LT5930B - Method for identification of material resources - Google Patents
Method for identification of material resources Download PDFInfo
- Publication number
- LT5930B LT5930B LT2011058A LT2011058A LT5930B LT 5930 B LT5930 B LT 5930B LT 2011058 A LT2011058 A LT 2011058A LT 2011058 A LT2011058 A LT 2011058A LT 5930 B LT5930 B LT 5930B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- nanofilm
- identification
- matrix
- identification number
- evaporation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
Išradimas yra priskiriamas materialių resursų indentifikavimo sričiai ir gali būti panaudotas elektrai laidžių detalių žymėjimui, pavyzdžiui, transporto priemonių kurių paviršiai padengti nanoplėvele.The invention is within the scope of material resource identification and can be used to identify electrically conductive parts, for example, vehicle surfaces coated with nanofilm.
Žinomas kietų medžiagų indentifikavimo būdas (žiūr. Moldavijos respublikos patentas Nr.3390, G08 G 1/017, 1999) paviršiaus žymėjimą atliekant greitaeigio dalelių srauto pagalba. Toks indentifikavimo būdas gali būti taikomas tik palyginus minkštiems metaliniams paviršiams žymėti.A known method for identifying solids (see Republic of Moldova Patent No. 3390, G08 G 1/017, 1999) is by surface marking with high-speed particle flow. This method of identification can only be used for marking relatively soft metal surfaces.
Taip pat žinoma, kad tikslu padidinti metalinių paviršių kietumą, atsparumą trinčiai ir kitiems iš anksto programuojamiems paviršių kokybės parametrams užtikrinti, jų paviršiai padengiami nanoplevele.It is also known that nanoplastic is used to increase the hardness, abrasion resistance, and other preprogrammed surface quality parameters of metal surfaces.
Žinomas metalinių detalių indentifikavimo būdas (žiūr. Moldavijos respublikos patentas Nr.3389, G08 G 1/017, 1999) kuriuo metalinių detalių paviršiai žymimi sudarant ant jų informacinį tinklelį ir neatgaminamą matricą taip , kad elektrinė iškrova tarp žymės ir elektrodo ir bendro indentifikavimo numerio bei neatkuriamos matricos patenka į duomenų bazę. Nurodyto analogo trūkumas tai ,kad kibirkštinės iškrovos metalo paviršiuje palieka neprognozuojamą formą. Ši savybė garantuoja objekto atpažinimą kuomet vyksta indentifikavimo ekspertizė kurios metu ekspertas sulygina dėmes ant žymės (Fig.l) su dėmėmis esančiomis duomenų bazėje. Fig.l matome , kad tarp kibirkštinės iškrovos padarytų dėmių yra daugybė kliuvinių niekaip nesusietų su kibirkštinės iškrovos procesu. Tai apsunkina indentifikavimo proceso automatizavimą, kadangi sudėtinga apibrėžti kibirkštinės iškrovos padarytą dėmę o tuo pačiu formuoti objektyvią duomenų bazę.Known method of identifying metal parts (see Moldovan Republic Patent No. 3389, G08 G 1/017, 1999), where metal surfaces are marked by a mesh and non-reproducible matrix so that the electrical discharge between the tag and electrode and the common identification number and non-recoverable matrices enter the database. The disadvantage of the given analogue is that the spark discharges on the metal surface leave an unpredictable shape. This feature guarantees object recognition during an identification examination, during which the expert compares the marks on the tag (Fig. 1) with the spots in the database. Fig. 1 shows that there are many obstructions between the spark discharge spots that are unrelated to the spark discharge process. This complicates the automation of the identification process as it is difficult to define the spark discharge problem while at the same time forming an objective database.
Yra žinomas neatkartojamas indentifikavimo žymės užnešimo būdas (žiūr. RF teigiamas sprendimas pagal paraišką Nr.2007119974) kurio metu žymė padalinama į keletą sričių, kas leidžia vykdyti tam tikrus technologinius procesus. Tokiu būdu sudėtinga į ploto vienetą sutalpinti daugybę sričių ir tuo pačiu valdyti procesą apsaugant kitas sritis dielektriniu trafaretu.There is a known non-repetitive method of carrying the identification tag (see RF Positive Application No. 2007119974), in which the tag is divided into several areas, which allows certain technological processes to be performed. This makes it difficult to fit many areas into a unit of area while controlling the process while protecting other areas with a dielectric stencil.
Šis būdas priimamas kaip prototipas.This method is adopted as a prototype.
Šio išradimo tikslas - padidinti neatkartojamos indentifikavimo žymės užnešimo būdo efektyvumą.The object of the present invention is to increase the efficiency of the method of applying the non-reproducible identification mark.
Išradimo tikslas pasiekiamas tuo, kad gamybos proceso metu ant indentifikavimo žymės užnešamas indentifikavimo numeris , informacinis tinklelis ir neatgaminama matrica vienu iš nurodytu fizikiniu veiksmu: realizuojant iškrovą tarp žymės ir elektrodo; impulsinio lazerio poveikiu; plazminiu metodu; garinimo ir kondensavimo metodu; elektronų , atomų jonų ir atskirų nanodalelių klasteriu įvedimu panaudojant pirminę emisiją ir bendru indentifikavimo numerio bei neatkartojamos matricos įvedimu į duomenų bazę.The object of the invention is achieved by applying the identification number, the information grid and the non-reproducible matrix to the identification tag during the manufacturing process in one of the following physical steps: realizing the discharge between the tag and the electrode; impact of pulsed laser; plasma method; evaporation and condensation; the introduction of electrons, atomic ions, and individual nanoparticles in a cluster using primary emission, and the common identification number and non-repeatable matrix in the database.
Pateikto būdo ypatumas yra tas , kad neatkartojama matrica formuojama atskirai nuo gaminio (objekto) ant nanoplėvelės stohastiškai pagal taškinį sričių išgarinimą arba sudarant joje paviršiaus nelygumus ir vėliau užnešant ant objekto paviršiaus. Tokiu metodu kibirkštinė iškrova ant nanoplėvelės formuoja individualias skylutes. Skanuojant taip paruoštą nanoplėvelę (Fig.2),ryškiai matomi dėmės kontūrai, kuriuos paliko kibirkštinės iškrovos procesas ir taip išvengiamas neapibrėžtumas ir visi kliuviniai duomenų bazių formavimui. Taip paruošta nanoplėvelė t.y. turinti nanožymės savybes, pagal žinoma metodiką užnešama ant gaminio (objekto) paviršiaus.Zinoma daugybė nanoplėvėlių užnešimo būdų, kurie reikalauja pačios plėvelės savybių suderinimo su gaminio (objekto) paviršiaus savybėmis. Nepageidaujama naudoti nanoplėvelę su nanožymės savybėmis tose vietose kur yra ypatingai didelė trintis.The peculiarity of the presented method is that the non-repeatable matrix is formed separately from the article (object) on the nanofilm stochastically by spot evaporation or by creating surface irregularities and then deposited on the object surface. In this method, the spark discharge on the nanofilm forms individual holes. Scanning the nanofilm thus prepared (Fig.2) clearly shows the contours of the stain left by the spark discharge process, thus avoiding the uncertainty and any hindrance to database formation. The nanofilm thus prepared, i.e. Nano-tag properties are applied to the surface of the article (object) according to a known methodology. There are many methods of depositing nanofilms that require matching the properties of the film itself with the surface properties of the article (object). It is undesirable to use nanofilm with nano-tag properties in areas where there is extremely high friction.
Fig.3 pavaizduota įrenginio schema (vaizdas iš šono), pagal kurią ant nanoplėvelės formuojami visi indentifikavimo žymės parametrai.Fig. 3 is a schematic view of the device (side view) whereby all the parameters of the identification tag are formed on the nanofilm.
Įrenginį sudaro aukštos įtampos smailas elektrodas 1, prijungtas prie aukštos įtampos šaltinio 2, kondensatorius 3, nanoplėvelė 4, gaminys (objektas) indentifikavimui, kuris tiesiogiai nesusietas su kibirkštinės iškrovos procesu ir ant kurio paviršiaus vėliau užnešama nanoplėvelė.The device consists of a high voltage pointed electrode 1 connected to a high voltage source 2, a capacitor 3, a nanofilm 4, an article (object) for identification which is not directly connected to the spark discharge process and on which a nanofilm is subsequently deposited.
Fig.4 pavaizduota nanoplėvelės 4 schema (vaizdas iš viršaus), kuri turi indentifikavimo numerį 6, informacinį tinklelį 7 ir neatkartojamą matricą 8, sudaryta iš taškų rinkinio atsiradusio po išgarinimo proceso.Fig. 4 is a schematic diagram (top view) of a nanofilm 4 having an identification number 6, a grid 7, and a non-reproducible matrix 8 consisting of a set of points resulting from the evaporation process.
Pirmas būdo realizavimo pavyzdys:First example of a method implementation:
Būdui realizuoti buvo panaudota 100-110 nanometrų storio nanoplėvelė.A 100-110 nanometer thickness nanofilm was used to realize the method.
Tarpelis tarp nanoplėvelės ir aukštos įtampos smailaus elektrodo palaikomas tarp 15 ir 20 milimetrų. Į elektrodą iš aukštos įtampos šaltinio paduodama 18-22 kilovoltų įtampa per iškrovos kondensatorių kurio talpumas nuo 470 iki 1000 pikofaradų. Indentifikavimo žymės užnešimo proceso metu t.y. 30-40 sekundžių laike ant nanoplėvelės užfiksuota nuo 80 iki 120 įvairių pagal matmenys ir formą skylučių. Tikimybė atgaminti tokią nanoplėvelę praktiškai nereali.The gap between the nanofilm and the high voltage pointed electrode is maintained between 15 and 20 millimeters. An 18-22 kilovolt voltage is supplied to the electrode from a high voltage source through a discharge capacitor with a capacitance of 470 to 1000 picofarads. Indentification tags during the application process i.e. From 30 to 40 seconds, 80 to 120 different size and shape holes were recorded on the nanofilm. The likelihood of reproducing such a nanofilm is practically unrealistic.
Antras būdo realizavimo pavyzdys:Second example of a method implementation:
Būdui realizuoti buvo panaudota 300-350 nanometrų storio nanoplėvelė.Tarpelis tarp nanoplėvelės ir aukštos įtampos smailaus elektrodo palaikomas tarp 12 ir 16 milimetrų. Į elektrodą iš aukštos įtampos šaltinio paduodama 14-16 kilovoltų įtampa per iškrovos kondensatorių kurio talpumas nuo 200 iki 470 pikofaradų. Indentifikavimo žymės užnešimo proceso metu t.y. 30-40 sekundžių laike ant nanoplėvelės užfiksuota nuo 60 iki 80 įvairių pagal matmenys ir formą skylučių. Šiuo atveju ant palyginus storos nanoplėvelės buvo mažesnis skylučių kiekis dėl nepakankamos aukštos įtampos šaltinio energijos. Tačiau tikimybė atgaminti tokią nanoplėvelę praktiškai nereali.300-350 nanometer thickness nanofilm was used to implement the method. The gap between the nanofilm and the high voltage pointed electrode is maintained between 12 and 16 millimeters. A 14-16 kilovolt voltage is supplied to the electrode from a high voltage source through a discharge capacitor with a capacitance of 200 to 470 picofarads. Indentification tags during the application process i.e. Between 60 and 80 different size and shape holes were recorded on the nanofilm in 30-40 seconds. In this case, the relatively thick nanofilm had a smaller number of holes due to insufficient high voltage source energy. However, the likelihood of reproducing such a nanofilm is practically unrealistic.
Trečias būdo realizavimo pavyzdys:The third example of a method implementation:
Įrangoje panaudotas lazeris kurio impulso energija iki 10 džiaulių ir impulso trukmė nuo 10'3 iki 104 sekundės. Būsima nanoplėvelė buvo formuojama ant šaldomo padėklo, esančio vakuuminėje kameroje su optiškai skaidriu lazerio spinduliui langeliu. Šiuo metodu formuojant nanoplėvelę gavosi daugybė paviršinių efektų, kurių pagalba galima sudaryti informacinio įrašo sritis.The equipment employs a laser with a pulse energy of up to 10 joules and a pulse duration of 10 ' 3 to 10 4 seconds. The future nanofilm was molded on a refrigerated tray in a vacuum chamber with an optically transparent laser beam. This method has resulted in a number of surface effects forming the nanofilm, which can be used to create areas of information recording.
Ketvirtas būdo realizavimo pavyzdys:Fourth example of a method implementation:
Įrangoje panaudotas dujų iškrovos šaltinis ΗΠΦ-800, esantis vakuuminėje kameroje. Prie impulsų sekos dažnio iki 10 hercų, trukmės 10'3 sekundės ir energijos iškrovos 800 džiaulių gaunamas temperatūros rėžimas iki 25.000° Kelvino kurio metu atomai;The equipment uses a gas discharge source ΗΠΦ-800 located in a vacuum chamber. A pulse sequence frequency of up to 10 hertz, a duration of 10 ' 3 seconds, and an energy discharge of 800 Joules provide a temperature control of up to 25,000 ° Kelvin during which atoms;
nanodalelės;nanodalelių klasteriai išgaruoja iš paviršiaus tuo būdu formuodami nanoplėvelėje žymių su neribotu kiekiu informacinio įrašo sričių.nanoparticles; nanoparticle clusters evaporate from the surface, thereby forming traces of unlimited information in the nanofilm.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
LT2011058A LT5930B (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Method for identification of material resources |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
LT2011058A LT5930B (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Method for identification of material resources |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
LT2011058A LT2011058A (en) | 2012-12-27 |
LT5930B true LT5930B (en) | 2013-04-25 |
Family
ID=47427718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
LT2011058A LT5930B (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Method for identification of material resources |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
LT (1) | LT5930B (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3390F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of articles |
MD3389F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of the current-conducting object |
RU2007119974A (en) | 2007-05-30 | 2008-12-10 | Владимир Дмитриевич Шкилев (RU) | METHOD FOR ADDITIONAL ADDITIONAL TECHNOLOGICAL INFORMATION IN AN IDENTIFICATION REPRODUCTIVE LABEL |
-
2011
- 2011-06-21 LT LT2011058A patent/LT5930B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD3390F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of articles |
MD3389F2 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-31 | Vladimir Schiliov | Process for identification of the current-conducting object |
RU2007119974A (en) | 2007-05-30 | 2008-12-10 | Владимир Дмитриевич Шкилев (RU) | METHOD FOR ADDITIONAL ADDITIONAL TECHNOLOGICAL INFORMATION IN AN IDENTIFICATION REPRODUCTIVE LABEL |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
LT2011058A (en) | 2012-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2667926C2 (en) | Method and system for marking object having surface of conductive material | |
JP5747041B2 (en) | Dielectric film forming apparatus and dielectric film forming method | |
US8993071B2 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium | |
US20110287682A1 (en) | Organic el display manufacturing method | |
JP2005015922A (en) | Proximity deposition method and system therefor | |
JP2013519991A (en) | Apparatus and method for generating plasma discharge for patterning a surface of a substrate | |
TWI748309B (en) | Method for scanning a sample by a charged particle beam system | |
JP5899584B2 (en) | Vacuum deposition method, vacuum deposition apparatus, and organic EL display device manufacturing method | |
US20040007183A1 (en) | Apparatus and method for the formation of thin films | |
LT5930B (en) | Method for identification of material resources | |
JP5465674B2 (en) | Ion implanter | |
RU2544714C2 (en) | Method of making and installing labels | |
US20150243006A1 (en) | Identifying an Original Object in a Forgery-Proof Way | |
JP2020019991A5 (en) | ||
RU2706938C1 (en) | Method of creating an identification mark on a metal carrier | |
RU2661127C2 (en) | Method of creating an identification mark on metal filter | |
Quesada et al. | New concepts for production of scalable single layer oxidized regions by local anodic oxidation of graphene | |
Tupik et al. | Studying of thin film growth and annealing processes on early stage by computer simulation | |
RU2650460C1 (en) | Method for creating an identification mark on a metallic carrier | |
US11581518B2 (en) | Probe integrated with organic light source and manufacturing method thereof | |
JPH03228294A (en) | Electron beam storing method and electron beam storage element and its production | |
KR20090120636A (en) | A method for thickness measurement of polymer resin insulating film on the bonding wire | |
Wilson et al. | Charging Effects of Multilayered Dielectric Spacecraft Materials: Surface Voltage, Discharge and Arcing | |
JP2022055696A (en) | Pattern imparting method, evaluation method and patterned sample | |
JP2005029839A (en) | Evaporation container, evaporation source and vacuum deposition method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BB1A | Patent application published |
Effective date: 20121227 |
|
FG9A | Patent granted |
Effective date: 20130425 |
|
MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20130621 |