KR970062065A - Ito 투명도전막의 제작방법 - Google Patents

Ito 투명도전막의 제작방법 Download PDF

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니시히라 슌지
아네루바 가부시키가이샤
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Abstract

고주파 마그네트론 스퍼터링법에 의한 ITO 투명도전막의 제작에 있어서, 트래킹 아크등의 이상방전의 발생을 방지하여 안정한 성막을 행한다.
In 및 Sn의 산화물을 타게트로서 사용하고, 타게트 배면에 마그네트를 설치하고, 희가스만 혹은 희가스와 산소를 도입한 분위기중에서 타게트에 고주파 전력을 공급하여 타게트 표면 근방에 플라즈마를 수속시켜 스퍼터링 현상을 이용하여 기판상에 In, Sn, O로 이루어지는 ITO 투명도전막을 형성하는 고주파 마그네트론 스퍼터링법에서, 상기 고주파 전력의 공급을 주기적으로 정지하여 공급기간과 공급정지기간을 교대로 만들고, 동시에 공급기간의 시간을 이상방전 발생에 요하는 시간보다도 짧게 하였다. 즉, 고주파 전력은 간헐적으로 공급된다.

Description

ITO 투명도전막의 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 고주파 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서의 음극에의 고주파 전력공급계의 개략도이다.
제3도는 본 발명의 제1의 바람직한 실시형태에 관한 ITO 투명도전막의 제작방법에 있어서 고주파 전원의 출력전압의 파형도이다.
제4도는 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 관한 ITO 투명도전막의 제작방법에 있어서 고주파 전원의 출력전압의 파형도이다.

Claims (4)

  1. 인듐과 주석의 산화물을 타게트로서 사용하고, 스퍼터링 가스로서 희가스만 혹은 희가스와 산소를 도입한 분위기중에서 상기 타게트에 고주파 전력을 공급하여, 상기 타게트의 배면에 설치한 마그네트에 의하여 상기 타게트의 표면 근방에 플라즈마를 수속시키는 마그네트론 스퍼터링 현상을 이용하여 기판상에 ITO 투명도전막을 형성하는 고주파 마그네트론 스퍼터링법을 사용한 ITO 투명도전막의 제작방법에 있어서, 상기 고주파 전력의 공급을 주기적으로 정지하고, 상기 고주파 전력의 공급시간을 이상방전 발생에 요하는 시간보다고 짧게 한 것을 특징으로 하는 ITO 투명도전막의 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력의 공급정지시간을 플라즈마 수명보다도 짧게 한 것을 특징으로 하는 ITO 투명도전막의 제작방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스퍼터링 가스에 헬륨가스를 첨가한 것을 특징으로 하는 ITO 투명도전막의 제작방법.
  4. 인듐과 주석의 산화물을 타게트로서 사용하고, 스퍼터링 가스로서 희가스만 혹은 희가스와 산소를 도입한 분위기중에서 상기 타게트에 고주파 전력을 공급하여, 상기 타게트의 배면에 설치한 마그네트에 의하여 상기 타게트의 표면 근방에 플라즈마를 수속시키는 스퍼터링 현상을 이용하여 기판상에 ITO 투명도전막을 형성하는 고주파 마그네트론 스퍼터링법을 사용한 ITO 투명도전막의 제작방법에 있어서, 상기 고주파 전력을 주기적으로 저하시키는 것을 특징으로 하는 ITO 투명도전막의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960054186A 1996-02-15 1996-11-15 Ito 투명도전막의 제작방법 KR100200009B1 (ko)

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