KR980012334A - Multilayer semiconductor chip package and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR980012334A
KR980012334A KR1019960030099A KR19960030099A KR980012334A KR 980012334 A KR980012334 A KR 980012334A KR 1019960030099 A KR1019960030099 A KR 1019960030099A KR 19960030099 A KR19960030099 A KR 19960030099A KR 980012334 A KR980012334 A KR 980012334A
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하웅기
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TAB 기술(tape automated bonding technology)을 이용하여 소자의 초박형(thinnest)화를 이룸과 동시에 고밀도 실장을 할 수 있는 적층형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 적층형 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩의 상부면의 가장자리 양쪽에 본딩 패드가 상호 대향하여 형성되어 있고, 범프에 의해 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되어 외부로 전기적 신호를 전달하기 위한 전달 수단이 형성된 탭 필름이 상기 반도체 칩의 폭방향 단부를 외부로부터 차단되도록 절곡되어 상기 반도체 칩의 이면에 접착되어 있고, 노출된 상기 반도체 칩의 표면에는 보호막이 형성된 것을 특징으로 한다.[0001] The present invention relates to a semiconductor chip package, and more particularly, to a stacked semiconductor chip package capable of achieving thinnestness of a device by using a tape automated bonding technology (TAB) A bonding pad is formed on both sides of an edge of an upper surface of a semiconductor chip so as to face each other and is electrically connected to the bonding pad by bumps to transmit an electrical signal to the outside And a protective film is formed on a surface of the exposed semiconductor chip, wherein the protective film is bonded to the back surface of the semiconductor chip.

Description

적층형 반도체 칩 패키지와 그 제조방법Multilayer semiconductor chip package and manufacturing method thereof

본 발명은 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TAB 기술(tape automated bonding technology)을 이용하여 소자의 초박형(thinnest)화를 이룸과 동시에 고밀도 실장을 할 수 있는 적층형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a semiconductor chip package, and more particularly, to a stacked semiconductor chip package capable of achieving thinnestness of a device by using a tape automated bonding technology (TAB) .

최근, 반도체 장치가 다기능화, 다수의 입출력화, 고속화, 및 표면 실장화되는 추세에 따라 반도체 칩 패키지는 소형화, 박형화 및 고기능화되는 추세에 있다. 이러한 추세에 따라 TQFP(Thin Quard Flat Package), TSOP(Thin Small Outline Package) 및 TAB 패키지 등이 각광받고 있다.2. Description of the Related Art [0002] In recent years, with the tendency that a semiconductor device becomes multifunctional, a large number of input / output, a high speed, and a surface mounting, a semiconductor chip package tends to be reduced in size, thickness and function. In this trend, TQFP (Thin Quart Flat Package), TSOP (Thin Small Outline Package) and TAB package are attracting attention.

그러나, 이런 추세에도 불구하고 베어 칩과 동일한 크기의 반도체 칩 패키지(CSP; chip scale package)의 개발이 이루어지고 있다.Despite this trend, however, semiconductor chip packages (CSPs) of the same size as the bare chip have been developed.

또한, 1개의 반도체 패키지에 1개의 반도체 칩을 장착시키는 통상적인 방법보다는 여러개의 반도체 칩 패키지를 피기-백 형태로 적층시키거나, 1개의 반도체 패키지 내부에 수개의 칩을 적층시키는 적층형 반도체 칩 패키지가 알려지고 있다.Further, a stacked semiconductor chip package in which a plurality of semiconductor chip packages are stacked in a pig-back form or a plurality of chips are stacked in a single semiconductor package, rather than a conventional method of mounting one semiconductor chip in one semiconductor package It is known.

도 1은 종래의 SOP 타입의 반도체 칩 패키지의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 반도체 칩 패키지(10)는 리드 프레임의 다이 패드(7)의 상부면과 반도체 칩(2)의 하부면이 절연성의 접착제(6)나 절연 테이프(미도시) 등에 의해 부착되어 있고, 반도체 칩(2)의 상부면의 가장 자리 부위에 상호 대응되도록 형성된 본딩 패드(1)와 인너 리드(3)를 도전성의 와이어(4)에 의해 전기적으로 연결되어 있으며, 반도체 칩(2)과 와이어(4) 및 인너 리드(3)는 성형 수지의 몸체(5)에 의해 봉지되는 구조로 되어 있다.1 is a cross-sectional view of a conventional SOP type semiconductor chip package. As shown in the figure, the upper surface of the die pad 7 of the lead frame and the lower surface of the semiconductor chip 2 are attached by an insulating adhesive 6 or an insulating tape (not shown) or the like The semiconductor chip 2 is electrically connected to the bonding pads 1 and the inner leads 3 which are formed so as to correspond to the edge portions of the upper surface of the semiconductor chip 2 by the conductive wires 4, The wires 4 and the inner leads 3 are sealed by the body 5 of the molding resin.

도 2는 도 1의 반도체 칩 패키지를 피기-백 형태로 적층하여 나타낸 사시도이다. 도시된 바와 같이, 최하측의 반도체 칩 패키지(10) 위에 다수개의 반도체 칩 패키지(20)이 적층되어 있고, 상부의 반도체 칩 패키지(20)를 구성하는 아웃리드(11)는 하부의 반도체 칩 패키지(10)를 구성하는 아웃리드(12)에 통상적으로 고정되어 전기적으로 접속이 가능하도록 되어 있다.FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor chip package of FIG. 1 stacked in a pig-back form. As shown in the figure, a plurality of semiconductor chip packages 20 are stacked on the lowermost semiconductor chip package 10, and the outriggers 11 constituting the upper semiconductor chip package 20 are stacked on the lower semiconductor chip package 10, And is generally fixed to the outward 12 constituting the battery 10 so as to be electrically connectable.

최하측의 반도체 칩 패키지(10)의 아웃리드(12)는 공지의 SOP(small outline package) 형태로 외향으로 포밍(forming)되어 PCB 기판(미도시)상에 실장되는 구조로 되어 있다.Out leads 12 of the lowermost semiconductor chip package 10 are formed outwardly in the form of a known small outline package (SOP) and mounted on a PCB substrate (not shown).

여기서, 상기의 반도체 칩 패키지(20)의 아웃 리드(11)는 SOP 타입의 형태로 하지않고 DIP(dual inline package) 형태로도 할 수 있다.Here, the out lead 11 of the semiconductor chip package 20 may be formed in a dual inline package (DIP) instead of the SOP type.

그러나 이와 같이 구성된 종래의 피기-백 형태의 반도체 칩 패키지는 집적도를 향상시키는 잇점이 있었으나, 별도로 각각 형성된 수개의 반도체 칩 패키지를 적층시킨 구조로서, 각각의 반도체 칩 패키지마다 와이어 본딩에 의한 와이어 루프 높이(wire loop height) 및 성형 수지의 몰딩 두께 만큼 전체적으로 두께가 두꺼워지게 됨으로써 반도체 칩 패키지의 경박 단소화에 역행하는 단점이 있었다.However, the conventional semiconductor package having the above-described structure has the advantage of improving the degree of integration. However, it is a structure in which several semiconductor chip packages formed separately are stacked. In each semiconductor chip package, wire- (wire loop height) and the molding thickness of the molding resin, the semiconductor chip package has a disadvantage that it is inferior to the thin and light shortening of the semiconductor chip package.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, TAB 기술을 이용하여 소자의 초박형(thinnest)화를 이룸과 동시에 고밀도 실장을 할 수 있는 적층형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a stacked semiconductor chip package capable of achieving thinning of a device using TAB technology and high density packaging, and a method of manufacturing the same The purpose is to provide.

제1도는 종래의 SOP 타입의 반도체 칩 패키지의 단면도.1 is a sectional view of a conventional SOP type semiconductor chip package;

제2도는 SOP 타입을 피기-백 형태로 적층하여 나타낸 사시도.FIG. 2 is a perspective view showing an SOP type laminated in a pig-back form. FIG.

제3도는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 분해 사시도.3 is an exploded perspective view of the semiconductor chip package according to the present invention.

제4도는 제3도의 결합 단면도.FIG. 4 is an assembled cross-sectional view of FIG. 3; FIG.

제5도는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지가 적층된 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor chip package according to the present invention stacked. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

30 : 반도체 칩 31 : 보호막30: semiconductor chip 31: protective film

32 : 본딩 패드 33 : 범프32: bonding pad 33: bump

34 : 탭 필름 35 : 도전성 패턴34: tap film 35: conductive pattern

36,42 : 접착 테이프 37 : 비아 홀36, 42: Adhesive tape 37: Via hole

40 : 상부 도전성 패턴 41,43 : 하부 도전성 패턴40: upper conductive pattern 41, 43: lower conductive pattern

44,45,46,47 : 양단부 도전성 패턴 100,200 : 반도체 칩 패키지44, 45, 46, 47: Both end conductive patterns 100, 200: Semiconductor chip package

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩의 상부면의 가장자리 양쪽에 본딩 패드가 상호 대향하여 형성되어 있고, 범프에 의해 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되어 외부로 전기적 신호를 전달하기 위한 전달 수단이 형성된 탭 필름이 상기 반도체 칩의 폭방향 단부를 외부로부터 차단되도록 절곡되어 상기 반도체 칩의 이면에 접착되어 있고, 노출된 상기 반도체 칩의 표면에는 보호막이 형성된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip package, wherein bonding pads are formed on opposite sides of an upper surface of a semiconductor chip so as to face each other, and are electrically connected to the bonding pads by bumps, And a protective film is formed on a surface of the exposed semiconductor chip, wherein the protective film is formed on the exposed surface of the semiconductor chip, .

이하, 본 발명에 의한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 탭 필름을 절곡하지 않은 상태의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 결합 단면도이다. 도시된 바와 같이, 탭 필름(34)의 일측에는 반도체 칩(30)의 본딩 패드(32)들에 대응하여 비아 홀(via hole)(37)들이 천공되어 있고, 비아 홀(37)의 내벽면을 포함하여 탭 필름(34)의 상부면에는 등간격으로 도전성의 패턴(35)이 형성되어 있다. 비아 홀(37)의 하부면과 본딩 패드(32)의 상부면은 솔더 범프(33)에 접착고정되어 리드(35)가 본딩 패드(32)에 전기적으로 연결이 되도록 한다. 그 하부면의 타측에는 접착 테이프(36)가 부착되어 있다.Fig. 3 is an exploded perspective view of the tap film of the semiconductor chip package according to the present invention in a state where it is not bent, and Fig. 4 is an assembled cross-sectional view of Fig. As shown in the figure, a via hole 37 is formed at one side of the tab film 34 corresponding to the bonding pads 32 of the semiconductor chip 30, A conductive pattern 35 is formed on the upper surface of the tap film 34 at regular intervals. The lower surface of the via hole 37 and the upper surface of the bonding pad 32 are adhered and fixed to the solder bump 33 so that the lead 35 is electrically connected to the bonding pad 32. And an adhesive tape 36 is attached to the other side of the lower surface thereof.

반도체 칩(30)의 폭방향의 단부와 반도체 칩(30)의 이면은 절곡된 탭 필름(34)에 의해 외부로부터 차단되어 있되, 반도체 칩(30)의 이면과 탭 필름(34)은 접착 테이프(36)에 의해 접착되어 있다.The end of the semiconductor chip 30 in the width direction and the back surface of the semiconductor chip 30 are shielded from the outside by the bent tap film 34, (36).

상기 탭 필름(34)이 접착된 부위를 제외한 반도체 칩(30)의 표면에는 보호막(31)이 형성되어 있으며, 바람직하게는 반도체 칩(30)의 이면의 탭 필름(34)이 접착되지 않는 부위에도 보호막(31)을 형성할 수 있다.A protective film 31 is formed on the surface of the semiconductor chip 30 except for the portion where the tap film 34 is adhered to and a portion where the tap film 34 on the back surface of the semiconductor chip 30 is not adhered The protective film 31 can be formed.

도 5는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지가 적층된 것을 도시한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 반도체 칩 패키지(100)의 상부 도전성 패턴(40)의 표면과 반도체 패키지(200)의 하부 도전성 패턴(41)은 도전성의 접착 테이프(42)에 의해 접착되어 전기적으로 접속이 가능하도록 되어 있다.5 is a cross-sectional view showing a stacked structure of the semiconductor chip package according to the present invention. As shown in FIG. 5, the surface of the upper conductive pattern 40 of the semiconductor chip package 100 and the lower conductive pattern of the semiconductor package 200 41 are adhered by a conductive adhesive tape 42 so as to be electrically connectable.

또한, 일반 접착제(미도시)를 사용하여 상기의 반도체 칩 패키지(100),(200)의 상호 전기적 도통이 가능하게 할 수 있는 바, 반도체 칩 패키지(100)의 상부 도전성 패턴(40) 표면과 반도체 칩 패키지(200)의 도전성 패턴(41)의 표면을 일반 접착제로 접착한다. 이후 반도체 칩 패키지(100)의 폭방향단부의 도전성 패턴(44),(45)과 반도체 칩 패키지(200)의 폭방향 단부의 도전성 패턴(46),(47)을 상호 솔더(미도시)로 솔더링하여 전기적으로 접속이 되도록 할 수 있다.The semiconductor chip package 100 and 200 can be electrically connected to each other by using a general adhesive agent (not shown). The semiconductor chip package 100 can be electrically connected to the surface of the upper conductive pattern 40 of the semiconductor chip package 100 The surface of the conductive pattern 41 of the semiconductor chip package 200 is bonded with a general adhesive. Thereafter, the conductive patterns 44 and 45 at the widthwise ends of the semiconductor chip package 100 and the conductive patterns 46 and 47 at the widthwise ends of the semiconductor chip package 200 are soldered (not shown) And can be electrically connected by soldering.

반도체 칩 패키지(100)의 하부 도전성 패턴(43)은 공지의 표면 실장의 방법으로 PCB 기판(미도시)상에 실장되는 구조로 되어 있다.The lower conductive pattern 43 of the semiconductor chip package 100 has a structure that is mounted on a PCB substrate (not shown) by a known surface mounting method.

여기서, 반도체 칩 패키지의 적층 개수는 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 반도체 칩 패키지(100) 위에 다수개의 반도체 칩 패키지를 적층할 수 있다.Here, the number of stacked semiconductor chip packages is not limited to the above-described embodiment, and a plurality of semiconductor chip packages may be stacked on the semiconductor chip package 100.

이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 반도체 칩 패키지의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing the semiconductor chip package according to the present invention will now be described.

먼저, 웨이퍼(미도시)를 각각의 반도체 칩의 크기로 쏘잉(sawing)하여 각각의 반도체 칩들로 분리하고 나서 그 분리된 반도체 칩들중 하나인 반도체 칩(30)의 본딩 패드(32)위에 범프(33)로 탭 필름(34)의 일측에 형성된 비아 홀(37)의 하부면을 접착하여 전기적으로 접속이 되도록 한다.First, a wafer (not shown) is sawed to the size of each semiconductor chip, separated into respective semiconductor chips, and then a bump (not shown) is formed on the bonding pad 32 of the semiconductor chip 30, 33 are bonded to the lower surface of the via hole 37 formed on one side of the tap film 34 so as to be electrically connected.

이러한 상태에서, 탭 필름(34)을 "ㄷ"자 형상으로 절곡하여 반도체 칩(30)의 폭방향 단부가 외부로부터 차단되도록 반도체 칩(30)의 이면을 접착 테이프(36)에 의해 탭 필름(34)의 하부면이 접착되도록 한다.In this state, the tab film 34 is bent in a " C "shape so that the back surface of the semiconductor chip 30 is sealed with the adhesive tape 36 so that the end portions in the width direction of the semiconductor chip 30 are blocked from the outside. 34 are adhered to each other.

이후, 탭 필름(34)이 접착된 부위를 제외한 반도체 칩(30)의 표면에 비도전성의 코팅액으로 보호막(31)을 형성한다.Thereafter, the protective film 31 is formed on the surface of the semiconductor chip 30 except for the portion where the tap film 34 is adhered, with a non-conductive coating liquid.

이렇게 하여 완성된 반도체 칩 패키지(100)의 상부 리드(40)의 표면과 반도체 칩 패키지(200)의 하부 도전성 패턴(41)의 표면을 도전성의 접착 테이프(42)로 접착한다. 이후 상기에 기술된 방법으로 반도체 칩 패키지(200) 위에 새로운 반도체 칩 패키지를 적층한다. 따라서 적층형 반도체 칩 패키지(300)가 완성되는 것이다.The surface of the upper lead 40 of the completed semiconductor chip package 100 and the surface of the lower conductive pattern 41 of the semiconductor chip package 200 are bonded with the conductive adhesive tape 42 in this way. Then, a new semiconductor chip package is stacked on the semiconductor chip package 200 by the above-described method. Thus, the stacked semiconductor chip package 300 is completed.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 적층형 반도체 칩 패키지는 반도체 칩의 표면의 가장자리 양쪽에 본딩 패드가 상호 대향하여 형성되어 있고, 범프에 의해 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되어 외부로 전기적 신호를 전달하기 위한 전달 수단이 형성된 탭 필름이 상기 반도체 칩의 폭방향 단부를 외부로부터 차단되도록 절곡되어 반도체 칩의 이면에 접착되어 있고, 노출된 상기 반도체 칩의 표면에는 보호막을 형성함으로써, 반도체 칩 패키지의 전체적인 두께를 보다 박형화시킬 수 있을 뿐만 아니라 구조를 간소화시켜 제조 공정이 간소화되고, 제조 원가가 절감되는 등의 여러 효과가 있다.As described above, the multilayered semiconductor chip package according to the present invention includes bonding pads formed on opposite sides of a surface of a semiconductor chip so as to face each other, and electrically connected to the bonding pads by bumps to transmit electrical signals to the outside And a protective film is formed on the exposed surface of the semiconductor chip, so that the entirety of the semiconductor chip package can be prevented from being damaged, Not only the thickness can be made thinner but also the structure is simplified, the manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost is reduced.

Claims (7)

반도체 칩의 상부면의 가장자리 양쪽에 본딩 패드가 상호 대향하여 형성되어 있고, 범프에 의해 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되어 외부로 전기적 신호를 전달하기 위한 전달 수단이 형성된 탭 필름이 상기 반도체 칩의 폭방향 단부를 외부로부터 차단하도록 절곡되어 상기 반도체 칩의 이면에 접착되어 있고, 노출된 상기 반도체 칩의 표면에는 보호막이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.A semiconductor device, comprising: a semiconductor chip; a semiconductor chip mounted on the semiconductor chip; a semiconductor chip mounted on the semiconductor chip; a semiconductor chip mounted on the semiconductor chip; And a protective film is formed on a surface of the exposed semiconductor chip, wherein the protective film is bonded to the back surface of the semiconductor chip. 제1항에 있어서, 상기 전달 수단은 상기 본딩 패드에 대응하여 상기 탭 필름에 관통 형성된 비아 홀과, 상기 비아 홀의 내벽면과 상기 탭 필름의 상부면에 형성된 도전성 패턴으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the transmission means comprises a via hole formed in the tap film corresponding to the bonding pad, and a conductive pattern formed on an inner wall surface of the via hole and an upper surface of the tap film. Chip package. 제1항에 있어서, 상기 탭 필름은 폴리이미드 테이프에 의해 상기 반도체 칩의 이면에 접착된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package according to claim 1, wherein the tap film is bonded to the back surface of the semiconductor chip by a polyimide tape. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩 패키지 상부면의 상기 전달 수단에 상기 반도체 칩 패키지 하부면의 상기 전달 수단이 전기적으로 연결이 되도록 접착 수단에 의해 부착되어 다수개의 상기 반도체 칩 패키지가 적층 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package according to claim 1, characterized in that a plurality of semiconductor chip packages are laminated by being attached by adhesive means so that the transfer means on the lower surface of the semiconductor chip package is electrically connected to the transfer means on the upper surface of the semiconductor chip package . 제4항에 있어서, 상기 접착 수단은 도전성의 접착 테이프인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.The semiconductor chip package according to claim 4, wherein the bonding means is a conductive adhesive tape. 반도체 칩의 상부에 형성된 본딩 패드 상부면에 탭 필름의 외측면에 도전성 패턴과 연통되어 형성된 비아 홀이 전기적으로 연결되도록 접착 고정하는 단계와, 상기 탭 필름을 상기 반도체 칩의 표면에 폭방향 단부를 외부로부터 차단되도록 절곡하여 상기 반도체 칩의 이면에 접착고정하는 단계와, 노출된 상기 반도체 칩의 표면에 보호막을 도포하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 방법.Bonding and fixing the tab film to the upper surface of the bonding pad formed on the upper surface of the semiconductor chip so that the via hole formed in communication with the conductive pattern is electrically connected to the outer surface of the tap film; Bending the semiconductor chip so as to be cut off from the outside and bonding and fixing the semiconductor chip to the back surface of the semiconductor chip; and applying a protective film to the exposed surface of the semiconductor chip. 제6항에 있어서, 상기 반도체 칩 패키지의 상부면의 도전성의 패턴과 상기 반도체 칩 패키지의 하부면의 도전성의 패턴이 상호 전기적으로 연결되도록 접착하여 다수개의 상기 반도체 칩 패키지가 적층되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지 제조 방법.The semiconductor chip package according to claim 6, wherein a plurality of semiconductor chip packages are stacked by adhering the conductive pattern of the upper surface of the semiconductor chip package and the conductive pattern of the lower surface of the semiconductor chip package electrically connected to each other, Wherein the semiconductor chip package is manufactured by the method. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.
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