KR970067474A - 실리콘 팁 필드 에미터의 제조방법 - Google Patents

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최영환
최정옥
정효수
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이우복
사단법인 고등기술연구원 연구조합
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    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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Abstract

본 발명은 실리콘 팁 필드 에미터의 실리콘 팁 표면에 자기정렬 구조를 유지할 수 있는 샐리사이드 공정을 이용하여 실리사이드를 코팅함으로써, 전자방출에 필요한 게이트 전압을 낮추고, 전자방출 밀도를 증가시키며, 에미션의 균일도가 향상된 실리사이드가 실리콘 팁 표면에 코팅된 실리콘 팁 필드 에미터를 제공한다.

Description

실리콘 팁 필드 에미터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3G도는 본 발명에 따른 실리사이드가 팁 표면에 코팅된 시리콘 팁 필드 에미터의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도, 제5도는 본 발명에 따른 팁 표면에 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 필드 에미터를 갖는 전계방출 표시소자를 나타낸 단면도.

Claims (4)

  1. P형 실리콘 웨이퍼 상부에 N형 도펀트로 인 이온을 주입한 후 확산시켜 확산층을 형성하는 단계와, 상기 확산층 상부에 실리콘 산화막 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크 하부의 확산층을 반응성 이온식각법으로 등방성 식각하여 캐소드 전극과 팁을 형성하는 단계와, 상기 팁의 표면을 샤프닝산화공정에 의해 날카롭게 형성하는 단계와, 상기 노출된 캐소드 전극과 실리콘 산화막 상부에 절연층과 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 팁 상부의 실리콘 산화막을 제거하는 단계와, 상기 게이트 전극과 팁 에미터 상부에 실리사이드의 재료로 사용될 금속을 증착하는 단계와, 상기 팁 에미터 표면에 실리사이드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극과 실리사이드 상부의 실리콘과 반응하지 않은 금속을 제거하는 단계를 포함하는 실리사이드가 팁 표면에 코팅된 시리콘 팁 필드에미터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드를 형성하기 위한 금속은 텅스텐, 몰리브덴 또느 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 실리사이드가 팁 표면에 코팅된 실리콘 팁 필드에미터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드를 형성하는 방법은 금속 열 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리사이드가 팁 표면에 코팅된 실리콘 팁 필드에미터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 팁 표면에 코팅된 실리사이드는 텅스텐 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 또는 탄탈륨 실리사이드린 것을 특징으로 하는 실리사이드가 팁 표면에 코팅된 실리콘 팁 필드에미터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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