LT5930B - Materialinių išteklių identifikavimo būdas - Google Patents
Materialinių išteklių identifikavimo būdas Download PDFInfo
- Publication number
- LT5930B LT5930B LT2011058A LT2011058A LT5930B LT 5930 B LT5930 B LT 5930B LT 2011058 A LT2011058 A LT 2011058A LT 2011058 A LT2011058 A LT 2011058A LT 5930 B LT5930 B LT 5930B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- nanofilm
- identification
- matrix
- identification number
- evaporation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Išradimas yra priskiriamas materialinių resursų identifikavimo sričiai ir gali būti panaudotas elektrai laidžių detalių žymėjimui. Materialinių išteklių identifikavimo būdas, užnešant ant identifikavimo žymės identifikavimo numerį, informacinį tinklelį ir neatgaminamą matricą, formuojant fizikiniais metodais paviršių bei įvedant į duomenų bazę identifikavimo numerį. Nauja yra tai, kad neatgaminamą matricą formuoja atskirai nuo gaminio ant nanoplėvelės stohastiškai pagal taškinį nanoplėvelės sričių išgarinimą arba sudarant joje paviršiaus nelygumus ir vėliau užneša ant objekto ( gaminio) paviršiaus.
Description
Išradimas yra priskiriamas materialių resursų indentifikavimo sričiai ir gali būti panaudotas elektrai laidžių detalių žymėjimui, pavyzdžiui, transporto priemonių kurių paviršiai padengti nanoplėvele.
Žinomas kietų medžiagų indentifikavimo būdas (žiūr. Moldavijos respublikos patentas Nr.3390, G08 G 1/017, 1999) paviršiaus žymėjimą atliekant greitaeigio dalelių srauto pagalba. Toks indentifikavimo būdas gali būti taikomas tik palyginus minkštiems metaliniams paviršiams žymėti.
Taip pat žinoma, kad tikslu padidinti metalinių paviršių kietumą, atsparumą trinčiai ir kitiems iš anksto programuojamiems paviršių kokybės parametrams užtikrinti, jų paviršiai padengiami nanoplevele.
Žinomas metalinių detalių indentifikavimo būdas (žiūr. Moldavijos respublikos patentas Nr.3389, G08 G 1/017, 1999) kuriuo metalinių detalių paviršiai žymimi sudarant ant jų informacinį tinklelį ir neatgaminamą matricą taip , kad elektrinė iškrova tarp žymės ir elektrodo ir bendro indentifikavimo numerio bei neatkuriamos matricos patenka į duomenų bazę. Nurodyto analogo trūkumas tai ,kad kibirkštinės iškrovos metalo paviršiuje palieka neprognozuojamą formą. Ši savybė garantuoja objekto atpažinimą kuomet vyksta indentifikavimo ekspertizė kurios metu ekspertas sulygina dėmes ant žymės (Fig.l) su dėmėmis esančiomis duomenų bazėje. Fig.l matome , kad tarp kibirkštinės iškrovos padarytų dėmių yra daugybė kliuvinių niekaip nesusietų su kibirkštinės iškrovos procesu. Tai apsunkina indentifikavimo proceso automatizavimą, kadangi sudėtinga apibrėžti kibirkštinės iškrovos padarytą dėmę o tuo pačiu formuoti objektyvią duomenų bazę.
Yra žinomas neatkartojamas indentifikavimo žymės užnešimo būdas (žiūr. RF teigiamas sprendimas pagal paraišką Nr.2007119974) kurio metu žymė padalinama į keletą sričių, kas leidžia vykdyti tam tikrus technologinius procesus. Tokiu būdu sudėtinga į ploto vienetą sutalpinti daugybę sričių ir tuo pačiu valdyti procesą apsaugant kitas sritis dielektriniu trafaretu.
Šis būdas priimamas kaip prototipas.
Šio išradimo tikslas - padidinti neatkartojamos indentifikavimo žymės užnešimo būdo efektyvumą.
Išradimo tikslas pasiekiamas tuo, kad gamybos proceso metu ant indentifikavimo žymės užnešamas indentifikavimo numeris , informacinis tinklelis ir neatgaminama matrica vienu iš nurodytu fizikiniu veiksmu: realizuojant iškrovą tarp žymės ir elektrodo; impulsinio lazerio poveikiu; plazminiu metodu; garinimo ir kondensavimo metodu; elektronų , atomų jonų ir atskirų nanodalelių klasteriu įvedimu panaudojant pirminę emisiją ir bendru indentifikavimo numerio bei neatkartojamos matricos įvedimu į duomenų bazę.
Pateikto būdo ypatumas yra tas , kad neatkartojama matrica formuojama atskirai nuo gaminio (objekto) ant nanoplėvelės stohastiškai pagal taškinį sričių išgarinimą arba sudarant joje paviršiaus nelygumus ir vėliau užnešant ant objekto paviršiaus. Tokiu metodu kibirkštinė iškrova ant nanoplėvelės formuoja individualias skylutes. Skanuojant taip paruoštą nanoplėvelę (Fig.2),ryškiai matomi dėmės kontūrai, kuriuos paliko kibirkštinės iškrovos procesas ir taip išvengiamas neapibrėžtumas ir visi kliuviniai duomenų bazių formavimui. Taip paruošta nanoplėvelė t.y. turinti nanožymės savybes, pagal žinoma metodiką užnešama ant gaminio (objekto) paviršiaus.Zinoma daugybė nanoplėvėlių užnešimo būdų, kurie reikalauja pačios plėvelės savybių suderinimo su gaminio (objekto) paviršiaus savybėmis. Nepageidaujama naudoti nanoplėvelę su nanožymės savybėmis tose vietose kur yra ypatingai didelė trintis.
Fig.3 pavaizduota įrenginio schema (vaizdas iš šono), pagal kurią ant nanoplėvelės formuojami visi indentifikavimo žymės parametrai.
Įrenginį sudaro aukštos įtampos smailas elektrodas 1, prijungtas prie aukštos įtampos šaltinio 2, kondensatorius 3, nanoplėvelė 4, gaminys (objektas) indentifikavimui, kuris tiesiogiai nesusietas su kibirkštinės iškrovos procesu ir ant kurio paviršiaus vėliau užnešama nanoplėvelė.
Fig.4 pavaizduota nanoplėvelės 4 schema (vaizdas iš viršaus), kuri turi indentifikavimo numerį 6, informacinį tinklelį 7 ir neatkartojamą matricą 8, sudaryta iš taškų rinkinio atsiradusio po išgarinimo proceso.
Pirmas būdo realizavimo pavyzdys:
Būdui realizuoti buvo panaudota 100-110 nanometrų storio nanoplėvelė.
Tarpelis tarp nanoplėvelės ir aukštos įtampos smailaus elektrodo palaikomas tarp 15 ir 20 milimetrų. Į elektrodą iš aukštos įtampos šaltinio paduodama 18-22 kilovoltų įtampa per iškrovos kondensatorių kurio talpumas nuo 470 iki 1000 pikofaradų. Indentifikavimo žymės užnešimo proceso metu t.y. 30-40 sekundžių laike ant nanoplėvelės užfiksuota nuo 80 iki 120 įvairių pagal matmenys ir formą skylučių. Tikimybė atgaminti tokią nanoplėvelę praktiškai nereali.
Antras būdo realizavimo pavyzdys:
Būdui realizuoti buvo panaudota 300-350 nanometrų storio nanoplėvelė.Tarpelis tarp nanoplėvelės ir aukštos įtampos smailaus elektrodo palaikomas tarp 12 ir 16 milimetrų. Į elektrodą iš aukštos įtampos šaltinio paduodama 14-16 kilovoltų įtampa per iškrovos kondensatorių kurio talpumas nuo 200 iki 470 pikofaradų. Indentifikavimo žymės užnešimo proceso metu t.y. 30-40 sekundžių laike ant nanoplėvelės užfiksuota nuo 60 iki 80 įvairių pagal matmenys ir formą skylučių. Šiuo atveju ant palyginus storos nanoplėvelės buvo mažesnis skylučių kiekis dėl nepakankamos aukštos įtampos šaltinio energijos. Tačiau tikimybė atgaminti tokią nanoplėvelę praktiškai nereali.
Trečias būdo realizavimo pavyzdys:
Įrangoje panaudotas lazeris kurio impulso energija iki 10 džiaulių ir impulso trukmė nuo 10'3 iki 104 sekundės. Būsima nanoplėvelė buvo formuojama ant šaldomo padėklo, esančio vakuuminėje kameroje su optiškai skaidriu lazerio spinduliui langeliu. Šiuo metodu formuojant nanoplėvelę gavosi daugybė paviršinių efektų, kurių pagalba galima sudaryti informacinio įrašo sritis.
Ketvirtas būdo realizavimo pavyzdys:
Įrangoje panaudotas dujų iškrovos šaltinis ΗΠΦ-800, esantis vakuuminėje kameroje. Prie impulsų sekos dažnio iki 10 hercų, trukmės 10'3 sekundės ir energijos iškrovos 800 džiaulių gaunamas temperatūros rėžimas iki 25.000° Kelvino kurio metu atomai;
nanodalelės;nanodalelių klasteriai išgaruoja iš paviršiaus tuo būdu formuodami nanoplėvelėje žymių su neribotu kiekiu informacinio įrašo sričių.
Claims (5)
- Išradimo apibrėžtis1. Materialinių išteklių identifikavimo būdas, užnešant ant identifikavimo žymės indentifikavimo numerį, informacinį tinklelį ir neatgaminamą matricą, formuojant fizikiniais metodais paviršių bei įvedant į duomenų bazę indentifikavimo numerį b e si skiriantis tuo, kad neatgaminamą matricą formuoja atskirai nuo gaminio(objekto) ant nanoplėvelės stohastiškai pagal taškinį nanoplėvelės sričių išgarinimą arba sudarant joje paviršiaus nelygumus ir vėliau užneša ant (gaminio) objekto paviršiaus.
- 2. Būdas pagal 1 punktą, besiskiriantis tuo, kad nanoplėvelės užnešimą gali vykdyti atominiais sluoksniais Xj ( kur i = 1,2,3...sluoksnių skaičius) angstremais, kas leidžia formuoti daugybę įvairiausių žymių, įgalinančių fiksuoti technologinius reikalavimus gaminiui (objektui).
- 3. Būdas pagal 2 punktą, besiskiriantis tuo, kad nanoplėvelės gali formuoti iš įvairių medžiagų bei jų lydinių panaudojant užpurškimo technologijas.
- 4. Būdas pagal 3 punktą, besiskiriantis tuo, kad nanoplėvelės gali formuoti iš įvairių medžiagų bei jų lydinių panaudojant lazerinį nusodinimą, plazminį metodą, išgarinimą ir kondensaciją, o taip pat pirminę emisiją ir elektronų implantaciją, atomus, jonus , fotonus, nanodaleles bei nanodalelių klasterius.
- 5. Būdas pagal 2,3 punktus, besiskiriantis tuo, kad paminėtuose punktuose nurodytas operacijas tarpusavyje gali derinti.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2011058A LT5930B (lt) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Materialinių išteklių identifikavimo būdas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2011058A LT5930B (lt) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Materialinių išteklių identifikavimo būdas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT2011058A LT2011058A (lt) | 2012-12-27 |
| LT5930B true LT5930B (lt) | 2013-04-25 |
Family
ID=47427718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT2011058A LT5930B (lt) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Materialinių išteklių identifikavimo būdas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT5930B (lt) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3390F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of articles |
| MD3389F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of the current-conducting object |
| RU2007119974A (ru) | 2007-05-30 | 2008-12-10 | Владимир Дмитриевич Шкилев (RU) | Способ внесения дополнительной технологической информации в идентификационную невоспроизводимую метку |
-
2011
- 2011-06-21 LT LT2011058A patent/LT5930B/lt not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3390F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of articles |
| MD3389F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of the current-conducting object |
| RU2007119974A (ru) | 2007-05-30 | 2008-12-10 | Владимир Дмитриевич Шкилев (RU) | Способ внесения дополнительной технологической информации в идентификационную невоспроизводимую метку |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2011058A (lt) | 2012-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2667926C2 (ru) | Способ и система для маркирования объекта, имеющего поверхность из проводящего материала | |
| JP5747041B2 (ja) | 誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法 | |
| US8993071B2 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium | |
| US20110287682A1 (en) | Organic el display manufacturing method | |
| JP2005015922A (ja) | 近接堆積方法とそのシステム | |
| JP2013519991A (ja) | 基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を発生させる装置および方法 | |
| TWI748309B (zh) | 藉由帶電粒子束系統掃描樣本之方法 | |
| JP5899584B2 (ja) | 真空蒸着方法、真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| US20040007183A1 (en) | Apparatus and method for the formation of thin films | |
| LT5930B (lt) | Materialinių išteklių identifikavimo būdas | |
| JP5465674B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| RU2544714C2 (ru) | Способ изготовления и установки метки | |
| US20150243006A1 (en) | Identifying an Original Object in a Forgery-Proof Way | |
| JP2020019991A5 (lt) | ||
| RU2706938C1 (ru) | Способ создания идентификационной метки на металлическом носителе | |
| RU2661127C2 (ru) | Способ создания идентификационной метки на металлическом фильтре | |
| Quesada et al. | New concepts for production of scalable single layer oxidized regions by local anodic oxidation of graphene | |
| Tupik et al. | Studying of thin film growth and annealing processes on early stage by computer simulation | |
| RU2650460C1 (ru) | Способ создания идентификационной метки на металлическом носителе | |
| US11581518B2 (en) | Probe integrated with organic light source and manufacturing method thereof | |
| JPH03228294A (ja) | 電子線記憶方法および電子線記憶素子とその製造方法 | |
| KR20090120636A (ko) | 본딩 와이어 표면의 고분자 수지 절연체 막의 두께 측정방법 | |
| Wilson et al. | Charging Effects of Multilayered Dielectric Spacecraft Materials: Surface Voltage, Discharge and Arcing | |
| JP2022055696A (ja) | パターン付与方法、評価方法およびパターン付き試料 | |
| JP2005029839A (ja) | 蒸発容器、蒸発源および真空蒸着方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BB1A | Patent application published |
Effective date: 20121227 |
|
| FG9A | Patent granted |
Effective date: 20130425 |
|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20130621 |