MD3086G2 - Полупроводниковый газовый сенсор - Google Patents
Полупроводниковый газовый сенсорInfo
- Publication number
- MD3086G2 MD3086G2 MDA20050233A MD20050233A MD3086G2 MD 3086 G2 MD3086 G2 MD 3086G2 MD A20050233 A MDA20050233 A MD A20050233A MD 20050233 A MD20050233 A MD 20050233A MD 3086 G2 MD3086 G2 MD 3086G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- onto
- gas
- gas sensor
- semiconductor gas
- sensitive layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности, к полупроводниковым газовым сенсорам.Полупроводниковый газовый сенсор содержит подложку, на одной из поверхностей которой нанесен газочувст-вительный слой, а на противополож-ной поверхности нагревательный элемент, при этом на газочувствительном слое нанесены металлические контакты. Новизна изобретения заключается в том, что на поверхности газочувствительного слоя образована область структуры в виде наноиголок. Область структуры в виде наноиголок может быть выполнена кольцевой формы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20050233A MD3086G2 (ru) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | Полупроводниковый газовый сенсор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20050233A MD3086G2 (ru) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | Полупроводниковый газовый сенсор |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD3086F1 MD3086F1 (en) | 2006-06-30 |
MD3086G2 true MD3086G2 (ru) | 2007-01-31 |
Family
ID=36643910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20050233A MD3086G2 (ru) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | Полупроводниковый газовый сенсор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD3086G2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3894G2 (ru) * | 2008-02-22 | 2010-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
MD4347C1 (ru) * | 2014-07-15 | 2015-11-30 | Виорел ТРОФИМ | Газовый сенсор на основе MoO3 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD4423C1 (ru) * | 2015-01-13 | 2016-12-31 | Василе ПОСТИКА | Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) |
MD4495C1 (ru) * | 2016-09-09 | 2018-01-31 | Николай АБАБИЙ | Сенсор этанола на основе оксида меди |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3695848A (en) * | 1970-04-07 | 1972-10-03 | Naoyoshi Taguchi | Gas detecting device |
-
2005
- 2005-08-10 MD MDA20050233A patent/MD3086G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3695848A (en) * | 1970-04-07 | 1972-10-03 | Naoyoshi Taguchi | Gas detecting device |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
A. El. Kouche, J. Lin, M. E. Law, S. Kim, B. S. Kim, F. Ren and S. J. Pearton, Remote sensing system for hydrogen using GaN Schottky diodes. Sensors and Actuators, B 105, Issue 2, 2005, p. 329-333 * |
J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, Reversible barrier height changes in hydrogen-sensitive Pd/GaN and Pt/GaN diodes. Appl. Phys. Lett., 82, Issue 5, 2003, p. 739-741 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3894G2 (ru) * | 2008-02-22 | 2010-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
MD4347C1 (ru) * | 2014-07-15 | 2015-11-30 | Виорел ТРОФИМ | Газовый сенсор на основе MoO3 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD3086F1 (en) | 2006-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2006002643A3 (en) | Alpha-amylase variants with altered properties | |
WO2009049091A3 (en) | Multifunctional potentiometric gas sensor array with an integrated temperature control and temperature sensors | |
MA20150154A1 (fr) | Vitre comprenant un élément de connexion électrique | |
WO2009121944A3 (fr) | Procede pour assembler deux surfaces ou une surface avec une molecule d'interet | |
WO2010126336A3 (ko) | 금속산화물 나노입자를 이용한 가스센서 및 그 제조방법 | |
WO2004076704A3 (en) | Thermal barrier coating having low thermal conductivity | |
MX2009011466A (es) | Junta metalica plana. | |
SG116564A1 (en) | Substrate contact and method of forming the same. | |
TW200731574A (en) | Semiconductor and method of semiconductor fabrication | |
DE602007013401D1 (de) | Elektrode, ihr herstellungsverfahren und ihre verwendung | |
DK1963453T3 (da) | Adhæsiv og overtrækssammensætning | |
WO2010136351A3 (de) | Sensorelement | |
MD3086F1 (en) | Semiconductor gas sensor | |
TW200705582A (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
TW200718935A (en) | Surface plasmon resonance sensing system and method thereof | |
WO2009119972A3 (ko) | 고감도 바이오 센서 및 이를 포함하는 바이오 칩 그리고 이를 제조하는 방법 | |
WO2005067580A3 (en) | Naphthofluorescein-based metal sensors, and methods of making and using the same | |
TW200641086A (en) | Adhesive sheet for dicing and dicing method using the same | |
WO2006005332A3 (de) | Festelektrolyt-gassenor mit heizelement | |
WO2007003639A3 (fr) | Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stoechiometrique, pour la fabrication de composants electroniques, et procede d'obtention d'une telle couche | |
MD3018G2 (ru) | Газовый сенсор | |
WO2008058869A3 (de) | Messvorrichtung und messverfahren zum inspizieren einer oberfläche eines substrates | |
WO2008151054A3 (en) | Thermal shock resistant gas sensor element | |
SG143138A1 (en) | Method to protect patinated surfaces of copper products as well as patinated copper product | |
TW200730819A (en) | Gas sensor and method of manufacturing thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |