KR970071472A - 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 스퍼터링 타아게트로 Fe 및 A1을 사용하고, 스퍼터링 챔버에 반응가스로 아르곤과 질소를 주입하여 스퍼너링함으로써 FeA1N 자성체로 된 하위 자성층을 형성하는 단계와; 상기 스퍼터링 챔버 내의 아르곤과 질소의 압력을 4mTorr 이하로 유지하면서 스퍼터링함으로써 상기 하위 자성층 상에 높은 비저항을 가지는 FeA1N 자성체의 중간층을 형성하는 단계와; 상기 중간층 상에 다시 스퍼터링 타아게트로 Fe 및 A1을 사용하고, 스퍼터링 챔버에 반응가스로 아르곤과 질소를 주입하여 스퍼터링함으로써 FeA1N 자성체로 된 상위 자성층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면 다층 박막 자극의 중간층과 상ㆍ하위층을 동일 진공조에서 연속공정으로 형성할 수 있도록 하여 공정의 효율을 높일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극의 구조를 나타낸 구성도이다.
Claims (2)
- 스퍼터링 타아게트로 Fe 및 A1을 사용하고, 스퍼터링 챔버에 반응가스로 아르곤과 질소를 주입하여 스퍼너링함으로써 FeA1N 자성체로 된 하위 자성층을 형성하는 단계와; 상기 스퍼터링 챔버 내의 아르곤과 질소의 압력을 4mTorr 이하로 유지하면서 스퍼터링함으로써 상기 하위 자성층 상에 높은 비저항을 가지는 FeA1N 자성체의 중간층을 형성하는 단계와; 상기 중간층 상에 다시 스퍼터링 타아게트로 Fe 및 A1을 사용하고, 스퍼터링 챔버에 반응가스로 아르곤과 질소를 주입하여 스퍼터링함으로써 FeA1N 자성체로 된 상위 자성층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 중간층을 형성하는 단계는 질소의 공급률만을 변화시킴으로써 상기 스퍼터링 챔버내의 아르곤과 질소의 압력이 1.6~2.3mTorr 범위인 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012936A KR970071472A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012936A KR970071472A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970071472A true KR970071472A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012936A KR970071472A (ko) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 박막 자기 헤드의 다층 박막 자극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970071472A (ko) |
-
1996
- 1996-04-25 KR KR1019960012936A patent/KR970071472A/ko active IP Right Grant
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