KR970052736A - 반도체 식각공정의 diw 추가 공급방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체 식각공정의 diw 추가 공급방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 식각속도가 상승되고 웨이퍼간의 식각 균일도가 향상되도록 한 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법 및 그 장치에 관한 것으로, 케미컬 혼합조에 DIW를 추가로 공급하기 위한 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법은 상기 DIW를 가열하여 온도를 높이는 단계; 상기 가열된 DIW를 케미컬 혼합조에 고루 분산되도록 분사시키는 단계; 를 포함하여 된 것이고, DIW 추가 공급장치는 상기 DIW를 추가 공급하기 위한 공급튜브에 다수개의 작은구멍이 형성되고, 상기 다수개의 작은 구멍을 통해 DIW가 분사되도록 구성된 것이다.
따라서 추가 공급되는 DIW와 케미컬이 전체적으로 균일하게 혼합되어지고, 혼합시 액의 방폭현상 및 케미컬의 온도 하강현상이 방지되며, 기포에 의해 DIW와 케미컬이 고르게 혼합됨과 동시에 혼합속도가 가속됨으로써 전체 식각속도가 상승되고 웨이퍼간의 식각균일도가 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 DIW 추가 공급장치를 나타낸 구성도이다.
제3도는 본 발명에 따른 DIW 추가 공급장치에서 공급노즐을 나타낸 평면도이다.

Claims (10)

  1. 케미컬 혼합조에 DIW를 추가로 공급하기 위한 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법에 있어서, 상기 DIW를 가열하여 온도를 높이는 단계; 및 상기 가열된 DIW를 케미컬 혼합조에 고루 분산되도록 분사시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 DIW와 함께 불활성 가스를 공급하여 DIW의 공급시 기포를 발생시키는 단계를 더 포함하여 됨을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 DIW 가열단계에서 DIW를 혼합조내의 케미컬과 동일한 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 DIW 공급단계에서 DIW가 아래에서 위로 분사되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 불활성가스는 N2인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급방법.
  6. 케미컬 혼합조에 DIW 공급라인으로부터 공급되는 DIW를 추가로 공급하기 위한 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치에 있어서, 상기 DIW를 추가 공급하기 위한 공급튜브에 다수개의 작은 구멍이 형성되고, 상기 다수개의 작은 구멍을 통해 DIW가 분사되도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공급튜브는 DIW가 케미컬 혼합조 전체에 고루 공급되어지도록 가지형태로 분할되어 적어도 두 개 이상으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 DIW 공급라인상에 DIW를 가열하기 위한 가열수단이 더 부가됨을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가열수단은 DIW를 수용하기 위한 가열조와, 상기 가열조내의 DIW를 가열하는 히터로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치.
  10. 제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 DIW 공급라인상에 불활성가스 공급라인이 연결된 것을 특징으로 하는 상기 반도체 식각공정의 DIW 추가 공급장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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