LU82690A1 - Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus - Google Patents

Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus Download PDF

Info

Publication number
LU82690A1
LU82690A1 LU82690A LU82690A LU82690A1 LU 82690 A1 LU82690 A1 LU 82690A1 LU 82690 A LU82690 A LU 82690A LU 82690 A LU82690 A LU 82690A LU 82690 A1 LU82690 A1 LU 82690A1
Authority
LU
Luxembourg
Prior art keywords
film
thickness
films
laser beam
elementary
Prior art date
Application number
LU82690A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Lucien D Laude
Original Assignee
Lucien D Laude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucien D Laude filed Critical Lucien D Laude
Priority to LU82690A priority Critical patent/LU82690A1/fr
Priority to AT81200854T priority patent/ATE10118T1/de
Priority to EP81200854A priority patent/EP0045551B1/fr
Priority to DE8181200854T priority patent/DE3166961D1/de
Priority to US06/289,695 priority patent/US4463028A/en
Priority to BR8205017A priority patent/BR8105017A/pt
Priority to JP56122885A priority patent/JPS57118628A/ja
Publication of LU82690A1 publication Critical patent/LU82690A1/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/06—Recrystallisation under a temperature gradient
    • C30B1/08—Zone recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
LU82690A 1980-08-05 1980-08-05 Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus LU82690A1 (fr)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LU82690A LU82690A1 (fr) 1980-08-05 1980-08-05 Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus
AT81200854T ATE10118T1 (de) 1980-08-05 1981-07-29 Verfahren zur herstellung polykristalliner filme aus halbleitern, die aus einer verbindung oder einem element bestehen, und dabei erhaltene filme.
EP81200854A EP0045551B1 (fr) 1980-08-05 1981-07-29 Procédé de préparation de films polycristallins semi-conducteurs composés ou élémentaires et films ainsi obtenus
DE8181200854T DE3166961D1 (en) 1980-08-05 1981-07-29 Process for the manufacture of polycrystalline films of semiconductors formed by compounds or elements, and films thus obtained
US06/289,695 US4463028A (en) 1980-08-05 1981-08-03 Method for preparing composite or elementary semi-conducting polycrystalline films
BR8205017A BR8105017A (pt) 1980-08-05 1981-08-04 Processo de preparacao de peliculas poli-cristalinas semi condutoras compostas de dois elementos
JP56122885A JPS57118628A (en) 1980-08-05 1981-08-05 Method of producing polycrystalline semiconductor thin film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LU82690A LU82690A1 (fr) 1980-08-05 1980-08-05 Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus
LU82690 1980-08-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
LU82690A1 true LU82690A1 (fr) 1982-05-10

Family

ID=19729461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LU82690A LU82690A1 (fr) 1980-08-05 1980-08-05 Procede de preparation de films polycristallins semiconducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS57118628A (enExample)
LU (1) LU82690A1 (enExample)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8324531D0 (en) * 1983-09-13 1983-10-12 Secr Defence Cadmium mercury telluride
JPS61231771A (ja) * 1985-04-05 1986-10-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JPS61237476A (ja) * 1985-04-12 1986-10-22 シーメンス・ソラー・インダストリエス・リミテッド・パートナーシップ 化合物半導体の製造方法
JP2546538B2 (ja) * 1994-07-11 1996-10-23 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製法
FR3047365B1 (fr) * 2016-02-03 2018-01-26 Renault S.A.S Dispositif de refroidissement pour une machine electrique.

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52143755A (en) * 1976-05-26 1977-11-30 Hitachi Ltd Laser, zone melting device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57118628A (en) 1982-07-23
JPH0343770B2 (enExample) 1991-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0045551B1 (fr) Procédé de préparation de films polycristallins semi-conducteurs composés ou élémentaires et films ainsi obtenus
EP0143792B1 (fr) Procede de formation d'un flux d'atomes et son utilisation dans un procede et un dispositif d'epitaxie par jets atomiques (e.j.a.)
EP0742616B1 (fr) Emetteur infrarouge monolithique à semi-conducteur pompé par un microlaser solide déclenché
FR2711276A1 (fr) Cellule photovoltaïque et procédé de fabrication d'une telle cellule.
EP0191661B1 (fr) Procédé de dépôt et de cristallisation d'une couche mince de matériau organique au moyen d'un faisceau d'énergie
EP0048514B1 (fr) Procédé de cristallisation de films et films ainsi obtenus
FR2648618A1 (fr) Procede de production d'un substrat pour la croissance selective d'un cristal, procede de croissance selective d'un cristal et procede de production d'une pile solaire
FR2621171A1 (fr) Procede permettant de faire croitre des films de gaas sur des substrats de si ou de gaas
FR2519432A1 (fr) Guide d'ondes optique dielectrique et procede de fabrication
FR2484144A1 (fr) Procede pour la production de pellicules monocristallines de semi-conducteurs
WO2014140499A1 (fr) Matériau absorbant et panneau solaire utilisant un tel matériau
FR3079657A1 (fr) Structure composite demontable par application d'un flux lumineux, et procede de separation d'une telle structure
CA2745500C (fr) Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module
EP2541601A1 (fr) Procédé pour la réalisation d'un détecteur de rayonnement électro-magnétique et détecteur obtenu par ce procédé
FR2518122A1 (fr) Procede de fabrication des alliages et des dispositifs amorphes photosensibles par depot de phase chimique
EP0199638A1 (fr) Procédé de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin orienté et à défauts localisés
EP1470622B1 (fr) Composant a absorbant saturable et procede de fabrication de composant a absorbant saturable
WO2014013173A1 (fr) Procédé de fabrication d'une couche monocristalline
LU83490A1 (fr) Procede de preparation de films polycristallins semi-conducteurs composes ou elementaires et films ainsi obtenus
FR3008994A1 (fr) Procede de cristallisation en phase solide
FR3054720A1 (fr) Procede et dispositif de transfert d'une couche de matiere bidimensionnelle sur un substrat de destination
JPH0343770B2 (enExample)
FR2518806A1 (fr) Procede pour detacher des douches epitaxiales
EP0142891B1 (fr) Dispositif à couplage de charges sensible au rayonnement infrarouge et procédé de réalisation d'un tel dispositif
RU2837980C1 (ru) Способ легирования кремниевой пластины