KR970067444A - 발광장치, 여기에 사용된 냉음극 및 그 제조방법 - Google Patents

발광장치, 여기에 사용된 냉음극 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따라, 기판(1)과; 상기 기판(1) 상에 형성된 다수개의 전자 방출 전극(7)과; 전자 방출 전극(7)이 배치된 다수 개의 제1캐비티(2a)를 가지며 상기 기판(1) 상에 형성된 제1절연층(2)과; 제1캐비티(2a)와 연통하는 제1개구(3a)를 다수개 가지며 상기 제1절연층(2) 상에 형성된 게이트 전극(3)과; 상기 제1개구(3a)와 연통하는 제2캐비티(4a)를 다수개 가지며 게이트 전극(3) 상에 형성된 제2절연층(4); 및 제2캐비티(4a)와 연통하는 제2개구(5a)를 다수개 가지며 상기 제2절연층(4) 상에 형성된 접속 전극(5)을 포함하는 냉음극(9)으로서, 제1개구(5a)의 중심축과 제2개구(3a)의 중심축중 적어도 하나는 상기 전자방출 전극(7)의 중심축과 편심(ecdentric)인 것을 특징으로 한다. 상기 냉음극(9)은 전자(10)가 방출되는 각도를 넓힘으로써, 더욱 넓게 전자 빔(10)을 방사한다. 즉, 발광 면적에 비해서 상대적으로 작은 전자 방출 면적을 갖는다.

Description

발광장치, 여기에 사용된 냉음극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 제1실시예에 따른 냉음극을 설명하는 단면도, 제8도는 본 발명의 제2실시예에 따른 냉음극을 설명하는 단면도, 제9도는 본 발명의 제3실시예에 따른 냉음극을 설명하는 단면도, 제10도는 본 발명의 제4실시예에 따른 냉음극을 설명하는 단면도, 제11도는 제10도에 설명된 역광 장치에 사용된 음극을 설명하는 평면도, 제12도는 제7도에 설명된 냉음극 대신에 치환된 냉음극의 단면도, 제13도는 제7도에 설명된 냉음극 대신에 치환된 냉음극의 단면도, 제14도는 제7도에 설명된 냉음극 대신에 치환된 냉음극의 단면도, 제15도는 제7도에 설명된 냉음극 대신에 치환된 냉음극의 단면도, 제16도는 제7도에 설명된 냉음극 대신에 치환된 냉음극의 단면도.

Claims (18)

  1. (a) 기판(1)과; (b) 상기 기판(1) 상에 형성된 다수개의 전자 방출 전극(7)과; (c) 상기 전자 방출 전극(7)이 배치된 다수개의 제1캐비티(2a)를 갖고 상기 기판(1) 상에 형성된 제1절연층(2)과; (d) 상기 제1캐비티(2a)와 연통하는 제1개구(3a)를 다수개 가지며 상기 제1절연층(2) 상에 형성된 게이트 전극(3)과; (e) 제1개구(3a)와 연통하는 제2캐비티(4a)를 다수개 가지며 게이트 전극(3)상에 형성된 제2절연층(4); 및 (f) 제2캐비티(4a)와 연통하는 제2개구(5a)를 다수개 가지며 상기 제2절연층(4) 상에 형성된 접속 전극(5)으로 구성된 냉음극(9)에 있어서; 상기 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나는 상기 전자 방출 전극(7)의 중심축과 편심인 것을 특징으로 하는 냉음극(9).
  2. 제1항에 있어서, 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나와, 전자 방출 전극(7)의 중심축 사이의 편심은 그 각도와 배향에 대해 불규축한 것을 특징으로 하는 냉음극.
  3. 제1항에 있어서, 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나와, 전자 방출 전극(7)의 중심축 사이의 편심은 외측을 향해 배향되고, 그 편심의 각도는 중심에 위치한 전자 방출 전극으로부터 더욱 멀리 떨어진 위치에 정해지는 것을 특징으로 하는 냉음극.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 방출 전극(7)의 높이는 제1개구(3a) 위에까지 이르는 것을 특징으로 하는 냉음극.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극(3)에 인가된 전압과 같거나 그보다 높은 전압을 상기 집속 전극(5)에 인가하는 것을 특징으로 하는 냉음극.
  6. 제1항, 제2항 또는 제3하에 있어서, 상기 저자 방출 전극(7) 상에 불규칙하게 형성된 입자(42)들을 또한 포함하며, 상기 입자(42)들을 전자 방출 전극(7)의 최상부의 곡률반경과 같거나 그보다 큰 반경을 갖는 것을 특징으로 하는 냉음극.
  7. 제6항에 있어서, 상기 입자(42)들의 반경은 10nm 내지 100nm의 범위인 것을 특징으로 하는 냉음극.
  8. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서,다수개의 전자 방출 전극(7)의 중심에 배치된 전자 방출 전극의 중심축, 이와 연관된 제2개구(5a)의 중심축, 및 이와 연관된 제1개구(3a)의 중심축은 서로 일렬로 정렬되는 것을 특징으로 하는 냉음극.
  9. (a) 속빈 봉입물(11)과; (b) 형광물질로 만들어지고 상기 속빈 봉입물(11) 내에 배치된 박막(13)과; (c) 전자 빔(10)을 가속시키기 위해 전압이 인가된 형광 물질 박막(13)에 인접하게 형성된 양극(12); 및 (d) 상기 형광물질 박막(13)과 대면하는 관계로 속빈 봉압물(11)내의 기판(1) 상에 형성된 냉음극(9)으로 구성된 발광장치에 있어서; 상기 냉음극(9)으로부터 방출된 전자(10)가 상기 기판(1)과 평행하게 증가된 속도 성분을 갖도록 하는 수단(14,15,16)을 갖는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 형광물질 박막(13)과 상기 냉음극(9) 사이에서 냉음극(9)보다 상기 형광물질 박막(13)에 더 가깝게 배치된 격자(17)를 또한 포함하고, 상기 격자(14)는 형광물질 박막(13)의 길이 이상으로 연장되고, 양극(12)에 인가될 전압보다 낮은 전압이 상기 격자(17)에 인가되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 격자(17)는 활모양인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 격자(17)는 상대측 단부에 대해 형광물질 박막(13)쪽으로 돌출되는 단부(17a)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 격자(17)에 인가된 전압은 상기 양극(12)에 인가된 전압의 1/2이거나 1/2보다 작은 것을 특징으로 하는 발광장치.
  14. 제9항, 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 냉음극(9)은, (a) 기판(1)과; (b) 상기 기판(1) 상에 형성된 다수개의 전자 방출 전극(7)과; (c) 상기 전자 방출 전극(7)이 배치된 다수개의 제1캐비티(2a)를 가지며 상기 기판(1) 상에 현성된 제1절연층(2)과; 상기 기판(1) 상에 형성된 제1절연층(2)과; (d) 상기 제1캐비티(2a)와 연통하는 제1개구(3a)를 다수개 가지며 상기 제1절연층(2) 상에 형성된 게이트 전극(3)과; (e) 상기 제1개구(3a)와 연통하는 제2캐비티(4a)를 다수개 가지며 상기 게이트 전극(3) 상에 형성된 제2절연층(4);및 (f) 상기 제2캐비티(4a)와 연통하는 제2개구(5a)를 다수개 가지며 상기 제2절연층(4) 상에 형성된 집속 전극(5)으로 구성되고; 상기 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나는 상기 전자 방출 전극(7)의 중심축과 편심인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나와, 전자 방출 전극(7)의 중심축 사이의 편심은 그 각도와 배향에 대해 불규칙한 것을 특징으로 하는 발광장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제2개구(5a)의 중심축과 제1개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나와, 전자 방출 전극(7)의 중심축 사이의 편심은 외측을 향해 배향되고, 그 편심의 각도는 중심에 위치한 전자 방출 전극으로 부터 더욱 멀리 떨어진 위치에 정해지는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  17. 집속 전극(5)과 함께 형성된 개구(5a)의 중심축과 게이트 전극(3)과 함께 형성된 개구(3a)의 중심축 중의 적어도 하나는 전자 방출 전극(7)의 중심축과 편심인 냉음극(9)의 제조방법에 있어서, (a) 기판(1) 상에 제1절연층(2)을 형성하는 단계와, (b) 상기 제1절연층(2) 상에 게이트 전극층(3)을 형성하는 단계와, (c) 상기 게이트 전극층(3) 상에 제2연층(4)을 형성하는 단계와, (d) 상기 제2절연층(4) 상에 집속 전극층(5)을 형성하는 단계를 포함하고; (e) 상기 집속 전극층(5) 및 제2절연층(4)에 제1캐비티를 형성하는 단계와, (f) 상기 집속 전극층(5)을 산화물로 덮고, 제1캐비티를 산화물로 충진하는 단계와, (g) 상기 제2캐비티의 중심축이 상기 제1캐비티의 중심축과 일렬로 정렬되지 않도록, 제1캐비티와 게이트 전극층(3) 및 제1절연층(2) 내에 채워진 산화물을 관통하는 제2캐비티를 형성하는 단계와, (h) 상기 제2캐비티에 이미터(7)를 형성하는 단계, 및 (i) 상기 산화물을 제거하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 냉음극의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 단계(h)는, (h-1) 기판(1)이 회전하는 동안, 상기 제2캐비티 내에 희생층을 비스듬하게 놓는 단계, 및 (h-2) 제2캐비티 내에 이미터(7)가 만들어지는 재료를 수직으로 놓는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 냉음극의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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