LU81701A1 - Dispositif de traitement d'un signal d'analyse d'image - Google Patents

Description

F0 11210

-------- GRAND-DUCHÉ DE LUXEMBOURG

Brevet N° ........Q.......J......“J Q 4 du 19....SEE.TE1ÆBBE....1.9..7.9.________ Monsieur le Ministre ίΛ .^1 de l’Economie Nationale et des Classes Moyennes

Titre délivré : ....................................... RB .

Service de la Propriété Industrielle

Ώ 7 0M3J LUXEMBOURG

ik k A*· ^ i n fl Demande de Brevet d’invention {{ 11 o 0

. I

! _ ...........................................................................................................................................................................................

I. Requête

La-Soeié-té-Anonyme-^..dite....: ...COi-iPAGNIE.. lŒtQLBIBIELLE..^^ - _ (i> CIT-ALCATEL·,.... 12,.....rue...de....la...Baurae...-.....75Q^^^.....représeDt.ée....paE.....................

Monsieur...J.ean^Eaul....RIRPIiJGER,....Eésidence ..yAL...STE...CHOIX,.....2~4...Allée....Léopold.-........... (2)

Goebel'..LUXEiiBQURG.,....agissant....en....quali.té.....dQ...înandatair!e................................................................................................

dépose........ ce Dix Neuf Septembre Mil Neuf...Cent....So.lxante...I3!ix...IJeu£·................(3) * à .j/I.ÜLg.Q.......heures, au Ministère de l’Économie Nationale et des Classes Moyennes, à Luxembourg : 1. la présente requête pour l’obtention d’un brevet d’invention concernant : ................................................................................................................................................................................................................................................................................(4) DISP.QSII.I£...DE.....IRM.T.FI®lT....D..^lII..S.I.CI.IAL:....D..VMAIJY.S.E....D..,..JJi'!IAGE......................·..................................................................- déclare, en assumant la responsabilité de cette déclaration, que l’(es) inventeur(s) est (sont) : ...................................................................... (5) Gérard-BIRON,.........Ingénieur,.........5....3auaœ...des....C7enêts.......................................................................................................................

................................................................................................0BESSELY....7847.Q...ST....BE!i!K:...LES~£HEiyRELISEy...£i!arice...............-.......

2. la délégation de pouvoir, datée de ......PARIS---------------------------------------------- le .9...AQUT....19.Z9..............................

3. la description en langue ....Française.............................................. de l’invention en deux exemplaires ; 4. ..de.UX.______________planches de dessin, en deux exemplaires ; 5. la quittance des taxes versées au Bureau de l’Enregistrement à Luxembourg, le Dix Neuf Septembre Mil Neuf Cent Soixante Dix Neuf......................................................................................

revendique pour la susdite demande de brevet la priorité d’une (des) demande(s) de (6) ..Brevet.......................................................................déposées) en (7) .. .FRANCE........................................................................................................- le ..21....SERIMBRE...19Z9,.....sous ...Ie....N0....7.8....2.7.... Q7Q........................................................................................................................... (8) + ......................................................................................................................................................................................................................................................*****************........................

au nom de .la....deman.de.:cesse..............................................................................................................................................................................................(9) élit domicile pour lui (elle) et, si désigné, pour son mandataire, à Luxembourg ......................................

Résid.enç.ê...VAL.......STJLGBQIX*......2-4...Allé.e...L.é.Qp.ol.d...Go.ebe.l.........................................................................................(îo) sollicite la délivrance d’un brevet d’invention pour l’objet décrit et représenté dans les annexes susmentionnées, —^-'â'vec'^journement de cette délivrance à ...........SIX......................... mois.

Le ..Mandataire.Zt:.iZ..........."r................

” ———*' II. Procès-verbal de Dépôt

La susdite demande de brevet d’invention a été déposée au Ministère de l’Économie Nationale et des Classes Moyennes, Service de la Propriété Industrielle à Luxembourg, en date du :

1 Q - AEPTFi.teRF. 1 Q7Q

/„λ .χ / A'” --6. \ fg,''··*<>. \ Pr. le Ministre à Jù....yÇ> 0.......heures / J / v£\ de l’Économie Nationale M das Classes Moyennes, / λ./-/ ifllîi) C> a 68007 /&‘Jor _J J_ MB/AL F0 11210 CIT-ALCATEL/T-DEL 2 pl.

Revendication de la Priorité d'une demande de brevet déposée en FRANCE, -, V le 21 SEPTEMBRE 1978, sous le N» 78 27 070.

J V/wt-v-v——.....— " - — —......—....................... ......... ..............................................-

—--BREVET D'INVENTION

v DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SIGNAL D'ANALYSE D'IMAGE

Invention de Gérard BIRON

Société Anonyme dite

COMPAGNIE INDUSTRIELLE DES TELECOMMUNICATIONS CIT-ALCATEL

La présente invention porte sur un dispositif de traitement , d'un signal d'analyse d'image pour l'élaboration d'un seuil de comparaison variable avec le signal d'analyse d'image et la conversion en tout ou rien de ce signal d'analyse. Ce dispositif de traitement est destiné, 5 en particulier, à être utilisé dans des installations de transmission de signaux de fac-similés issus de l'analyse de documents, pour sa conversion en signal tout ou rien.

On sait qu’un signal d’analyse de document est un signal modulé en amplitude entre deux niveaux limites, le niveau noir maximal 10 et le niveau blanc maximal correspondant respectivement aux éléments 1 4 2.

noirs et blancs du document analysé. D’une manière générale, dans le signal d’analyse détecté par exemple par photodiode, le niveau blanc est supérieur au niveau noir, cependant ces niveaux relatifs peuvent être inversés par un prétraitement analogique, par exemple 5 à l'aide d'un amplificateur inverseur.

La conversion, en tout ou rien, ou la transformation en un signal à deux niveaux, du signal d’analyse d'image nécessite la comparaison de ce signal avec un signal de référence compris entre deux limites de la modulation. En pratique, ce signal de référence % y 10 est choisi à une valeur proche du niveau du blanc maximal d'image.

Lorsque le document analysé présente un fond non uniforme et/ou des éléments, constituant des informations, de teinte égalaient non uniforme, la comparaison du signal d'analyse avec un signal de référence constant n'est plus satisfaisante. Dans ce cas, le signal 15 d'analyse peut, en effet, présenter des amplitudes très variables, avec des pertes d'amplitude sur les divers niveaux de modulation lorsque les alternés noir-blanc rapprochés sont analysés. Il est donc connu de rendre variable la valeur du signal de référence, qui constitue un seuil de décision de comparaison, en fonction des niveaux de modulation 20 dudit signal d'analyse.

La présente invention a pour but de permettre l'élaboration d'un seuil de décision variable ajusté en fonction de la teinte du fond d'image mais également en fonction des niveaux successifs de modulation du signal d'image.

25 La présente invention a pour objet un dispositif de traitement d'un signal d'analyse d'image à niveaux de modulation variables, entre s deux niveaux limites correspondant au blanc et au noir d'image, traduisant les points successifs d'image le long de lignes successives d’analyse,

, V

3.

pour la conversion en tout ou rien de ce signal d'analyse d'image par comparaison dudit signal d'analyse d'image avec un seuil de décision variable avec les niveaux de modulation de ce signal, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de détection, sur une ligne d'analyse 5 d'image, de la valeur Δ du fond d'image à partir dudit signal d'analyse d'image qu'il reçoit en entrée, un circuit de détection, sur quelques points successifs d'image, de la valeur moyenne û dudit .signal d'analyse d’image qu'il reçoit en entrée, et un circuit d'élaboration dudit seuil de décision variable relié > 10 aux circuits de détection de la valeur Δ du fond d'image et de la valeur moyenne dudit signal d'analyse délivrant ledit seuil de décision dont la valeur Vd répond à une relation de la forme Vd = K Δ + K' Δ’ , K et K’ étant deux coefficients dont les valeurs satisfont aux relations : 0 £ K <. 1 15 0 < K’ < 1 0 < K+K'< 1 D'autres caractéristiques et les avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description faite ci-après en regard du dessin ci annexé dans lequel : 20 - la figure 1 est le schéma synoptique du dispositif selon 1'invention, - la figure 2 illustre le fonctionnement du dispositif de 1'invention, - la figure 3 est le schéma d'un mode de réalisation de 25 ce dispositif.

Dans la figure 1, on a illustré sous forme de schéma-blocs le circuit de traitement d'un signal d'analyse d'image, pour la conversion en tout ou rien de ce signal par comparaison de ce signal avec un 4.

seuil de décision variable. On a désigné par E l’entrée de ce dispositif recevant le signal d'analyse d'image V_. Ce signal V, est à niveaux de modulation variables, entre deux niveaux limites correspondant au blanc maximal et noir maximal d'image, et traduit les points suc-5 cessifs d'image le long de ligpes successives d'analyse ; dans ce signal d'analyse V l’amplitude du niveau blanc est supérieure à celle du niveau noir. On a désigné par S la sortie du dispositif délivrant le signal V qui est le signal V„ restitué sous forme binaire.

S a

Le signal d'analyse d'image est appliqué à un circuit » 10 comparateur 1, constitué par un amplificateur opérationnel. Ce circuit comparateur 1 reçoit en outre le seuil de décision V^, sa sortie constitue la sortie S du dispositif.

Pour l'élaboration du seuil de décision le dispositif comporte un circuit 2 de détection de crête maximale de modulation 15 du signal V qu'il reçoit, incluant un élément de mémorisation, tel qu’un condensateur, de la valeur maximale de crête détectée /1 . Il comporte égalaient un circuit 3 de détection de la valeur moyenne du signal V sur quelques points d'analyse d’image, également relié a à l’entrée E. Il comporte enfin un circuit 4 de sommation des valeurs Δ 20 et détectées élaborant le seuil de décision répondant à la rela tion s κΔ+ Κ'Δ* C'est ce seuil de décision Vd qui est appliqué en tant que tension de comparaison au circuit comparateur 1.

Les valeurs des coefficients K et K' sont choisis en fonction des caractéristiques du signal d'analyse. Dans un mode de réalisation 25 donné à titre d'exemple, K est choisi égal à 1/3 et K’ est choisi égal à 1/2 ce qui conduit à la relation = 4 + 4 . Le choix d'un ’ seuil de décision répondant sensiblement à cette relation permet de favoriser, à la sortie S du dispositif, une bonne lecture des points 5.

noirs sur fond blanc d’image. En effet, si des points blancs d*image se succèdent, la valeur moyenneΔ est très proche de la valeur maximale Δ, pour Δ' = h ) le seuil de décision Vd prend pour valeur Vd = ·|Δ et est donc très proche du niveau du blanc maximal. Le choix du seuil 5 de décision à cette valeur Vd= permet, aussi, de favoriser, • à la sortie S du dispositif, une bonne lecture des points blancs sur fond noir. En effet, si le signal d’analyse d’image V traduit les a points blancs épars, la valeur moyenne détectée A est très proche du niveau du noir d'image ; pour Δ = 0, le seuil de décision prend * 10 pour valeur V= 4 et est donc ramenée à une valeur relativement d 3 proche du niveau du noir ce qui en pratique permet toujours au dispositif de détecter les points blancs sur fond noir dont l’amplitude dans le signal V est fortement diminuée.

a

Dans la figure 2, on a illustré en regard d'un signal V

ci

15 représenté les valeurs prises par le seuil de décision Vd. Cette figure 2 a été divisée en trois zones a, b, c dans lesquelles le signal V

a

traduit, pour la zone a, une très faible densité de points noirs d'image sur fond blanc, pour la zone b, un alterné de points d'image blancs et noirs et, pour la zone c, une très faible densité de points blancs 20 d'image sur fond noir. Dans ces trois zones, on a illustré le signal V

CL

avec une très forte perte d’amplitude sur le niveau limite du noir maximal d’image (zone a) ou du blanc maximal d’image (zone c) ou sur les niveaux limites du noir maximal et du blanc maximal d'image (zone b). Ceci s’explique, pour les zones a et c, du fait de la rareté des points 25 noirs, respectivement blancs, dans la zone correspondante d'image de teinte globale blanche, respectivement noire, et, pour la zone b, du fait des alternés blancs noirs des points de la zone d’image correspondante. On a désigné la valeur maximale de crête pour l'ensemble des 6.

trois zones par ù) et les valeurs moyennes détectées dans chacune des zones par Δ a, ^ b et A c reprérées en ordonnée. Les valeurs des seuils de décision, pour chacune des zones, sont désignées par V^a, vdb et vdc également repérées en ordonnée.

5 Dans la zone a, Δ a est sensiblement égale à & ; le seuil Vda est proche de Δ et a une valeur sensiblement égale à ^ Δ .

Dans la zone b,Æb est sensiblement égale à ^ la valeur de Vdb est sensiblement égale à j2 Δ .

Dans la zone ο, Δ c est sensiblement égale à 0, la valeur ΙΟ” de Vdc est ramenée vers le niveau du noir, et devient extrêmement

proche de A

Dans la figure 3, on a illustré le schéma d’un mode de réalisation du dispositif de l’invention. Dans cette figure 3> on a fait apparaître les divers blocs de la figure 1 et on les a désigné par 15 les mêmes références. On voit que le circuit comparateur est constitué par un amplificateur opérationnel recevant le signal V sur son entrée +

CL

et le seuil de décision V, sur son entrée - et délivrant le signal V

d s de sortie. Le circuit 2 de détection de la valeur maximale de crête du signal est constitué par une résistance 20 et un condensateur 21 20 Mis à la masse. L’entrée E du dispositif est reliée à la résistance 20, constituant la résistance de charge du condensateur 21, à travers un transistor à effet de champ 22 dont les électrodes ”drain” et "source” sont reliées à l’entrée E et à la résistance 20, La connexion entre le condensateur 21 et sa résistance de charge 20 est reliée à travers 25 les deux électrodes "drain" et "source" d'un autre transistor à effet de champ 23 transmettant le signal Δ à un circuit de décharge du condensateur 21, qui sera décrit ci-après et à un circuit amplificateur de sortie à deux transistors 24 et 25. Dans cet amplificateur, le transistor 24, de type NPN, est attaqué sur sa base par le transistor 7.

à effet de champ 23, son collecteur est relié à une source de polarisation + V, son émetteur est relié à une source de polarisation-V à travers une résistance 26 ; le transistor 25, de type PNP, a sa base reliée à l'émetteur du transistor 24, son émetteur, formant la 5 sortie de l'amplificateur, est relié à la source + V à travers une résistance 27, son collecteur est relié à la source - V.

Le transistor à effet de champ 22 est commandé, à partir d'une détection de valeur de crête du signal V supérieure à celle « mémorisée par le condensateur 21. A cet effet, un comparateur formé 10 par un amplificateur opérationnel 50, polarisé entre + V et - V, a ses entrées + et - reliées d'une part à l'entrée E d'autre part à la sortie du transistor à effet de de champ 23. Le signal de sortie de cet amplificateur opérationnel 50 est appliqué à travers une résistance 51 sur la base ou "gâte" du transistor à effet de champ 22.

15 Ce transistor à effet de champ 22 constitue le circuit de commande de chargement du condensateur 21. Il se comporte comme un interrupteur fermé dès que le signal V est de valeur supérieure à la valeur de crête mémorisée et ouvert en cas contraire.

Le circuit de décharge du condensateur 21 comporte une 20 résistance 55, de valeur élevée définissant avec le condensateur 21 une constante de temps de décharge élevée pour une décharge lente de ce condensateur, reliée à la sortie du transistor à effet de champ 23. Cette résistance 55 est par ailleurs reliée à un montage à deux transistors 56 et 57 commandés à partir du signal issu de l'amplificateur 25 opérationnel 50. Le transistor 56, de type PNP a sa base reliée à une résistance 52 reliée à la sortie de l'amplificateur opérationnel 50 et montée en série avec une résistance 53 connectée à la source + V. L'émetteur de ce transistor est relié à une source de polarisation + V, » \ inférieure à la source + V, son collecteur est relié à travers une résistance 58 à la base du transistor 57 de type NPN dont l’émetteur est mis à la masse et le collecteur relié à la résistance de décharge 55.

8.

Le transistor à effet de champ 23 est lui-même commandé 5 à partir du signal issu de l'amplificateur opérationnel 50 appliqué sur sa base ou "gâte” à travers la résistance 51 et une diode 60 dont le sens de conduction est de la résistance 51 au transistor à effet de champ. Une diode 61 reliée entre la résistance 51 et la masse, de sens de conduction de la résistance 51 à la masse, est associée , 10 aux résistances 51 et 53 pour la commande des deux transistors à effet de champ 22 et 23.

Les deux transistors à effet de champ 22 et 23 sont également commandés, à partir d'une entrée de commande C reliée à la base ou "gâte” du transistor à effet de champ 23 et à la base ou "gâte" du 15 transistor à effet de champ 22 à travers la diode 60, par un signal significatif du balayage de l'image entre lignes successives de balayage. Ce signal est émis, par le circuit d'analyse d'image délivrant le signal V , entre la fin de chaque ligne de balayage et le début de la ligne de balayage suivante. Ce signal constitué par une tension 20 négative entre les lignes de balayage vient bloquer les deux transistors à effet de champ 22 et 23· Pendant les lignes de balayage ce signal prend une valeur positive rendant conducteur le transistor à effet de champ 23.

Dans la figure 3, le circuit 3 de détection de la valeur 25 moyenne Δ* du signal V sur quelques points d'analyse, est constitué

• CL

par un condensateur 31 associé à sa résistance de charge 30. Le circuit 4 élaborant le seuil de décision est constitué par un réseau résistif formé par une résistance 40 reliée à l'émetteur du transistor 25, une résistance 41 reliée à la connexion entre la résistance 30 et 30 le condensateur 31 et une résistance 42 mise à la masse et reliée 9.

aux résistances 40 et 41. Ces résistances 40, 41 et 42 ont des valeurs relatives définies, en désignant par R^ la valeur de la résistance 40, R2 celle de la résistance 41, R^ celle de la résistance 42 et celle de la résistance 30, les valeurs de ces résistances sont liées par 5 les relations : *2 ^ *4 bi = Ύ r2 R K* p fi3 ' TTT R2 pour obtenir un seuil de décision tel que 10 V. = K L + K'ùl d qui est appliqué au circuit comparateur 1.

Dans le cas où K = 1/3 et K’ = 1/2 de l’exemple choisi ces relations deviennent : r2 r4 1* V I R2 R3 = 3 R2 pour obtenir un seul de décision tel que d 3 2 10.

Le dispositif de la figure 3 est, en outre, complété par un circuit 7 de limitation du seuil de décision V^. Ce circuit 7 comporte une amplificateur opérationnel 70 recevant sur son entrée - le seuil de décision délivré à la sortie du circuit 4 et sur 5 son entrée + une tension fixe définie fixant la valeur minimale du seuil de décision à appliquer au comparateur 1. Cette tension fixe est prélevée sur une prise intermédiaire d’une résistance 71 montée entre la source + V’ et la masse. La sortie de cet amplificateur „ opérationnel 70 est reliée à la source + V’ à travers une résistance 72.

10 Elle est connectée à travers une diode 73, rendue passante lorsque le signal est inférieure à la valeur minimale du seuil, et une résistance 74 à la connexion entre les résistances 40, 41 et 42 pour le maintien du seuil appliqué à l'entrée - de l'amplificateur opérationnel du circuit 4 au moins à cette valeur minimale.

15 En fonctionnement, la tension positive délivrée à la sortie

de l'amplificateur opérationnel 50, lorsque le niveau du signal V

cl présent en E est supérieur à la valeur Δ de crête mémorisée, rend le transistor à effet de champ 22 passant pour la charge du condensateur à la valeur adéquate. Simultanément, le circuit de décharge 55, 56, 20 57 est bloqué, le transistor à effet de champ 23 est passant.

»

La tension négative délivrée par la sortie de l'amplificateur opérationnel 50, lorsque le niveau du signal V présent en E est cl inférieur à la valeur mémorisée Δ » bloque le transistor à effet de champ 22. Simultanément la diode 60 isole la base ou "gâte" du 25 transistor à effet de champ 23 de cette tension négative de sortie de l'amplificateur opérationnel 50, qui se trouve mis par la borne C à un potentiel positif. Simultanément aussi par les transistors 56 et 57 rendus passants, la résistance 55 est mise à la masse et le 11.

condensateur 21 se décharge lentement.

Entre deux lignes successives d’analyse d’image, par la borne C mise tension négative, les transistors à effet de champ 23 et 22 sont bloqués : le condensateur 21 ne se charge ni se décharge.

5 Ce dispositif permet donc d’ajuster le seuil de décision en fonction du fond d'image détecté sur une ligne d'analyse et en fonction de la densité des points d'analyse à détecter sur ce fond.

* ♦ »

Claims (8)

1/ Dispositif de traitement d'un signal d'analyse d’image à niveaux de modulation variables, entre deux niveaux limites correspondant * au blanc et au noir d'image, traduisant les points successifs d’image 12. le long de lignes successives d'analyse, pour la conversion en tout ou rien de ce signal d'analyse d'image par comparaison dudit signal d'analyse d'image avec un seuil de décision variable avec les niveaux de modulation de ce signal, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de détection, sur une ligne d'analyse d'image, de la valeur il du fond d'image à partir dudit signal d'analyse d'image qu'il reçoit en entrée, un circuit de détection, sur quelques points successifs d'image, de la valeur moyenne h! dudit signal d'analyse d’image qu'il reçoit en entrée, et un circuit d'élaboration dudit seuil de décision variable relié aux circuits de détection de la valeur L· du fond d'image et de la valeur moyenne Δ dudit signal d'analyse délivrant ledit seuil de décision dont la valeur répond à une relation de la forme = K A + K' ù! , K et K' étant deux coefficients dont les valeurs satisfont aux relations :

0. K 4.1 * 0 <K' <1 0 < K + K' < 1

2/ Dispositif selon revendication 1, caractérisé en ce que ledit circuit de détection sur une ligne d'analyse d'image de la valeur & du fond d'image est constitué par un détecteur de crêtes associé à un circuit de commande de détection, fonctionnant en interrupteur monté en amont * * 13. dudit circuit de détection de la valeur û et commandé en fermeture, respectivement en ouverture, dès que le niveau dudit signal d’analyse est supérieur, respectivement inférieur, à ladite valeur Δ précédemment détectée et commandé en ouverture forcée par un signal significatif du non balayage d’une ligne d’analyse d’image, et associé à un circuit de commande d'utilisation de la valeurΔ détectée, fonctionnant également en interrupteur monté en aval dudit circuit de détection de la valeur Δ et commandé en fermeture par un signal significatif du balayage d'une * ligne d'analyse d'image et forcé en ouverture par un signal significatif du non balayage d’une ligne d’analyse.

3/ Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de décharge relié audit détecteur de crêtes à travers ledit circuit de commande d'utilisation de la valeur Δ détectée et commandé pour tout niveau dudit signal d'analyse inférieur à ladite valeur Δ détectée.

4/ Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit circuit de décharge est constitué par une résistance reliée d’une part audit circuit de commande d'utilisation de la valeur Δ détectée ♦ et mise d’autre part à la masse à travers un transistor rendu passant dès que le niveau du signal d'analyse est inférieur à la valeurΔdétectée.

5/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit circuit élaborant ledit seuil de décision Vd est constitué par un réseau résistif formé par une première résistance R1 recevant ladite valeurΔ du fond, une deuxième résistance Rg recevant ladite 14* * valeur moyenne fci , et une troisième résistance d’une part mise à la masse et d’autre part reliée aux deux autres résistances pour définir à cette connexion commune la valeur dudit seuil de décision V^, les valeurs des trois résistances étant liées entre elles par les relations R1 = R2 et R3

6/ Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de détection de ladite valeur Δ du fond est constitué par un premier réseau RC à faible constante de temps de charge recevant ledit signal , d'analyse à travers un premier transistor à effet de champ commandé et délivrant ladite valeurΔ détectée et mémorisée à travers un deuxième transistor à effet de champ commandé d’une part audit circuit élaborant ledit seuil de décision et d'autre part à un circuit de décharge et en ce qu'il comporte un amplificateur opérationnel recevant en entrée ledit signal d'analyse et ladite valeur Λ détectée et mémorisée délivrée à travers ledit deuxième transistor à effet de champ commandant ledit premier transistor à effet de champ à l'état passant, respectivement ledit circuit de décharge, lorsque le niveau du signal d'analyse est supérieur, respectivement inférieur, à ladite valeur A détectée et mémorisée, ledit deuxième transistor à effet de champ étant commandé à l'état passant par un signal de commande appliqué sur une entrée de commande lorsque le signal d’analyse appliqué au dispositif traduit les points d'une ligne d'analyse d'image et étant forcé avec ledit premier transistor à effet de champ à l'état bloqué à partir de cette entrée de commande par le signal de commande inverse lorsque le signal d'analyse ne traduit pas les points d'une ligne d'analyse d'image. * * 15.

7/ Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de limitation de valeur minimale dudit seuil de décision associé audit circuit élaborant ledit seuil de dévision V^} comportant un circuit de détection de la valeur dudit seuil de décision par rapport à une valeur minimale donnée et de maintien dudit seuil de détection V, au moins à cette valeur minimale. a

8/ Dispositif suivant l'une des revendications 1 à 7 , caractérisé » • en ce que la valeur de K est choisie sensiblement égale à 1/3 et que la valeur de K' est choisie sensiblement égale à 1/2, de manière que Λ Λ' la valeur du seuil de décision soit sensiblement égale à =—^ + —*· . χ. T \