JP2001516138A - 電荷潜像の現像方法 - Google Patents
電荷潜像の現像方法Info
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
-
- G—PHYSICS
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】
ＣＲＴ（１０）のフェースプレートパネル（１２）の内部面に配設させた光レセプタ（３６）に形成させた静電潜像の現像方法は、デベロッパー（４０）を利用し、そのデベロッパーは底端部により閉塞された側壁（５０）のある現像チャンバー（４２）と、他端部のパネル支持体（４６）とを具備する。開口部（４８）はパネル支持体（４６）を介して形成され、フェースプレートパネル（１２）へのアクセスを提供し、フェースプレートパネル（１２）を支える。パネルグリッド（７４）は前記フェースプレートパネル（１２）の前記内部面の近位に配設され、第一の電位で作動して電荷潜像からの電界を制御する。タンクグリッド（５６）は前記デベロッパー（４０）内に配設され、側壁（５０）、底部（４４）及びパネルグリッド（７４）から離間している。摩擦電気銃（８４）はデベロッパー（４０）内に配設され、スクリーン構造材料に所望の電荷極性を与え、電荷潜像に帯電スクリーン構造材料を分散させる。電位計（６６）及び蛍光体堆積モニター（９０）は、電荷潜像の荷電スクリーン構造材料の堆積を監視し、制御器（６８）は十分な材料が堆積した時に帯電スクリーン構造材料の堆積を停止させる。タンクグリッド（５６）はパネルグリッド（７４）の電位と異なる電位で作動し、タンクグリッド（５６）はデベロッパー（４０）内の静電力を制御する。
Description
【０００１】
本発明は、陰極線管（ＣＲＴ）のフェースプレートの内部面に配設させた光レ
セプタの電荷潜像を現像する方法に係り、より詳細には、現像装置内で静電力を
制御するようにタンクグリッドを作動させる方法に関する。
セプタの電荷潜像を現像する方法に係り、より詳細には、現像装置内で静電力を
制御するようにタンクグリッドを作動させる方法に関する。
【０００２】
陰極線間（ＣＲＴ）のようなディスプレイ装置の観察フェースプレートの内部
面に配設させた光レセプタの電荷潜像を現像する装置は、G. H. N. Riddleら
に１９９５年１２月１９日に発行された米国特許第５、４７７、２８５号に開示
されているように、摩擦電気的に帯電した粒子を利用する。現像装置の第一の実
施態様では、絶縁側壁と絶縁パネル支持体とを具備する現像チャンバーが記載さ
れている。ＣＲＴフェースプレートパネルの内部面に設けられた光レセプタに帯
電スクリーン構造材料を導く摩擦電気銃が、現像チャンバー内に配設される。そ
の現像チャンバーの欠点は、静電気的に帯電したスクリーン構造材料により絶縁
側壁に電荷の蓄積が生じることにある。その側壁からの静電力は十分に制御され
ず、その力は電荷の変化に応じて変化する。例えば、現像チャンバーが洗浄され
、余分なスクリーン構造材料を側壁から取除く際に、静電荷は減少する。湿度が
変化すると、静電力も変化する。５００から５０００ボルトの変動が、現像チャ
ンバーを作動させる静電界での測定において記録されている。前述の引用文献で
ある米国特許第５、４７７、２８５号に開示されている現像チャンバーの別の実
施態様では、そのチャンバーは側壁と底部とからなる導電性材料の内部チャンバ
ーが、現像チャンバー内に配設されている。導電性内部チャンバーは電気的に浮
動し、摩擦電気銃によりチャンバー内で発生した粉末クラウドからの過剰スクリ
ーン構造材料を引き付け、もってチャンバー内の空間電荷の蓄積とチャンバー側
壁の高い静電位の双方を防止する。しかしながら、前記スクリーン構造材料は塊
となった粒子である「雪だまり」の形態で、内部チャンバーの導電性側壁に蓄積
することが分かっており、仮にその粒子が側壁から落ちたら、スクリーンに大き
な塊の粒子が付着することにある。したがって、先行技術での現像装置の欠点を
問題として取り上げ、それを排除することが望まれている。
面に配設させた光レセプタの電荷潜像を現像する装置は、G. H. N. Riddleら
に１９９５年１２月１９日に発行された米国特許第５、４７７、２８５号に開示
されているように、摩擦電気的に帯電した粒子を利用する。現像装置の第一の実
施態様では、絶縁側壁と絶縁パネル支持体とを具備する現像チャンバーが記載さ
れている。ＣＲＴフェースプレートパネルの内部面に設けられた光レセプタに帯
電スクリーン構造材料を導く摩擦電気銃が、現像チャンバー内に配設される。そ
の現像チャンバーの欠点は、静電気的に帯電したスクリーン構造材料により絶縁
側壁に電荷の蓄積が生じることにある。その側壁からの静電力は十分に制御され
ず、その力は電荷の変化に応じて変化する。例えば、現像チャンバーが洗浄され
、余分なスクリーン構造材料を側壁から取除く際に、静電荷は減少する。湿度が
変化すると、静電力も変化する。５００から５０００ボルトの変動が、現像チャ
ンバーを作動させる静電界での測定において記録されている。前述の引用文献で
ある米国特許第５、４７７、２８５号に開示されている現像チャンバーの別の実
施態様では、そのチャンバーは側壁と底部とからなる導電性材料の内部チャンバ
ーが、現像チャンバー内に配設されている。導電性内部チャンバーは電気的に浮
動し、摩擦電気銃によりチャンバー内で発生した粉末クラウドからの過剰スクリ
ーン構造材料を引き付け、もってチャンバー内の空間電荷の蓄積とチャンバー側
壁の高い静電位の双方を防止する。しかしながら、前記スクリーン構造材料は塊
となった粒子である「雪だまり」の形態で、内部チャンバーの導電性側壁に蓄積
することが分かっており、仮にその粒子が側壁から落ちたら、スクリーンに大き
な塊の粒子が付着することにある。したがって、先行技術での現像装置の欠点を
問題として取り上げ、それを排除することが望まれている。
【０００３】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、デベロッパー内の静電力を制
御する方法を提供することを目的とする。
御する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
上記の目的は、パネルグリッドの電位と異なる電位でタンクグリッドを動作さ
せ、そのタンクグリッドがデベロッパー内の静電力を制御することにより達成さ
れる。
せ、そのタンクグリッドがデベロッパー内の静電力を制御することにより達成さ
れる。
【０００５】 本発明によれば、ＣＲＴのフェースプレートパネルの内部面に配設された光レ
セプタに形成された静電荷潜像を現像させる方法を開示する。その方法は、底部
により一端部を、パネルへのアクセスを可能にする貫通開口部を有するパネル支
持体により他端部を閉塞された側壁を具備するデベロッパータンクを利用する。
パネルグリッドはフェースプレートパネルの内部面の近位に配設され、第一の電
位で作動させて電荷潜像からの電界を制御する。タンクグリッドは現像タンク内
に配設され、側壁、底部及びパネルグリッドから離間している。摩擦電気銃組立
体はデベロッパータンク内に配設され、スクリーン構造材料に所望の電荷極性を
付与し、電荷潜像に帯電スクリーン構造材料を分散させる。電荷潜像の帯電スク
リーン構造材料の堆積を監視する手段と、帯電スクリーン構造材料の堆積を停止
させる手段とが備えてある。
セプタに形成された静電荷潜像を現像させる方法を開示する。その方法は、底部
により一端部を、パネルへのアクセスを可能にする貫通開口部を有するパネル支
持体により他端部を閉塞された側壁を具備するデベロッパータンクを利用する。
パネルグリッドはフェースプレートパネルの内部面の近位に配設され、第一の電
位で作動させて電荷潜像からの電界を制御する。タンクグリッドは現像タンク内
に配設され、側壁、底部及びパネルグリッドから離間している。摩擦電気銃組立
体はデベロッパータンク内に配設され、スクリーン構造材料に所望の電荷極性を
付与し、電荷潜像に帯電スクリーン構造材料を分散させる。電荷潜像の帯電スク
リーン構造材料の堆積を監視する手段と、帯電スクリーン構造材料の堆積を停止
させる手段とが備えてある。
【０００６】
図１は矩形フェースプレートパネル１２と、矩形ファンネル１５により接続さ
れた管状ネック１４とを具備するガラスエンベロープ１１を具有するカラーＣＲ
Ｔ１０を示す。そのファンネル１５は内部にアノードボタン１６と接触し、ネッ
ク１４に伸長する導電性皮膜（図示せず）を有する。パネル１２は観察フェース
プレート１７と、周辺フランジ、つまり側壁１８とからなり、ガラスフリット１
９によりファンネルと密閉されている。図２に示すように、複数の開口部２１を
有し、比較的薄い光吸収マトリックス２０が観察フェースプレート１７の内部面
に設けされている。発光性の三色蛍光体スクリーン２２がフェースプレート１７
の内部面に支えられ、マトリックス２０の上にある。図３に示すように、スクリ
ーン２２は、赤、青、緑色発光性蛍光体ストライプＲ、Ｂ、Ｇからなる多重のス
クリーン要素を含むラインスクリーンであることが好ましく、そのストライプは
マトリックス開口部２１の別々の中心にあり、色グループに、３つのストライプ
、つまり環状の順序でトライアッドの画素に配置される。そのストライプは、電
子ビームが発生する平面に、通常垂直である方向に延在する。実施態様での通常
の観察位置では、蛍光体ストライプは垂直方向に延在する。好ましくは、蛍光体
ストライプの部分は、開口部２１を囲繞する光吸収性マトリックス２０の少なく
ともある部分と重なる。あるいは、ドットスクリーンも利用される。アルミニウ
ムであることが好ましい導電性薄層２４は、スクリーン２２の上にあり、スクリ
ーンへ一様な電位を供給するだけでなく、フェースプレート１７を経由して蛍光
体要素から放たれた光を反射させる手段をも提供する。そのスクリーン２２及び
上にあるアルミニウム層２４はスクリーン組立体を構成する。再び図１を参照す
るに、シャドーマスク又はフォーカスマスクのようなマルチ‐アパーチャ色選択
電極２５は、従来の手段によりスクリーン組立体に対して所定の間隔で、着脱可
能に取付けられる。色選択電極２５は、パネル１２の側壁１８に埋設された複数
のスタッド２６へ、取外しができるように取付けられる。
れた管状ネック１４とを具備するガラスエンベロープ１１を具有するカラーＣＲ
Ｔ１０を示す。そのファンネル１５は内部にアノードボタン１６と接触し、ネッ
ク１４に伸長する導電性皮膜（図示せず）を有する。パネル１２は観察フェース
プレート１７と、周辺フランジ、つまり側壁１８とからなり、ガラスフリット１
９によりファンネルと密閉されている。図２に示すように、複数の開口部２１を
有し、比較的薄い光吸収マトリックス２０が観察フェースプレート１７の内部面
に設けされている。発光性の三色蛍光体スクリーン２２がフェースプレート１７
の内部面に支えられ、マトリックス２０の上にある。図３に示すように、スクリ
ーン２２は、赤、青、緑色発光性蛍光体ストライプＲ、Ｂ、Ｇからなる多重のス
クリーン要素を含むラインスクリーンであることが好ましく、そのストライプは
マトリックス開口部２１の別々の中心にあり、色グループに、３つのストライプ
、つまり環状の順序でトライアッドの画素に配置される。そのストライプは、電
子ビームが発生する平面に、通常垂直である方向に延在する。実施態様での通常
の観察位置では、蛍光体ストライプは垂直方向に延在する。好ましくは、蛍光体
ストライプの部分は、開口部２１を囲繞する光吸収性マトリックス２０の少なく
ともある部分と重なる。あるいは、ドットスクリーンも利用される。アルミニウ
ムであることが好ましい導電性薄層２４は、スクリーン２２の上にあり、スクリ
ーンへ一様な電位を供給するだけでなく、フェースプレート１７を経由して蛍光
体要素から放たれた光を反射させる手段をも提供する。そのスクリーン２２及び
上にあるアルミニウム層２４はスクリーン組立体を構成する。再び図１を参照す
るに、シャドーマスク又はフォーカスマスクのようなマルチ‐アパーチャ色選択
電極２５は、従来の手段によりスクリーン組立体に対して所定の間隔で、着脱可
能に取付けられる。色選択電極２５は、パネル１２の側壁１８に埋設された複数
のスタッド２６へ、取外しができるように取付けられる。
【０００７】 電子銃２７はネック１４内の中心に取付けられ、点線により模式的に示される
ように、色選択電極２５の開口部を経由させて収束経路に沿って３つの電子ビー
ム２８を発生させて、スクリーン２２に導く。電子銃は従来のものであり、当業
者には公知なものが適当である。
ように、色選択電極２５の開口部を経由させて収束経路に沿って３つの電子ビー
ム２８を発生させて、スクリーン２２に導く。電子銃は従来のものであり、当業
者には公知なものが適当である。
【０００８】 ＣＲＴ１０は、ファンネル‐ネック接合の領域に配設されたヨーク３０のよう
な外部磁界偏向ヨークを利用するように設計される。作動しているときは、その
ヨーク３０は３つのビーム２８に磁界を及ぼし、スクリーン２２上の矩形ラスタ
に、そのビームを水平及び垂直に走査させる。偏向の初期平面（ゼロ偏向）は、
図１のヨーク３０のほぼ中間のＰ‐Ｐ線で表わされる。簡単にするため、偏向ゾ
ーンでの偏向ビーム経路の実際の歪みは、示していない。
な外部磁界偏向ヨークを利用するように設計される。作動しているときは、その
ヨーク３０は３つのビーム２８に磁界を及ぼし、スクリーン２２上の矩形ラスタ
に、そのビームを水平及び垂直に走査させる。偏向の初期平面（ゼロ偏向）は、
図１のヨーク３０のほぼ中間のＰ‐Ｐ線で表わされる。簡単にするため、偏向ゾ
ーンでの偏向ビーム経路の実際の歪みは、示していない。
【０００９】 スクリーン２２は、１９９０年５月１日にDattaらに発行された米国特許第４ 、９２１、７６７号に開示されている電子写真スクリーニング（ＥＰＳ）により
製造される。初めに、本技術分野では周知であるように、パネル１２はカセイ溶
液で洗い、水ですすぎ、緩衝フッ化水素酸でエッチングされ、再び水ですすいで
、きれいにされる。それから、好ましくは１９７１年１月２６日にMayaudに発行
された米国特許第３、５５８、３１０号に開示されたウェットマトリックス工程
を利用して、観察フェースプレート１７の内部面には光吸収性マトリックス２０
を設ける。そのウェットマトリックス工程では、適当なフォトレジスト溶液が内
部面に、例えばスピンコーティングにより塗布され、その溶液は乾燥されてフォ
トレジスト層を形成する。次に、色選択電極２５がパネル１２に挿入され、その
パネルはスリーインワンライトハウス（図示せず）に配置され、色選択電極の開
口部を経由した光を放出する光源からの放射線で、そのフォトレジスト層を露光
した。露光は２回以上繰り返され、その光源は３つの電子銃からの電子ビームの
経路をシミュレートするように配置された。その光はフォトレジスト層の露光領
域の溶解性を選択的に変化させる。第三回目の露光後、パネルはライトハウスか
ら取外され、色選択電極はパネルから取外された。水を利用してフォトレジスト
層が現像され、レジスト層の溶解性のある領域が除去され、よって下にある観察
フェースプレートの内部面が露出され、フォトレジスト層の溶解しない、つまり
露光された領域はそのままである。次に、光吸収性マトリックスの適当な溶液、
フェースプレートパネルの内部面に一様に設けられ、観察フェースプレートの露
出部分を覆い、フォトレジストの溶解しない領域はそこに保持されたままである
。光吸収性マトリックス層が乾燥され、フォトレジスト層の保持部分と上にある
光吸収性材料を溶解し、除去する適当な溶液で現像され、観察フェースプレート
の内部面に接着したマトリックス２０に開口部２１を形成する。対角線上に５１
ｃｍ（２０インチ）の大きさを有するパネル１２では、マトリックス２０に形成
された開口部２１は約０．１３〜０．１８ｍｍの幅を有し、不透明マトリックス
ラインは約０．１〜０．１５ｍｍの幅を有する。マトリックス２０を有する観察
フェースプレート１７の内部面は、揮発性有機導電性（ＯＣ）材料（図示せず）
の適当な層で被覆され、上にある揮発性有機光導電性（ＯＰＣ）層（これも図示
せず）の電極として働く。ＯＣ層及びＯＰＣ層を組合わせて、図４に示す光レセ
プタ３６を構成する。
製造される。初めに、本技術分野では周知であるように、パネル１２はカセイ溶
液で洗い、水ですすぎ、緩衝フッ化水素酸でエッチングされ、再び水ですすいで
、きれいにされる。それから、好ましくは１９７１年１月２６日にMayaudに発行
された米国特許第３、５５８、３１０号に開示されたウェットマトリックス工程
を利用して、観察フェースプレート１７の内部面には光吸収性マトリックス２０
を設ける。そのウェットマトリックス工程では、適当なフォトレジスト溶液が内
部面に、例えばスピンコーティングにより塗布され、その溶液は乾燥されてフォ
トレジスト層を形成する。次に、色選択電極２５がパネル１２に挿入され、その
パネルはスリーインワンライトハウス（図示せず）に配置され、色選択電極の開
口部を経由した光を放出する光源からの放射線で、そのフォトレジスト層を露光
した。露光は２回以上繰り返され、その光源は３つの電子銃からの電子ビームの
経路をシミュレートするように配置された。その光はフォトレジスト層の露光領
域の溶解性を選択的に変化させる。第三回目の露光後、パネルはライトハウスか
ら取外され、色選択電極はパネルから取外された。水を利用してフォトレジスト
層が現像され、レジスト層の溶解性のある領域が除去され、よって下にある観察
フェースプレートの内部面が露出され、フォトレジスト層の溶解しない、つまり
露光された領域はそのままである。次に、光吸収性マトリックスの適当な溶液、
フェースプレートパネルの内部面に一様に設けられ、観察フェースプレートの露
出部分を覆い、フォトレジストの溶解しない領域はそこに保持されたままである
。光吸収性マトリックス層が乾燥され、フォトレジスト層の保持部分と上にある
光吸収性材料を溶解し、除去する適当な溶液で現像され、観察フェースプレート
の内部面に接着したマトリックス２０に開口部２１を形成する。対角線上に５１
ｃｍ（２０インチ）の大きさを有するパネル１２では、マトリックス２０に形成
された開口部２１は約０．１３〜０．１８ｍｍの幅を有し、不透明マトリックス
ラインは約０．１〜０．１５ｍｍの幅を有する。マトリックス２０を有する観察
フェースプレート１７の内部面は、揮発性有機導電性（ＯＣ）材料（図示せず）
の適当な層で被覆され、上にある揮発性有機光導電性（ＯＰＣ）層（これも図示
せず）の電極として働く。ＯＣ層及びＯＰＣ層を組合わせて、図４に示す光レセ
プタ３６を構成する。
【００１０】 ＯＣ層用の適当な材料には、１９９４年１２月６日にDattaらに発行された米 国特許第５、３７０、９５２号に開示されたある、第四級アンモニウムの高分子
電解質がある。ＯＰＣ層は、ポリスチレンと、１、４−ジ（２、４−メチルフェ
ニル）−１、４ジフェニルブタトリエン（２、４−ＤＭＰＢＴ）のような電子供
与性材料と、２、４、７−トリニトロ−９−フルオレノン（ＴＮＦ）や２−エチ
ルアントラキノン（２−ＥＡＱ）のような電子受容性材料と、トルエン、キシレ
ン若しくはトルエンとキシレンの混合液のような適当な溶媒とを含む溶液でＯＣ
層に塗布することにより形成される。シリコーンＵ−７６０２のような界面活性
剤とジオクチルフタレート（ＤＯＰ）のような可塑剤とをもその溶液に添加する
ことができる。界面活性剤であるＵ−７６０２は、コネチカット州ダンベリにあ
るユニオンカーバイド社から市販されている。光レセプタ３６は、Wilburらへの
１９９６年５月２１日に発行された米国特許第５、５１９、２１７号に開示され
ているコロナ放電装置（図示せず）を利用して、静電気的に一様に帯電され、光
レセプタに約+２００から+７００ボルトの範囲内の電圧が供給される。それから
色選択電極２５はパネル１２に挿入され、ライトハウス（これも図示せず）に配
置され、正に荷電した光レセプタ３６のＯＰＣ層は、色選択電極を介して、ライ
トハウス内に配設されたキセノンランプや、水銀灯のような十分な強度のある他
の光源からの光で露光される。ＣＲＴの電子銃からの電子ビームの一つと同じ角
度で、色選択電極２５の開口部を通過する光は、光レセプタ３６の照射領域を放
電させ、電荷潜像（図示せず）を形成させる。色選択電極２５はパネル１２から
取除かれ、そのパネルは、図５に示すように、第一の蛍光体デベロッパー４０に
置かれる。
電解質がある。ＯＰＣ層は、ポリスチレンと、１、４−ジ（２、４−メチルフェ
ニル）−１、４ジフェニルブタトリエン（２、４−ＤＭＰＢＴ）のような電子供
与性材料と、２、４、７−トリニトロ−９−フルオレノン（ＴＮＦ）や２−エチ
ルアントラキノン（２−ＥＡＱ）のような電子受容性材料と、トルエン、キシレ
ン若しくはトルエンとキシレンの混合液のような適当な溶媒とを含む溶液でＯＣ
層に塗布することにより形成される。シリコーンＵ−７６０２のような界面活性
剤とジオクチルフタレート（ＤＯＰ）のような可塑剤とをもその溶液に添加する
ことができる。界面活性剤であるＵ−７６０２は、コネチカット州ダンベリにあ
るユニオンカーバイド社から市販されている。光レセプタ３６は、Wilburらへの
１９９６年５月２１日に発行された米国特許第５、５１９、２１７号に開示され
ているコロナ放電装置（図示せず）を利用して、静電気的に一様に帯電され、光
レセプタに約+２００から+７００ボルトの範囲内の電圧が供給される。それから
色選択電極２５はパネル１２に挿入され、ライトハウス（これも図示せず）に配
置され、正に荷電した光レセプタ３６のＯＰＣ層は、色選択電極を介して、ライ
トハウス内に配設されたキセノンランプや、水銀灯のような十分な強度のある他
の光源からの光で露光される。ＣＲＴの電子銃からの電子ビームの一つと同じ角
度で、色選択電極２５の開口部を通過する光は、光レセプタ３６の照射領域を放
電させ、電荷潜像（図示せず）を形成させる。色選択電極２５はパネル１２から
取除かれ、そのパネルは、図５に示すように、第一の蛍光体デベロッパー４０に
置かれる。
【００１１】 デベロッパー４０は、底端部４４と、頂端部、つまりパネル支持体４６とを有
する現像チャンバー４２を具備する。パネル支持体４６は絶縁材料から作られる
ことが好ましく、ＣＲＴフェースプレートパネル１２よりもわずかに小さい貫通
開口部４８を具有する。そのパネル１２はパネル支持体４６に支えられる。現像
チャンバー４２は底端部４４とパネル支持体４６との間に伸びる外側側壁５０を
、更に具備する。導電性内部側壁５２は外側側壁５０から離間しており、導電性
の内側底端部５４からパネル支持体４６に隣接する平面Ａ‐Ａまで延在する。導
電性の内側側壁５２と底端部５４はタンクグリッド５６を構成し、そのグリッド
は高電圧源５５に接続されており、少なくとも２ｋＶ、好ましくは３〜１５ｋＶ
の範囲内の電位にバイアスされており、チャンバー４２内で正に帯電した蛍光体
粒子のクラウドを寄せ付けず、そのクラウドを制御する。外側側壁５０と内側側
壁５２との間で、チャンバー４２の頂部周辺に位置するギャップ５７は、光レセ
プタ３６に形成された電荷潜像に堆積しなかった過剰の蛍光体粒子を除去するた
めの経路を提供する。排出口５８はポンプ（図示せず）に接続されており、デベ
ロッパー４０から過剰の蛍光体粒子を除去する。
する現像チャンバー４２を具備する。パネル支持体４６は絶縁材料から作られる
ことが好ましく、ＣＲＴフェースプレートパネル１２よりもわずかに小さい貫通
開口部４８を具有する。そのパネル１２はパネル支持体４６に支えられる。現像
チャンバー４２は底端部４４とパネル支持体４６との間に伸びる外側側壁５０を
、更に具備する。導電性内部側壁５２は外側側壁５０から離間しており、導電性
の内側底端部５４からパネル支持体４６に隣接する平面Ａ‐Ａまで延在する。導
電性の内側側壁５２と底端部５４はタンクグリッド５６を構成し、そのグリッド
は高電圧源５５に接続されており、少なくとも２ｋＶ、好ましくは３〜１５ｋＶ
の範囲内の電位にバイアスされており、チャンバー４２内で正に帯電した蛍光体
粒子のクラウドを寄せ付けず、そのクラウドを制御する。外側側壁５０と内側側
壁５２との間で、チャンバー４２の頂部周辺に位置するギャップ５７は、光レセ
プタ３６に形成された電荷潜像に堆積しなかった過剰の蛍光体粒子を除去するた
めの経路を提供する。排出口５８はポンプ（図示せず）に接続されており、デベ
ロッパー４０から過剰の蛍光体粒子を除去する。
【００１２】 スタッド接点スプリングのような電気接点６０により、フェースプレートパネ
ル１２の側壁１８に埋設されたスタッド２６の一つと接触する。光レセプタ３６
の導電性皮膜は、コンタクトパッチ（図示せず）によりスタッド２６と電気的に
接続する。コンタクトパッチは１９９２年１０月２０日にWetzelらに発行された
米国特許第５、１５６、７７０号に開示されている。電気接点６０は接地され、
コンデンサ６４に接続され、そのコンデンサは光レセプタ３６の電荷潜像に堆積
した摩擦電気的に荷電した蛍光体粒子の電荷に比例した電圧を発生させる。 コンデンサ６４に発生した電圧は電位計６６により監視され、制御器６８に接続
しており、その制御器は、電圧が所望の蛍光体膜厚に相当する所定の値に達した
ときに、蛍光体堆積を停止するようにプログラム化されている。各現像サイクル
に先立ち、コンデンサ６４の電圧は放電され、制御器６８の働きにより接点７０
を経由して接地される。高電圧源７２はパネルグリッド７４に接続されており、
光レセプタ３６に形成された電荷潜像近傍の電界を制御する。パネルグリッド７
４の構造及び機能は、Dattaらへの１９９２年３月３日に発行された米国特許第 ５、０９３、２１７号に開示されている。グリッド７４は約２〜３ｋＶで正にバ
イアスされており、電荷潜像に堆積した摩擦電気的に帯電した蛍光体粒子と同じ
極性を有している。 分離デベロッパー４０は３色発光性蛍光体の夫々に対して必要であり、仮に単
一のデベロッパーが利用され、異なる色を発光する蛍光体材料が共通のチャンバ
ーに供給されるとしたら発生するであろう相互汚染を防止する。現像チャンバー
４２の外には、蛍光体貯蔵器７６が設置されており、乾燥粉末の蛍光体粒子の供
給源となっている。
ル１２の側壁１８に埋設されたスタッド２６の一つと接触する。光レセプタ３６
の導電性皮膜は、コンタクトパッチ（図示せず）によりスタッド２６と電気的に
接続する。コンタクトパッチは１９９２年１０月２０日にWetzelらに発行された
米国特許第５、１５６、７７０号に開示されている。電気接点６０は接地され、
コンデンサ６４に接続され、そのコンデンサは光レセプタ３６の電荷潜像に堆積
した摩擦電気的に荷電した蛍光体粒子の電荷に比例した電圧を発生させる。 コンデンサ６４に発生した電圧は電位計６６により監視され、制御器６８に接続
しており、その制御器は、電圧が所望の蛍光体膜厚に相当する所定の値に達した
ときに、蛍光体堆積を停止するようにプログラム化されている。各現像サイクル
に先立ち、コンデンサ６４の電圧は放電され、制御器６８の働きにより接点７０
を経由して接地される。高電圧源７２はパネルグリッド７４に接続されており、
光レセプタ３６に形成された電荷潜像近傍の電界を制御する。パネルグリッド７
４の構造及び機能は、Dattaらへの１９９２年３月３日に発行された米国特許第 ５、０９３、２１７号に開示されている。グリッド７４は約２〜３ｋＶで正にバ
イアスされており、電荷潜像に堆積した摩擦電気的に帯電した蛍光体粒子と同じ
極性を有している。 分離デベロッパー４０は３色発光性蛍光体の夫々に対して必要であり、仮に単
一のデベロッパーが利用され、異なる色を発光する蛍光体材料が共通のチャンバ
ーに供給されるとしたら発生するであろう相互汚染を防止する。現像チャンバー
４２の外には、蛍光体貯蔵器７６が設置されており、乾燥粉末の蛍光体粒子の供
給源となっている。
【００１３】 現像工程中、蛍光体粒子はその貯蔵器７６からベンチュリチャンバー７８へ運
ばれ、そこで蛍光体粒子は適当な量の空気と混合される。空気供給の動作は制御
器６８により制御されるバルブ８０を開放させることにより行われる。空気圧は
圧力調整器８２により設定される。蛍光体粒子はチャンバー４２内に運ばれ、摩
擦電気銃８４を介して、正に摩擦電気的に帯電され、光レセプタ３６の電荷潜像
に向かって導かれる。正に帯電した第一の色を発光する蛍光体粒子は、光レセプ
タ３６の正に帯電した領域からはじかれ、本技術分野では「逆」現像として周知
である工程により、光レセプタの放電領域に堆積する。逆現像では、スクリーン
構造材料の摩擦電気的に帯電した粒子は、光レセプタ３６の帯電した領域で同様
にはじかれ、光レセプタの放電領域に堆積する。第一の色を発光する蛍光体の蛍
光体ラインはマトリックス２１の開口部２１の選択された一つで堆積し、開口部
２１の中心から周辺マトリックスの端へ、ある幅と高さをもって蓄積する。堆積
が終了した時に、蛍光体ラインは、図３に示す光吸収性マトリックス２０の開口
部２１のサイズよりわずかに大きくなり、各開口部を完全に充填し、開口部を囲
繞する光吸収性マトリックスとわずかに重なる。
ばれ、そこで蛍光体粒子は適当な量の空気と混合される。空気供給の動作は制御
器６８により制御されるバルブ８０を開放させることにより行われる。空気圧は
圧力調整器８２により設定される。蛍光体粒子はチャンバー４２内に運ばれ、摩
擦電気銃８４を介して、正に摩擦電気的に帯電され、光レセプタ３６の電荷潜像
に向かって導かれる。正に帯電した第一の色を発光する蛍光体粒子は、光レセプ
タ３６の正に帯電した領域からはじかれ、本技術分野では「逆」現像として周知
である工程により、光レセプタの放電領域に堆積する。逆現像では、スクリーン
構造材料の摩擦電気的に帯電した粒子は、光レセプタ３６の帯電した領域で同様
にはじかれ、光レセプタの放電領域に堆積する。第一の色を発光する蛍光体の蛍
光体ラインはマトリックス２１の開口部２１の選択された一つで堆積し、開口部
２１の中心から周辺マトリックスの端へ、ある幅と高さをもって蓄積する。堆積
が終了した時に、蛍光体ラインは、図３に示す光吸収性マトリックス２０の開口
部２１のサイズよりわずかに大きくなり、各開口部を完全に充填し、開口部を囲
繞する光吸収性マトリックスとわずかに重なる。
【００１４】 図５を参照するに、蛍光体堆積監視（ＰＤＭ）装置９０は、開口部４８に隣接
したデベロッパー４０の支持体表面４６に取付けられた一対のサイドレール９２
及び９３を有する支持体組立体を具備する。サイドレール９２及び９３は互いに
十分に離間しており、サイドレールの妨害なしに、フェースプレートパネル１２
を支持体表面４６上に位置決めすることを可能にする。第一の対のクロスレール
９４は、図面では対の一つしか示してないが、サイドレール９２及び９３に滑動
できるように取付けられており、クロスレール９４に滑動できるように取付けら
れた第一の画像装置９６を支える。更に、第二の画像装置９９はクロスレール９
４に滑動できるように取付けられる。画像装置９６及び９９は観察フェースプレ
ート１７上約１５ｃｍ（６インチ）に取付けられる。画像装置９６及び９９の夫
々はｘ−ｙ平面で移動可能であり、観察フェースプレート１７の歪みに実質的に
平行に傾斜させる。画像装置９６及び９９は観察フェースプレート１７上の何れ
かの位置に配置され、その画像装置により、蛍光体スクリーン構造材料の堆積を
監視する視覚手段を提供する。ＰＤＭ装置９０は、Roberts, Jrらによる１９９ ６年１０月９日に出願され、係属中の米国特許出願番号第７２８、０１０号に記
載されている。
したデベロッパー４０の支持体表面４６に取付けられた一対のサイドレール９２
及び９３を有する支持体組立体を具備する。サイドレール９２及び９３は互いに
十分に離間しており、サイドレールの妨害なしに、フェースプレートパネル１２
を支持体表面４６上に位置決めすることを可能にする。第一の対のクロスレール
９４は、図面では対の一つしか示してないが、サイドレール９２及び９３に滑動
できるように取付けられており、クロスレール９４に滑動できるように取付けら
れた第一の画像装置９６を支える。更に、第二の画像装置９９はクロスレール９
４に滑動できるように取付けられる。画像装置９６及び９９は観察フェースプレ
ート１７上約１５ｃｍ（６インチ）に取付けられる。画像装置９６及び９９の夫
々はｘ−ｙ平面で移動可能であり、観察フェースプレート１７の歪みに実質的に
平行に傾斜させる。画像装置９６及び９９は観察フェースプレート１７上の何れ
かの位置に配置され、その画像装置により、蛍光体スクリーン構造材料の堆積を
監視する視覚手段を提供する。ＰＤＭ装置９０は、Roberts, Jrらによる１９９ ６年１０月９日に出願され、係属中の米国特許出願番号第７２８、０１０号に記
載されている。
【００１５】 本発明の工程では、帯電した蛍光体クラウドに作用する電位は、タンクグリッ
ド５６及びパネルグリッド７４の電位により支配される。タンクグリッドの電位
は３〜１５ｋＶの範囲内に調整され、現像チャンバー４２内の静電力を制御し、
よって現像工程と粉末クラウド中の蛍光体の一様な流れを最適化させる。
ド５６及びパネルグリッド７４の電位により支配される。タンクグリッドの電位
は３〜１５ｋＶの範囲内に調整され、現像チャンバー４２内の静電力を制御し、
よって現像工程と粉末クラウド中の蛍光体の一様な流れを最適化させる。
【００１６】 タンクグリッド５６の別の利点は、両グリッドに「逆」バイアスをかけること
により、つまり負の電圧でグリッド５６及び７４にバイアスをかけることにより
パネルグリッドから蓄積した蛍光体を除去するのに利用し、パネルグリッド７４
からデベロッパータンク４０へ蛍光体を引き寄せ、排出口５８を経由して蛍光体
粒子を除去することにある。
により、つまり負の電圧でグリッド５６及び７４にバイアスをかけることにより
パネルグリッドから蓄積した蛍光体を除去するのに利用し、パネルグリッド７４
からデベロッパータンク４０へ蛍光体を引き寄せ、排出口５８を経由して蛍光体
粒子を除去することにある。
【００１７】 蛍光体デベロッパーの実施態様を説明したが、更に、本発明はＥＰＳ堆積させ
た蛍光体スクリーンに噴霧されるフィクサント（fixant）材料のようなエーロゾ
ルの静電気的スプレイ塗布に利用され、マトリックス層に堆積させた光伝導体か
らなる層のような下にある光レセプタ及び平面化フィルムへ蛍光体の接着を改善
させる。
た蛍光体スクリーンに噴霧されるフィクサント（fixant）材料のようなエーロゾ
ルの静電気的スプレイ塗布に利用され、マトリックス層に堆積させた光伝導体か
らなる層のような下にある光レセプタ及び平面化フィルムへ蛍光体の接着を改善
させる。
【図１】 本発明の方法により製造されたカラーＣＲＴの平面、部分軸方向断面図である
。
。
【図２】 製造工程のある工程中での内部面のマトリックスのあるＣＲＴフェースプレー
トパネルの断面図である。
トパネルの断面図である。
【図３】 図１に示すＣＲＴの完成したスクリーン組立体の断面図である。
【図４】 製造工程の別の段階でのマトリックスの上にある光レセプタを示すＣＲＴフェ
ースプレートパネルの断面図である。
ースプレートパネルの断面図である。
【図５】 本発明の方法に利用される現像装置の正面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ， ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，Ｆ Ｉ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (71)出願人 46，Ｑｕａｉ Ａ， Ｌｅ Ｇａｌｌｏ Ｆ−92648 Ｂｏｕｌｏｇｎｅ Ｃｅｄｅ ｘ Ｆｒａｎｃｅ (72)発明者 ポリニアック ユージン サミュエル アメリカ合衆国 ニュージャージー州 08046−2375 ウィリングボロ グローヴ ァー・レーン 13 (72)発明者 コリンズ ブライアン トーマス アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア州 17543 リティッツ サウス・スプルー ス・ストリート 442 (72)発明者 リット ピーター マイケル アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア州 17520 イースト・ピーターズバーグ ス プリット・レイル・ドライヴ 2356 Ｆターム(参考） 2H029 DA00 4F034 AA01 BA17 5C028 HH01 HH04 【要約の続き】 な材料が堆積した時に帯電スクリーン構造材料の堆積を 停止させる。タンクグリッド（５６）はパネルグリッド （７４）の電位と異なる電位で作動し、タンクグリッド （５６）はデベロッパー（４０）内の静電力を制御す る。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＲＴのフェースプレートパネルの内側面に配設された光レ
セプタに形成された静電荷潜像を、適当な摩擦電気的に帯電した乾燥粉末のスク
リーン構造材料で現像する方法であって、 底部により一端を、前記フェースプレートパネルへアクセス可能にする貫通開
口部を有するパネル支持体により他端を閉塞された側壁を有する現像チャンバー
と、 前記フェースプレートパネルの内側面の近傍のパネルグリッドと、 前記現像チャンバー内に配設され、前記側壁、前記底部と前記パネルグリッド
から離間したタンクグリッドと、 前記スクリーン構造材料に所望の電荷極性を付与し、前記電荷潜像に前記帯電
したスクリーン構造材料を分散させる摩擦電気銃と、 前記電荷潜像に前記帯電したスクリーン構造材料の堆積を監視する手段と、 前記帯電スクリーン構造材料の堆積を停止させる手段とからなる現像装置を利
用して、 前記電荷潜像からの電界を制御するように第一の電位で前記パネルグリッドを
動作させる段階と、 前記第一の電位と異なる第二の電位で、前記現像タンク内の静電力を制御する
ように前記タンクグリッドを動作させる段階とからなる方法。 - 【請求項２】 前記第二の電位は前記第一の電位よりも大きい請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 前記第一の電位は約２ｋＶである請求項２記載の方法。
- 【請求項４】 前記第二の電位は約３〜１５ｋＶの範囲内である請求項２記
載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/US1997/015824 WO1999013485A1 (en) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | Method of developing a latent charge image |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001516138A true JP2001516138A (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=22261575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000511176A Withdrawn JP2001516138A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 電荷潜像の現像方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001516138A (ja) |
| KR (1) | KR100322783B1 (ja) |
| AU (1) | AU4258697A (ja) |
| WO (1) | WO1999013485A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093217A (en) * | 1989-10-11 | 1992-03-03 | Rca Thomson Licensing Corporation | Apparatus and method for manufacturing a screen assembly for a crt utilizing a grid-developing electrode |
| US5151337A (en) * | 1990-06-26 | 1992-09-29 | Rca Thomson Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen for a color CRT having a conductive contact patch |
| US5477285A (en) * | 1993-10-06 | 1995-12-19 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | CRT developing apparatus |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP2000511176A patent/JP2001516138A/ja not_active Withdrawn
- 1997-09-08 WO PCT/US1997/015824 patent/WO1999013485A1/en active IP Right Grant
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