TW438997B - Method of fabricating ITO transparent conducting films - Google Patents

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Keiji Ishibashi
Kazufumi Watabe
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Anelva Corp
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Description

438997 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 五、發明説明(ϊ ) [發明所騙之技術領域] 本發明係關於ITO透明導電臊之製塏方法U me Uo(j of fabricating IT 0 transparent conducting f i 1 in) > 尤其 關於在利用高頻磁控管濺塗法來製造1 ΐ 0透明導電M之製 程中防止移荷電弧(t r it c k. i η g a r c )等之巽常放镅之高頻锵 力供給方法者。 [先前技術] 磁控管塗法係Μ —種成膜速度(d e [> 〇 s i t ί ο n r a t e )很 高之形成薄膜之技術(fills deposition techniques)廣泛 為人所知之方法。磁控管濺塗法利用一種在氬氣等之稀有 氣體或稀有氣體混有反應性氣體(例如氧氣或氮氣等)之混 合氣體中茌供電於搮的物U a e t)之下藉配置於標的物背 面上之磁鐵Μ可收束於標的物表面近旁之方式產生之磁控 管電漿。磁控管濺塗法在磁控管電漿之產生上包括對標的 物供給直流電力之直流磁控管濺塗法及對標的物供給高頻 電力之高頻磁控管濺塗法。 為依照磁控管濺塗法製造由絪(In)、錫(S η)及氧(0)所 構成之I Τ0透明導電膜*使用由In及Sti之氧化物所構成之 標的物。基於此項標的物具有導電性而藉直流磁控管濺塗 法施行製造。又基於成本低及控制性良好之觀點,在ΙΤ0 透明導電膜之製造上廣用直流磁控管濺塗法。但i T0透明 導電膜被使用於液晶顯示裝置用之透明電極者隨著液晶顯 示裝置之性掂之提高而被要求其爾I5il率(比肌)低於貞流磁 控管濺塗法所得之電阻率。 本紙張尺度適用中国國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ---------f—— 1 I- .'J (請先降讀背面之it意事填寫木頁)
'1T 線 4 4389 9 7 A7 87 經濟部中央#率局,負工消費合作社印製 五、 發明説明 〔2 ) 1 L 本 案 發 明 人 等 發 現 : 在 使 用 In及 S r 1之 氧 化 物 為 槱 的 物 之 1 1 I ITO透明導電膜之製造之情況藉高頻磁控管i 楼塗ί 去成膜之 1 I 薄 膜 與 直 流 磁 控 管 m 塗 法 .所 得 者 相 較 > ft Μ Μ- —塞 Μ 低 旦 m 請 先」 1 閱 t 透 率 較 高 之 事 實 (咧如第4 1次應用物理學關連聯合演講會 讀 背 1 ι6 I 予 搞 第 370頁 •演講編號28p _ Μ E - 14, (1994 ) 之 注1 1 | 意 I [本發明所欲解決之問題] ai, ^ 1 1 在 高 頻 磁 控 管 濺 塗 法 中 標 的 物 上 方 及 其 他 之 真 空 室 內 填 1 寫 本 裝 之 構 件 表 面 所 發 生 之 異 常 放 電 > 即 電 弧 之 發 生 * 成 為 問 題 頁 1 1 0 尤 其 在 高 頻 磁 控 管 濺 塗 法 形 成 ΐΐϋ透明専電膜之場合 1 在 標 的 物 上 方 (〇 v e Γ t h e t a r g et)有發光( 輝 )點(1 u m in 0 U S 1 P 〇 in t) 即 電 弧 沿 著 保持 欏 的 物 垂 直 面 之 磁 場 成 分 為 零 之 空 1 訂 間 (與標的物之沖蝕部分相對應) 移 動 ύ 此 種 m 弧 被 稱 為 移 1 1 荷 電 弧 〇 i 若 發 生 異 常 放 電 i 則 引 趄 放 罨 胆 抗 之 m 化 無 法 K 良 好 [ 之 效 率 對 標 的 物 供 給 電 力 〇 有 異 常 電 流: 產 生 時 9 則 發 生 成 1 線 膜 速 度 之 降 低 甚 至 完 全 無 法 成 膜 之 不 便 〇 即 使 可 形 成 薄 1 1 膜 亦 由 於 異 常 放 電 之 發 生 有 時 形 成 與 所 期 待 之 特 性 全 I 1 然 不 間 之 薄 膜 〇 1 I 尤 其 在 發 生 移 荷 電 弧 時 i 標 的 物 之 電 位 則 成 為 it: » 因 此 Ί 標 的 物 不 會 濺 敗 > 而 使 其 他 構 件 濺 散 ϋ 移 何 電 弧 之 發 生 係 1 引 起 揲 的 物 上 肜 成 不 補 要 之 m m 而 m 使 機 的 物 上 肜 成 1 1 膜 t 亦 會 形 成 高 電 阻 率 不 透 明 之 薄 膜 即 引 起 如 此 之 不 埂 1 I 者 〇 1 再 者 1 在 基 板 上 方 發 生 異 常 放 電 之 埸 合 受 到 異 常 放 遒 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(2丨0X297公釐) 438997 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 五、 發明説明 (3 ) 1 之 基 板 上 之 1C元 件 則 成 為 缺 陷 品 9 因 而 直 接 成 為 製 品 不 良 1 1 1 之 原 因 0 丨 1 異 常 放 遒 之 發 生 亦 成 為 產 生 粒 子 之 原 因 ο 發 生 異 常 放 爾 請 先 I 間 1 時 1 所 產 生 之 粒 子 所 附 著 之 基 板 上 之 1C 元 件 則 成 為 缺 陷 品 -A 背 I 面 * 因 此 連 帶 發 生 1C元 件 產 率 之 降 低 a 之 注 1 I - 意 I 異 常 故 電 尤 其 移 荷 m 弧 係 在 減 弱 標 的 物 表 面 之 磁 場 強 度 I -·ν I -¾ ) 及 提 高 壓 力 Η 及 降 低 供 給 電 力 時 難 於 發 生 者 〇 但 此 等 條 件 填 寫 本 1 裝 無 法 完 全 抑 制 異 常 放 電 之 發 生 〇 再 者 依 照 此 等 條 件 時 成 頁 m 速 度 則 會 降 低 而 在 生 產 性 能 方 面 發 生 問 題 〇 1 1 — 種 抑 制 高 頻 磁 控 管 m 塗 法 之 異 常 故 電 有 關 之 習 知 技 術 1 1 被 揭 示 於 曰 本 専 利 ”特許公開公報平7 -25884 5 " 中 〇 此 一 公. i 訂 報 所 示 之 習 知 濺 m 方 法 有 其 供 m 用 凿 源 之 構 成 複 雜 而 難 於 I 控 制 之 缺 點 〇 再 者 > 此 —· 習 知 濺 塗 η 法 並 米 解 決 移 荷 iM 弧 1 I 之 抑 制 之 問 題 〇 1 1 Γ I 本 發 明 之 目 的 在 於 提 供 一 種 製 造 ΙΤ0透明導電膜之方法 4 » 其 在 依 照 使 用 In及 S η 之 氧 化 物 為 標 的 物 之 高 頻 磁 控 督 濺 1 塗 法 之 IT0透明導罨膜之製造中防止如移荷電弧等之異常 1 1 放 電 者 0 1 j [解決問題之手段及作用] 1 Ί I 首 先 敘 述 t 為 達 成 上 述 的 之 解 決 段 9 找 到 本 發 明 之 1 構 成 之 見 知 (研突 d心 ^) 〇 1 1 移 荷 電 弧 發 生 之 原 因 及 機 構 到 目 前 為 it: 尚 未 破 m 明 C- 1 I (Wh i 1 e η 〇 t W is h ί n g 0 be b ο υ a d b y t h e 〇 Γ y > t h e f 〇 1 1 - 1 I 0 w in g is b e 1 i e v e d to P r ο V 1 de a η ex Pl an at ίο η f 0 r 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4规狢(210 X 297公釐) () 438997 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裂 117五、發明説明(4 ) cause and mechanism of generation of the trucking a r c >移荷電弧以外之異常放電之發生原因可跬在於粒子及 標的物上堆積之薄膜或結節(突起物),附著於浮游部位之 構降或基板上之導遒性成絕緣性之站膜* K及形成於接地 電位之構件或基板上之高遒胆性成絕跺性之溥膜。無論如 何,若此等物件並米與陰極或接地構件在遒學上導通,則 可預料此等物件增加電荷,而與陰極電位(自給偏壓)或接 地電位之間產生電位差*由此項電位差發生異常放電。 本案發明人等透過實驗,關於移荷電弧發生之原因及機 構|找到下述二種想法。 第一種想法乃Μ標的物上附著之粒?或堆撾之涵膜為原 因之想法。此種粒子或薄膜為絪緣物或高遒胆之物《此等 物質增加電荷後*產生其與陰極電位(自給偏壓)之電位差 ,而由此項電位差發生電弧。在電弧發生時,附著於標的 物上之加載物(增加電荷之物)則變為可動之物。變成可動 之加載物則因本身之電荷而被磁鐵磁場(配置於標的物菏 面上者)逮住。此加載物漂移於標的物最被蝕刻之部分。 此項璟移引起電弧之漂移。 第二種想法乃以浮游於放電空間之粒子或濺敗粒子隨著 放電時間(之經過)聚集於電槳中之陰極骰層之界面而形成 負Μ載荷之團蔟(關於此事*有S J . C h 〇 i等之報告。例如, AMERICAN VACUUM SOCIETY, 3 8 I. h H a t; i ο n a 1 Symposium. p77,演講編號PS-M0M6* (1991))乙事為原因之想法。帶 負電之團簇(c 1 U s t e r )被該項配置於標的物背面上之磁鐵 ϋ紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意亊'V4填寫本頁) -裝- '51 線 7 438997 A7 B7 經濟部中央標率局員工消費合作社印装 五、 發明説明 5 ) 1 I 磁 場 逮 住 t 而 Μ 可 集 中 於 標 的 物 最 被 蝕 刻 之 部 分 之 方 式 漂 1 1 1 移 0 團 锻 在 漂 移 中 生 長 而 m 一 步 充 〇 充 爾 莖 某 — 荷很 —、 1 I 之 圃 蔟 kk 其 與 陰 極 之 電 位 差 引 起 m 弧 之 發 生 〇 由 於 帶 電 之 請 閱 1 I 團 m 在 漂 移 中 t 此 項 電 弧 亦 漂 移 〇 讀 背 1 1 面 -1 移 荷 電 弧 係 直 到 其 1S 生 為 止 1 與 其 ίΐϋ 異 常 放 電 同 樣 s 補 之 注 意 | 要 充 電 之 時 間 〇 此 係 極 明 白 (無可置疑) 者 因 為 已 確 證 移 亊_ 1 1 )1 荷 η 弧 並 未 與 高 頻 η 力 之 供 給 開 始 (即放電關始) 間 時 發 生 并 寫 本 裝 之 事 赏 〇 頁 \_« 1 I 為 了 解 決 異 常 放 電 之 發 生 之 問 題 本 發 明 在 發 生 如 移 荷 1 I 電 弧 等 之 異 常 放 電 以 前 設 有 緩 和 充 電 (作用) 之 時 間 〇 1 為 了 緩 和 充 電 最 好 能 停 止 放 電 〇 再 者 在 緩 和 充 m 之 1 訂 際 未 必 完 全 停 止 放 電 〇 本 案 發 m 人 ¥ 發 m m 力 降 1 I 低 至 某 一 程 度 即 可 停 止 持 m 中 之 移 荷 電 弧 之 事 實 C 再 者 i 1 I 該 等 發 明 人 亦 發 現 , 即 使 在 高 頻 電 力 降 低 至 某 — 程 度 以 使 1 r 1 持 續 中 之 移 荷 電 弧 停 止 後 再 度 恢 復 原 來 之 尚 頻 電 力 時 * 移 )1 .'線 荷 電 弧 亦 不 會 立 刻 發 生 f 而 可 暫 時 安 定 放 電 之 事 赏 0 此 等 1 發 現 乃 暗 示 即 使 在 未 完 全 停 止 放 電 之 情 況 » 亦 可 由 電 1 | 漿 密 度 之 某 程 度 之 降 低 來 緩 和 充 電 其 結 果 是 可 使 持 m 1 I 中 之 移 荷 電 弧 停 止 〇 亦 即 為 了 抑 制 移 Μ m 弧 之 發 生 茌 Ί I 充 電 至 可 發 生 移 荷 電 弧 之 程 度 之 電 荷 量 Μ 前 使 電 漿 密 度 降 1 低 某 程 度 W 可 0 1 1 基 於- 上 述 見 知 • 如 下 述 構 成 本 發 明 1 I 第 一 (形態) 之 本 發 明 有 關 之 I TO透明導H _之製造方法 1 I 乃 設 法 使 高 頻 電 力 之 供 給 期 間 與 停 供 期 間 交 互 切 換 並 且 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨ί>Χ297公釐) 一 8 - 438997 A7 B7 經濟部中央桴準局男工消費合作社印製 耳、 發明説明 β ) 1 1 使 -ή-* m 頻 電 力 之 供 給 期 間 之 時 間 比 異 常 放 電 之 發 生 所 需 之 時 1 1 I 間 為 短 〇 即 1 對 標 的 物 間 歇 供 給 高 頻 m 力 0 標 的 物 ί系 由 絪 1 ( [η) 及 錫 (S η ) 之 氧 化 物 所 構 成 0 5 先 1 間 | 在 此 本 發 明 有 關 之 Ϊ το透明導電膜之製造係在導入有 讀 | 面 I —, 稀 有 氣 ΜΑ 體 單 獨 或 稀 有 氣 體 及 氧 氣 (ϋ2) 之 氣 氛 中 9 對 標 的 之 注 1 意 I 物 供 給 高 頻 電 力 > 藉 設 置 於 標 的 物 背 面 上 之 磁 鐵 使 電 漿 收 1 )I 束 於 標 的 物 表 面 之 近 旁 > 而 施 行 磁 控 管 濺 塗 〇 利 用 磁 控 管 ->r 濺 塗 琨 象 在 寫 本 裝 基 板 上 形 成 由 In t S η » 0所構成之ΙΪ0 透 明 導 電 頁 'w 1 I 膜 〇 1 本 發 明 使 高 頻 電 力 之 供 給 期 間 之 時 間 比 異 常 放 爾 之 發 生 1 所 需 之 時 間 為 短 > VX 防 止 異 常 放 電 之 發 生 0 1 訂 1 I 依 照 磁 控 管 濺 塗 之 m 膜 之 形 成 係 通 常 茌 數 (bT or Γ ( 10 — 1 Pa 程 度 )之壓力下施行者< 在放電開始時之壓力低於成膜 1 1 I 時 之 壓 力 之 埸 合 則 在 上 述 高 頻 m 力 之 間 歐 性 供 給 中 > 高 1 頻 锺 力 之 停 供 時 間 較 長 > 即 使 完 全 停 止 放 電 > 亦 有 可 m 在 )1 '線 下 次 供 給 時 放 電 〇 但 > 例 如 在 陰 極 (標的物)之 尺 寸 較 小 之 1 場 合 有 時 造 成 其 放 電 關 始 時 之 壓 力 高 於 成 膜 時 之 壓 力 之 場 1 I 合 0 在 此 種 場 合 若 高 頻 電 力 之 停 供 峙 間 較 長 > 致 使 放 m 1 t | 完 全 停 止 > 則 在 下 次 供 給 高 頻 遒 力 時 其 成 m 時 之 m 力 無 t 法 m 以 開 始 放 電 0 從 而 ) 在 此 種 放 霜 關 始 時 之 m 力 高 於 成 1 [ 膜 時 之 懕 力 之 場 合 ] 最 奸 能 -占· 尚 頻 m 力 之 停 供 時 設 法 使 放 1 1 電 不 完 全 停 止 0 1 I 第 二 (形態) 之 本 發 明 有 關 之 ΓΓ0透明導電膜之製造方法 1 1 t 乃 以 較 佳 方 式 設 法 使 高 頻 電 力 之 停 供 時 間 比 電 漿 之 欝 叩 為 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格< 210X297公鐘) 438997 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 7 ) 1 短 〇 1 1 | m 漿 不 會 在 停 供 高 頻 電力 之 瞬 間 消 失 ο 電 漿 之 m 命乃 依 1 I m 漿 之 生 成 條 件 m 如 電 漿中 之 氣 極 及 m 力 等 而 不 同 *而 在 ih 先 聞 讀 背 ιέ 之 注 1 磁 控 管 m 塗 成 膜 上 般 所用 之 «?.Lrr toil 氣 之 場 /工 Cl 4 依 照 前 述成 m 1 時 之 壓 力 程 度 之 情 況 m 漿之 m 命 則 為 i犖秒左右 ,「在第:_ 1 之 本 發 明 中 由 於 使 高 頻電 力 之 停 供 時 間 比 此 楢 電 漿之 壽 思 % 1 )| 命 為 短 * 即 使 在 放 電 開 始時 之 壓 力 高 於 成 膜 時 之 壓 力之 場 hT 填 1 可 藉 % 本 裝 合 » 亦 以 按 成 膜 時 之 壓力 維 持 放 η 〇 再 者 由 本案 發 f 、<· 1 I 明 人 等 之 研 究 證 Ή 即 使在 高 頻 電 力 之 睜 供 II#· 間 比 1毫秒 1 為 短 之 場 合 亦屬於可充分/緩和 .充- 1 -(作用> 之 時 間 〇 從而 使 1 问 頻 電 力 之 供 給 峙 間 比 異常 放 電 之 m 生 所 需 時 間 為 短時 ϊ'Τ 1 訂 防 止 異 常 放 η 之 發 生 〇 1 1 第 三 (形態) 之 本 明 有關 之 ί TO透明導電膜之製造方法 1 1 I 乃 較 佳 方 式 設 法 將 氣加 入 濺 塗 氣 體 〇 1 [ 有 時 依 高 頻 電 源 之 情 形使 用 真 空 管 ϋ 尤 其 在 想 要 得到 較 ./ t 線 高 之 成 膜 速 to? 之 場 合 > 需要 較. 大 之 高 頻 電 力 t 而. 為 可輸 出 I 超 過 5k W之大電力之電源,以目前而言 要使用真空管 > t I 在 使 用 此 種 真 空 wr 皆 之 高 頻電 源 之 情 況 , 難 於 使 高 頻 電力 之 [ 1 I 停 供 時 間 比 電 漿 之 m •么 叩 為短 〇 第 二 之 本 發 明 可 解 m fui 丨 m 0 已 知 He 之 準 定 激 發原 f He 釘卨度激發能 並.1」. 1 可 Μ 潘 寧 (P e η n i n g )電離使電漿中之很多粒子被離子化 ί 1 I 亦 已 知 準 安 定 激 Μ 原 子 il e {之满命技 可茌大狨龆下引起 1 輝 光 放 電 〇 從 而 若 將 氨飄 加 人 m 塗 m 體 電 i;:. 漿 之 壽命 則 1 1 1 會 延 長 9 因 此 1 即 使 茌 使用 真 空 管 之 m 源 之 情 況 亦 可Μ 使 1 [ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2iOX297公1 ) A7 438997 B7 五、發明説明(8 ) 高頻電力之停供時間比罱漿之薷命為短。 (請尤間4背面之注意事产\JA寫本頁) 第四(形態)之本發明有關之ί TO透明導遛膜之製造方法 乃設法周期降低it洪給於榴的物之命猢ϊϋ力… 在第四之本發IW屮,不#發生放遒之掙止,丨丨I〗till使在放 電開始時之壓力高於成膜時之壓力之場合,亦可Μ按成膜 時之壓力來維持放電。由前述之41菜發明人等之研究結果亦 可得知:降低高頻電力來降低Μ漿密度峙可鍰和充電(作 用)。由高頻锺力之周期性降低即可防止異常放’遺之發生。 [實施發明之形態] 以下,根據附圆説明本發明之較锘诞施形態。 經濟部中失標準局員工消費合作社印製 首先說明第一筲胞形態。此m赏胞肜態揭示…使川山丨η 及s η之氧化物所構成之標的物來施行π’ 〇透明導電膜之成 膜之較佳實施例。_1僅示高頻磁控管濺塗裝置中之對陰 極(即標的物)之高頻電力供給系統之略圖。圆1中 > 為了 方便起見,省略下述各件之圖示:真空處理室用之真空容 器|處理對象之基板,基板運送機構,配1於揲的物背而 上之磁鐵,真空排氣裝置•氣體導入椴構。標的物1 1被配 置於背板1 2上。對此一標的物從高頻遒源14 Μ由丨SM抗整含 器】3供給高頻馆力。在高頻磁控管溅塗法姐常使用1 3 . 5 β M IU 之射頻波。高頻電源1 4可輸出1 3 . 5GM IU之高頻遒力。 所用之高頻磁控管濺塗裝置乃與習知裝置之場合相同。 在本裝置中使用直徑8时之圓盤狀標的物1 1 *苒中該標的 物1 1係一種添加有S η 0 2 1 0 w t :«之I η 2 0 3之燒結體標的物(例 如密度9 5 ίϊ)。闞於上述磁鐵對標的物1 1之影響*在與標的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格< 2丨0X297公釐) -11 - 經濟部屮央標準局貝工消资合作社印裝 d3 89 9 7 A7 B7 五、發明説明(9 ) 物面(圓1中*標的物1 1之頂面)垂直之磁埸成分成為攀之 位置,與標的物面平行之磁埸強度為約3 0 0高士。基板係 以可與標的物面相對之方式被配置,而雙方之間隔係被設 定為6 Ο ίο η |茌此值時膜厚分布最均勻。放爾開始用之壓力 為 20mTorr 0 首先,直到此一壓力為止,將氬氣為濺塗氣體導入真空 處理室,而將壓力設定為2 0 m T 〇 r· r。其次|將具有控制波 形之所欲電壓波形之高頻電力從高頻電源1 4供給至標的物 1 1,Μ發生放電。 又按*在習知裝置之情況,將眞與如圖2所示之迪缄馏 壓波形之高頻·電力供給於標的物> Μ發生放電。在使用此 種連繈電壓波形之高頻力之習知裝Μ之埸合,設高頻謂 力為6 0 0 W時•較短者有3分鐘之程度刖g長亦不過5分鐘之
程度發生異常放電。另一方固,在相同之6 0 0 W高頻遛力T 按2〇BiTorr之壓力_始放電後滅少_氣導人流崖而維持魈 力為1 0 m T 〇 r r之場合,較短者有1分鐘之程度而再長亦不過 3分趟之程度發生異常放遒。習知賧泣所發屮之Μ常放Ϊ1 係移荷遒弧或撾的物Μ外之描件衷ίίι丨之馏弧。 從高頻螌源1 4根據未圖示之輸出控制器輸出如幽3所示 之電壓波形。由圖3可知|在本簧胞肜態中,依照所需時 間,周期地停供6 0 0 W之高頻ΐϋ力*俾可對榴的物丨丨II馱供給 高頻遒力。在圖3中,a為1 3 . 5 6 Μ II ^之高频馏力之供給朋咄 * b為高頻電力之停供期間。供姶期制a之時間設定為5毫 秒,而停供期間b之時間設定為1逛秒。又按,办:丨顧:i中Μ 本紙張尺度過用中國國家梯芈(CNS ) /\4規格(210Χ 297公漦) ,〇 ---------------扯衣------ΐτ------^ - .、V T i\ j (請先間讀背面之注意i.i>再填寫本頁) 438997 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 :10) 1 1. 1 I 視 覺 上 可 了 解 之 方 式 誇 張 繪 示 m 期 m a為交_i 觉波形之狀態 1 1 I 但 並 無 波 敝 與 時 間 之 直 接 關 係 〇 1 I 將 高 頻 電 源 14之 高 頻 電 力 對 標 的 物 1 1 之 供 給 條 件 設 定 為 請 it 1 1 閱 | 上 述 條 件 之 結 果 1 甚 至 在 放 m 開 始 時 之 壓 力 為 20 raT or r之 讀 背 ® 情 況 或 鐵 氣 導 入 流 量 減 為 1 0 ηι T 〇 r r之情況均間樣地 得Μ 之 注 1 I 意'J 1 I 長 m 間 全 然 未 發 生 異 常 放 m 而 安 定 m 生 放 爾 〇 因 此 得 Μ 良 亊 1 1 好 之 重 現 性 施 行 I TO透明導電膜之形成 ) 填 本 裝 其 茌 未 發 生 異 常 放 電 之 下 可 接 時 間 安 定 放 m 之 理 由 為 > % 、—, 1 | 與 前 述 習 知 裝 置 之 結 果 相 較 其 η 力 供 給 期 間 a之時間5犖 1 1 秒 為 比 異 常 放 電 之 發 生 所 m 時 m 充 分 短 之 時 間 另 一 方 面 1 1 其 停 供 期 間 b之時間1 笔 秒 為 充 分 可 m 和 該 電 力 供 給 期 間 a 訂 之 時 間 内 所 發 生 之 充 m (作用) 之 時 間 〇 本 形 態 中 即 i I 使 在 比 放 電 開 始 時 之 m 力 為 低 之 1 0 mT 0 Γ r·之情況亦得Μ維 1 | 持 放 電 之 理 由 係 锺 漿 之 壽 命 為 比 高 頻 電 力 之 停 供 期 間 b之 I 1 時 間 為 長 之 時 間 所 致 〇 ) 1 線 雖 然 在 上 述 實 細 肜 態 中 1 將 高 頻. Μ 力 之 供 給 期 間 之 峙 間 - 1 a設定為5 毫 秒 7 但 此 項 供 給 m m 主 要 比 異 绾 放 m 之 發 生 所 1 | 镏 之 時 間 為 短 即 可 〇 尚 頻 電 力 之 供 給 時 間 Μ 知 裝 置 之 J 1 | 果 作 比 較 時 , 在 供 給 電 力 600W 之 情 況 » 在 m 力 20 mT 0 Γ r之 1 1 場 合 有 可 能 設 定 最 大 3分鐘之程度 而在Μ力1 0 m ΐο r r 之 埸 1 合 有 可 能 設 定 最 大 1分鐘之程度, 衍在供給fit力被W 厂高峙 1 1 異 常 放 電 之 發 生 所 需 之 時 m 則 變 短 因 此 茌 供 給 ΐΐ 力 較 Vh 1 之 場 合 有 必 要 m 短 該 供 給 期 間 a之時間。 1 I 再 者 1 高 頻 m 力 之 停 供 期 間 b之時間亦間漾並未限於上 1 ! 本紙張尺度適汛中國國家操準(CNS ) A4规格(210Χ2ί)7公釐) -]3 _ 438997 Α7 m 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(1Μ - 1 1 J 述 實 施 m 樣 之 1 m ΐ 少 。]1 貞停ί 共ϊ 寺間主要可媛和該遒力烘 1 1 1 給 期 間 a之0 串間内f λ發生之充锺 [作 用 )即可 。在本踅施形 1 I 態 中 1 可 維 持 放 ΊΙ 之 最 小 m 力 為 7 η iTc r r 〇 在 欲Μ 低 於 此一 請 先 閱 1 1 壓 力 之 壓 力 來 形 成 η 膜 之 埸 合 使 停 供 期 間 b之時間比镏 讀 背 而 * 1 1 漿 之 •么 叩 為 短 y 即 比 1.鼇秒為短即可 ,但若太短 ,則無法 之 注 1 1 意^ I | 完 全 媛 和 該 電 力 給 期 間 a之時間內所發生之充電 :作 用) 广 1 1 而 m 生 異 常 放 電 〇 停 供 期 間 b之時間通好能設定至 ,即使 填. 1 本 災 在 成 m 時 之 m 力 低 於 m ΐί! m 始 ιΐΐ JM 力 之 Μ 合亦 1··] 地> Ϊ! V^ 1 I 可 使 電 漿 m ,ών 卯 剛 好 夠 維 持 放 電 之 程 度 〇 1 高 頻 電 力 被 提 高 或 電 力 供 給 期 間 a之時間破延模時 媛 1 和 充 電 所 需 要 之 停 供 期 間 b之時間亦要延長〃 >從而 ,有必 1 訂 要 調 m 供 給 期 間 a之時間及停供期間b 之 時 間 。在 標 的 物衷 1 I 面 之 磁 場 強 度 增 大 或 m 力 降 低 或 標 的 物 表 面 之突 出 物 增加 1 J 之 情 況 9 容 易 發 生 移 荷 電 弧 而 發 生 所 η 之 時 間變 短 〇 再者 1 1 I > 若 容 易 產 生 粒 子 則 標 的 物 Μ 外 之 m 件 上 之電 弧 亦 容易 ) 1 線 發 生 〇 如 此 依 標 的 物 表 面 之 狀 況 壓 力 之 設定 及 產也 [ [ 粒 子 之 狀 況 7 有 畤 容 易 發 生 異 常 放 電 數 秒 鐘就 發 生 異常 [ 1 放 電 〇 從 而 » 高 頻 電 力 供 給 期 間 a之時間賀質上最好能如 1 I 本 實 胞 態 樣 設 定 為 毫 秒 之 程 度 至 多 1 0 0毫秒之程度 1 1 其 次 說 明 本 發 明 之 第 二 之 較 佳 實 胞 肜 態 。在 此 一 簧胞 1 形 態 中 對 第 一 實 施 形 態 中 作 為 灘 塗 氣 體 之 氬氣 添 加 流量 1 1 比 5¾之 氛 氣 0 在 本 實 施 形 態 中 由 於 對 m 塗 氣體 添 加 铽氣 1 I 得 以 延 長 電 漿 之 m. △ 叩 9 且 即 使 在 停 供 期 間 b定為1 毫 秒並 1 I 將 壓 力 PI 低 至 2 m To Γ V 之 情 況 亦 不 發 •ι 生 異 常 放 谶而 得 Μ 安定 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 297公趋) - 4 —- 4 3 899 7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明(12 ) 1 \ 放 電 〇 1 | 茌 此 t 對 濺 塗 氣 體 添 加 氦 氣之 埸 合 增 加 其 添 加 量 或 濺 f—、 1 I 塗 氣 體 之 壓 力 藉 >λ 提 高 氨 氣 之分 壓 時 可 延 長 電 漿 之 溝 命 請 Jt 1 m I 〇 從 而 對 濺 塗 體 添 加 氦 氣之 方 法 係 在 無 法 高 頻 電 力 讀 背 ιέ I 之停供期間b設定較短之時間之場合 •例如茌使用真空管 1 意 I 之 奄 源 被 採 用 之 場 合 有 效 者 (a v a i 1 able) % 1 )1 I V 其 次 » 說 明 本 發 明 之 第 三 之較 佳 筲 施 肜 m 〇 在 此 — 質 施 填 形 態 中 > 除 了 高 頻 電 力 之晚給方 式 外 均 與 第 __. 當 施 形 態 寫 本 頁 裝 1 I 之 條 件 相 同 〇 在 本 實 胞 形 態 中 , 將 m 給 於 標 的 物 之 高 頻 η 1 力 周 期 地 陴 低 Μ 代 替 該 Μ 力 之周 期 性 停 止 〇 圆4顯示由依 1 照 本 實 施 態 樣 之 高頻電源1 4输出之 電 m 波 形 0 屬 4中之c 為 1 訂 通 常 之 高 頻 電 力 之 供 給 期 間 ,d為周期地降低高頻馑力_之 1 | 期 間 〇 其 中 設 定 期 間c之讀力為6 0 0 Ιί 時間為5翌秒 期 1 I 間 d之電力為2 5 0 W, 時間為2奄秒 0 又 按 茌 圆 4中Μ裩镗 1 1 上 可 了 解 之 方 式誇張繪示较等期間 C * d為交流,坡 形 i 但 各 別 )1 ,線 之 波 數 與 時 間 均 無 直 接 之 關 像0 茌 本 實 Wli 形 態 亦 同 樣 地 I 1 得 長 時 間 全 然 未 發 生 異 常 放電 而 安 定 發 斗: 放 til > ίίΠ 得 Μ 1 良 好 之 a 琨 性 行 ITO透明導電膜之形成^ 洱者 欣照本 1 i I 實 施 形 態 之 高 頻 電 力 之 m 給 方忒 1 iJi 於 不 全 1J: m ΐϋ 1 其 放 m 不 會 停 止 9 直 到 m 力 2 in T 〇 r r 為 止 * 不 發 生 異 常 放 m 1 I 得 Μ 安 定 維 持 放 電 0 1 i 在 本 賞 施 態 樣 中 未 發 放 η > -'w m η Μ (¾ 時 tii] Hr. 1 1 定 放 電 之 理 由 有 -二 個 〇 第 —_. 涸理 由 為 與 第 實 胞 形 態 中 E 1 所 說 明 者 同 樣 地 » 皰行6 0 0 W高頻 電 力 之 供 給 之 期 間 C之時 1 1 -I 5 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ 3 399 7 A7 B7 五、發明説明(13 ) 間5毫秒為比異常放電所需之峙間充分短之時間。第二_ 理由為期間d之供給锴力2 5 0 W並未發生可引起異常放遒之 程度之充1 (作用)。洱者*第三個理由為,以期間d之時 間2秒鐘即可緩和該期間c所發生之充電(作用)。 在本實施態樣中|供給期間c之時間主要比異常放電所 需之時間為短即可|並米限於6 0 0 W高頻電力之供給期間c 之時間為5毫秒之設定。此高頻電力之供給期間c之時間乃 與第一實施•肜態中所述之場合同樣,有可能設定:在壓力 20mTorr之場合最大3分鐘之程度:在壓力lOmTorr之場合 T .J (請先間讀背面之注意事产_<填寫本頁) 裝- 度 程 之 鐘 分 短 變 間 峙 之 需 大所 最生 發冏 之 時 電 之 放 常 異 時 高 提 被 力 電 給 供 .茌 但 間 期 給 該 短 緬 0 必 此 因 態 形 施 簧 本 照 依 者 再 為 力 電 定 設 中 為 間 時 及 間值 期數 之等 力此 0 於 頻限 高未 低並 降但 地 , 期秒 周 在 毫 2 用 間t 期 之 低 降 期 周 按 給 供 之間 力期 電姶 頻供 高力 將電 項之 此常 。 通
電 充 生 發 所 内 間 時 之 C 和。 緩可 可即 要— 主 、vs -線. 高 提 被 力 電 之 d 經濟部中央梯準局貞工消費合作社印製 電 充 和 媛 法 無 僅間 不期 間則而 期,從 該髙 。 若太電 但若放 而 時 費 艮 41- y 和 緩 之 電 充 其 常 異 生 發 而 電 充 加 曾 1- 而 反 之 電 放 持 維 可 質 實 定 設 能 好 最 力 之 中 態 形 施間 實期 本 * 在此 - 因 者, 再電 〇 供 度 止 程停 力全 電完 之 態 低形 最施 貨 一 第 如 未 並 為 定 設 bL 4用 好 最 間 峙 之 長 延 被 βμ 時 其 或 高 〇 時 - 力 之看 長電· ^之 為 C 合 間 埸期 之給 電供 供力 止霄 停頻 全高 完若 比 長 延 要 亦 間 間 0 0 之依 odfe 間 d 期間 之期 要之 需電 所充 電和 充媛 和.’ 緩述 所 前 如 者 再 充 和 緩 在 司 不 之 力 之 β 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0><29:?公| ) 4389 9 7 A7 B7 經 k 標 準 局 貝 工 消 費 合 作 社 五、發明説明(14 ) - 1 I ΐΐ 所 W m 之 m 間 上亦 宵狻 化 〇 從而 1 /) 必 m 綢 整 期 問 C及 1 1 1 期 間 d各別之電力及之時間 。再者 ,如ί ϋ所述 ,f 欠標的物 1 I 請 1 表 面 之 狀 況 t 壓 力條 件, 及 產 生粒 子 之 狀 況 ] 有 脾 容 易發 .先' \U\ 1 I 讀 1 生 異 常 放 II 1 數 秒η 就發 生 異 常放 頻 fQ. 力 之 供 給朋 t - 而 i 間 C之時間實猙上最奸能如本贸胞態樣設定為窀秒之程度 之 /ί· J [ 意 I 至 多 100毫秒之程度| -J», · 1 本 發 明 之 i TO透明導爾膜肜成用之搮的物並米被眼於此 寫 本 1 裝 等 貿 施 形 態 所 用 之添 加有 S η ϋ, 1 0w t %之 Ιη2 〇3 之 熵 结 體 (密 ΙΓ 1 I 度 ^9 5 ¾ ) 之 直 徑 8时之圓盤狀標的物 對於S η 0 2添加量不同 之 標 的 物 形 狀 為矩 形或 橢 圓 形之 標 的 物 僅 經 過 壓 縮之 非 m 結 體 之 標 的 物, 以及 密 度 不同 之 標 的 物 亦 可 應 用 依照 I 訂 本 發 明 之 IT0透明導電膜之製造方法< ) 1 1 關 於 標 的 物 與 基板 之位 ΗΜ 置 m 係, 亦 同 樣 不 限 於 本 實 施形 1 | 態 〇 例 如 在 撋 的 物之 前方 移 m :>同 m 行 并 行 1 m 法 亦 可 應 用 依 照本 發明 之 1 ΐ 0透明導電' _之製造方法。 .) .1 1 線 1 使 配 置 於 標 的 物背 面之 單 —- 或複 數 磁 鐵 搖 動 ...μ. βΆ 偏 心 旋轉. 1 1 以 使 標 的 物 全 面 濺散 之方 式 之 成膜 法 亦 應 用 本 發 明 之 1 1 I TO透明導電膜之製造方法。 1 | 高 m 電 力 之 頻 率在 上述 ίιίίϊ 肜態 為 — 般 m 用 之 13 ,5 6 Κ II r 1 I t 但 該 頻 率 並 未 限於 此數 值 〇 在其 他 頻 率 之 高 頻 m 波 亦可 1 | nflF 懕 用 本 發 明乏ΙΤ0透明導電膜之製造方法 Ί例如4 0 . 6 8 ΜΗ Z之 1 1 頻 率 亦 在 依 照 習 知方 法時 發 生 舆常 放 m U 應 JT] 本 -13 明之 1 方 法 即 可 防 止 異 常放 電。 1 | 上 述 之 各 Η 施 形態 係關 於 使 用氩 氣 或 添 加 有 m 氣 之 it氣 1 本紙张尺度適用屮國國家標準(CNS > A4规格(2丨Oxm公釐) … 1 y „ 438997 B7 經濟部中央梂準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(15) 1 | 為 m 塗 氣 體 之 場 合 之 敍 述 » 但 濺 塗 氣 體 並 未 被 m 定 於 此 等 1 1 1 氣 體 0 在 使 用 其 他 稀 Η Μ 體 之 埸 台 或 m 氣 體 添 加 氧 氣 N 1 ί 或 氮 氣 等 之 反 應 性 氣 體 之 場 合 亦 可 應 用 依 照 本 發 明 之 IT0 請 先 閲. 1 透 明 導 電 膜 之 製 造 方 法 〇 背 1 1 而 [發明之效果] 之 注 金** 1 1 由 Μ 上 之 說 明 可 知 9 依 m 本 發 明 1 其 高 頻 ΐ| 力 之 供 給 方 事 1 1 Ι 式 ί系 在 異 常 放 m 發 生 前 w m 1¾ m 遒 力 而 m in 其 供 遒 時 V/ 1 裝 A 7 本· 所 發 生 之 充 (作用) 〇 由 於 設 法 使 此 13 式 有 周 期 性 之 反 m 頁 1 > 可 在 未 發 生 異 常 放 Μ 之 下 產 生 安 定 之 放 電 0 從 而 本 發 明 1 | 可 製 得 重 琨 性 良 好 之 I ΤΟ透明導電膜 1 Λ 又 山 於 使 停 供 期 m 之時肌 -UT] Μ鈸和山高頻钳力之供給 1 訂 而 發 生 之 充 遒 作 用 )比遒賜满命為..短 即使比放道開始之 1 1 壓 力 為 低 之 壓 力 亦 可 Μ 維 持 米 發 生 異 常 放 m 之 安 定 放 遒 0 1 I 再 者 t 由 於 濺 塗 it 體 添 加 宵 m 氣 Μ 漿 m 命 被 延 長 > m 1 使 高 頻 ΐΐϊ 力 之 1!丨、: 問 Μ 法 設 定 為 較 ϊ\ί ΙΙΐ ilii 之 埸 II > 亦 J 線 可 以 利 用 It 放 電 開 始 之 壓 力 為 低 之 魃 力 來 維 持 米 發 生 異 常 1 1 放 電 之 安 定 放 電 〇 1 1 再 者 9 其 以 高 頻 電 力 之 周 期 性 降 低 來 代 替 高 頻 电 力 之 m 1 1 期 性 停 止 藉 Μ 媛 和 其 降 低 前 所 產 生 之 充 爾 (作用) 之 方 法 亦 1 Ί I 可 Μ 在 未 發 生 異 常 放 電 之 下 產 生 安 定 之 放 m 〇 又 由 於 米 停 1 止 放 電 7 即 .使 比 放 爾 開 始 之 m 力 為 低 之 壓 力 亦 可 以 維 持 米 1 1 發 生 異 常 放 電 之 安 定 放 Μ 〇 m 此 可 製 得 Μ Μ 性 良 好 之 IT0 1 1 m 明 導 遒 膜 〇 1 I [圖式之簡單說明] 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(21〇Χ297公釐) ~ 18 ~ 438997 A7 __^____B7____ 五、發明説明(16) 圖1為在高頻磁控管濺塗裝置中供給高頻電力至陰極之 糸統之略圖。 圓2為在習知之高頻磁挥管濺塗法中之高頻雒源輸出電 壓之波形圖。 圖3為在本發明第一較佳實施肜態有關之ITO透明導電HM 製造方法中之高頻1源蝓出馏壓之波形國。 圖4為在本發明另一較佳賞施形態有關之I TO透明導電_ 製造方法中之高頻電源輸出甯壓之波形圔。 [符號之說明] 1. 1 ...標的物* 1 2 ...背板, 1 3 ...阻抗整合器, 1 4 ...高頻電.源。 I---------^------'1T------線 , - ^ .) 1 .) (請先間讀背面之注意事ί.-填寫本页) : 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙张尺度適州中國國家標準(CNS ) Λ4规格(2I()X 2的公;f ) -19-

Claims (1)

  1. j 只Πϊΐ 438997 A8 Β8 C8 D8 38. 1. 1< 修正本 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 1. 一種製造ΪΤΟ透明導電膜之方法,其採用一種高頻磁 控管濺塗法即:使用絪及錫之氧化物為標的物在導入有稀 有氣體單獨或稀有氣體及氧氣作為濺塗氣體之氣氛中對搮 的物供給高頻電力;利用由設置於該標的物背面上之磁鐵 使電漿收束於該標的物表面近旁之磁控管濺塗琨象在基板 上彤成ΙΤ0透明導電膜之高頻磁控管濺塗法,藉此製造I TO 透明導電膜之方法I其特徼為, 週期且交互地切換著高頻電力之供給期間a和停止供應 期間b,並且,根據前述之濺塗氣體之壓力及高頻電力; 而調節著前述油間a和b之時間* tt外,還設定前述期間a 之時間,而使得前述期間a之時間 > 短於異常放電發生之 所需要之時間。 2 .如申諝專利範圍第1項之方法,其特徵為,使前述高 頻電力之停止供應時間b之時間比電漿之壽命為短者。 3. —種製造IT0透明導電膜之方法,其採用一種高頻磁 控管濺塗法即:使用絪及錫之氧化物為標的物在導入有稀 有氣體單獨或稀有氣體及氧氣作為濺塗氣體之氣氛中對標 的物供給高頻電力;利用由設置於該標的物背面上之磁鐵 使電漿收束於該標的物表面近旁之磁控管濺塗現象在®板 上形成IT0透明導電膜之高頻磁控管濺塗法,藉此製造IT0 透明導電膜之方法*其特戬為, 在前述之濺塗氣體中,添加入5 it;流量比之氪氣,同時· 週期且交互地切換著高頻電力之供給期間a和停止供應期 間b,並且,根據前述之濺塗氣體之壓力及高頻電力,而 本紙浪尺度適用中國國家椟準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ---------in {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 438997 AB B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^^^1 I— ϋ ^^^1 —^ϋ ^^^1 n^i ^^^1 lJ -¾.-a / ·. (請先閔面之注意事項再填寫本頁) 調節著前述期間a和b之時間,此外 > 遛設定前述期間a之 時間,而使得前述期間a之時間|短於異常放電發生之所 需要之時間。 ' 4 .如申請專利範圍第3項之方法,其特徵為,使前述高 頻電力之停止供應時間b之時間比電漿之薷命為短者。 5.—種製造ITO透明導電膜之方法|其採用一種高頻磁 控管濺塗法即:使用銦及錫之氧化物為標的物在導入有稀 有氣體單獨或稀有氣體及氧氣作為濺塗氣體之氣氛中對標 的物供給高頻電力;利用由設置於該標的鞠背面上之磁鐵 使電漿收束於該標的物表面近旁之磁控管濺塗現象在基板 上彤成ITO透明導電膜之高頻磁控管濺塗法,藉此製造I TO 透明導電膜之方法,其特徽為, 週期且交互地切換著高頻電力之供給期間c ·、Μ戾該降 ) 低及供給著前述之高頻電力之期間d,並且,根據前述之 濺塗氣體之壓力及高頻電力,而調節著前述期間(:和」之時 間,此外,還設定前述期間c之時間,.而使得前述期間c之 時間,短於異常放電發生之所需要之時間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印簟 6 .如申請專利範圍第5項之方法,其特徵為,使前述高 頻電力之停止供應時間b之.時間比電漿之壽命為短者。 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(2丨0ΧΪ97公釐) 2
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JP4120974B2 (ja) * 1997-06-17 2008-07-16 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作製方法および薄膜作製装置
DE19949394A1 (de) * 1999-10-13 2001-04-19 Balzers Process Systems Gmbh Elektrische Versorgungseinheit und Verfahren zur Reduktion der Funkenbildung beim Sputtern
KR20020039089A (ko) * 2000-11-20 2002-05-25 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막트랜지스터의 화소전극형성방법
JP4500048B2 (ja) 2001-10-22 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 グロー放電装置のアーク判定方法及び高周波アーク放電抑制装置
WO2009025258A1 (ja) * 2007-08-20 2009-02-26 Ulvac, Inc. スパッタリング方法及びスパッタリング装置
JP5322235B2 (ja) * 2007-08-20 2013-10-23 株式会社アルバック スパッタリング方法
JP5353633B2 (ja) * 2009-10-27 2013-11-27 三菱電機株式会社 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置
KR101020767B1 (ko) 2010-08-13 2011-03-09 (주)유시스텍 투명성 전도박막 제조방법
JP5751484B2 (ja) * 2011-06-10 2015-07-22 国立大学法人東北大学 ナノ金属ガラス粒子集合体薄膜の製造方法

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