MD3934C2 - Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью - Google Patents

Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью

Info

Publication number
MD3934C2
MD3934C2 MDA20080235A MD20080235A MD3934C2 MD 3934 C2 MD3934 C2 MD 3934C2 MD A20080235 A MDA20080235 A MD A20080235A MD 20080235 A MD20080235 A MD 20080235A MD 3934 C2 MD3934 C2 MD 3934C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
substrate
baf2
obtaining
during
perfect surface
Prior art date
Application number
MDA20080235A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3934B1 (en
Inventor
Ефим ЗАСАВИЦКИЙ
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20080235A priority Critical patent/MD3934C2/ru
Publication of MD3934B1 publication Critical patent/MD3934B1/xx
Publication of MD3934C2 publication Critical patent/MD3934C2/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области планарной технологии получения полупроводниковых слоев типа А4В6, в частности к способу получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью.Способ включает скалывание или резку исходной подложки вдоль выбранных кристаллографических направлений, химико-механическую полировку поверхности, вакуумный отжиг подложки при температуре 973° К, в течение 30 мин, затем нанесение дополнительного слоя BaF2 в сверхвысоком вакууме при температуре подложки 1023° К в течение 3…5 мин, с непрерывным контролем качества поверхности методом дифракции быстрых электронов.
MDA20080235A 2008-09-08 2008-09-08 Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью MD3934C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080235A MD3934C2 (ru) 2008-09-08 2008-09-08 Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080235A MD3934C2 (ru) 2008-09-08 2008-09-08 Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3934B1 MD3934B1 (en) 2009-06-30
MD3934C2 true MD3934C2 (ru) 2010-01-31

Family

ID=40942300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20080235A MD3934C2 (ru) 2008-09-08 2008-09-08 Способ получения подложки BaF2 с совершенной поверхностью

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3934C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа
MD241Z (ru) * 2009-12-29 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения наночастиц PbS стабилизированных желатином
MD242Z (ru) * 2010-01-26 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения гидрофильных нанокристаллов PbS

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2005122937A (ru) * 2002-12-20 2006-01-20 Новалюкс, Инк. (Us) Способ изготовления опорной структуры для полупроводникового устройства
MD3327G2 (ru) * 2006-09-27 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
RU2347741C1 (ru) * 2007-08-27 2009-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет - УПИ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина" Способ получения нанокристаллических покрытий на основе нанокристаллов фторида лития или фторида натрия
MD3652G2 (ru) * 2007-04-20 2009-02-28 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотолюминесцентный нанокомпозит на основе оксидного полупроводника и органического полимера (варианты)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2005122937A (ru) * 2002-12-20 2006-01-20 Новалюкс, Инк. (Us) Способ изготовления опорной структуры для полупроводникового устройства
MD3327G2 (ru) * 2006-09-27 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
MD3652G2 (ru) * 2007-04-20 2009-02-28 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотолюминесцентный нанокомпозит на основе оксидного полупроводника и органического полимера (варианты)
RU2347741C1 (ru) * 2007-08-27 2009-02-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет - УПИ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина" Способ получения нанокристаллических покрытий на основе нанокристаллов фторида лития или фторида натрия

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Bis R. F., Farabaugh E. N., Muth E. P. Preparation of polished substrates of BaF2 // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol.47, Nr.2. – P.736-740. *
Bis R. F., Farabaugh E. N., Muth E. P. Preparation of polished substrates of BaF2, J. Appl. Phys., 1976, Vol. 47, Nr. 2, P.736-740 *
gгsitг 07.02.2009 <http://www.fnm.ru/documents/18/Novoselova.pdf gгsitг 07.02.2009>) *
Новоселова А.С. Выращивание эпитаксиальных слоев PbSe на рассогласованных подложках (www.fnm.ru/documents/18/Novoselova.pdf *

Also Published As

Publication number Publication date
MD3934B1 (en) 2009-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG10201802228YA (en) Selective growth of silicon nitride
WO2012102809A3 (en) Polysilicon films by hdp-cvd
WO2009013914A1 (ja) ＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法
WO2010090903A3 (en) Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process
WO2011090704A3 (en) Method for producing microstructured templates and their use in providing pinning enhancements in superconducting films deposited thereon
WO2011126612A3 (en) Nitrogen doped amorphous carbon hardmask
TW200709278A (en) Method and apparatus to control semiconductor film deposition characteristics
WO2013019565A3 (en) Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning
TW200729343A (en) Method for fabricating controlled stress silicon nitride films
GB201113244D0 (en) A diamond optical element
TW200741821A (en) Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate
WO2015027080A3 (en) Selective deposition of diamond in thermal vias
WO2012118947A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
GB2467935B (en) Formation of thin layers of GaAs and germanium materials
WO2008008753A3 (en) A method for fabricating a gate dielectric layer utilized in a gate structure
TW200720474A (en) Method of preparing a film layer-by-layer using plasma enhanced atomic layer deposition
TW200943393A (en) A semiconductor wafer with a heteroepitaxial layer and a method for producing the wafer
TW200614560A (en) Method for producing a layer of a doped semiconductor material, and apparatus
WO2013036376A3 (en) Methods for the epitaxial growth of silicon carbide
WO2010120669A3 (en) Polishing a thin metallic substrate for a solar cell
EP2533305A3 (en) Method for blister-free passivation of a silicon surface
WO2009016794A1 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
WO2012085155A3 (en) Method for heterojunction interface passivation
WO2010088348A3 (en) Methods for forming conformal oxide layers on semiconductor devices
WO2012123741A3 (en) Oxide removal from semiconductor surfaces

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees