KR980005842A - 반도체 소자의 게이트 절연막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 게이트 산화막 제조방법에 관한 것으로서, 일차로 N2O+NH3혼합 가스로 LWO 공정을 진행하여 Qbd 특성이 우수하고 성장률이 빠른 질화산화막을 형성시키고, 인-시튜로 고압의 N2O 분위기에서 이차로 산화질화막을 형성한 후, N2O+NH3혼합가스 분위기에서 삼차로 질화산화막을 형성하여, 과질소 산화 질화막의 양측에 상대적으로 질소 농도가 적은 질소산화막을 형성하되, 하측 질소산화막은 고정산소전하가 적게 포함되도록 형성하였으므로, B 이나 F 등의 불순물이 다결정 실리콘층과 SiO2의 계면 근처에 존재하게 되어 산화막 열화가 방지되고, 불순물의 소모가 억제되어 안정적인 Vth를 확보할 수 있으며, Gm 피크 감소도 방지되어 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 절연막 제조 공정도.
Claims (4)
- 반도체기판을 반응로 내에서 N2O+NH3혼합 가스 분위기에서 산화시켜 상기 반도체기판의 표면에 제1 질화산화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 N2O 가스 분위기에서 산화시켜 상기 반도체기판과 제1 질화산화막의 사이에 산화질화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판은 N2O+NH3혼합 가스 분위기에서 산화시켜 반도체기판과 산화질화막과의 사이에 제2 질화산화막을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 질화산화막 형성 공정을 0.1~10% NH3/N2O 혼합 가스의 10~100Torr 압력 분위기에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화질화막 형성 공정을 N2O의 100~1000Torr 압력으로 진행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 질화산화막 형성 공정을 0.1~10%의 NH3/N2O 가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트 절연막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960025766A KR980005842A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 게이트 절연막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960025766A KR980005842A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 게이트 절연막 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980005842A true KR980005842A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960025766A KR980005842A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 게이트 절연막 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR980005842A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025766A patent/KR980005842A/ko not_active Application Discontinuation
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