KR970077502A - 반도체장치의 소자분리방법 - Google Patents

반도체장치의 소자분리방법 Download PDF

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KR970077502A
KR970077502A KR1019960018364A KR19960018364A KR970077502A KR 970077502 A KR970077502 A KR 970077502A KR 1019960018364 A KR1019960018364 A KR 1019960018364A KR 19960018364 A KR19960018364 A KR 19960018364A KR 970077502 A KR970077502 A KR 970077502A
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KR
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trench
oxide film
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insulating film
forming
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KR1019960018364A
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여태정
권혁진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 버즈비크 문제를 해결할 수 있고, 필드산화막 형성시 단차가 커지는 문제를 해결할 수 있는 반도체 장치의 소자분리방법에 관한 것으로, 반도체기판의 소정영역에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 기판 전면에 층덮임 특성이 우수한 절연막을 형성하는 단계, 및 전면 식각을 행하여 상기 절연막을 상기 트렌치내에만 남기는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체장치의 소자분리방법을 제공한다.

Description

반도체장치의 소자분리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체장치의 소자분리방법을 도시한 공정순서도이다.

Claims (16)

  1. 반도체기판의 소정영역에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 기판 전면에 층덮임 특성이 우수한 절연막을 형성하는 단계, 및 전면 식각을 행하여 상기 절연막을 상기 트렌치내에만 남기는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 고밀도 플라즈마 산화막임을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고밀도 플라즈마 산화막은 2000-6000A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 고밀도 플라즈마 산화막은 반응 가스로 SiH4, O2를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 2000-4000A 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 반도체기판의 소자분리영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 트렌치내의 절연막은 반도체장치의 소자분리를 위한 필드산화막임을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  8. 반도체기판상에 패드산화막을 형성하는 단계와, 상기 패드산화막의 소정부위 및 그 하부의 기판부위를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 필드 스톱 이온주입을 행하는 단계, 기판 전면에 층덮임 특성이 우수한 절연막을 형성하는 단계, 및 전면 식각을 실시하여 상기 트렌치내에만 상기 절연막을 남기는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 패드산화막은 800-1200A정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 패드산화막은 상기 필드 스톱 이온주입시 배리어로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 트렌치의 깊이는 2000-4000A 정도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 필드 스톱 이온주입은 P형 불순물로 40KeV의 에너지에 의해 4E12의 도우즈로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 필드 스톱 이온주입은 상기 트렌치 하부에 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 절연막은 HDP 산화막임을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 필드 스톱 이온주입은 소자 분리 특성을 향상시키기 위한 것임을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 반도체기판의 소정의 소자분리영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960018364A 1996-05-28 1996-05-28 반도체장치의 소자분리방법 KR970077502A (ko)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118150A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
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