KR970060528A - 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970060528A KR970060528A KR1019960000107A KR19960000107A KR970060528A KR 970060528 A KR970060528 A KR 970060528A KR 1019960000107 A KR1019960000107 A KR 1019960000107A KR 19960000107 A KR19960000107 A KR 19960000107A KR 970060528 A KR970060528 A KR 970060528A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tft
- liquid crystal
- lower substrate
- forming
- ito
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 그 박막트랜지스터-액정표시장치는 하부기판상의 반도체층을 갖는 TFT와; 그 위의 금속전극과; 상기 TFT와 금속전극에 걸치는 ITO와; 상기 금속전극과 금속간 절연층을 사이에 두고 형성되는 흑화막과; 상기 흑화막위의 블랙 매트릭스와; 상부기판에 형성되는 ITO 화소전극과; 상부기판과 하부기판 사이의 액정을 구비하여 구성되며, 상기 박막트랜지스터-액정표시장치의 또다른 구성은 하부기판에 형성된 TFT와; TFT의 단자로 이용되는 알루미늄전극과; 상기 알루미늄전극위에 형성되는 홀화막과; 상기 TFT의 단자로 이용되는 ITO와; 금속간 절연층을 아래에 두고 형성되는 블랙 매트릭스와; ITO 화소전극을 포함하는 상부기판과; 상기 상부기판과 하부기판을 합착시키는 액정을 구비하여 구성된다.
상기 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조는 하부기판에 반도체층을 갖는 TFT를 형성하는 공정과; 이후 금속전극을 형성하는 공정과; 이후 ITO를 형성하는 공정과; 이후 금속간 절연층을 증착하고 그 위에 스퍼타링으로 제조된 실리콘 나이트라이드의 흑화막을 형성하는 공정과; 이후 블랙 매트릭스를 형성하는 공정과; 이후 하부기판을 ITO 화소전극을 포함하는 상부기판과 액정을 주입하여 합착시키는 공정으로써 완료되면, 블랙매트릭스에 의한 빛 전달 통로 현상을 흑화막을 이용하여 방지하여 TFT 반도체층의 광여기 누설전류를 방지함으로써, 프로젝터용 디스플레 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터-액정표시장치를 도시한 제1단면도.
Claims (4)
- 하부기판상의 반도체층을 갖는 TFT와; 그 위의 금속전극과; 상기 TFT와 금속전극에 걸치는 ITO와; 상기 금속전극과 금속간 절연층을 사이에 두고 형성되는 흑화막과; 상기 흑화막위 의 블랙 매트릭스와; 상부기판에 형성되는 ITO 화소전극과; 상부기판과 하부기판 사이의 액정을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치.
- 하부기판에 형성된 TFT와; TFT의 단자로 이용되는 알루미늄전극과; 상기 알루미늄전극위에 형성되는 흑화막과; 상기 TFT위의 ITO와; 금속간 절연층을 아래에 도고 형성되는 하부기판을 합착시키는 액정을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치.
- 하부기판에 반도체층을 갖는 TFT를 형성하는 공정과; 이후 금속전극을 형성하는 공정과; 이후 ITO를 형성하는 공정과; 이후 금속간 절연층을 증착하고 그 위에 흑화막을 형성하는 공정과; 이후 블랙 매트릭스를 형성하는 공정과; 이후 하부기판을 ITO 화소전극을 포하하는 상부기판과 액정을 주입하여 합착시키는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 흑화막은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 되어 있고 스퍼터링(Sputtering)법으로 형성하여 제조되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960000107A KR0176881B1 (ko) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960000107A KR0176881B1 (ko) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970060528A true KR970060528A (ko) | 1997-08-12 |
KR0176881B1 KR0176881B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19449036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960000107A KR0176881B1 (ko) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0176881B1 (ko) |
-
1996
- 1996-01-05 KR KR1019960000107A patent/KR0176881B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0176881B1 (ko) | 1999-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100223899B1 (ko) | 액정표시장치의 구조 및 제조방법 | |
JPH04163528A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
KR960025294A (ko) | 액정 표시장치 및 그 제조방법과 화상 형성방법 | |
KR970060528A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20030048363A (ko) | 전기 광학 장치, 액정 장치 및 투사형 표시 장치 | |
US6046063A (en) | Method of manufacturing liquid crystal display | |
KR20000002804A (ko) | 액정 표시 소자 | |
US6602743B2 (en) | Method of manufacturing a flat panel display | |
KR970059789A (ko) | 액정 표시 장치의 전극배선 형성방법 | |
KR20000039802A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자의 하부기판 제조방법 | |
KR100336899B1 (ko) | 박막트랜지스터액정표시소자의제조방법 | |
KR100535349B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 제조방법 | |
KR100878202B1 (ko) | 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
JPS641053B2 (ko) | ||
KR19990050745A (ko) | 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100494705B1 (ko) | 액정표시소자의 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR20010063291A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자 | |
KR100279265B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자의 보호막 형성방법 | |
KR20000019130A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자 | |
US20040212771A1 (en) | Liquid crystal display panel | |
KR0183537B1 (ko) | 반사형 액정표시장치용 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법 | |
KR0182027B1 (ko) | 게이트 절연막의 제조 방법 | |
JPH0659280A (ja) | 金属配線基板及びそれを用いた液晶表示装置 | |
JPH02165123A (ja) | 反射型液晶表示デバイス | |
KR970066694A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시소자의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080926 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |