KR970070256A - 단결정 인상 장치 내의 히터 전극 용손을 방지하기 위한 장치 - Google Patents
단결정 인상 장치 내의 히터 전극 용손을 방지하기 위한 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 도가니(103)의 히터(104)에 전류를 공급하는 데에 사용되는 도전성 금속 전극(5,5)의 용손(meltdown)을 방지하기 위한 것이다. 단결정 인상 장치는 상기 도가니(103)를 둘러싸는 히터(104)와, 상기 히터(104)의 한쌍의 흑연 중간 전극(6)에 각각 나사결합된 한쌍의 전극(5,5)과, 상기의 한쌍의 전극(5,5)에 전력을 공급하기 위한 전압원(9)을 구비한다. 스위치(11)는 상기 전력을 전달 및 차단시키도록 절환된다. 전류계(10a)는 상기 히터(104)를 통해 흐르는 전류를 연속적으로 측정한다. 본 발명에 의한 조사에 따르면, 상기 중간 전극(6)의 하부에 크랙(8)이 발생하는 경우에 전극(5,5)의 용손 이전에 상기 크랙(8) 내의 전기 대전 형상으로 발생되는 측정된 전류값의 미세한 변동이 있었다. 따라서, 전류계(10a)에 의해 측정된 전류의 변동이 허용 범위 밖에 있게 되면, 제어기(12)는 스위치(11)를 절환시켜 전극(5,5)으로의 전력 공급을 차단하여 상기 전극(5,5)의 용손을 방지한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단결정 인상 장치 내의 히터 전극 용손을 방지하기 위한 본 발명의 장치의 일 실시예에 관한 제어 블록 다이아그램.
Claims (4)
- 단결정 인상 장치 내의 히터 전극 용손을 방지하기 위한 장치에 있어서, 기밀 용기와, 상기 기밀 용기 내부에 반도체 용융물을 저장하는 도가니와, 상기 도가니를 둘러싸는 히터와, 각각이 냉각수 통로를 구비하고 히터에 연결되는 흑연재 중간 전극에 각각이 나사결합되는 한쌍의 도전성 금속 전극과, 적어도 하나의 도전성 금속 전극과 상기 한쌍의 도전성 금속 전극에 동력을 공급하기 위한 전압원 사이의 회로 내에 구비된 스위치와, 상기 히터를 통해 흐르는 전류값을 측정하기 위한 전류 측정 장치와, 그리고 상기 전류 측정 장치에 의해 측정된 전류값이 입력되고 허용 범위를 초과하는 전류값의 변동이 소정의 제1시간 간격 동안 지속되는 경우에 상기 스위치를 꺼서 전류 공급을 차단시키는 제어기를 포함하고 있으며, 상기 제1소정 시간 간격은 상기 도전성 금속 전극의 용손 발생에 필요한 허용 범위를 초과하는 측정된 전류값의 연속 변동 시간보다 짧은 기간이 되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항에 있어서, 경보 장치를 구비하고 있으며, 허용 범위를 초과하는 상기 전류값의 변동이 상기 제1시간 간격보다 짧은 소정의 제2시간 간격 동안 지속되는 경우에 상기 제어기는 먼저 상기 경보 장치를 작동시키는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 히터로 공급되는 전력을 측정하기 위한 전력 측정 수단을 구비하고 있으며, 상기 전류 측정 수단에 의해 측정되는 전류값과 상기 전력 측정 수단에 의해 측정되는 전력값은 저항치를 계산하는 상기 제어기로 입력되고, 허용 범위를 초과하는 상기 저항치 내의 변동이 소정의 상기 제1시간 간격 동안 지속되는 경우에 상기 제어기는 상기 스위치를 끄는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제3항에 있어서, 경보 장치를 구비하고 있으며, 허용 범위를 초과하는 상기 전류값 내의 변동이 상기 제1시간 간격보다 짧은 소정의 제2시간 간격 동안 지속되는 경우에 상기 제어기는 먼저 상기 경보장치를 작동시키는 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08690596A JP3482979B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 単結晶引上装置におけるヒーター電極溶損防止装置 |
JP96-86905 | 1996-04-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970070256A true KR970070256A (ko) | 1997-11-07 |
KR100441359B1 KR100441359B1 (ko) | 2004-09-30 |
Family
ID=13899864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970012848A KR100441359B1 (ko) | 1996-04-09 | 1997-04-08 | 단결정인상장치내의히터전극용손을방지하기위한장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5843228A (ko) |
JP (1) | JP3482979B2 (ko) |
KR (1) | KR100441359B1 (ko) |
CN (1) | CN1106460C (ko) |
DE (1) | DE19712777B4 (ko) |
TW (1) | TW517101B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101443492B1 (ko) * | 2013-01-24 | 2014-09-22 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 제어장치 및 이를 구비한 잉곳 성장장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TW200932963A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-01 | Green Energy Technology Inc | Crystal growing furnace with heating improvement structure |
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CN102995109B (zh) * | 2012-12-24 | 2015-09-09 | 英利能源(中国)有限公司 | 一种单晶炉 |
JP7360584B2 (ja) * | 2022-07-28 | 2023-10-13 | 島津産機システムズ株式会社 | 熱処理装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5217572B2 (ko) * | 1972-08-18 | 1977-05-17 | ||
DE2315184C2 (de) * | 1973-03-27 | 1975-02-27 | Keller & Knappich Augsburg, Zweigniederlassung Der Industrie-Werke Karlsruhe Augsburg Ag, 8900 Augsburg | Verfahren zum Überwachen oder/und Regeln von elektrischen WiderstandsschweiBvorgängen |
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-
1996
- 1996-04-09 JP JP08690596A patent/JP3482979B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-18 TW TW086103342A patent/TW517101B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-26 DE DE19712777A patent/DE19712777B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-01 US US08/825,637 patent/US5843228A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-08 KR KR1019970012848A patent/KR100441359B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-09 CN CN97110533A patent/CN1106460C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3482979B2 (ja) | 2004-01-06 |
KR100441359B1 (ko) | 2004-09-30 |
JPH09278585A (ja) | 1997-10-28 |
US5843228A (en) | 1998-12-01 |
DE19712777B4 (de) | 2006-03-23 |
DE19712777A1 (de) | 1997-11-06 |
CN1168931A (zh) | 1997-12-31 |
TW517101B (en) | 2003-01-11 |
CN1106460C (zh) | 2003-04-23 |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140707 Year of fee payment: 11 |
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FPAY | Annual fee payment |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |