MD196Y - High-temperature diode column - Google Patents
High-temperature diode column Download PDFInfo
- Publication number
- MD196Y MD196Y MDS20090053A MDS20090053A MD196Y MD 196 Y MD196 Y MD 196Y MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD 196 Y MD196 Y MD 196Y
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- diode
- column
- diodes
- temperature
- coefficient
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
Inventia se refera la domeniul electronicii temperaturilor inalte si poate fi utilizata in electrotehnica sau alte domenii ale tehnicii, unde sunt solicitate convertizoare de tensiune inalta de dimensiuni mici, de exemplu, in sursa de alimentare a generatorului instalatiilor roentgenotehnice sau in sursa de alimentare a magnetronului convertizorului dispozitivelor cu microunde. Coloana de diode de temperatura inalta contine diode de redresare de tensiune inalta, formate dintr-un semiconductor de tip A3B5 cu banda energetica interzisa mai mare decat 1,1 eV, si un strat de pasivizare si protectie din oxidul elementului A, depus pe suprafata de iesire a jonctiunii p-n la suprafata. Coloana de diode mai contine discuri metalice cu coeficientul de dilatare termica aproape de coeficientul de dilatare termica a semiconductorului diodei, amplasate intre diodele de redresare pe axa coloanei peste cel putin o dioda si conectate consecutiv cu acestea, asamblate si capsulate intr-un corp din masa plastica cu doua borne de iesire, care sunt unite flexibil cu diodele extreme prin discuri metalice. Rezultatul consta in majorarea temperaturii de lucru a coloanei de diode de temperatura inalta pana la 200°C si micsorarea timpului de revenire inversa mai jos de 60 ns.The invention relates to the field of high temperature electronics and can be used in electrotechnics or other fields of technology, where small voltage high voltage converters are required, for example, in the power supply of the generator of roentgenotechnical installations or in the power supply of the converter magnetron. microwave devices. The high-temperature diode column contains high-voltage rectifier diodes, consisting of an A3B5 type semiconductor with a power band greater than 1.1 eV, and a passivation and protection layer of element A oxide, deposited on the surface of exit of the junction to the surface. The diode column also contains metal disks with the coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion of the semiconductor diode, located between the rectifying diodes on the axis of the column over at least one diode and connected consecutively with them, assembled and encapsulated in a mass body. plastic with two output terminals, which are flexibly joined to the extreme diodes by metal discs. The result is an increase in the working temperature of the high temperature diode column up to 200 ° C and a decrease in the reverse return time below 60 ns.
Description
Invenţia se referă la domeniul electronicii temperaturilor înalte şi poate fi utilizată în electrotehnică sau alte domenii ale tehnicii, unde sunt solicitate convertizoare de tensiune înaltă de dimensiuni mici, de exemplu, în sursa de alimentare a generatorului instalaţiilor roentgenotehnice sau în sursa de alimentare a magnetronului convertizorului dispozitivelor cu microunde. The invention relates to the field of high-temperature electronics and can be used in electrical engineering or other fields of technology, where small-sized high-voltage converters are required, for example, in the power supply of the generator of X-ray installations or in the power supply of the magnetron of the converter of microwave devices.
Cea mai apropiată soluţie este coloana de diode cu avalanşă, care conţine diode redresoare din siliciu conectate consecutiv, montate pe o bară din textolit de sticlă şi amplasate într-un corp din masă plastică cu două borne de ieşire [1]. The closest solution is the avalanche diode column, which contains silicon rectifier diodes connected in series, mounted on a glass textolite bar and placed in a plastic body with two output terminals [1].
Dezavantajele acestei soluţii constau în temperatura joasă de funcţionare, limitată la 120°C din cauza creşterii curenţilor de scurgere la tensiuni de blocare inversă şi timpul de revenire inversă mare la diode, factor determinat de proprietăţile electrofizice ale siliciului, care în funcţie de dimensiunile cristalului variază în intervalul 250…380 ns. The disadvantages of this solution are the low operating temperature, limited to 120°C due to the increase in leakage currents at reverse blocking voltages, and the long reverse recovery time of the diodes, a factor determined by the electrophysical properties of silicon, which, depending on the crystal dimensions, varies in the range of 250…380 ns.
Problemele, pe care le rezolvă prezenta invenţie, sunt păstrarea stabilităţii proprietăţilor electrice ale coloanei de diode în condiţii de funcţionare la temperatură înaltă (peste 200°C) şi majorarea vitezei de funcţionare a dispozitivului. The problems solved by the present invention are maintaining the stability of the electrical properties of the diode column under high temperature operating conditions (above 200°C) and increasing the operating speed of the device.
Dispozitivul, conform invenţiei, înlătură dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că conţine diode de redresare de tensiune înaltă, formate dintr-un semiconductor de tip A3B5 cu banda energetică interzisă mai mare decât 1,1 eV, şi un strat de pasivizare şi protecţie din oxidul elementului A, depus pe suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n la suprafaţă. Coloana de diode mai conţine discuri metalice cu coeficientul de dilatare termică aproape de coeficientul de dilatare termică a semiconductorului diodei, amplasate între diodele de redresare pe axa coloanei peste cel puţin o diodă şi conectate consecutiv cu acestea, asamblate şi capsulate într-un corp din masă plastică cu două borne de ieşire, care sunt unite flexibil cu diodele extreme prin discuri metalice. The device, according to the invention, eliminates the above-mentioned disadvantages by containing high-voltage rectifier diodes, formed from an A3B5 type semiconductor with a forbidden energy band gap greater than 1.1 eV, and a passivation and protection layer of the oxide of element A, deposited on the output surface of the p-n junction at the surface. The diode column also contains metal disks with a coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion of the diode semiconductor, placed between the rectifier diodes on the axis of the column above at least one diode and connected consecutively with them, assembled and encapsulated in a plastic body with two output terminals, which are flexibly connected to the extreme diodes by metal disks.
Rezultatul invenţiei constă în majorarea temperaturii de lucru a coloanei de diode de temperatură înaltă până la 200°C, micşorarea timpului de revenire inversă mai jos de 60 ns şi sporirea randamentului la producţia coloanei de diode cu peste 40% prin implementarea tehnologiei de chloride epitaxie din fază gazoasă a semiconductorului de tip A3B5, de exemplu GaAs, precum şi protejarea joncţiunii p-n a diodei de redresare prin metode chimice cu oxidul elementului A, de exemplu, oxidul de galiu. The result of the invention consists in increasing the working temperature of the high-temperature diode column up to 200°C, reducing the reverse recovery time below 60 ns and increasing the efficiency of the diode column production by over 40% by implementing the technology of chloride vapor phase epitaxy of the A3B5 type semiconductor, for example GaAs, as well as protecting the p-n junction of the rectifier diode by chemical methods with the oxide of element A, for example gallium oxide.
Invenţia se explică prin desenele din fig. 1 - 2, care reprezintă: The invention is explained by the drawings in Fig. 1 - 2, which represent:
- fig. 1, schema electrică a coloanei de diode; - Fig. 1, electrical diagram of the diode column;
- fig. 2, construcţia coloanei de diode. - Fig. 2, construction of the diode column.
Coloana de diode este o succesiune de elemente de redresare 1…n (fig. 1), care conţine diode de redresare de tensiune înaltă 2, 5 în formă de disc, dintr-un semiconductor de tip A3B5 (de exemplu GaAs sau InP) cu diametrul mai mic de 5 mm, şi un strat de pasivizare şi protecţie 4 din oxidul elementului A, depus pe suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n la suprafaţă (fig. 2). Coloana de diode mai conţine discuri metalice 3 cu coeficientul de dilatare termică aproape de coeficientul de dilatare termică a semiconductorului diodei, amplasate între diodele de redresare pe axa coloanei peste cel puţin o diodă şi conectate consecutiv cu acestea, asamblate şi capsulate într-un corp 6 din masă plastică cu două borne de ieşire 1, 7, care sunt unite flexibil cu diodele extreme prin discuri metalice. The diode column is a sequence of rectifier elements 1…n (fig. 1), which contains high-voltage rectifier diodes 2, 5 in the form of a disk, made of a semiconductor of the A3B5 type (for example GaAs or InP) with a diameter of less than 5 mm, and a passivation and protection layer 4 of the oxide of the element A, deposited on the output surface of the p-n junction at the surface (fig. 2). The diode column also contains metal disks 3 with a coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion of the diode semiconductor, placed between the rectifier diodes on the axis of the column above at least one diode and connected consecutively with them, assembled and encapsulated in a body 6 made of plastic with two output terminals 1, 7, which are flexibly connected to the extreme diodes by metal disks.
Prima deosebire a invenţiei constă în utilizarea unui compus semiconductor cu banda interzisă mai mare decât a siliciului, de exemplu, a unui compus de tip A3B5, pentru fabricarea diodei de redresare cu tensiune înaltă, utilizată în coloana de diode. Arseniura de galiu (GaAs), de exemplu, utilizată în dioda de redresare, micşorează curenţii de scurgere la tensiunile de blocare astfel încât prin majorarea temperaturii la 300°C curenţii de scurgere sunt mai mici decât aceiaşi curenţi la dioda din siliciu măsuraţi la 120°C. De asemenea, mobilitatea sporită a purtătorilor de curent în GaAs (4000…5000 cm2/V·s la temperatura de 25°C) duce la micşorarea timpului de revenire inversă (30…60 ns) la dioda de redresare. The first difference of the invention consists in using a semiconductor compound with a wider band gap than silicon, for example, an A3B5 type compound, for manufacturing the high-voltage rectifier diode used in the diode column. Gallium arsenide (GaAs), for example, used in the rectifier diode, reduces the leakage currents at the blocking voltages so that by increasing the temperature to 300°C the leakage currents are lower than the same currents in the silicon diode measured at 120°C. Also, the increased mobility of the current carriers in GaAs (4000…5000 cm2/V·s at a temperature of 25°C) leads to a decrease in the reverse recovery time (30…60 ns) in the rectifier diode.
Procedeul de fabricare a diodei de tensiune înaltă este legat de specificul tehnologiei materialului semiconductor. The high-voltage diode manufacturing process is related to the specifics of semiconductor material technology.
Spre deosebire de cea mai apropiată soluţie, dioda de redresare conform invenţiei este fabricată din semiconductor de tip A3B5 datorită utilizării tehnologiei de obţinere a straturilor groase (60…100 µm) şi omogene din GaAs sau InP prin metoda de chloride epitaxie din fază gazoasă, care are un randament sporit pe scară industrială, fapt ce reduce costurile de producţie. Tehnologia chloride, considerată una din cele mai pure tehnologii de obţinere a materialelor semiconductoare de tipul A3B5, datorită gradului ridicat de puritate a componentelor iniţiale în producţie, cum ar fi galiul, triclorura de arsen etc., permite producerea eficientă a structurilor de redresare cu tensiune inversă peste 1500 V. Unlike the closest solution, the rectifier diode according to the invention is manufactured from A3B5 type semiconductor due to the use of the technology of obtaining thick (60…100 µm) and homogeneous layers of GaAs or InP by the chloride vapor phase epitaxy method, which has an increased yield on an industrial scale, which reduces production costs. Chloride technology, considered one of the purest technologies for obtaining A3B5 type semiconductor materials, due to the high degree of purity of the initial components in production, such as gallium, arsenic trichloride, etc., allows the efficient production of rectifier structures with reverse voltage above 1500 V.
Altă deosebire a invenţiei constă în materialul stratului de pasivizare şi protecţie a joncţiunii p-n, utilizat la dioda din semiconductor de tip A3B5, care reprezintă oxidul elementului A al acestui semiconductor. Joncţiunile p-n de tensiune înaltă sunt caracterizate prin valori mari ale intensităţii câmpului electric (105…106 V/m) atât în masivul semiconductorului, cât şi la suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n. Sunt cunoscute mai multe metode de majorare a tensiunii de străpungere prin avalanşă a dispozitivului, aşa ca depunerea armăturii de câmp, formarea cercurilor de protecţie, formarea teşiturii la joncţiunea p-n. Aceste metode au ca scop micşorarea probabilităţii străpungerii electrice pe suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n, creând astfel condiţii de străpungere în volumul semiconductorului. Another difference of the invention consists in the material of the passivation and protection layer of the p-n junction, used in the diode made of the semiconductor type A3B5, which represents the oxide of element A of this semiconductor. High-voltage p-n junctions are characterized by high values of the electric field intensity (105…106 V/m) both in the bulk of the semiconductor and at the output surface of the p-n junction. Several methods of increasing the avalanche breakdown voltage of the device are known, such as depositing the field reinforcement, forming protective circles, forming a bevel at the p-n junction. These methods aim to reduce the probability of electrical breakdown on the output surface of the p-n junction, thus creating conditions for breakdown in the volume of the semiconductor.
La fabricarea diodei din siliciu, ca material de pasivizare şi protecţie este utilizat bioxidul de siliciu, ca oxid propriu formând cu siliciul o adeziune calitativă. Bioxidul de siliciu, ca şi nitrura de siliciu, sunt în prezent utilizate şi în producţia diodelor cu GaAs de tensiuni până la 600 V. Însă sarcina pozitivă fixă în stratul oxidului de siliciu, depus pe suprafaţa GaAs, provoacă efectul de invertire a suprafeţei semiconductorului, în urma căruia tensiunea de străpungere scade. Mobilitatea sarcinii electrice în stratul inversat, care apare din cauza prezenţei pe suprafaţă a oxizilor de arsen şi a altor impurităţi, provoacă instabilitatea caracteristicilor electrice. În intervalul tensiunilor de străpungere purtătorii fierbinţi injectaţi în stratul oxidului de siliciu duc la modularea conductibilităţii suprafeţei GaAs, care poate provoca o străpungere haotică sau aleatorie. In the manufacture of silicon diodes, silicon dioxide is used as a passivation and protection material, as its own oxide forms a qualitative adhesion with silicon. Silicon dioxide, as well as silicon nitride, are currently also used in the production of GaAs diodes with voltages up to 600 V. However, the fixed positive charge in the silicon oxide layer deposited on the GaAs surface causes the inversion effect of the semiconductor surface, as a result of which the breakdown voltage decreases. The mobility of the electric charge in the inverted layer, which occurs due to the presence of arsenic oxides and other impurities on the surface, causes instability of the electrical characteristics. In the breakdown voltage range, hot carriers injected into the silicon oxide layer lead to modulation of the conductivity of the GaAs surface, which can cause chaotic or random breakdown.
Depunerea stratului de oxid de galiu pe suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n se efectuează din contul materialului masiv (GaAs), ce asigură o adezivitate calitativă între materiale, stabilizează la suprafaţă potenţialul chimic Fermi şi măreşte rezistivitatea stratului la suprafaţă prin doparea lui cu oxigen, care în GaAs formează niveluri adânci în banda energetică interzisă. Deci, oxidul de galiu pasivizează şi în acelaşi timp protejează joncţiunea p-n, mărind tensiunea de străpungere a diodei la creşterea intensităţii câmpului electric. The deposition of the gallium oxide layer on the output surface of the p-n junction is carried out at the expense of the bulk material (GaAs), which ensures qualitative adhesion between the materials, stabilizes the Fermi chemical potential on the surface and increases the resistivity of the surface layer by doping it with oxygen, which in GaAs forms deep levels in the forbidden energy band. Thus, gallium oxide passivates and at the same time protects the p-n junction, increasing the breakdown voltage of the diode with increasing electric field intensity.
Coloana de diode se mai deosebeşte de cea mai apropiată soluţie prin aceea că conţine discuri metalice cu coeficientul de dilatare termică aproape de coeficientul de dilatare termică a semiconductorului diodei, amplasate între diodele de redresare pe axa coloanei peste cel puţin o diodă şi conectate consecutiv cu acestea. Un astfel de metal pentru GaAs poate fi molibdenul sau aliajele lui. Conductibilitatea termică a metalului este mai mare decât conductibilitatea termică a GaAs, prin urmare, discurile îmbunătăţesc distribuirea radială a căldurii degajate în zona activă a semiconductorului diodei, omogenizează câmpul termic şi asigură caracteristicile termotehnice ale coloanei de diode într-un interval lărgit de temperaturi (peste 200°C). Pentru evacuarea căldurii din coloana de diode sunt utilizate şi bornele de ieşire executate din cupru, fiind unite cu diodele extreme prin discuri metalice. Totodată bornele de ieşire sunt unite flexibil cu discuri metalice cu scopul compensării deplasărilor termice axiale. The diode column also differs from the closest solution in that it contains metal disks with a coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion of the diode semiconductor, placed between the rectifier diodes on the column axis above at least one diode and connected consecutively to them. Such a metal for GaAs can be molybdenum or its alloys. The thermal conductivity of the metal is higher than the thermal conductivity of GaAs, therefore, the disks improve the radial distribution of the heat released in the active area of the diode semiconductor, homogenize the thermal field and ensure the thermotechnical characteristics of the diode column in a wide temperature range (over 200°C). To evacuate heat from the diode column, output terminals made of copper are also used, being connected to the extreme diodes by metal disks. At the same time, the output terminals are flexibly connected to metal disks in order to compensate for axial thermal displacements.
Exemplu de realizare a invenţiei Example of embodiment of the invention
Structurile crescute prin metoda de chloride epitaxie din fază gazoasă aveau tensiunea de blocare 900 V. La controlul de clasificare a tensiunii de blocare toate diodele obţinute de pe structură s-au aranjat în intervalul de valori 700…900 V. The structures grown by the chloride vapor phase epitaxy method had a blocking voltage of 900 V. When checking the blocking voltage classification, all diodes obtained from the structure were arranged in the range of values 700…900 V.
Pentru montarea coloanei de diode au fost fabricate discuri din molibden cu diametrul 2 mm, grosimea 0,2 mm şi două borne de ieşire cilindrice cositorite cu diametrul 1,3 mm, transformate la un capăt în folie cu grosimea 0,4…0,5 mm şi arcuite la 90° faţă de axă. Elementele coloanei de diode au fost unite prin lipire cu aliaj PbSnAg (temperatura de topire 305°C) în formă de folie cu grosimea 100 µm şi diametrul 1,2 mm, numită în continuare prefaţă. Montarea coloanei s-a efectuat în suport tehnologic din grafit prin instalarea în ordine consecutivă, conform desenului din fig. 2, a elementelor: borna de ieşire - prefaţă - disc metalic - prefaţă - diodă - prefaţă - … - diodă - prefaţă - disc metalic - prefaţă - borna de ieşire. Procedeul de lipire s-a realizat în flux de hidrogen la temperatura 340°C timp de 7…10 min. Pentru capsulare a fost utilizată răşină KJR-9033E cu regim de polimerizare: la temperatura de 150°C - 2 ore, apoi la temperatura de 200°C - 6 ore. For the assembly of the diode column, molybdenum discs with a diameter of 2 mm, a thickness of 0.2 mm and two cylindrical tinned output terminals with a diameter of 1.3 mm were manufactured, transformed at one end into a foil with a thickness of 0.4…0.5 mm and arched at 90° to the axis. The elements of the diode column were joined by soldering with PbSnAg alloy (melting temperature 305°C) in the form of a foil with a thickness of 100 µm and a diameter of 1.2 mm, hereinafter called the preface. The assembly of the column was carried out in a technological support made of graphite by installing in consecutive order, according to the drawing in Fig. 2, the elements: output terminal - preface - metal disc - preface - diode - preface - metal disc - preface - output terminal. The bonding process was performed in hydrogen flow at a temperature of 340°C for 7…10 min. KJR-9033E resin was used for encapsulation with a polymerization regime: at a temperature of 150°C - 2 hours, then at a temperature of 200°C - 6 hours.
Două modele de coloane de diode au fost montate cu trei şi şase diode de redresare cu tensiunile de blocare inversă 1,8 şi 4,2 kV respectiv la curenţi de scurgere 10 µA la temperatura de 200°C, limitată doar de proprietăţile materialelor auxiliare utilizare, de exemplu răşină pentru capsulare. Two diode column models were mounted with three and six rectifier diodes with reverse blocking voltages of 1.8 and 4.2 kV respectively at 10 µA leakage currents at a temperature of 200°C, limited only by the properties of the auxiliary materials used, e.g. encapsulation resin.
1. RU 2003121273 A1 2005.02.27 1. RU 2003121273 A1 2005.02.27
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | High-temperature diode column |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | High-temperature diode column |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD196Y true MD196Y (en) | 2010-04-30 |
| MD196Z MD196Z (en) | 2010-11-30 |
Family
ID=43569613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (en) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | High-temperature diode column |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD196Z (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4182C1 (en) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Semiconductor device with relief p-n junction (embodiments) |
| MD4261B1 (en) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction (embodiments) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2003121273A (en) * | 2003-07-09 | 2005-02-27 | Ооо "Атом-Пиф" (Ru) | POST DIODE AVALANCHE |
| MD2937C2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | process for cleaning of machining attachments from waste after epitaxial growth of semiconductor layers of the type A3B5 |
| MD3257G2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Process for gallium and arsenic recovery from waste formed after epitaxial growth of semiconductor layers of the type A3B5 |
| MD176Z (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Process for the manufacture of high-voltage diode |
-
2009
- 2009-04-15 MD MDS20090053A patent/MD196Z/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD196Z (en) | 2010-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pearton et al. | Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETS | |
| JP6815285B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP6139340B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| WO2020186700A1 (en) | Schottky diode, and manufacturing method for same | |
| US8178940B2 (en) | Schottky barrier diode and method for using the same | |
| CN103681969A (en) | Photoconductive switch manufacturing method based on SiC substrate | |
| James et al. | Photoemission from cesium‐oxide‐activated InGaAsP | |
| CN105720110A (en) | SiC annular floating-point type P+ structured junction barrier Schottky diode and preparation method thereof | |
| JPH0786620A (en) | Diamond semiconductor device | |
| CN117476773B (en) | LDMOS with low electric leakage and preparation method | |
| MD196Y (en) | High-temperature diode column | |
| MD176Y (en) | Process for the manufacture of high-voltage diode | |
| CN103137772B (en) | Novel multi-layer-structursilicon silicon carbide photoconductive switch and preparation method thereof | |
| US7557385B2 (en) | Electronic devices formed on substrates and their fabrication methods | |
| US11322626B2 (en) | Tunnel drift step recovery diode | |
| CN203038959U (en) | Novel silicon carbide photo-conductive switch with multilayer structure | |
| US6730538B1 (en) | Fabricating electronic devices using actinide oxide semiconductor materials | |
| CN102386267A (en) | Solar cell and method for fabricating same | |
| CN103579388B (en) | A kind of solar cell containing double aluminum back surface fields | |
| CN202633316U (en) | Pulse power thyristor | |
| CN117497578B (en) | An IGBT with low leakage current and preparation method thereof | |
| US12310086B2 (en) | Monolithic growth of epitaxial silicon devices via co-doping | |
| US3054912A (en) | Current controlled negative resistance semiconductor device | |
| Kaushika et al. | Wafer-based solar cells: materials and fabrication technologies | |
| Blundell et al. | Silicon power rectifiers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |