KR970076520A - 고밀도 광디스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고밀도 광기록매체에 관한 것으로서, 특히 온도에 따른 광투과도가 상이한 VTD 폴리머(VTD polymer)와 반복기록 가능의 재료를 사용하여 제조한 ROM과 RAM의 복합체를 갖는 고밀도 광디스크에 관한 것으로, 폴리카보네이트 기판과, 상기 기판상에 VTD 폴리머로 형성된 ROM층과, 상기 ROM층상에 형성된 제1유전체층과, 상기 제1유전체층상에 상기 반복기록 물질로 형성되는 RAM층과, 상기 RAM층상에 형성되는 제2유전체층과, 상기 제2유전체층상에 형성되는 반사막 및 보호막을 포함함을 특징으로 한다.

Description

고밀도 광디스크 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래의 ROM-RAM 일체형의 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 도면, 제3도는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 ROM-RAM의 일체형의 상변화형 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 도면, 제4도는 본 발명의 ROM층을 형성하는 VTD 폴리머의 온도에 따른 광투과도를 나타낸 도면.

Claims (12)

  1. 폴리카보네이트 기판과, 상기 기판상에 VTD 폴리머로 형성된 ROM층과, 상기 ROM층상에 형성된 제1유전체층과, 상기 제1유전체층상에 반복기록 물질로 형성되는 RAM층과, 상기 RAM층상에 형성되는 제2유전체층과, 상기 제2유전체층상에 형성되는 반사막 및 보호막을 포함함을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 RAM층의 반복기록물질은 상변화형 기록물질임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 RAM층의 반복기록물질은 광자기 기록물질임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 VTD 폴리머로 형성된 ROM층은 그 하부에 ROM을 이루는 정보피트가 형성되고, 그 상부는 랜드와 그루브가 형성됨을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  5. 제1항에 있어서, VTD 폴리머로 형성된 ROM층은 1∼2㎛ 두께로 성막됨을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 ROM층을 이루는 VTD는 상온에서 반사율 70%이상, 100℃의 고온에서는 반사율이 20% 마만임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크.
  7. 기판상에 VTD 폴리머로 형성된 ROM층과 상기 ROM층의 상부에 상변화형 기록물질로 형성된 RAM층을 포함하여 구성된 광디스크의 기록정보 재생방법에 있어서, 상기 RAM층 재생시에는 광이 투과하는 레이저 스폿의 고온영역의 RAM층과 광이 투과되지 않는 저온영역의 VTD폴리머층과의 반사도 차이로 기록정보를 검출하여 재생하고, VTD 폴리머로 형성된 ROM층의 정보재생시에는 조사광의 ROM에 대한 반사만으로 기록정보를 검출하여 재생하도록 함을 특징으로 하는 광디스크의 기록정보 재생방법.
  8. 폴리카보네이트 기판상에 온도에 따라 투과도가 변하는 VTD 폴리머를 도포한후 기록하고자 하는 정보가 일측에 형성된 정보기록 스텝퍼를 압착하여 ROM층을 형성하는 과정과, 상기 ROM층상에 보호막인 제1유전체층을 증착하는 과정고, 상기 제1유전체층상에 상변화형 기록물질을 스퍼터링하여 RAM층을 형성하는 과정과, 상기 RAM층상에 보호막인 제2유전체층을 증착하는 과정과, 상기 제2유전체층상에 AI 합금의 반사막과 UV 수지층을 순차로 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 고밀도 광디스크의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상변화형 기록물질은 GeSbTe나 AgInSbTe 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, ROM층상의 형성시 정보기록 스텝퍼를 압착하여 정보기록 피트를 형성한후 다시 VTD 폴리머를 도포하고, 이 도포층위에 랜드와 그루브를 형성하도록 함을 특징으로 하는 고밀도 광디스크의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 VTD 폴리머로 형성되는 ROM층의 두께는 1∼2㎛임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 VTD 폴리머는 반사율이 상온에서 70% 이상이고, 100℃ 이상의 고온에서 반사율이 20% 이하로 되는 물질임을 특징으로 하는 고밀도 광디스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960015948A 1996-05-14 1996-05-14 고밀도 광디스크 및 그의 제조방법 KR100186544B1 (ko)

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