KR970054579A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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KR970054579A
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김성복
노정래
이일항
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양승택
한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형서하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2경사 인덱스층들의 성장 온도를 변화시켜 In의 조성비가 포물형으로 변화되도록 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의오믹 전극을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 전하 운반자가 확산되는 것을 방지할 수 있으므로 누설 전류의 감소와 이로 인한 문턱 전류 값을 낮출 수 있으며, 또한, InGaAs의 제1 및 제2경사인덱스층들을 성장 온도를 변화시켜 In의 농도가 변화되도록 결정 성장시키므로 공정이 간단하면서 양자 효율을 증가시킬 수 있다.

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(A) 내지 (C)는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조 공정도.

Claims (9)

  1. 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형서하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2경사 인덱스층들의 성장 온도를 변화시켜 In의 조성비가 포물형으로 변화되도록 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의오믹 전극을 형성하는 공정을 구비하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 V홈을 1차 식각에 의해(111)면을 갖도록 하고, 2차 식각에 의해 (311)면 또는 (322)면에 가까운 높은 인덱스 면을 갖도록 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1클래드층을 Si를 1×1017㎝-3~5×1017㎝-3로 도핑시켜 12000~18000Å의 두께를 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 활성층을 GaAs/InGaAs 또는 InGaAs/InGaAsp가 하나의 쌍(pair)을 이루는 다수개의 쌍의 다중 양자 우물 구조로 200~500Å 정도의 두께로 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2스페이셔층을 700~1500Å의 두께로 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2경사인덱스층을 700~1200Å의 두께로 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2경사인덱스층 성장시 성장 온도를 480~530℃에서 420℃로 연속적으로 변화시켜 In의 조성비를 30%에서 70%로 포물형으로 증가되도록 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2클래드층을 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be)의 P형 불순물이 1×1017㎝-3~5×1017㎝-3로 도핑시켜 12000~18000Å의 두께를 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 캡층을 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be)의 P형 불순물이 1×1017㎝-3의 고농도로 도핑시켜 2000~4000Å의 두께를 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054540A 1995-12-22 1995-12-22 레이저 다이오드의 제조방법 KR100199005B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766027B1 (ko) * 2006-01-26 2007-10-11 한국과학기술연구원 격자 정합된 ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법

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KR100766027B1 (ko) * 2006-01-26 2007-10-11 한국과학기술연구원 격자 정합된 ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법

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