MD3086G2 - Полупроводниковый газовый сенсор - Google Patents

Полупроводниковый газовый сенсор

Info

Publication number
MD3086G2
MD3086G2 MDA20050233A MD20050233A MD3086G2 MD 3086 G2 MD3086 G2 MD 3086G2 MD A20050233 A MDA20050233 A MD A20050233A MD 20050233 A MD20050233 A MD 20050233A MD 3086 G2 MD3086 G2 MD 3086G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
onto
gas
gas sensor
semiconductor gas
sensitive layer
Prior art date
Application number
MDA20050233A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3086F1 (en
Inventor
Вячеслав ПОПА
Олеся ВОЛЧУК
Ион ТИГИНЯНУ
Вячеслав УРСАКИ
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Технический университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы, Технический университет Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20050233A priority Critical patent/MD3086G2/ru
Publication of MD3086F1 publication Critical patent/MD3086F1/xx
Publication of MD3086G2 publication Critical patent/MD3086G2/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности, к полупроводниковым газовым сенсорам.Полупроводниковый газовый сенсор содержит подложку, на одной из поверхностей которой нанесен газочувст-вительный слой, а на противополож-ной поверхности нагревательный элемент, при этом на газочувствительном слое нанесены металлические контакты. Новизна изобретения заключается в том, что на поверхности газочувствительного слоя образована область структуры в виде наноиголок. Область структуры в виде наноиголок может быть выполнена кольцевой формы.
MDA20050233A 2005-08-10 2005-08-10 Полупроводниковый газовый сенсор MD3086G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050233A MD3086G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Полупроводниковый газовый сенсор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050233A MD3086G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Полупроводниковый газовый сенсор

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3086F1 MD3086F1 (en) 2006-06-30
MD3086G2 true MD3086G2 (ru) 2007-01-31

Family

ID=36643910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20050233A MD3086G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Полупроводниковый газовый сенсор

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3086G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников
MD4347C1 (ru) * 2014-07-15 2015-11-30 Виорел ТРОФИМ Газовый сенсор на основе MoO3

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4423C1 (ru) * 2015-01-13 2016-12-31 Василе ПОСТИКА Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты)
MD4495C1 (ru) * 2016-09-09 2018-01-31 Николай АБАБИЙ Сенсор этанола на основе оксида меди

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3695848A (en) * 1970-04-07 1972-10-03 Naoyoshi Taguchi Gas detecting device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3695848A (en) * 1970-04-07 1972-10-03 Naoyoshi Taguchi Gas detecting device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. El. Kouche, J. Lin, M. E. Law, S. Kim, B. S. Kim, F. Ren and S. J. Pearton, Remote sensing system for hydrogen using GaN Schottky diodes. Sensors and Actuators, B 105, Issue 2, 2005, p. 329-333 *
J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, Reversible barrier height changes in hydrogen-sensitive Pd/GaN and Pt/GaN diodes. Appl. Phys. Lett., 82, Issue 5, 2003, p. 739-741 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников
MD4347C1 (ru) * 2014-07-15 2015-11-30 Виорел ТРОФИМ Газовый сенсор на основе MoO3

Also Published As

Publication number Publication date
MD3086F1 (en) 2006-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006002643A3 (en) Alpha-amylase variants with altered properties
WO2009049091A3 (en) Multifunctional potentiometric gas sensor array with an integrated temperature control and temperature sensors
MA20150154A1 (fr) Vitre comprenant un élément de connexion électrique
WO2009121944A3 (fr) Procede pour assembler deux surfaces ou une surface avec une molecule d'interet
WO2010126336A3 (ko) 금속산화물 나노입자를 이용한 가스센서 및 그 제조방법
WO2004076704A3 (en) Thermal barrier coating having low thermal conductivity
MX2009011466A (es) Junta metalica plana.
SG116564A1 (en) Substrate contact and method of forming the same.
TW200731574A (en) Semiconductor and method of semiconductor fabrication
DE602007013401D1 (de) Elektrode, ihr herstellungsverfahren und ihre verwendung
DK1963453T3 (da) Adhæsiv og overtrækssammensætning
WO2010136351A3 (de) Sensorelement
MD3086F1 (en) Semiconductor gas sensor
TW200705582A (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
TW200718935A (en) Surface plasmon resonance sensing system and method thereof
WO2009119972A3 (ko) 고감도 바이오 센서 및 이를 포함하는 바이오 칩 그리고 이를 제조하는 방법
WO2005067580A3 (en) Naphthofluorescein-based metal sensors, and methods of making and using the same
TW200641086A (en) Adhesive sheet for dicing and dicing method using the same
WO2006005332A3 (de) Festelektrolyt-gassenor mit heizelement
WO2007003639A3 (fr) Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stoechiometrique, pour la fabrication de composants electroniques, et procede d'obtention d'une telle couche
MD3018G2 (ru) Газовый сенсор
WO2008058869A3 (de) Messvorrichtung und messverfahren zum inspizieren einer oberfläche eines substrates
WO2008151054A3 (en) Thermal shock resistant gas sensor element
SG143138A1 (en) Method to protect patinated surfaces of copper products as well as patinated copper product
TW200730819A (en) Gas sensor and method of manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees