depositar un segundo solvente en el panel para remover la capa OPC; depositar un tercer solvente en el panel para remover la capa OC y las áreas de la capa de fotorresistencia de mayor solubilidad, exponiendo de esta manera p"brciones de" la superficie interna—subyacente del panel, mientras que se dejan intactas las áreas de la capa de fotorresistencia de menor solubilidad; recubrir las porciones expuestas de la_ superficie interna del panel, y las áreas de la capa de fotorresistencia de menor solubilidad, con una suspensión de matriz; secar la suspensión de matriz para formar una capa de la matriz absorbente de luz; y depositar un cuarto solvente en el panel, para" remover las áreas de la capa de fotorresistencia de menor solubilidad y la matriz sobrepuesta en las mismas, formando de esta manera la pluralidad de aberturas rectangulares en la matriz absorbente de luz .
10. El método como se describe en la reivindicación 9, en donde el primer solvente se selecciona a partir del grupo que consiste en IPA, una solución acuosa de ácido sulfámico (15 por ciento), y ácido peryódico (10 por ciento) .
11. El método como se describe en la' reivindicación 9, en donde el segundo solvente se selecciona a partir del grupo que consiste en una mezcla de tolueno y MIBK, y d- limoneno.
12. El método como se describe en la reivindicación 9, en donde el tercer solvente es agua.
13. El método como se describe en la reivindicación 9 , en donde el cuarto solvente es ácido peryódico acuoso .
14. El método como se describe en la reivindicación 9, en donde la solución de fotorresistencia y la solución conductora orgánica se combinan para proporcionar una solución adecuada para sobre-recubrir la capa de recubrimiento previo (54) para formar una capa de fotorresistencia-conductora. RESUMEN Una matriz absorbente de luz (23) que tiene aberturas en la misma, está formada en una superficie interior de un panel de placa frontal 812) de un tubo derayos catódicos (10) al proporcionar un fotorreceptor en el mismo, cargar electrostáticamente el fotorreceptor a un nivel sustancialmente uniforme de carga y exponer el fotorreceptor a luz a través de aberturas (33) en un electrodo de selección de color 824) para descargar selectivamente las áreas más intensamente iluminadas línea del fotorreceptor, sin descargar sustancialmente las áreas iluminadas menos intensamente. El fotorreceptor comprende una pluralidad de" capas que incluyen una capa fotorresistente (56) , una capa conductora (62) y una capa fotoconductora (66) . Las aberturas en el electrodo de selección de color tienen una dimensión- sustancialmente mayor de la dimensión de las aberturas en la matriz resultante (23) . El fotorreceptor hace contacto con un tonificador líquido que tiene partículas de pigmentos cargadas que forman líneas de tonificador (84) en las áreas menos intensamente iluminadas del fotorreceptor. El" fotarreceptor está expuesto a radiación UV para cambiar selectivamente la solubilidad de la capa fotorresistente del mismo en áreas de mayor y menor solubilidad. El fotorreceptor se revela en serie para exponer porciones de la superficie- interior del panel, mientras deja intactas las áreas de menor solubilidad. Después la superficie interior del -panel y las áreas de menor solubilidad se recubren con una suspensión de matriz que se seca para formar la matriz. Las áreas de menor solubilidad y el material de la matriz absorbente de luz sobrepuesto en las mismas se eliminan, formando así en la matriz una pluralidad de aberturas que tienen una anchura menor que la anchura de las aberturas en el electrodo de-selección de color.
MXPA/A/2000/012566A 1998-06-16 2000-12-15 Metodo para fabricar una matriz negra para un tubo de rayos catodicos MXPA00012566A (es)

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