KR970060615A - 청록색 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 청록색 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, n-ZnMgSSe 제1크래드층, n-ZnSSe 제1광도파층, 활성층, p-ZnSSe 제2광도파층, p-ZnMgSSe 제2크래드층이 순차적으로 적층된 레이저 발진층을 포함한 청록색 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 ZnCdSe 활성층을 질소로 도핑하여, 활성층 내의 홀의 농도를 높이는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 청록색 반도체 레이저 다이오드의 수직 단면도이다.
Claims (3)
- n-ZnMgSSe 제1크래드층, n-ZnSSe 제1광도파층, ZnCdSe 활성층, p-ZnSSe 제2광도파층, p-ZnMgSSe 제2크래드층이 순차적으로 적층된 레이저 발진층을 포함한 청록색 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 ZnCdSe 활성층을 질소로 도핑한 것을 특징으로 하는 청록색 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n-ZnSSe 제1광도파층과 상기 ZnCdSe 활성층 사이에는 Cl이 도핑되지 않은 undoped-ZnSSe 층이 개재되는 것을 특징으로 하는 청록색 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층에 대한 질소의 도핑 농도는 1017/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 청록색 반도체 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960000307A KR970060615A (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 청록색 반도체 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960000307A KR970060615A (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 청록색 반도체 레이저 다이오드 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970060615A true KR970060615A (ko) | 1997-08-12 |
Family
ID=66218560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960000307A KR970060615A (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 청록색 반도체 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970060615A (ko) |
-
1996
- 1996-01-09 KR KR1019960000307A patent/KR970060615A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |