MODULADOR INTERFEROMETRICO CON POLARIZACIÓN INTERNA Y MÉTODO DE ACCIONAMIENTO Antecedentes Campo de la Invención El campo de la invención se refiere a sistemas microelectromecánicos (MEMS = microelectromechanical systems) . Descripción de la Tecnología Relacionada Los sistemas microelectromecánicos (MEMS = microelectromechanical systems) incluyen micro elementos mecánicos, accionadores y componentes electrónicos. Pueden crearse elementos micromecánicos utilizando procesos de deposición, mordentado o ataque y o otros procesos de micromaquinado que desprenden por ataque o mordentado partes de sustratos y/o capas de material depositado o que agregan capas para formar dispositivos eléctricos y electromecánicos. Un tipo de dispositivo MEMS se denomina un modulador interferométrico. Como se emplea aquí, el término modulador interferométrico o modulador de luz interferométrico se refiere un dispositivo que absorbe y refleja selectivamente la luz utilizando los principios de interferencia óptica. En ciertas modalidades, un modulador interferométrico puede comprender un par de placas conductoras, una o ambas de las cuales puede ser transparente y/o reflejante total o parcialmente y capaz de movimiento relativo ante aplicación de una señal eléctrica apropiada. En una modalidad particular, una placa puede comprender una capa estacionaria depositada en un sustrato y la otra placa puede comprender una membrana metálica separada de la capa estacionaria por un espacio de aire. Como se describe aquí con más detalle, la posición de una placa en relación a otra puede cambiar de interferencia óptica de la luz incidente en el modulador interferométrico. Estos dispositivos tienen un amplio rango de aplicaciones y sería benéfico en la técnica utilizar y/o modificar las características de estos tipos de dispositivos de manera tal que sus características puedan explotarse para mejorar productos existentes y crear nuevos productos que aún no se han desarrollado. Compendio de Ciertas Modalidades El sistema, método y dispositivos de la invención tienen cada uno varios aspectos, ninguno solo por separado de los cuales es únicamente responsable por sus atributos convenientes. Sin limitar el alcance de ésta invención, sus características más prominentes ahora se discutirán brevemente. Después de considerar esta discusión y particularmente después de leer la sección con título "Descripción Detallada de Ciertas Modalidades" se comprenderá como las características de esta invención proporcionan ventajas frente a otros dispositivos de exhibición. En una modalidad, se proporciona un método para formar un dispositivo MEMS que tiene un primer electrodo y un segundo electrodo, el método comprende: proporcionar una primera capa ubicada entre el primero y segundo electrodos; y aplicar calor a la primera capa mientras que se aplica un primer voltaje a través del primer y segundo electrodos . En otra modalidad, se proporciona un dispositivo MEMS, el dispositivo MEMS comprende: un primer electrodo; un segundo electrodo; y una primera capa ubicada entre el primero y segundo electrodos, la primera capa comprende un momento di-polo no-cero cuando no se aplica voltaje a través del primer y segundo electrodos . En otra modalidad, se proporciona un dispositivo MEMS, el dispositivo MEMS comprende: primeros medios para conducir señales eléctricas; segundos medios para conducir señales eléctricas; y medios para proporcionar un momento di-polo no-cero entre los primeros medios de conducción y los segundos medios de conducción cuando no se aplica voltaje a través de los primeros medios de conducción y los segundos medios de conducción.
En otra modalidad, se proporciona un método que proporciona un voltaje operativo a un dispositivo MEMS, el método comprende: proporcionar una primera capa que comprende un primer electrodo; proporcionar una segunda capa que comprende un segundo electrodo; en donde la segunda capa es móvil con respecto a la primera capa ante aplicación de un voltaje entre el primero y segundo electrodos; proporcionar la tercer capa colocada entre la primera y segunda capas, en donde la tercer capa comprende un momento di -polo no-cero cuando no se aplica voltaje a través de el primer y segundo electrodos; proporcionar la primera capa con un primer potencial de voltaje; proporcionar la segunda capa con un segundo potencial de voltaje, en donde el segundo potencial de voltaje es de mayor magnitud que el primer potencial de voltaje y en donde el voltaje de operación comprende una suma del primer potencial y segundo potencial de voltaje y un tercer potencial de voltaje que se proporciona por el segundo momento di -polo no- cero de la tercer capa. En otra modalidad, se proporciona un dispositivo MEMS, el dispositivo MEMS comprende: una primera capa, en donde la primera capa se conFigura para recibir un primer voltaje; una segunda capa, en donde la segunda capa se conFigura para recibir un segundo voltaje; y una tercer capa entre la primera y segunda capas, en donde la tercer capa se conFigura para proporcionar un tercer voltaje, en donde el primer segundo y tercer voltajes juntos son sustancialmente iguales a un voltaje predeterminado. En otra modalidad, se proporciona un dispositivo MEMS, el dispositivo MEMS comprende: un primer electrodo; un segundo electrodo; y una primera capa ubicada entre el primero y segundo electrodos, la primera capa está configurada para mantener un momento di-polo no-cero durante operación. En otra modalidad, se proporciona un dispositivo MEMS, el dispositivo MEMS comprende: primeros medios para conducir señales eléctricas; segundos medios para conducir señales eléctricas; y medios para mantener un momento di-polo no-cero entre los primeros medios de conducción y los segundos medios de conducción durante operación. Breve Descripción de los Dibujos La Figura 1 es una vista isométrica que ilustra una porción de una modalidad de un exhibidor de modulador interferométrico en donde una capa reflejante móvil de un primer modulador interferométrico está en una posición liberada y una capa reflejante móvil de un segundo modulador interferométrico está en una posición accionada.
La Figura 2 es un diagrama de bloques de sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que incorporan un exhibidor de modulador interferométrico 3x3. La Figura 3 es un diagrama de la posición de espejo móvil contra voltaje aplicado para una modalidad ejemplar de un modulador interferométrico de la Figura 1. La Figura 4 es una ilustración de un conjunto de voltajes de hileras y columnas que cotizarse para dirigir un exhibidor de modulador interferométrico. Las Figuras 5A y 5B ilustran un diagrama de sincronización ejemplar para señales de columnas de hileras que cotizarse para escribir un cuadro de datos de exhibición al exhibidor de modulador interferométrico 3x3 de la Figura 2. Las Figuras 6A y 6B son diagramas de bloques de sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de exhibición. La Figura 7A es una sección transversal del dispositivo de la Figura 1. La Figura 7B es una sección transversal del dispositivo de la Figura 1. La Figura 7C es una sección transversal de otra modalidad alterna de un modulador interferométrico. Las Figuras 8A-8G son secciones transversales de modalidades de una capa aislante La Figura 9 es una sección transversal de una modalidad de una capa aislante que tiene una distribución de carga aleatoria. La Figura 10 es una sección transversal de una modalidad de un modulador interferométrico que tiene una capa aislante con una distribución de carga aleatoria. La Figura 11 es una sección transversal de una modalidad de una capa aislante que tiene una distribución de carga aleatoria con algunos dipolos temporalmente alineados . La Figura 12 es un diagrama de flujo de un método para inducir un momento dipolo interno dentro de una capa aislante de acuerdo con una modalidad de la invención. La Figura 13 es una sección transversal de una modalidad de un modulador interferométrico que tiene una capa aislante expuesta al calor y un potencial de voltaje . La Figura 14 es una sección transversal de una modalidad de un modulador interferométrico que tiene una capa aislante con un momento di polo inducido. La Figura 15 es un diagrama de flujo de un método para dirigir un dispositivo modulador interferométrico que tiene una capa aislante con un momento dipolo interno de acuerdo con una modalidad de la invención. Descripción Detallada de Ciertas Modalidades La siguiente descripción detallada se dirige a ciertas modalidades específicas de la invención. Sin embargo, la invención por incorporarse en una multitud de formas diferentes. En esta descripción, se hace referencia los dibujos en donde parte semejantes se designan con números semejantes. Cómo será aparente de la siguiente descripción, las modalidades pueden incrementarse en cualquier dispositivo que se conFigura para exhibir una imagen, ya sea en movimiento (e.g., video) o estacionaria (e.g., imagen fija), y ya sea de texto o gráfica. Más particularmente, se contempla que las modalidades pueden incrementarse en o asociarse con una variedad de dispositivos electrónicos tales como, pero no limitados a, teléfonos móviles, dispositivos inalámbricos, asistentes de datos personales (PDAs = personal data assistants) , computadoras manuales o portátiles, receptores/navegadores GPS, cámaras, reproductores MP3 , videocámaras , consolas de juegos, relojes pulsera, relojes, calculadoras, monitor de televisión, exhibidores de panel plano, muestras de computadoras, auto exhibidores (e.g, exhibidor de odómetro, etc.), controles y/o exhibidor de cabina, exhibidor de vista de cámara (e.g., exhibir una vista de cámara posterior en un vehículo) , fotografías electrónicas, signos o tableros electrónicos, proyectores, estructuras arquitectónicas, empaques y estructuras estéticas (e.g., exhibición de imágenes en una pieza de joyería) . Los dispositivos MEMS de estructura similar a aquellos escritos aquí, también pueden utilizarse en aplicaciones sin exhibición tales como en dispositivos de conmutación electrónica. En una modalidad de la invención, se describe un método para crear un momento dipolo interno en un dispositivo modulador de luz interferométrico. En ciertas modalidades, el método comprende aplicar calor y un campo eléctrico a una capa dieléctrica de un dispositivo modulador de luz interferométrico. Antes de implementación de este método, la capa dieléctrica tiene cargas móviles o comprende dipolos al azar. Después de desempeñó este método sin embargo, aquellos dipolos al azar están sustancialmente alineados, induciendo esta manera un momento dipolo sustancialmente fijo en la capa dieléctrica. El campo eléctrico crea el momento di polo en la capa dieléctrica y el calor ayuda a incrementar la velocidad de proceso al suministrar energía de activación adicional . El tener una capa dieléctrica con un momento di polo inducido proporciona una fuente de voltaje interno que proporciona con o menos una porción del voltaje requerido para operar el dispositivo modulador de luz interferométrico. El momento dipolo inducido también reduce la posibilidad de un desplazamiento de carga descontrolado dentro del dispositivo durante operación. Una modalidad de exhibidor de modulador interferométrico comprende un elemento exhibidor MEMS interferométrico se ilustra en la Figura 1. En estos dispositivos, los píxeles se encuentran en cualquiera de un estado brillante u oscuro. En el estado brillante en ("encendido" o "abierto"), el elemento de exhibición refleja una gran porción de luz visible incidente a un usuario. Cuando está en el estado obscuro ("apagado " o "cerrado"), el elemento de exhibición refleja poca luz visible incidente al usuario. Dependiendo de la modalidad, las propiedades de reflectancia de luz de los estados "encendido" y "apagado" pueden invertirse. Los píxeles de MEMS pueden configurarse para reflejar predominantemente en colores selectos, permitiendo un exhibición de color además de negro y blanco. La Figura 1 es una vista isométrica que ilustra dos píxeles adyacentes en una serie de píxeles de un exhibidor visual, en donde cada píxel comprende un modulador interferométrico MEMS. En algunas modalidades, un exhibidor de modulador interferométrico comprende un arreglo de hileras/columnas de estos moduladores interferométricos . Cada modulador interferométrico incluye un par de capas reflejantes ubicadas a una distancia variable y controlable entre sí para formar una cavidad óptica resonante con al menos una dimensión variable. En una modalidad, una de las capas reflejantes pueden moverse entre dos posiciones. En la primera posición, referida aquí como relajada, la capa móvil se ubica a una distancia relativamente grande desde una capa reflejante parcialmente fija. En la segunda posición, la capa móvil se ubica más cercanamente adyacente a la capa parcialmente reflejante. La luz incidente que se refleja de las dos capas interfiere en forma constructiva o destructiva dependiendo de la posición de la capa reflejante móvil, por cada píxel produciendo ya sea un estado reflejante o no reflejante total. La porción ilustrada del conjunto de pinceles en la Figura 1, incluye dos moduladores interferométricos adyacentes 12a y 12b. En el modulador interferométrico 12a a la izquierda, una capa móvil y altamente reflejante 14a se ilustra en una posición relajada a una posición predeterminada desde una capa reflejante parcialmente fija 16a. En el modulador interferométrico 12b a la derecha, la capa móvil y altamente reflejante 14b se ilustra en una posición accionada adyacente a la capa reflejante parcialmente fija 16b. Las capas fijas 16a, 16b, son eléctricamente conductoras, parcialmente transparentes y parcialmente reflejantes, y puede fabricarse, por ejemplo al depositar normas capas de cada uno de cromo y oxido-de-estaño- indio sobre un sustrato transparente 20. Las capas se forman en patrón en tiras paralelas y pueden formar electrodos de hileras en un dispositivo de exhibición como se describe más a continuación. Las capas móviles 14a, 14b puede formarse con una serie de tiras paralelas de la capa o capas de metal depositado (ortogonales a los electrodos de hilera 16a, 16b) depositadas sobre la parte superior de los postes 18 y un material de sacrificio intermedio depositados entre los postes 18. Cuando el material de sacrificio es atacado, las capas de metal reformable 14a, 14b se separan de las capas de metal fijo por un espacio definido 19. Un material altamente conductor y reflejante tal como aluminio, puede emplearse para las capas deformables y estas tiras pueden formar electrodos de columna en un dispositivo de exhibición. Sin voltaje aplicado, la cavidad 19 permanece entre las capas 14a, 16a y la capa reformable está en un estado mecánicamente relajado como se ilustra por el pincel 12a en la Figura 1. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia de potencial a una hilera y columna selectas, el capacitor formado en la intersección de los electrodos de hilera y de columna en el píxel correspondiente, se cargan, y las fuerzas electrostácticas reúnen a los electrodos. Si el voltaje es suficientemente alto, la capa móvil se deforma y es forzada contra la capa fija (un material dieléctrico que no se ilustra en esta Figura puede ser depositado en la capa fija para evitar corto y control de la distancia de separación) como se ilustra por el píxel 12b a la derecha en la Figura 1. El comportamiento es el mismo independientemente de la polaridad de la diferencia de potencial aplicado. De esta manera, el accionamiento de hilera/columna que puede controlar los estados de píxeles reflejantes contra no reflejantes, es análogo en muchas formas al utilizado en tecnologías de exhibición LCD y otras convencionales. Las Figuras 2 a 5 ilustran un proceso y sistema ejemplares para utilizar un conjunto de moduladores interferométricos en una aplicación de exhibición. La Figura 2 es un diagrama de bloques de sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que puede incorporar aspectos de la invención. En la modalidad ejemplar, el dispositivo electrónico incluye un procesador 21, que puede ser cualquier microprocesador de un solo o múltiples chips de propósitos generales tal como un ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, un 8051, un MIPS®, un Power PC®, un ALPHA®, o cualquier microprocesador de propósitos especiales tales como un procesador de señal digital, micro controlador o matriz de puertas programable. Como es convencional en la técnica, el procesador 21 puede configurarse para ejecutar uno o más módulos de soporte lógico. Además de ejecutar un sistema operativo, el procesador puede configurarse para ejecutar una o más aplicaciones de soporte lógico, incluyendo un visualizador de la red, una aplicación de teléfono, un programa de correo electrónico o cualquier otra aplicación de soporte lógico. En una modalidad, el procesador 21 también se conFigura para comunicarse con un controlador de matriz 22. En una modalidad, el controlador de matriz 22 incluye un circuito controlador de hilera 24 y un circuito controlador de columna 26 que proporcionan señales a un panel o matriz de exhibición 30. La sección transversal de la matriz ilustrada en la Figura 1 se ilustra por las líneas 1-1 en la Figura 2. Para moduladores interferométricos MEMS, el protocolo de accionamiento de hileras/columnas puede aprovechar una propiedad de histéresis de estos dispositivos ilustrados en la Figura 3. Puede requerir, por ejemplo una diferencia de potencial de 10 volts para provocar que una capa móvil se deforme desde el estado relajado al estado accionado. Sin embargo, cuando se reduce el voltaje de ese valor, la capa móvil mantiene su estado a medida que el voltaje cae de regreso inferior a 10 volts. En la modalidad ejemplar de la Figura 3, la capa móvil no se relaja por completo hasta que el voltaje cae por debajo de 2 volts. De esta manera hay un intervalo de voltaje, de aproximadamente 3 a 7 V en el ejemplo ilustrado en la Figura 3, en donde existe una ventana de voltaje aplicado dentro de la cual el dispositivo es estable en cualquiera del estado relajado o accionado. Esto se refiere aquí como la "ventana de histéresis" o "ventana de estabilidad" . Para una matriz de exhibición que tiene las características de histéresis de la Figura 3, el protocolo de accionamiento de hilera de honor columna puede diseñarse de manera tal que durante estrobo, los píxeles en la hilera de estrobo que se van a accionar, se exponen a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 volts, y píxeles que van a relajarse exponen a una diferencia de voltaje cercana a cero volts. Después del estrobo, los píxeles se exponen a una diferencia de voltaje de estado estable de aproximadamente 5 volts, de manera tal que permanece en cualquier estado en el que el estrobo de hilera los ponga. Después del estrobo, cada píxel ve una diferencia de potencial dentro de la "ventana de estabilidad" de 3-7 volts en este ejemplo. Esta característica hace al diseño de pincel ilustra la Figura 1, estable bajo las mismas condiciones de voltaje aplicado ya se ha en un estado accionado o relajado pre-existente. Ya que cada pincel del modulador interferométrico, sea en el estado accionado o relajado, esencialmente es un capacitor formado por las capas reflejantes fijas y móviles, este estado estable puede mantenerse aún voltaje dentro de la ventana de histéresis casi sin disipación de energía. Esencialmente no fluye corriente al píxel si el potencial aplicado es fijo. En aplicaciones típicas, puede crearse un bastidor de exhibición al estimar el conjunto de electrodos de columna de acuerdo con el conjunto deseado de píxeles accionados en la primera hilera. Un pulso de hilera se aplica entonces al electrodo de hilera 1, accionando los píxeles correspondientes a las líneas de columna estimadas. El conjunto estimado de electrodos de columna se cambia entonces para corresponder con el conjunto deseado de píxeles accionados en la segunda hilera. Un pulso se aplica entonces al electrodo de hilera 2, accionando los píxeles en la hilera 2 de acuerdo con los electrodos de columna estimados. Los pinceles de hilera 1 no son afectados por el pulso de hilera dos y permanecen en el estado dispuesto durante el pulso de hilera 1. Esto puede repetirse para toda la serie de hileras en una forma secuencial para producir el bastidor. En general, los bastidores son renovados y/o actualizados con nuevos datos de exhibición al repetir continuamente este proceso en cierto número deseado de cuadros por segundo. Una amplia variedad de protocolos para dirigir los electrodos de hilera y columna de matrices de píxeles para producir cuadros de exhibición son también bien conocidos y pueden utilizarse en conjunto con la presente invención. Las Figuras 4 y 5 ilustran un protocolo de accionamiento posible para crear un cuadro de exhibición en la matriz 3x3 de la Figura 2. La Figura 4 ilustra un conjunto posible de niveles de voltaje de columna e hilera que puede emplearse para píxeles que exhiben las curvas de histéresis de la Figura 3. En la modalidad de la Figura 4, accionar un píxel involucra ajustar la columna apropiada -Vbias, y la hilera apropiada a + V, que pueden corresponder a -5 volts +5 volts respectivamente. Relajar el píxel se logran al ajustar la columna apropiada a +Vbias, y la hilera apropiada al mismo +?V, produciendo una diferencia potencial de cero volt a través del píxel . En aquellas hileras en donde el voltaje de hilera se mantiene a cero volts, los píxeles son estables en cualquier estado en el que se encontraban originalmente, independientemente de si la columna está en +Vbias, o -Vbias- . Como también se ilustra en la Figura 4, se apreciará que pueden emplearse voltajes de polaridad opuesta a aquellos descritos anteriormente, e.g., accionar un píxel puede involucrar ajustar la columna apropiada a +Vbias) y la hilera apropiada a -?V. En esta modalidad, liberar el píxel se logra al ajustar la columna apropiada a -Vbias, y la hilera apropiada al mismo -?V, produciendo una diferencia potencial de cero volt a través del píxel. La Figura 5B es un diagrama de sincronización que no es una serie de señales de 1000 eran y columna aplicadas a la matriz 3x3 de la 0:02 resulta en el arreglo de exhibición ilustrado en la Figura 5A, en donde los píxeles accionados no son reflejantes. Antes de escribir el cuadro ilustrado en la Figura 5A, los píxeles pueden estar en cualquier estado, eñ este ejemplo, todas las hileras están a 0 volts, y todas las columnas están a +5 volts. Con estos voltajes aplicados, todos los píxeles son estables en sus estados actuados o relajados existentes . En el cuadro de la Figura 5A, son accionados los píxeles (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) y (3,3). Para lograr esto, durante un "tiempo de línea" para la hilera 1, las columnas 1 y 2 se ajustan a -5 volts, y la columna 3 se ajusta a +5 volts. Esto no cambia el estado de ninguno de los píxeles, debido que todos los píxeles permanecen en la ventana de estabilidad de 3-7 volts. La hilera 1 se someterá a estrobo con un pulso que pasa desde 0, hasta 5 volts y de regreso a 0. Esto acciona los píxeles (1,1) y (1,2) y relajante el píxel (1,3). No se afectan otros píxeles en la matriz. Para ajustar la hilera 2 como se desea, la columna 2 se ajusta a -5 volts, y las columnas 1 y 3 se ajustan a + 5 volts. El mismo estrobo aplicado a la hilera 2 accionará entonces el píxel (2, 2) y relajará los píxeles (2, 1) y (2, 3) . De nuevo, no se afectan otros píxeles en la matriz. La hilera 3 se ajusta similarmente al ajustar las columnas 2 y 3 a -5 volts, y la columna 1 a +5 volts. El estrobo de la hilera 3 ajusta los píxeles de la hilera 3 como se ilustra en la Figura 5A. Después de escribir el cuadro, los potenciales de hilera son cero, y los potenciales de columna pueden permanecer en cualquiera de + 5 o -5 volts, y el exhibidores estable entonces en el arreglo de la Figura 5A. Cervecera que puede emplearse el mismo procedimiento para matriz es de docenas o centenas de hileras y columnas. También se apreciará que la sincronización, secuencia y niveles de voltajes empleados para realizar accionamiento de hileras y columnas, puede variarse ampliamente dentro de los principios generales anteriormente establecidos, y el ejemplo anterior es solo ejemplar, y puede emplearse cualquier método de voltajes de accionamiento con los sistemas y métodos aquí descritos . Las Figuras 6A y 6B son diagramas de bloques de sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de exhibición 40. El dispositivo de exhibición 40 puede ser por ejemplo un teléfono celular o móvil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo de exhibición 40 o sus ligeras variaciones, son también ilustrativos de diversos tipos de dispositivos de exhibición tales como televisiones y reproductores de medios portátiles. El dispositivo de exhibición 40 incluye un alojamiento 41, un exhibidor 30, una antena 43, una bocina 44, un dispositivo de alimentación 48 y un micrófono 46. El alojamiento 41 se forma generalmente de cualquiera de una variedad de procesos de fabricación como son bien conocidos por aquellos con destreza en la técnica, incluyendo molde por inyección y formación al vacío. Además, el alojamiento 41 puede elaborarse de cualquiera de una variedad de materiales, incluyendo pero limitados a plástico, metal, vidrio, hule y cerámica, o una combinación de los mismos. En una modalidad, el alojamiento 41 incluye porciones desprendibles (no mostradas) que pueden intercambiarse con otras porciones desprendibles de diferente color, o que contienen diferentes logotipos, imágenes o símbolos. El exhibidor 30 del dispositivo de exhibición ejemplar 40 puede ser cualquiera de una variedad de exhibiciones, incluyendo un exhibidor bi-estable, como aquí se describe. En otras modalidades, el exhibidor 30 incluye un exhibidor de panel plano tal como de plasma, EL, OLED, STN LCD, o TFT LCD como se describió anteriormente, o un exhibidor sin panel plano tal como un tubo de rayos catódicos (CRT) u otro dispositivo de tubo, como es bien conocido por aquellos con destreza en la especialidad. Sin embargo, para propósitos de describir la presente modalidad, el exhibidor 30 incluye un exhibidor modulador interferométrico, como aquí se describe . Los componentes de una modalidad del dispositivo de exhibición ejemplar 40 se ilustran esquemáticamente en la Figura 6B. El dispositivo de exhibición ejemplar ilustrado 40 incluye un alojamiento 41, y puede incluir componentes adicionales cuando menos parcialmente ahí circunscritos. Por ejemplo, en una modalidad, el dispositivo de exhibición ejemplar 40 incluye una interfase de red 27 que incluye una antena 43 acoplada a un transceptor 47. El transceptor 47 se conecta a un procesador 21, el cual se conecta a equipo físico de acondicionamiento 52. El equipos físico de acondicionamiento 52 reconfigurarse para acondicionar una señal (e.g., filtrar una señal) . El equipo físico de acondicionamiento 52 se conecta a una bocina 44 y un micrófono 46. El procesador 21 también se conecta a un dispositivo de alimentación 48 y un controlador de impulsor 29. El controlador 29 se acopla a una memoria intermedia de cuadro 28 y a un controlador de matriz 22, el cual a su vez se acopla a una matriz de exhibición 30. Una fuente de energía 50 proporciona energía a todos los componentes según se requieran por el particular diseño del dispositivo de exhibición ejemplar 40. La interfase de red 27 incluye la antena 43 y el transceptor 47 de tal manera que el dispositivo de exhibición ejemplar 40 puede comunicarse con uno o más dispositivos en una red. En una modalidad, la interfase de red 27 también puede tener algunas capacidades de procesamiento para aliviar los requerimientos del procesador 21. La antena 43 es cualquier antena conocida por aquellos con destreza en la especialidad para transmitir y recibir señales. En una modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de acuerdo con la norma IEEE 802.11, incluyendo IEEE 802.11 (a), (b) , o (g) . En otra modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de acuerdo con la norma BLUETOOTH. En el caso de un teléfono celular, la antena se diseña para recibir señales CDMA, GSM, AMPS u otras conocidas que se utilizan para comunicarse dentro de una red de telefonía celular inalámbrica. El transceptor 47 pre-procesa las señales recibidas de la antena 43, planeta que puedan ser recibidas por y ser manipuladas adicionalmente por el procesador 21. El transceptor 47 también procesa señales recibidas desde el procesador 21, de manera tal que puedan transmitirse desde el dispositivo de exhibición ejemplar 40 mediante la antena 43. En una modalidad alterna, el transceptor 47 puede ser reemplazado por un receptor. En todavía otra modalidad alterna, la interfase de red 27 puede ser reemplazada por una fuente de imagen, que puede almacenar o generar datos de imagen a enviar al procesador 21. Por ejemplo, la fuente de imagen puede ser un videodisco digital (DVD) o una unidad de disco duro que contiene datos de imagen, un módulo de soporte lógico que genera datos de imagen. El procesador 21 en general controla la operación total del dispositivo de exhibición ejemplar 40. El procesador 21 recibe datos, tales como los datos de imagen comprimidos desde la interfase de red 27 o una fuente de imagen, y procesa los datos en datos de imagen en crudo o en un formato que se procesa fácilmente en datos de imagen en crudo. El procesador 21 envía entonces los datos procesados al controlador 29 o a la memoria intermedia de cuadro 28, para almacenamiento. Datos en crudo típicamente se refieren a la información que identifica las características de imagen en cada sitio dentro de una imagen. Por ejemplo, estas características de imagen pueden incluir color, saturación y nivel de escala de grises. En una modalidad, el procesador 21 incluye un micro controlador, UPC, o unidades lógicas para controlar la operación del dispositivo de exhibición ejemplar 40. El equipo físico de acondicionamiento 52 en general incluye amplificadores y filtros para transmitir señales a la bocina 44 y para recibir señales desde el micrófono 46. El equipo físico de acondicionamiento 52 pueden ser componentes discretos dentro del dispositivo de exhibición ejemplar 40 o puede incorporarse dentro del procesador 21, u otros componentes. El controlador 29 toman los datos de imagen en crudo generados por el procesador 21, ya ser directamente del procesador 21 o desde la memoria intermedia de cuadro 28 y reformatea los datos de imagen en crudo apropiadamente para transmisión de alta velocidad al controlador de matriz 22. Específicamente, el controlador 29 reformatea los datos de imagen en crudo en un flujo de datos que tiene un formato tipo rastreado, de manera tal que tenga un orden de tiempo adecuado para explorar a través de la matriz de exhibición 30. Después, el controlador 29 envía la información formato dada al controlador de matriz 22. Aunque un controlador 29, tal como un controlador LCD, a menudo se asocia con el procesador de sistema 21 como un circuito integrado (IC = Integrated Circuit) , estos controladores pueden ser implementados en muchas formas . Pueden ser incrustados en el procesador 21 como equipo físico, incrustados en el procesador 21 como soporte lógico, o integrados completamente en el equipo físico con el controlador de matriz 22. Típicamente, el controlador de matriz 22 recibe la información formateada desde el controlador 29 y reformatea los datos de vídeo en un conjunto paralelo de formas de onda que se aplican muchas veces por segundo a los cientos y en ocasiones humildes de terminales que provienen de la matriz de píxeles x-y del exhibidor. En una modalidad, el controlador de impulsor 29, controlador de matriz 22 y matriz de exhibición 30, son apropiados para cualquiera de los tipos de exhibiciones aquí descritos. Por ejemplo, en una modalidad, el controlador 29 es un controlador de exhibición convencional o un controlador de exhibición bi-estable (e.g., un controlador modulador interferométrico) . En otra modalidad, el controlador de matriz 22 es un controlador convencional o un controlador de exhibición bi-estable (e.g., una exhibidor modulador interferométrico). En una modalidad, un controlador 29, se integra con el controlador de matriz 22. Dicha modalidad es común en sistemas altamente integrados tales como teléfonos celulares, relojes y otros exhibidores de pequeña área. En todavía otra modalidad, la matriz de exhibición 30 es una matriz de exhibición típica o una matriz de exhibición bi-estable (e.g., una exhibición que incluye una matriz de moduladores interferométricos) . El dispositivo de alimentación 48 permite a un usuario controlar la operación del dispositivo de exhibición ejemplar 40. En una modalidad, el dispositivo de alimentación 48 incluye una botonera, tal como un teclado QWERTY o una botonera de teléfono, un botón, un conmutador, una pantalla sensible al tacto, una membrana sensible a presión o a calor. En una modalidad, el micrófono 46 es un dispositivo de alimentación parael dispositivo de exhibición ejemplar 40. Cuando el micrófono 46 se utiliza para alimentar datos al dispositivo, pueden proporcionarse comandos de voz por un usuario para controlar operaciones del dispositivo de exhibición ejemplar 40. El suministro de energía 50 puede incluir una variedad de dispositivos de almacenamiento de energía como es bien conocido en la técnica. Por ejemplo, en una modalidad, el suministro de energía 50 es una batería recargable, tal como una batería de níquel -cadmio o una batería de ion litio. En otra modalidad, el suministro de energía 50 es una fuente de energía renovable, un capacitor o una celda solar, incluyendo una celda solar de plástico, y una pintura de celda solar. En otra modalidad, el suministro de energía 50 se configura para recibir energía de una toma de corriente de pared. En algunas implementaciones, el control de programabilidad reside, como se describió anteriormente, en un controlador de impulsor que puede ubicarse en varias placas en el dispositivo de sistema electrónico. En algunos casos el control de programabilidad reside en el controlador de matriz 22. Aquellos con destreza en la técnica reconocerán que la optimización anteriormente descrita puede implementarse en cualquier cantidad de componentes de equipo físico y/o soporte lógico y en diversas configuraciones. Los detalles de la estructura de moduladores interferométricos que operan de acuerdo con los principios anteriormente establecidos, pueden variar ampliamente. Por ejemplo, las Figuras 7A-7C ilustran tres modalidades diferentes de la estructura de espejo móvil. La Figura 7A es una sección transversal de la modalidad de la Figura 1, en donde una tira de material de metal 14 se deposita en soportes que se extienden ortogonalmente 18. En la Figura 7B, el material reflejante móvil 14 se conecta a soportes solo en las esquinas, en correas 32. En la Figura 7C, el material reflejante móvil 14 se suspende desde una capa deformable 34. Esta modalidad tiene beneficios debido a que el diseño estructural y los materiales empleados para el material reflejante 14 pueden optimizarse respecto a las propiedades ópticas, y el diseño estructural y materiales empleados para la capa deformable 34 pueden optimizarse respecto a la propiedades mecánicas deseadas. La producción de diversos tipos de dispositivos interferométricos se describe en una variedad de documentos publicados, incluyendo por ejemplo la Solicitud publicada de patente de los E.U.A. No. 2004/0051929. Una amplia variedad de técnicas conocidas puede emplearse para producir las estructuras anteriormente descritas que involucra una serie de etapas de deposición de material, formación de patrón y mordentado. Las Figuras 7A-C también ilustran el uso de una capa aislante 15 colocada entre el material reflejante móvil 14 y la capa reflejante parcialmente fija 16. En estas modalidades, la capa reflejante parcialmente fija 16 se forma sobre el substrato transparente. El material aislante 15 se forma entonces sobre la capa reflejante parcialmente fija 16. Como se ilustra en Figura 7C la capa reflejante parcialmente fija 16 típicamente comprende varias subcapas. Por ejemplo, la capa reflejante parcialmente fija 16 de la Figura 7C tiene una sub-capa de electrodo 25 formada sobre el substrato transparente 20. La subcapa de electrodo 25 puede formarse de un material conductor apropiado que también al menos es parcialmente transmisor de luz, tal como óxido de indio estaño (ITO) . Una subcapa parcialmente reflejante 26, típicamente elaborada de un material de metal tal como cromo, se forma entonces sobre la capa de electrodo 25. La subcapa parcialmente reflejante 26 actúa como un componente óptico que es al menos parcialmente reflejante a la luz. La superficie de observación del substrato transparente 20 está en el fondo del substrato 20, que es el lado opuesto del substrato 20 a aquel en cual se forman la subcapa de electrodo 25 y la subcapa parcialmente reflejante 26. A través de procesos tales como formación de patrón y mordentado, la subcapa de electrodo 25 y la subcapa parcialmente reflejante 26 pueden formar columnas de electrodo, hileras u otras formas útiles, según se requiera por el diseño de exhibición. Las Figuras 7A-C son solo ilustrativas de la cantidad de capas que pueden estar dentro del modulador interferométrico 100. Por ejemplo, un material se sacrificio (no mostrado) puede formarse entre cualquiera de las capas o subcapas ilustradas en las Figuras 7A-C. Otras capas o subcapas también pueden incorporarse en el modulador interferométrico 100. Por ejemplo, capas de electrodos adicionales, capas reflejantes, capas transmisoras, capas absorbentes de luz o capas aislantes pueden emplearse. En una modalidad, la capa reflejante móvil 14 comprende varias subcapas, incluyendo una capa de electrodo colocada sobre un material altamente reflejante. Otras modalidades pueden tener un electrodo como una capa deformable, tal como la capa deformable 34 en la Figura 7C, que puede colocarse sobre la capa reflejante móvil 14. Las capas y subcapas dentro del modulador interferométrico 100 pueden formarse utilizando técnicas de deposición estándar, por ejemplo técnicas de electro deposición y fotolitográficas estándar. Como se emplea aquí , el término capa o subcapa actúa para darle su significado ordinario más amplio. Aun más, una capa o subcapa puede comprender varias subcapas adicionales y no se limita a substancias homogéneas de un espesor uniforme delgado. Por ejemplo, la capa aislante 15 puede o no tener un espesor uniforme, puede o no ser formada de un solo material , y puede o no ser relativamente delgada. Aunque muchas de las capas o subcapas en las Figuras 7A-C se ilustran que tienen una expansión o región tipo hoja relativamente delgada colocada sobre o bajo otra, una capa o subcapa como ee emplea aquí, puede comprender una región o expansión más corta o múltiples expansiones o regiones. Por ejemplo, la capa aislante 15 puede comprender uno o más segmentos más cortos que no se expanden por toda la región de la capa reflejante parcialmente fija 16. Con referencia a las Figuras 7A-C, el material aislante 15 se coloca dentro del dispositivo modulador interferométrico 100. Como se emplea aquí, al término material aislante habrá de dársele su significado ordinario más amplio, incluyendo pero no limitado a un material que mantiene una carga electrostática y resiste el flujo de corriente. Ejemplos de este material aislante incluyen pero no están limitados a materiales dieléctricos. El material aislante 15 también puede formarse de materiales ferroeléctricos, que típicamente tienen altas constantes dieléctricas. El material aislante 15 puede formarse de, pero no está limitado a, óxido rico en silicio (por ejemplo SiOx, en donde x es menor a 2, silicio policristalino semi-aislante (SIPOS), óxido de silicio (que incluye Si02) , nitruro de silicio, nitruro de silicio, óxido de silicio nitrurado, óxido de titanio (que incluye TÍO y Ti02) , y óxido-nitruro . En otras modalidades, el material aislante 15 se elabora de un material que tiene una alta constante dieléctrica (que se clasifica porque tiene una constante dieléctrica superior a nitruro de silicio) y es capaz de polarizarse. Una interfase entre dos materiales aislantes o dieléctricos diferentes, típicamente crea sitios de atrapamiento, y de esta manera forma una estructura preferida para inducir y retener la polarización. Con referencia a las Figuras 8A-G, el material aislante 15 puede formarse de varias subcapas que tienen una interfase 51 entre cualquiera de las dos subcapas. Las subcapas pueden formarse por un proceso ultra- seco continuo (CUD = continuous ultra-dry) , un proceso de electro deposición u otras técnicas de deposición y/o fotolitográficas estándar. La Figura 8A ilustra el material aislante 15 que tiene una sub-capa de óxido de silicio 53 por debajo de una subcapa de nitruro de silicio 52. Una pila que tiene una subcapa de nitruro de silicio 52 y una sub-capa de óxido de silicio 53, ha mostrado que tiene una capacidad mejorada de retener una cantidad fija de carga en dispositivo de memoria de silicio-aislante-metal (MNOS) . De esta manera es un material preferido para crear polarización. La carga inducida en el material aislante 15 se mejora y estabiliza adicionalmente por las cargas en la interfase 51 de las capas de nitruro de silicio 52 y óxido de silicio 53. En una estructura similar ilustrada en la Figura 8B, la subcapa de óxido de silicio puede reemplazarse por un subcapa rica en silicio 55 tal como SIPOS. SIOPS tiene una capacidad demostrada para retener una carga inducida en un semiconductor de óxido de metal de doble difusión lateral de alto voltaje (LDMOS = lateral double-diffused metal-oxide semiconductor) . El colocar una subcapa de nitruro de silicio 54 sobre la subcapa SIPOS 55 ayuda a estabilizar la carga inducida sostenida por el material aislante 15. Esta estabilización se proporciona en parte por la interfase 51 del nitruro de silicio 54 y las subcapas SIPOS 55. La Figura 8C ilustra otro material aislante 15 semejante que tiene una subcapa de óxido rico en silicio 57 por debajo de una subcapa de óxido de silicio nitrurado 56. Una variación de la Figura 8A se ilustra en la Figura 8D, en donde el material aislante 15 tiene una subcapa de nitruro de silicio 59 por debajo de una subcapa de oxi-nitruro 58. El oxi-nitruro 58 es una capa delgada de óxido de silicio convertida de nitruro de silicio en un ambiente de oxígeno. Esta estructura es similar a una pila invertida de la Figura 8A, y se espera que muestre una capacidad mejorada para retener polarización inducida. La Figura 8E ilustra el material aislante 15 que tiene una subcapa de óxido de silicio 61 por debajo de una subcapa de óxido rico en silicio 60, y es una variación de la Figura 8C. La Figura 8F ilustra el material aislante 15 que tiene una subcapa de óxido de silicio 62 que se forma por CUD sobre otra subcapa de óxido de silicio 63 que se forma por electro deposición. Esta estructura comprende dos capas de óxido formadas por procesos diferentes que contienen diferentes micro estructuras. Esta diferencia en micro estructura crea entonces una interfase 51 y una región para sostener cargas atrapadas desde una polarización inducida. La Figura 8G ilustra el material aislante 15 que tiene una subcapa de óxido de silicio 65 por debajo de una subcapa de óxido de titanio 64. Esta modalidad utiliza la alta constante dieléctrica del óxido de titanio y su capacidad asociada de polarización para sostener cargas atrapadas desde una polarización inducida. Con referencia a la Figura 9, el material aislante 15 típicamente tendrá una distribución de carga substancialmente aleatoria. Con una distribución de carga substancialmente aleatoria, típicamente no hay campo eléctrico neto cero o un momento dipolo interno neto cero. Esta distribución de carga aleatoria puede producir efectos indeseables dentro de un modulador interferométrico, tal como un cambio de carga descontrolado durante operación del dispositivo. Con referencia a la Figura 10, se suministra un voltaje de accionamiento por una fuente de voltaje 35 a un dispositivo de modulación interferométrica 100. El voltaje de accionamiento se aplica a la capa reflejante móvil 14 y la subcapa de electrodo 26 de la capa reflejante parcialmente fija 16. Como se emplea aquí, el término voltaje de accionamiento se refiere a un voltaje necesario para mover la capa reflejante móvil 14 hacia la capa reflejante parcialmente fija 16, de esta manera colapsando o aplastando la cavidad óptica 19. Aunque la fuente de voltaje 35 se ilustra como un capacitor en la Figura 10, cualquier fuente de voltaje conveniente puede utilizarse para suministrar el voltaje de accionamiento. Como se ilustra en la Figura 10, la capa reflejante móvil 14 se dirige hacia la capa reflejante parcialmente fija 16 ante aplicación de voltaje de accionamiento, colapsando la cavidad óptica 19. Cuando se aplica una diferencia de potencial a la capa reflejante móvil 14 y la capa reflejante parcialmente fija 16, se forma un capacitor entre estas dos capas, que crea fuerzas electrostáticas que dirigen la capa reflejante móvil 14 hacia la capa reflejante parcialmente fija 16, de esta manera colapsando la cavidad óptica 19. Si el voltaje de accionamiento es suficientemente alto, la capa reflejante móvil 19 puede deformarse y forzarse contra la capa aislante 15, que se coloca sobre la capa reflejante parcialmente fija 16. Cuando no se aplica diferencia de potencial, sin embargo las fuerzas de restauración mecánicas de la capa reflejante móvil 14 y su estructura circundante pueden regresar la capa reflejante móvil 14 a su posición original, de esta manera restaurando la cavidad óptica 19. Las fuerzas de restauración mecánica de la capa reflejante móvil 14 por lo tanto deberán ser cuidadosamente balanceadas con las fuerzas electrostáticas creadas entre la capa reflejante móvil 14 y la capa reflejante parcialmente fija 16 a fin de asegurar una adecuada operación y respuesta del dispositivo modulador de luz interferométrico 100. Con una distribución de carga substancialmente aleatoria dentro de la capa aislante 15, las cargas dentro del modulador interferométrico pueden moverse en formas indeseables. Con referencia a las Figuras 10 y 11, por ejemplo aun cuando la distribución de carga substancialmente aleatoria crea un campo eléctrico neto cero, si algo de las cargas aleatorias dentro de la capa aislante 15 resulta que se alinea y forma momentos bipolo eléctricos, tales como aquellas cargas temporalmente alineadas 36 en la Figura 11 que se separan por una distancia (d) , entonces una porción del voltaje de accionamiento necesaria para colapsarse o liberar la cavidad óptica 19 puede ser aplicado en forma indeseable por las cargas alineadas temporalmente 36. Esto es debido a que las cargas temporalmente alineadas 36 dentro de la capa aislante 15 pueden formar un campo eléctrico (E) y actuar como una batería interna. Durante la operación del modulador interferométrico 100, puede ocurrir un alineamiento de cargas 36 descontrolado en una cierta dirección y formación aleatoria de momentos bipolo, temporales o permanentes, resultando en una desviación del voltaje de operación desde la condición de distribución neutra neta inicial. Como se emplea aquí, el término voltaje de operación se refiere al voltaje suministrado por el modulador interferométrico 100. Como resultado del alineamiento de cargas 36 descontrolado, un voltaje descontrolado adicional puede suministrarse por la capa aislante 15 al modulador interferométrico 100, en donde la diferencia en el voltaje de operación ( V) puede corresponder a la ecuación AV=Ed.
De esta manera es conveniente el crear un momento dipolo interno más pronosticable dentro de la capa aislante 15, de manera tal que el voltaje operativo permanecerá substancialmente conetante. De esta manera, el voltaje operativo puede ser predeterminado, de esta manera evitando subetancialmente un cambio descontrolado en el voltaje operativo. Al fijar y alinear substancialmente la distribución de carga aleatoria dentro de la capa aislante 15, un cambio de carga descontrolado dentro de la capa aislante 15 puede ser evitado subetancialmente. Aún más, una porción del voltaje de accionamiento necesaria para colapsar o liberar la cavidad óptica 19 puede ser suministrada en forma pronosticable al proporcionar una cantidad correspondiente al campo eléctrico que se crea al fijar y alinear substancialmente las cargas dentro de la capa aislante 15, de esta manera creando momentos dipolo internos que pueden actuar como una batería para ayudar en dirigir el dispositivo de modulación interferométrico 100. Además, al alinear y fijar cargas al azar en una dirección designada, también puede ser simplificada la forma de onda impulsora para operar el dispositivo modulador interferométrico 100. El uso de una polaridad sencilla de pulsos controladores o de impulso, puede ser una opción posible para fijar y alinear substancialmente lae cargae, ya que la polaridad fija no creará desplazamiento en las cargae. De eeta manera, las cargas de desplazamiento no serán máe un problema en una operación prolongada del dispositivo 100. La Figura 12 es un diagrama de flujo que describe un método utilizado para inducir un momento dipolo interno dentro de un material aislante. El método empieza al exponer el material aislante a calor en la etapa 66. La exposición al calor acelerará el proceso que alinea y fija las cargae al azar dentro del material aielante. Ee bien conocido que un aumento en la temperatura provocará que ocurran máe rápido reacciones . Eeto es debido a que la superior temperatura reducirá la cantidad de energía de activación necesaria para iniciar o completar una reacción. Por ejemplo, el realizar este método a 50 grados Celsiue puede hacer que ocurra la reacción aproximadamente tree vecee máe rápido que realizar eete método a temperatura ambiente (22 gradoe Celsius) . Similarmente, el realizar este método a 70 grados Celeius puede hacer que ocurra la reacción aproximadamente tres veces más rápido que el realizar este método a 50 grados Celsiue. Una vez que el material aielante ee expone al calor, la dietribución de carga al azar dentro del material aislante puede ser substancialmente alineada y fija al aplicar un potencial de voltaje (V) al material aislante en la etapa 67. Aunque no es necesario, este potencial de voltaje (V) puede ser de mayor magnitud que el voltaje de accionamiento normal necesario para operar un dispositivo de modulación interferométrico. Por ejemplo, con referencia a la Figura 10, el potencial de voltaje (V) puede ser de mayor magnitud que el voltaje de accionamiento aplicado a la fuente de voltaje 35 para colapsar subetancialmente la cavidad óptica 19 del modulador interferométrico 100. El incrementar la cantidad del potencial de voltaje expuesto al material aislante reducirá la cantidad de tiempo necesario para alinear y fijar substancialmente las cargas dentro del material aislante. El método termina entoncee deepuée de la etapa 67. El método de la Figura 12 no se limita a las etapae 66 y 67 y no ee limita a ningún orden particular. Por ejemplo, el material aielante puede exponerse al potencial de voltaje antes de la etapa de calentamiento. Aún más, para ayudar en asegurar que las cargas se fijen y alineen substancialmente, el material aislante puede enfriarse de regreso a temperatura ambiente mientras que aún se expone al potencial de voltaje . El método de la Figura 12 ahora se discutirá con referencia a las Figuras 13 y 14. Con referencia a la Figura 13, la capa aislante 15 se expone al calor 37 a fin de incrementar la temperatura de la capa aislante 15. Una vez que la capa aielante 15 se expone al calor, la distribución de carga al azar dentro de la capa aislante 15 se alinea y fija subetancialmente al aplicar un potencial de voltaje (V) entre los electrodoe dentro de la capa reflejante móvil 14 y la capa reflejante parcialmente fija 16. De nuevo, eete potencial de voltaje (V) puede eer de mayor magnitud que el voltaje de accionamiento normal necesario para llevar la capa reflejante móvil 14 hacia la capa reflejante parcialmente fija 16 y colapsar subetancialmente la cavidad óptica 19. Después de una cantidad suficiente de tiempo de exposición al calor 37 y potencial de voltaje (V) , lae cargae aleatoriae dentro de la capa aielante 15 serán substancialmente fijas y alineadae, como ee ilustra en la Figura 14. La cantidad de tiempo suficiente para fijar y alinear substancialmente las cargas dentro de la capa aislante 15, variará dependiendo del material de la capa aislante 15, la cantidad de calor empleado para aumentar la temperatura de la capa aislante 15 y la cantidad del potencial de voltaje expuesto a la capa aislante 15. Un material aislante con un momento dipolo interno inducido, tal como el material aislante 15 ilustrado en la Figura 14, comprende un medio para proporcionar un momento dipolo no cero entre un electrodo de la capa reflejante móvil 14 y un electrodo de la capa reflejante parcialmente fija 16, cuando no se aplica voltaje a través de estos electrodos. Aún más, ya que el material aislante 15 tiene un momento dipolo subetancialmente fijo y alineado deepués de realizar el método descrito e iluetrado en lae Figuras 12-14, el material aislante 15 tendrá un momento dipolo no cero interno que existe cuando no se aplica voltaje a través de loe electrodoe de la capa reflejante móvil 14 y la capa parcialmente reflejante fija 16. Eete momento dipolo no cero dentro de la capa aielante 15 crea un campo eléctrico más pronosticable que puede ser entonces utilizado para dirigir el dispoeitivo modulador interferométrico 100. En la modalidad ilustrada en la Figura 14, el voltaje (V) normalmente suministrado por la fuente de voltaje 35 para operar el modulador interferométrico 100, puede ser reducido por una cantidad correspondiente al campo eléctrico suminietrado por el momento dipolo interno no cero del material aislante 15. La cantidad de voltaje ( ? V) suministrada por el momento dipolo interno no cero del material aislante 15, corresponde a la fuerza del campo eléctrico (E) suministrado por el momento diplo interno del material aislante 15 y la distancia entre el momento dipolo (d) , como se ilustra por la ecuación V=Ed. El movimiento de carga en la capa aislante 15 que resulte del uso del método descrito e ilustrado en las Figurae 12-14, puede observarse al medir el cambio de voltaje operativo de un dispositivo modulador interferométrico, en donde el voltaje operativo se refiere al voltaje de accionamiento aplicado a los electrodos en los lados opuestos de la capa aislante 15. Específicamente, en un dispositivo de modulación interferométrico, el voltaje de operación es el voltaje aplicado entre los electrodos en la capa reflejante móvil 14 (también referido como la membrana, capa mecánica o electrodo de columna) y la capa reflejante parcialmente fija 16 (también referida como la pila óptica, o electrodo de hilera) . El cambio de voltaje puede obtenerse al medir la respueeta de voltaje de una muestra de prueba que comprende una estructura de silicio-aislante-metal, en donde el aislante ee elabora del mismo material que forma la capa de material 15 en un dispoeitivo de modulación interferométrico. Como un ejemplo, un procedimiento de aplicar una polarización de 15 volts eobre una capa de 1000 angstrom de Si3N4 (nitruro de silicio, constante dieléctrica 7.1) a 70 grados C por 20 minutos, puede producir una densidad de polarización mayor a 1.67e-12 C-cm-1, que resulta en un cambio de voltaje observable de 2 volts. Esta polarización inducida varía con el material de las películas y el método empleado para preparar eetas películas. Como otro ejemplo, el tratar una capa de 1000 angetrom de Si02 depoeitada utilizando el método de deposición de vapor químico (CVD = chemical vapor deposition) con el mismo procedimiento que el anterior puede inducir una polarización de aproximadamente 4.45e-13 C-cm-1, que resulta en un cambio de voltaje observable de 1 volt. La polarización inducida puede depender del espesor de la capa, el material de la capa, y el método de preparación. El resultado del tratamiento se afecta por el voltaje aplicado, temperatura y duración de este tratamiento. Una temperatura superior típicamente produce una mayor polarización en un periodo de tiempo más corto. Similarmente, un voltaje aplicado superior, dentro de la tolerancia de la estructura, típicamente induce una mayor polarización. Un rango típico para elevación de temperatura utilizada en micro dispositivos integrados de prueba y medición está entre 50 grados y 850 grados C. Eete intervalo de temperatura es compatible con una tolerancia de dispositivo de modulación interferométrica, y de esta manera es adecuado para conducir el presente tratamiento. El óxido de eilicio electrodepoeitado típicamente contiene más sitios de atrapamiento e impurezas que el óxido CVD, de esta manera permitiendo un movimiento de carga y polarización más pronunciada. Finalmente, el campo eléctrico creado por el momento dipolo interno dentro de la capa aislante puede utilizarse para dirigir el dispositivo de modulación interferométrico. Por ejemplo, una porción del voltaje de accionamiento necesaria para dirigir el dispoeitivo de modulación de luz interferométrico, puede proporcionarse por el campo eléctrico creado por el momento dipolo interno dentro de la capa aislante. La Figura 15 es un diagrama de flujo que describe un método para dirigir un dispoeitivo modulador interferométrico de acuerdo con una modalidad. El método empieza, y deepuée en la etapa 68 se induce un momento dipolo interno dentro del material aislante de un dispoeitivo modulador interferométrico, de eeta manera alineando y fijando subetancialmente las cargas dentro del material aislante. Esta etapa puede lograrse por ejemplo, por el método descrito e iluetrado con referencia a las Figuras 12-14. Después en la etapa 69 el modulador interferométrico puede ser dirigido (es decir la cavidad óptica se colapsa al menos parcialmente) por un voltaje asimétrico que ee proporciona por la fuente de voltaje 35 que es asimétrico entre el voltaje negativo y positivo, en donde el voltaje asimétrico comprende un voltaje de desplazamiento que corresponde al campo eléctrico creado por el momento dipolo interno dentro de la capa aislante de la etapa 68. El método termina entonces despuée de la etapa 69. El voltaje que ee proporciona por la fuente de voltaje 35 de la etapa 69 puede eer aeimétrico entre negativo y positivo debido a que, como se ilustra en las Figuras 13 y 14, la capa aislante 15 típicamente se coloca sobre la capa reflejante parcialmente fija 16, que típicamente recibe el componente negativo del potencial de voltaje (V) . Después de la etapa 68, las cargas se vuelven substancialmente fijas y alineadas dentro de la capa aislante 15 con las cargas positivae que se dirigen hacia la capa reflejante móvil 14 y las cargas negativas que se dirigen hacia la capa reflejante parcialmente fija 16. De esta manera, al tener la capa aislante 15 con las cargas negativae del momento dipolo inducido colocadas sobre la capa reflejante parcialmente fija 16, el voltaje necesario de la fuente de voltaje 35 para colapsar o liberar la cavidad óptica 19 del modulador interferométrico 100 puede ser asimétrico, con un potencial negativo que es menor en magnitud que el potencial positivo. Mientras que la descripción detallada anterior ha moetrado, deecrito y eeñalado caracteríeticas novedosas de la invención como ee aplica a divereae modalidadee, ee entenderá que divereae omieiones, substituciones y cambios en la forma y detalles del dispoeitivo o proceeo iluetradoe pueden haceree por aquelloe con deetreza en la técnica ein apartarse del espíritu de la invención. Como se reconocerá, la presente invención puede incorporarse dentro de una forma que no proporciona todas las característicae y beneficios aquí establecidos, ya que algunas caracteríeticae pueden emplearee o practicarse separadamente de otras.